一種新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，包括兩層或兩層以上的封裝體，每層封裝體由單個或多個晶片以及樹脂保護層組成，每個晶片的正面均設(shè)置有焊盤；相鄰兩封裝體中：上層封裝體中晶片外圍的樹脂保護層上設(shè)置有信號端，信號端通過再布線技術(shù)形成的導(dǎo)通線與該層封裝體內(nèi)晶片的焊盤相連接。本實用新型的PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，通過在上層封裝體晶片的外圍設(shè)置與晶片焊盤相連接的信號端，在下層封裝體的樹脂保護層中開設(shè)連接通孔，且連接通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電物質(zhì)，通過信號端與連接通孔內(nèi)導(dǎo)電物質(zhì)的相接觸，不僅可將上層晶片的焊盤信號引出，而且還可形成間距較大的信號端和引出端，避免了信號之間的干擾，有利于芯片的封裝。
【專利說明】
一種新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，更具體的說，尤其涉及一種封裝效率高、成品率高以及芯片引出腳間距較寬的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的發(fā)展，更大容量、更高速度、更密集成度成為現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)追求的目標，先進的封裝技術(shù)已在IC制造行業(yè)開始出現(xiàn)，它使單個封裝體內(nèi)可以堆疊多個芯片，PoP (Package on Package)封裝實現(xiàn)了存儲容量的倍增,使單個封裝體實現(xiàn)更多的功能，從而形成芯片封裝新思路。
[0003]但是，堆疊的層數(shù)不可能無限的增多，當(dāng)封裝體堆疊到4層、6層、8層等以上時，傳統(tǒng)的封裝形式出現(xiàn)各種技術(shù)瓶頸:封裝層數(shù)越多，工藝流程越復(fù)雜，越容易出錯，易導(dǎo)致次品的產(chǎn)生。譬如4層BGA (Ball Grid Array，球柵陣列)堆疊封裝，形成一個封裝體需要經(jīng)過的步驟為:一層磨片一一層劃片一一層上片一一層焊線一二層磨片一二層劃片一二層上片一二層焊線一三層磨片一三層劃片一三層上片一三層焊線一四層磨片一四層劃片一四層上片一四層焊線一塑封一植球一切單，雖然四層鏡片的封裝流程一致，但由于每一層封裝依次進行，這種交錯往復(fù)的封裝流程，如果有由一個步驟出現(xiàn)了錯誤，則可能導(dǎo)致整個封裝失敗，使得封裝出錯率加大，封裝效率較低。
[0004]再者，雖然目前電子的集成度越來越高，但是硬件上，封裝產(chǎn)品朝著更小、更薄、更輕的方向發(fā)展，多層堆疊封裝要想不增加封裝體的整體厚度，那么每一層的晶片就要求研磨到很薄，但是對于脆而硬的硅質(zhì)晶片，厚度薄到一定程度后，會大大增加研磨、劃片時的破片風(fēng)險，也會增加上片時頂針頂裂芯片的風(fēng)險，這成為阻礙堆疊封裝的一大技術(shù)瓶頸。
[0005]而且，多芯片堆疊封裝體的引腳數(shù)增多，使基板設(shè)計越加復(fù)雜化，引出端口在有限的面積內(nèi)無法排布，或者引出端間距減小，增大后續(xù)SMD (Surface Mounted Devices,表面貼裝器件)工藝的難度。
[0006]綜上所述，當(dāng)傳統(tǒng)的堆疊封裝無法再進行良性發(fā)展下去時，需要一種新型的封裝結(jié)構(gòu)，能突破現(xiàn)有設(shè)計及工藝瓶頸，使堆疊封裝的工藝流程簡化，效率提高，且大大降低初期設(shè)計開發(fā)難度與成本投入。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本實用新型為了克服上述技術(shù)問題的缺點，提供了一種新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)。
