本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件技術(shù)，特別是涉及射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法。

背景技術(shù)：

在射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)中，為了提高器件的擊穿電壓，場板的設(shè)計(jì)是必不可少的。場板技術(shù)是提高器件表面耐壓的常用終端技術(shù)，它可以有效降低反向PN結(jié)的表面電場，提高PN結(jié)的耐壓能力。即當(dāng)表面覆蓋有場板的PN結(jié)加反向偏壓時(shí)，水平方向的部分電力線將會(huì)終止于垂直方向的場板，從而降低水平方向的電場強(qiáng)度，提高器件的抗擊穿能力。

圖1A-1B為現(xiàn)有技術(shù)中的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的場板結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1A所示，該器件包括支撐基底101、柵極102、氧化層103，在現(xiàn)有技術(shù)中，還需要在基底101和柵極102的表面形成一層場板104，其中，場板104包括水平部1041和垂直部1042，水平部1041和垂直部1042相互垂直。進(jìn)一步的，如圖1B所示，要對(duì)場板104進(jìn)行刻蝕。

但是，在后續(xù)場板104的刻蝕過程中，由于場板的垂直部1042的厚度，也即場板垂直部1042的上表面距離氧化層103的垂直距離H1比水平部1041的厚度厚，因此，在刻蝕的過程中當(dāng)水平部1041刻蝕完畢之后，但垂直部1042卻沒有刻蝕完，因此，非常容易形成殘留區(qū)域1043，殘留區(qū)域1043會(huì)引起閾值電壓漂移等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)刻蝕場板的過程中在場板上容易留有殘留區(qū)域，引起閾值電壓漂移的問題。

本發(fā)明提供了一種射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：在基底上的柵極表面以及所述基底的表面形成厚氧化層；刻蝕所述厚氧化層，形成場氧化層，所述場氧化層包括第一斜坡部、第二斜坡部和連接于所述第一斜坡部和所述第二斜坡部的連接部，所述連接部位于所述柵極的表面，所述第一斜坡部和所述第二斜坡部分別位于所述柵極的兩側(cè)；在所述場氧化層上形成場板。

本發(fā)明提供的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，通過形成包括第一斜坡部、第二斜坡部的場氧化層，并進(jìn)一步在場氧化層的表面形成包括第三斜坡部、第四斜坡部的場板材料層，使得第三斜坡部和第四斜坡部距離場氧化層的垂直距離被減小，因此，后續(xù)對(duì)場板材料層的刻蝕更加容易，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中場板刻蝕引起的殘留，因而可以降低出現(xiàn)閾值電壓漂移的問題。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中帶有分壓結(jié)構(gòu)的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法的流程圖；

圖3A-3E為本發(fā)明實(shí)施例二提供的制作射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，如圖2所示，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法的流程圖，該射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：

步驟201，在基底上的柵極表面以及基底的表面形成厚氧化層。

其中，柵極可選為多晶硅。

厚氧化層的形成方式可以是化學(xué)氣相沉積，具體可以采用低壓、常壓或者等離子體化學(xué)氣相沉積。為了形成較為致密的厚氧化層，優(yōu)選為低壓化學(xué)氣相沉積厚氧化層。

步驟202，刻蝕厚氧化層，形成場氧化層。

其中，場氧化層包括第一斜坡部、第二斜坡部和連接于第一斜坡部和第二斜坡部的第一連接部，第一連接部位于柵極的表面，第一斜坡部和第二斜坡部分別位于柵極的兩側(cè)。

步驟203，在場氧化層上形成場板材料層。

具體的，可以采用化學(xué)氣相沉積在場氧化層的表面形成場板材料層，因此場板材料層的形狀與場氧化層的形狀相似，即場板材料層包括第三斜坡部、第四斜坡部和連接于第三斜坡部和第四斜坡部的第二連接部，其中，第三斜坡部位于場氧化層的第一斜坡部表面，第四斜坡部位于場氧化層的第二斜坡部表面，第二連接部部位于場氧化層的第一連接部表面。

