雙寄生lte天線的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種雙寄生LTE天線，一種雙寄生LTE天線，它包括第一輻射單元、第二輻射單元、第三輻射單元、第四輻射單元、第五輻射單元、第一寄生單元及第二寄生單元；所述第二輻射單元呈兩級(jí)臺(tái)階形，其較矮的一級(jí)臺(tái)階的端部連接第一輻射單元，另一級(jí)臺(tái)階端部連接第三輻射單元。本實(shí)用新型的有益效果在于：將天線設(shè)計(jì)為上述結(jié)構(gòu)，可將天線支持3G通訊頻段基礎(chǔ)上拓寬至4G頻段，從而實(shí)現(xiàn)低頻824～960MHz，高頻1710～2620MHz的通訊需求。
【專利說(shuō)明】雙寄生LTE天線

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種通訊天線,尤其是指一種雙寄生LTE天線。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的天線產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上帶寬較窄，一般只能滿足3G產(chǎn)品需求。而隨著技術(shù)的發(fā)展，人們對(duì)無(wú)線通訊的速率也提出了更高要求。4G應(yīng)運(yùn)而生，時(shí)下的4G即LTEAdvanced。LTE是應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)據(jù)卡終端的高速無(wú)線通訊標(biāo)準(zhǔn),其有能力提供300Mbit/s的下載速率和75Mbit/s的上傳速率。在E-UTRA環(huán)境下可借助QOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)低于5ms的延遲。LTE可提供高速移動(dòng)中的通信需求，支持多播和廣播流。LTE頻段擴(kuò)展度好，支持1.4MHZ至20MHZ的時(shí)分多址和碼分多址頻段。全I(xiàn)P基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，也被稱作核心分組網(wǎng)演進(jìn)，將替代原先的GPRS核心分組網(wǎng)，可向原先較舊的網(wǎng)絡(luò)如GSM、UMTS和CDMA2000提供語(yǔ)音數(shù)據(jù)的無(wú)縫切換。而為了實(shí)現(xiàn)LTE的通訊，對(duì)應(yīng)的新天線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也成為業(yè)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種可拓展支持4G頻段的雙寄生LTE天線。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:一種雙寄生LTE天線，它包括第一輻射單元、第二輻射單元、第三輻射單元、第四輻射單元、第五輻射單元、第一寄生單元及第二寄生單元；所述第二輻射單元呈兩級(jí)臺(tái)階形，其較矮的一級(jí)臺(tái)階的端部連接第一輻射單元，另一級(jí)臺(tái)階端部連接第三輻射單元；
[0005]所述第一輻射單元的一端與第二輻射單元相連，另一端間隔于較矮的一級(jí)臺(tái)階沿第二輻射單元另一級(jí)臺(tái)階方向延伸形成有第一水平段、第一水平段端部向上延伸形成有第一豎直段、第一豎直段端部沿第二輻射單元另一級(jí)臺(tái)階方向延伸形成有第二水平段；
[0006]所述第三輻射單元包括第三豎直部，第三豎直部左部與第二輻射單元相連、右部連接第四輻射單元、上部沿第一輻射單元方向延伸形成第三水平段、下部連接第五輻射單元;
[0007]所述第五輻射單元呈條狀，其端部設(shè)有信號(hào)饋電；
[0008]于第五輻射單元兩側(cè)間隔設(shè)有第一寄生單元及第二寄生單元；于第一寄生單元端部設(shè)有第一接地饋電；于第二寄生單元端部設(shè)有第二接地饋電；
[0009]上述結(jié)構(gòu)中，所述第一輻射單元的第一水平段與第二輻射單元較矮的一級(jí)臺(tái)階間隔 0.5-1.2mm ；