[0008]本實用新型的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特別之處在于:包括兩層或兩層以上的封裝體，其最下層為表面設(shè)置有錫球的底層封裝體，最上層為頂層封裝體，每層封裝體由單個或多個晶片以及設(shè)置于晶片外圍的樹脂保護層組成，每個晶片的正面均設(shè)置有焊盤；相鄰兩封裝體中:上層封裝體中晶片外圍的樹脂保護層上設(shè)置有信號端，信號端通過再布線技術(shù)形成的導(dǎo)通線與該層封裝體內(nèi)晶片的焊盤相連接，下層封裝體中晶片的外圍設(shè)置有貫穿于樹脂保護層的連接通孔，連接通孔內(nèi)填充有用于將上層封裝體中信號端的電信號引出的導(dǎo)電物質(zhì)；所述底層封裝體的下表面上設(shè)置有與該層晶片的焊盤或連接通孔中的導(dǎo)電物質(zhì)電連接的引出端，錫球固定于引出端上。
[0009]本實用新型的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，所述每個封裝體通過封裝工藝單獨制作，然后再將相鄰的封裝體粘附在一起。
[0010]本實用新型的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝體的數(shù)目為兩個，分別為頂層封裝體和底層封裝體；頂層封裝體、底層封裝體內(nèi)分別設(shè)置有上晶片、下晶片，上晶片的晶片正面上的焊盤依次通過導(dǎo)通線、信號端、連接通孔內(nèi)的導(dǎo)電物質(zhì)、引出端與錫球相連接；相鄰信號端的間距大于上晶片上相鄰焊盤的間距，相鄰引出端的間距大于下晶片上相鄰焊盤的間距。
[0011]本實用新型的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝體包括頂層封裝體、底層封裝體和中間層封裝體，所述頂層封裝體中晶片上的焊盤依次通過導(dǎo)通線、信號端、中間層封裝體的連接通孔中的導(dǎo)電物質(zhì)、底層封裝體的連接通孔中的導(dǎo)電物質(zhì)、弓I出端以及錫球弓I出。
[0012]本實用新型的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝體包括頂層封裝體和底層封裝體，所述頂層封裝體中設(shè)置有第一上晶片和第二上晶片，第一上晶片的焊盤與第二上晶片的相應(yīng)焊盤通過導(dǎo)通線相連接，第一上晶片和第二上晶片上的焊盤通過導(dǎo)通線與引出端相連接；底層封裝體中設(shè)置有第一下晶片和第二下晶片，第一下晶片的焊盤與第二下晶片的焊盤通過導(dǎo)通線相連接，底層封裝體上的連接通孔位于第一下晶片和第二下晶片的外圍；第一上晶片和第二上晶片上的焊盤依次通過導(dǎo)通線、信號端、連接通孔、引出端和錫球引出。
[0013]本實用新型的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝體包括頂層封裝體和底層封裝體，所述頂層封裝體、底層封裝體中分別設(shè)置有上晶片和下晶片；所述連接通孔僅僅設(shè)置于下下晶片一側(cè)的樹脂保護層上；上晶片的焊盤依次通過導(dǎo)通線、信號端、連接通孔中填充的導(dǎo)電物質(zhì)、引出端與錫球相連接。
[0014]本實用新型的有益效果是:本實用新型的PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置兩層或兩層以上的封裝體，封裝體內(nèi)置晶片，實現(xiàn)了晶片的堆疊封裝，有利于實現(xiàn)芯片的大容量、高速度和更高密集度的要求。通過在上層封裝體晶片的外圍設(shè)置與晶片焊盤相連接的信號端，在下層封裝體的樹脂保護層中開設(shè)連接通孔，且連接通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電物質(zhì)，通過信號端與連接通孔內(nèi)導(dǎo)電物質(zhì)的相接觸，不僅可將上層晶片的焊盤信號引出，而且還可形成間距較大的信號端和引出端，避免了信號之間的干擾，有利于芯片的封裝。