步驟204，刻蝕場板材料層，形成場板。

本實(shí)施例的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法中，通過形成包括第一斜坡部、第二斜坡部的場氧化層，并進(jìn)一步在場氧化層的表面形成包括第三斜坡部、第四斜坡部的場板材料層，使得第三斜坡部和第四斜坡部距離場氧化層的垂直距離被減小，其中需要說明的是，垂直距離是指第三斜坡部或第四斜坡部的上表面到場氧化層上表面的垂直距離，因此，后續(xù)對(duì)場板材料層的刻蝕更加容易，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中場板刻蝕引起的殘留，因而可以降低出現(xiàn)閾值電壓漂移的問題。

實(shí)施例二

如圖3A至3E所示，圖3A-3E為制作射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例也是對(duì)上述實(shí)施例的進(jìn)一步補(bǔ)充說明。

如圖3A所示，在基底1上的柵極2表面以及基底1的表面形成厚氧化層3。

其中，基底1包括襯底11、體區(qū)12、源區(qū)13、漂移區(qū)14、漏區(qū)15、柵氧化層16，其中襯底11為硅襯底，硅襯底中摻雜有雜質(zhì)，雜質(zhì)可以為銻或砷。襯底11、體區(qū)12、源區(qū)13、漂移區(qū)14、漏區(qū)15、柵氧化層16的形成方式均為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。厚氧化層3是通過化學(xué)氣相沉積形成在 基底1上的，可選的，與現(xiàn)有技術(shù)相比，例如現(xiàn)有技術(shù)的厚氧化層的厚度為1500埃，則本實(shí)施例中提供的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的厚氧化層3的厚度為3000埃-5000埃，但厚度并不限于此，具體的厚度可以根據(jù)實(shí)際的器件需求而做出更改，只要保證該厚氧化層3的厚度為現(xiàn)有技術(shù)的2-3倍即可，目的是為了下一步驟對(duì)厚氧化層3進(jìn)行刻蝕后，保證通過刻蝕厚氧化層所形成的場氧化層的厚度。

進(jìn)一步的，如圖3B所示，刻蝕厚氧化層3，形成場氧化層4。

其中，形成場氧化層4的具體方式為在真空度為100-300毫托，磁場20-40高斯的條件下刻蝕厚氧化層3。具體的，刻蝕厚氧化層3還需要加入刻蝕氣體和惰性氣體，具體的刻蝕氣體可以根據(jù)厚氧化層3的材料進(jìn)行選擇，例如，若厚氧化層3為氧化硅，則刻蝕氣體可以采用三氟甲烷，四氟化碳等，其中刻蝕氣體的流量可選為30-80毫升/分鐘，刻蝕氣體的量不適宜過大，否則容易將基底1表面的氧化層刻蝕掉，刻蝕厚氧化層3的刻蝕時(shí)間為20秒-80秒。惰性氣體可選為氬氣，流量為40-150毫升/分鐘。

場氧化層4包括第一斜坡部41、第二斜坡部42以及連接于第一斜坡部41和第二斜坡部42的第一連接部43，第一連接部43位于柵極2的表面，第一斜坡部41和第二斜坡部42分別位于柵極2的兩側(cè)。其中，第一斜坡部41、第一連接部43和第二斜坡部42在水平方向上的長度與基底1的長度相等。如圖3B所示，第一斜坡部41包括第一水平部410以及第一豎直部411，第二斜坡部42包括第二豎直部421以及第二水平部422。第一水平部410和第二水平部422為與基底1平行的部分，第一豎直部411連接于第一水平部410和第一連接部43之間，第二豎直部421連接于第二水平部422和第二連接部43之間。更為具體地，第一豎直部411遠(yuǎn)離柵極2的一側(cè)的形狀為弧形，弧形彎曲的方向?yàn)檫h(yuǎn)離柵極2的方向，同樣，第二豎直部422遠(yuǎn)離柵極2的一側(cè)的形狀也為弧形，弧形彎曲的方向也為遠(yuǎn)離柵極2的方向。

如圖3C所示，采用化學(xué)氣相沉積在場氧化層4上形成場板材料層5，可選地，場板材料層5為多晶硅、硅化鎢、鈦的任意一種，厚度在800埃至3000埃之間，場板材料層5包括第三斜坡部51、第四斜坡部52和連接于第三斜坡部51和第四斜坡部52的第二連接部53，其中，由于場板材料層5是采用化學(xué)氣相沉積形成的，第三傾斜部51、第四傾斜部52以及第二連接部的厚 度是相等，因此場板材料層5的形狀與場氧化層4的形狀相似。