[0010]上述結(jié)構(gòu)中，所述第一寄生單元與第五輻射單元間隔0.5-0.8mm ；
[0011]上述結(jié)構(gòu)中，所述第二寄生單元與第五輻射單元間隔0.5-0.8mm ；
[0012]上述結(jié)構(gòu)中，所述第二輻射單元的兩級(jí)臺(tái)階寬1.2-1.8mm ；
[0013]上述結(jié)構(gòu)中，所述第三輻射單元的第三水平段與第二輻射單元的另一級(jí)臺(tái)階間隔8-10mmo
[0014]本實(shí)用新型的有益效果在于:將天線設(shè)計(jì)為上述結(jié)構(gòu)，可將天線支持3G通訊頻段基礎(chǔ)上拓寬至4G頻段，從而實(shí)現(xiàn)低頻824?960MHZ，高頻1710?2620MHZ的通訊需求。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]下面結(jié)合附圖詳述本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)
[0016]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型的應(yīng)用結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為本實(shí)用新型具體示例的VSWR自由空間測(cè)試圖；
[0019]圖4為本實(shí)用新型具體示例的RL自由空間測(cè)試圖。
[0020]1-第一輻射單元；2_第二輻射單元；3_第三輻射單元；4_第四輻射單元；5-第五輻射單元；6_第一寄生單元；7_第二寄生單元；8_第一接地饋電；9_信號(hào)饋電；10_第二接地饋電汸第一間隙；B-第二間隙；C-第三間隙；D-第四間隙；100_基板。

【具體實(shí)施方式】
[0021]為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。
[0022]請(qǐng)參閱圖1、2，一種雙寄生LTE天線，它包括第一輻射單元1、第二輻射單元2、第三輻射單元3、第四輻射單元4、第五輻射單元5、第一寄生單元6及第二寄生單元7。所述第二輻射單元2呈兩級(jí)臺(tái)階形，其較矮的一級(jí)臺(tái)階的端部連接第一輻射單元1，另一級(jí)臺(tái)階端部連接第三輻射單元3。
[0023]所述第一輻射單元I 一端與第二輻射單元2相連，另一端間隔于較矮的一級(jí)臺(tái)階沿第二輻射單元2另一級(jí)臺(tái)階方向延伸形成有第一水平段、第一水平段端部向上延伸形成有第一豎直段、第一豎直段端部沿第二輻射單元2另一級(jí)臺(tái)階方向延伸形成有第二水平段。
[0024]所述第三輻射單元3包括第三豎直部，第三豎直部左部與第二輻射單元2相連、右部連接第四輻射單元4、上部沿第一輻射單元I方向延伸形成第三水平段、下部連接第五輻射單元5。
[0025]所述第五輻射單元5呈條狀，其端部設(shè)有信號(hào)饋電9。于第五輻射單元5兩側(cè)間隔設(shè)有第一寄生單元6及第二寄生單元7 ;于第一寄生單元6端部設(shè)有第一接地饋電8 ;于第二寄生單元7端部設(shè)有第二接地饋電10。這里的第一寄生單元6與第二寄生單元7主要是用于與第五輻射單元5耦合產(chǎn)生LTE頻段諧振。
[0026]從上述描述可知，本實(shí)用新型的有益效果在于:將天線設(shè)計(jì)為上述結(jié)構(gòu)，可將天線支持3G通訊頻段基礎(chǔ)上拓寬至4G頻段，從而實(shí)現(xiàn)低頻824?960MHZ，高頻1710?2620MHZ的通訊需求。
[0027]實(shí)施例1:
[0028]上述結(jié)構(gòu)中，所述第一輻射單元I的第一水平段與第二輻射單元2較矮的一級(jí)臺(tái)階間隔的第一間隙A的大小將影響低頻帶寬，經(jīng)結(jié)合大量實(shí)驗(yàn)得出，該第一間隙A在0.5-1.2mm 最佳。
[0029]實(shí)施例2:
[0030]上述結(jié)構(gòu)中，所述第一寄生單元6與第五輻射單元5間隔的第三間隙C的大小將會(huì)影響高頻帶寬，經(jīng)結(jié)合大量實(shí)驗(yàn)得出，該第三間隙C在0.5-0.8mm最佳。
[0031]實(shí)施例3:
[0032]上述結(jié)構(gòu)中，所述第二寄生單元7與第五輻射單元5間隔的第四間隙D的大小將會(huì)影響高頻帶寬，經(jīng)結(jié)合大量實(shí)驗(yàn)得出，該第四間隙D在0.5-0.8mm最佳。
[0033]實(shí)施例4:
[0034]上述結(jié)構(gòu)中，所述第二輻射單元2的兩級(jí)臺(tái)階寬將影響低頻阻抗，結(jié)合大量實(shí)驗(yàn)得出該臺(tái)階寬在1.2?1.8mm最佳，且該尺寸的變化低頻阻抗影響較為敏感。
[0035]實(shí)施例5:
[0036]上述結(jié)構(gòu)中，所述第三輻射單元3的第三水平段與第二輻射單元2的另一級(jí)臺(tái)階間隔的第二間隙B影響高頻帶寬，結(jié)合大量實(shí)驗(yàn)得出該第二間隙B在8-lOmm最佳。
[0037]具體示例:
[0038]作為一種應(yīng)用，本專利雙寄生LTE天線的第一輻射單元I的長(zhǎng)度可用于調(diào)整低頻工作頻率，其線寬影響低頻帶寬，其實(shí)際尺寸根據(jù)所要支持的低頻需求調(diào)整即可。而上述的第三輻射單元3可作為DCS/TD諧振生成單元，其線寬影響高頻帶寬，線長(zhǎng)決定工作頻率，實(shí)際尺寸根據(jù)使用需求調(diào)整即可。而第四輻射單元4的尺寸則是直接影響高頻工作頻率，其實(shí)際尺寸根據(jù)高頻需求調(diào)整。最后，第五輻射單元5則是作為高低頻共用段，其線寬對(duì)高低頻均產(chǎn)生較大影響，因此其尺寸的調(diào)整應(yīng)當(dāng)同時(shí)兼顧高低頻的需要。
[0039]參見(jiàn)圖3、4為基于本專利結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的雙寄生LTE天線的VSWR及RL測(cè)試圖，從圖示效果可以看出，此天線低頻可覆蓋824?960MHz，高頻可覆蓋1710?2700MHz，完全可以滿足目前所需的2G、3G、4G天線通訊需求。
[0040]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種雙寄生LTE天線，其特征在于:它包括第一輻射單元、第二輻射單元、第三輻射單元、第四輻射單元、第五輻射單元、第一寄生單元及第二寄生單元；所述第二輻射單元呈兩級(jí)臺(tái)階形，其較矮的一級(jí)臺(tái)階的端部連接第一輻射單元，另一級(jí)臺(tái)階端部連接第三輻射單元； 所述第一輻射單元的一端與第二輻射單元相連，另一端間隔于較矮的一級(jí)臺(tái)階沿第二輻射單元另一級(jí)臺(tái)階方向延伸形成有第一水平段、第一水平段端部向上延伸形成有第一豎直段，第一豎直段端部沿第二輻射單元另一級(jí)臺(tái)階方向延伸形成有第二水平段； 所述第三輻射單元包括第三豎直部，第三豎直部左部與第二輻射單元相連、右部連接第四輻射單元、上部沿第一輻射單元方向延伸形成第三水平段、下部連接第五輻射單元； 所述第五輻射單元呈條狀，其端部設(shè)有信號(hào)饋電； 于第五輻射單元兩側(cè)間隔設(shè)有第一寄生單元及第二寄生單元；于第一寄生單元端部設(shè)有第一接地饋電；于第二寄生單元端部設(shè)有第二接地饋電。
2.如權(quán)利要求1所述的雙寄生LTE天線，其特征在于:所述第一輻射單元的第一水平段與第二輻射單元較矮的一級(jí)臺(tái)階間隔0.5-1.2mm。
3.如權(quán)利要求1所述的雙寄生LTE天線，其特征在于:所述第一寄生單元與第五輻射單兀間隔0.5-0.8_。
4.如權(quán)利要求1所述的雙寄生LTE天線，其特征在于:所述第二寄生單元與第五輻射單兀間隔0.5-0.8_。
5.如權(quán)利要求1所述的雙寄生LTE天線，其特征在于:所述第二輻射單元的兩級(jí)臺(tái)階寬 1.2-1.8mm。
6.如權(quán)利要求1所述的雙寄生LTE天線，其特征在于:所述第三輻射單元的第三水平段與第二輻射單元的另一級(jí)臺(tái)階間隔8-10mm。
【文檔編號(hào)】H01Q5/385GK204179213SQ201420631226
【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月28日
【發(fā)明者】牛興剛, 張中俊, 江勇 申請(qǐng)人:普爾信通訊科技（深圳）有限公司