[0015]本實用新型的PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，對于待封裝的晶圓分別進行磨片、劃片、上片、塑封和再布線處理，形成具有樹脂擴展區(qū)的再布線晶圓，由于每個晶片的處理過程均相互獨立，互不干擾，可同時進行，不僅提高了工作效率，而且還保證了成品率。再布線晶圓按照由上至下的封裝結(jié)構(gòu)順序依次相粘附，并進行開設(shè)連接通孔和填充導(dǎo)電物質(zhì)處理，有效地將上層封裝體中晶片的焊盤通過連接通孔引出，形成了結(jié)構(gòu)合理、性能穩(wěn)定的PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本實用新型中第一種PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0017]圖2為圖1中頂層封裝體的正面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為本實用新型中第二種PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0019]圖4為本實用新型中第三種PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0020]圖5為本實用新型中第四種PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0021]圖6為本實用新型中PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。
[0022]圖中:1頂層封裝體，2底層封裝體，3上晶片，4焊盤，5導(dǎo)通線，6信號端，7樹脂保護層，8連接通孔，9下晶片，10引出端，11錫球，12中間層封裝體；31、91晶片背面，32、92晶片正面，3-1第一上晶片，3-2第二上晶片，9_1第一下晶片,9_2第二下晶片。

【具體實施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖與實施例對本實用新型作進一步說明。
[0024]本實用新型的PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，由兩層或兩層以上的封裝體構(gòu)成，每層封裝體內(nèi)均設(shè)置有一個或多個晶片，晶片的外圍由樹脂保護層進行包裹。對于相鄰的兩層封裝體來說，上層封裝體中晶片的焊盤首先通過導(dǎo)通線5引出，并與信號端相連接；下層封裝體中晶片的外圍開設(shè)有連接通孔8，連接通孔8貫穿于樹脂保護層7并與上層中的信號端相對應(yīng)，連接通孔8內(nèi)填充有導(dǎo)電物質(zhì)，這樣，通過連接通孔中的導(dǎo)電物質(zhì)就將上層晶片上的焊盤引號引出。最下面的封裝體上設(shè)置有與該層晶片焊盤以及連接通孔內(nèi)的導(dǎo)電物質(zhì)相連接的錫球11，錫球11為整個封裝結(jié)構(gòu)的輸出端。
[0025]由于封裝體上的信號端位于晶片的外圍，擴大了晶片上原有焊盤4之間的距離，避免了信號之間的干擾，有利于形成具有較大間距的錫球11引腳，保證了整個封裝結(jié)構(gòu)所形成芯片的工作穩(wěn)定性。
[0026]如圖1所示，給出了本實用新型中第一種PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的示意圖，其由頂層封裝體I和底層封裝體2組成，所示的頂層封裝體1、底層封裝體2內(nèi)分別設(shè)置有上晶片3、下晶片9，上晶片3和下晶片9的外圍分別為樹脂保護層7，樹脂保護層7實現(xiàn)晶片的絕緣和保護作用。如果規(guī)定晶片上設(shè)置焊盤的一面為正面，另一面為背面，則圖中的上晶片3的上、下面分別為晶片背面31和晶片正面32，下晶片9的上、下面分別為晶片背面91、晶片正面92。在封裝體中，晶片正面所在的面為封裝體的正面，另一面為封裝體的背面。