此外，由于場板材料層5和柵極2都是導(dǎo)體，若場板材料層5和柵極2接觸則會(huì)造成短路，因此第一連接部43可以防止場板材料層5和柵極2之間的短路，進(jìn)一步的，由于柵氧化層16通常很薄，不足以隔離場板材料層5和柵氧化層16下的源區(qū)13、漂移區(qū)14和漏區(qū)15，因此，第一水平部44和第二水平部45可以防止場板材料層5與柵氧化層16下方的源區(qū)13、漂移區(qū)14和漏區(qū)15連接造成的短路。此外，在形成場氧化層4時(shí)需要嚴(yán)格控制刻蝕條件，防止第一連接部43、第一水平部410、第二水平部422被刻蝕掉。

其中，第三傾斜部51還包括第三豎直部511和第三水平部510，第四傾斜部52包括彎曲部521和第四水平部520，第三水平部510和第四水平部520為與基底1平行的部分，第三豎直部511連接于第三水平部510和第二連接部53之間，第彎曲部521連接于第四水平部520和第二連接部53之間，更為具體的，第三豎直部511遠(yuǎn)離柵極2的一側(cè)的形狀為弧形，弧形彎曲的方向?yàn)檫h(yuǎn)離柵極2的方向，同樣，彎曲部521遠(yuǎn)離柵極2的一側(cè)的形狀也為弧形，弧形彎曲的方向也為遠(yuǎn)離柵極2的方向。其中，第三豎直部511、彎曲部521的形狀可以為如圖3C所示的弧形，可以為三角形(圖中未示出)，或者為扇形(圖中未示出)，以上形狀均能保證場板材料層5的第三豎直部511以及彎曲部521距離場氧化層4的垂直距離H比現(xiàn)有技術(shù)中場板垂直部1024的距離氧化層103的垂直距離H1小，當(dāng)然第三豎直部511和彎曲部521也可以為其他可減小垂直距離H的形狀，在此不再一一列舉。其中，由于干法刻蝕工藝是各向異性的，因此在刻蝕場氧化層4時(shí)將第一豎直部411第二豎直部421刻蝕為弧形最容易，也即第三豎直部511及彎曲部521的形狀為弧形對(duì)于工藝的要求最簡單，因此，優(yōu)選的，第三豎直部511和彎曲部521的形狀為弧形。

如圖3D-3E所示，刻蝕場板材料層，形成場板。

具體的，如圖3D所示，在場板材料層5上形成光刻膠層6，光刻膠層6的一端位于柵極2的上方，光刻膠層6的另一端位于柵極2的側(cè)面，其中，光刻膠層6為經(jīng)過曝光顯影后的光刻膠層。進(jìn)一步的，如圖3E所示，對(duì)場板材料層5進(jìn)行刻蝕，形成具有彎曲部521的場板50，最后，去除光刻膠層6。

本實(shí)施例提供的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法中， 通過形成包括第一斜坡部41、第二斜坡部42的場氧化層4，并進(jìn)一步在場氧化層4的表面形成包括第三斜坡部51、第四斜坡部52的場板材料層5，使得第三斜坡部51和第四斜坡部52距離場氧化層的垂直距離被減小，因此，使得后續(xù)的場板刻蝕更加容易，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中場板刻蝕引起的殘留，因而可以降低出現(xiàn)閾值電壓漂移的問題。

實(shí)施例三

本實(shí)施例還提供一種射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，該器件的結(jié)構(gòu)如圖3E所示，本實(shí)施例提供的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件可以根據(jù)上述實(shí)施例所提供的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法進(jìn)行制作，在此不再詳細(xì)贅述，請參見對(duì)于射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法的描述。

本實(shí)施例提供的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件中，由于場板是由包括第三斜坡部51、第四斜坡部52和連接于第三斜坡部51和第四斜坡部52的第二連接部53的場板材料層5刻蝕而成，因此，減小了制作場板7的刻蝕難度，避免了現(xiàn)有技術(shù)中場板刻蝕引起的殘留，因而可以降低出現(xiàn)于世電壓漂移的問題，提高了器件的性能和產(chǎn)出良率。

最后應(yīng)說明的是：以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。