[0027]在頂層封裝體I中，上晶片3外圍的樹脂保護層7的下表面上設(shè)置有信號端6，信號端6通過導(dǎo)通線5與焊盤4相連接，導(dǎo)通線5通過再布線技術(shù)形成。如圖2所示，給出了圖1中頂層封裝體的正面結(jié)構(gòu)示意圖，所示上晶片3上的焊盤4通過導(dǎo)通線5引出后，信號端6的間距大于焊盤4之間的間距，不僅避免了焊盤4信號之間的干擾，而且有利于在底層封裝體的正面形成間距較大的引出端10，使得封裝體上所布設(shè)的錫球11之間具有較大的距離，使得信號之間不相互干擾，有利于提高整個封裝體的性能。
[0028]所示底層封裝體2中下晶片9的外圍開設(shè)有連接通孔8，連接通孔8的開設(shè)位置與頂層封裝體I中的信號端6的位置相對應(yīng)，通過在連接通孔8中填充導(dǎo)電物質(zhì)，即可將信號端6通過導(dǎo)電物質(zhì)引出。所示底層封裝體2的正面上均勻設(shè)置有引出端10，引出端與連接通孔8內(nèi)的導(dǎo)電物質(zhì)或下晶片9上的焊盤4相連接，實現(xiàn)了將下晶片9和上晶片3上信號的引出。所示的錫球11固定于引出端10上，錫球11形成了整個封裝芯片的輸出引腳。
[0029]由于頂層封裝體I和底層封裝體2的制作是分開獨立進行的，然后再通過粘附固定在一起，提高了工作效率，保證了成品率。由于底層封裝體2的外圍設(shè)置有連接通孔8，不僅可將頂層封裝體I中晶片的信號引出，而且增大了所形成錫球11的間距，避免了引腳信號之間的干擾。
[0030]如圖3所示，給出了本實用新型中第二種PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的示意圖，其由三層封裝體形成，分別為頂層封裝體1、底層封裝體2和中間層封裝體12，其除了多設(shè)置了中間層封裝體12之外，其余的結(jié)構(gòu)與圖1所示的結(jié)構(gòu)相一致。在該封裝結(jié)構(gòu)中，所示的頂層封裝體I中的焊盤4依次通過導(dǎo)通線5、信號端6、中間層封裝體12中連接通孔8中的導(dǎo)電物質(zhì)、底層封裝體2中連接通孔8中的導(dǎo)電物質(zhì)、引出端10、錫球11引出；而中間層封裝體12中晶片的焊盤4則依次通過導(dǎo)通線5、信號端6、底層封裝體2中連接通孔8中的導(dǎo)電物質(zhì)、弓丨出端10、錫球11引出。
[0031]同樣地，本封裝結(jié)構(gòu)在制作的過程中，首先將中間層封裝體12粘附于頂層封裝體I上，再在中間層封裝體12的相應(yīng)位置開設(shè)連接通孔8，并在連接通孔8中注入導(dǎo)電物質(zhì)；然后再將底層封裝體2粘附于中間層封裝體12上，并在底層封裝體2的相應(yīng)位置開設(shè)連接通孔8，向連接通孔8中注入導(dǎo)電物質(zhì)，置上錫球11，即可形成完成的封裝體。
[0032]如圖4所示，給出了第三中PoP堆疊封裝的結(jié)構(gòu)示意圖，其由頂層封裝體I和底層封裝體2組成，與圖1中所示的封裝結(jié)構(gòu)不同的是:在頂層封裝體I中設(shè)置有第一上晶片3-1和第二上晶片3-2兩個晶片，在底層封裝體2中設(shè)置有第一下晶片9-1和第二下晶片9-2兩個晶片。第一上晶片3-1與第二上晶片3-2相應(yīng)的焊盤相連接，第一上晶片3-1和第二上晶片3-2上的焊盤還通過導(dǎo)通線5與信號端6相連接，信號端6形成于第一上晶片3-1和第二上晶片3-2外圍的樹脂保護層7的表面上。
[0033]連接通孔8開設(shè)于第一下晶片9-1和第二下晶片9-2的外圍，連接通孔8貫通與樹脂保護層7并與信號端6的位置相對應(yīng)。連接通孔8填充有導(dǎo)電物質(zhì)。第一上晶片3-1和第二上晶片3-2的焊盤4依次通過導(dǎo)通線5、信號端6、連接通孔8中的導(dǎo)電物質(zhì)以及引出端10與錫球11相連接，實現(xiàn)了第一上晶片3-1和第二上晶片3-2信號的引出。這種封裝結(jié)構(gòu)，由于一層封裝體中設(shè)置有2個(不局限于2個)芯片，使得芯片的厚度更小，適于“具有較小厚度、寬度沒有很大限制”芯片的封裝。
[0034]如圖5所示，給出了第四種PoP堆疊封裝的結(jié)構(gòu)示意圖，其由頂層封裝體I和底層封裝體2組成，頂層封裝體I和底層封裝體2中分別設(shè)置有上晶片3和下晶片9，上晶片3和下晶片9的外圍分別為樹脂保護層7。與圖1中所示的封裝結(jié)構(gòu)不同的是:底層封裝體2中連接通孔8只在下晶片9的一側(cè)有設(shè)置。頂層封裝體I中上晶片3的焊盤4通過一側(cè)的連接通孔8中的導(dǎo)電物質(zhì)引出。
[0035]上述給出的四種具體的封裝結(jié)構(gòu)，是本實用新型的PoP堆疊封裝的具體形式，但本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)不局限于這幾種形式，相同領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本實用新型的中心思想所作出的結(jié)構(gòu)變換，只要其被權(quán)利要求1所涵蓋，均屬于本實用新型所保護的范圍。
[0036]如圖6所示，給出了本實用新型的PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖，其通過以下步驟來實現(xiàn):
[0037]a).晶圓磨片，采用防止碎片工藝對晶圓的背面進行研磨，使晶圓減薄到所要求的厚度；
[0038]b).晶圓劃片，將研磨后的晶圓進行切割，形成相互分離的單個晶片；
[0039]c).上片操作，分別抓取分離好的晶片，有序放置于一載板晶圓上，并使相鄰的單個晶片之間保持一定的距離，以預(yù)留出樹脂擴展區(qū)；
[0040]d).塑封，對載板晶圓上的晶片進行樹脂包封，以對晶片進行密封保護和形成封裝體的樹脂擴展區(qū)；
[0041]e).再布線，通過光刻、濺射、曝光、顯影步驟使晶片上的焊盤引到樹脂擴展區(qū)上對應(yīng)的信號端，形成再布線晶圓；將所有待封裝的晶圓均進行步驟a)至e)的處理；
[0042]f).粘附，將在封裝結(jié)構(gòu)上相鄰的兩再布線晶圓粘結(jié)在一起，并使上層再布線晶圓上的信號端與下層再布線晶圓上將要開設(shè)連接通孔的位置處對齊；
[0043]g).開設(shè)通孔，在下層再布線晶圓的樹脂保護層區(qū)域上，與上層再布線晶圓的信號端相對應(yīng)的位置處開設(shè)連接通孔，并在連接通孔內(nèi)填充導(dǎo)電物質(zhì)，如金屬；按照封裝體由上至下的順序，將所有的再布線晶圓均依次進行步驟f)和g)的處理；
[0044]h).置球，在最下層的再布線晶圓的引出端上植上錫球，形成球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)；
[0045]i).絕緣處理，對最下層封裝體的外表面進行絕緣處理，將最下層絕緣體中的晶片、焊盤、導(dǎo)通線和引出端密封起來，僅將錫球裸露在外；
[0046]j).切單，將粘附在一起并經(jīng)過開通孔和置球后的再布線晶圓沿切割道劃開，使堆疊封裝結(jié)構(gòu)互相分離，形成產(chǎn)品。
[0047]本實用新型的PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，封裝體所包含的不同晶圓依次通過磨片、劃片、上片、塑封、再布線形成再布線晶圓，不同的晶圓可同時進行封裝，互不干擾，不僅提高了生產(chǎn)效率，而且還提高了成品率。再布線晶圓按照封裝體由上至下的順序依次進行粘附，并在下層封裝體上開設(shè)連接通孔，以便將上層封裝體中的晶片信號引出；最后在底層封裝體上置上錫球，即完成了整個芯片的堆疊封裝。由于上層封裝體中的焊盤通過再布線技術(shù)形成的導(dǎo)通線引出，不僅擴大了上層封裝體中晶片的焊盤間距，還使得底層封裝體上的錫球間距增大，避免了所形成芯片引腳之間的干擾，提高了所形成芯片工作的穩(wěn)定性。
【權(quán)利要求】
1.一種新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括兩層或兩層以上的封裝體，其最下層為表面設(shè)置有錫球(11)的底層封裝體(2)，最上層為頂層封裝體(1)，每層封裝體由單個或多個晶片以及設(shè)置于晶片外圍的樹脂保護層(7)組成，每個晶片的正面均設(shè)置有焊盤(4)；相鄰兩封裝體中:上層封裝體中晶片外圍的樹脂保護層上設(shè)置有信號端(6)，信號端通過再布線技術(shù)形成的導(dǎo)通線(5)與該層封裝體內(nèi)晶片的焊盤相連接，下層封裝體中晶片的外圍設(shè)置有貫穿于樹脂保護層的連接通孔(8)，連接通孔內(nèi)填充有用于將上層封裝體中信號端的電信號引出的導(dǎo)電物質(zhì)；所述底層封裝體的下表面上設(shè)置有與該層晶片的焊盤或連接通孔中的導(dǎo)電物質(zhì)電連接的引出端(10)，錫球固定于引出端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述每個封裝體通過封裝工藝單獨制作，然后再將相鄰的封裝體粘附在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝體的數(shù)目為兩個，分別為頂層封裝體(I)和底層封裝體(2);頂層封裝體、底層封裝體內(nèi)分別設(shè)置有上晶片(3)、下晶片(9)，上晶片的晶片正面(32)上的焊盤(4)依次通過導(dǎo)通線(5)、信號端(6)、連接通孔(8)內(nèi)的導(dǎo)電物質(zhì)、引出端(10)與錫球(11)相連接；相鄰信號端的間距大于上晶片上相鄰焊盤(4)的間距，相鄰引出端的間距大于下晶片上相鄰焊盤的間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝體包括頂層封裝體(I)、底層封裝體(2)和中間層封裝體(12)，所述頂層封裝體中晶片上的焊盤依次通過導(dǎo)通線(5)、信號端(6)、中間層封裝體的連接通孔中的導(dǎo)電物質(zhì)、底層封裝體的連接通孔中的導(dǎo)電物質(zhì)、引出端(10)以及錫球(11)引出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝體包括頂層封裝體(I)和底層封裝體(2)，所述頂層封裝體中設(shè)置有第一上晶片(3-1)和第二上晶片(3-2)，第一上晶片的焊盤與第二上晶片的相應(yīng)焊盤通過導(dǎo)通線(5)相連接，第一上晶片和第二上晶片上的焊盤通過導(dǎo)通線與引出端相連接；底層封裝體中設(shè)置有第一下晶片(9-1)和第二下晶片(9-2)，第一下晶片的焊盤與第二下晶片的焊盤通過導(dǎo)通線相連接，底層封裝體上的連接通孔(8)位于第一下晶片和第二下晶片的外圍；第一上晶片和第二上晶片上的焊盤依次通過導(dǎo)通線(5)、信號端(6)、連接通孔(8)、引出端(10)和錫球(11)引出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝體包括頂層封裝體(I)和底層封裝體(2)，所述頂層封裝體、底層封裝體中分別設(shè)置有上晶片(3)和下晶片(9);所述連接通孔(8)僅僅設(shè)置于下下晶片一側(cè)的樹脂保護層(7)上；上晶片的焊盤依次通過導(dǎo)通線(5)、信號端(6)、連接通孔中填充的導(dǎo)電物質(zhì)、引出端(10)與錫球(11)相連接。
【文檔編號】H01L23/31GK204011396SQ201420476476
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月22日
【發(fā)明者】孟新玲, 劉昭麟, 璞必得 申請人:山東華芯半導(dǎo)體有限公司