一種基于柔性基板的倒置oled器件結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)，包括透明的柔性基板，所述柔性基板上設(shè)置有使柔性基板表面平整化的高分子導(dǎo)電聚合物的防短路層，所述防短路層上由下及上依次沉積有陰極薄膜，金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜上由下至上依次蒸鍍有n型摻雜的電子傳輸層，電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：使基板表面平整化，防止短路點(diǎn)的產(chǎn)生，倒置OLED器件結(jié)構(gòu)具有高效率長壽命性。
【專利說明】—種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，特別是涉及一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]研究表明:選擇柔性襯底作為OLED的基板時(shí)，由于選擇柔性襯底作為OLED的基板時(shí)，由于襯底本身的性質(zhì)，給器件和制作過程帶來了很多問題。(I)平整性較差:通常柔性襯底的平整性要比玻璃襯底差，這不符合表面要求。大部分淀積技術(shù)是共形的，制備的薄膜會(huì)復(fù)制襯底的表面形態(tài)，使得襯底的各層都凹凸不平，這會(huì)造成器件的短路，引起器件損壞；(2)熔點(diǎn)低:柔性襯底的熔點(diǎn)很低，而OLED基板的工藝溫度卻很高，所以，在制作過程中柔性襯底會(huì)變形甚熔化。即使溫度較低的環(huán)境中，柔性襯底尺寸也不穩(wěn)定，這給多層結(jié)構(gòu)的OLED制作在精確地整齊排列上帶來了很大的困難；(3 )壽命短:0LED對(duì)水蒸汽和氧氣都比較敏感，而大部分柔性襯底的水、氧透過率均比較高。當(dāng)水汽和氧氣進(jìn)入到器件內(nèi)部時(shí)，會(huì)影響陰極與發(fā)光層之間的粘附性、使有機(jī)膜層內(nèi)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這些都會(huì)導(dǎo)致器件的光電特性急劇衰退，造成器件迅速老化、失效。與玻璃襯底相比，塑料襯底對(duì)水汽和氧氣的隔離及對(duì)器件防老化的保護(hù)作用都不夠理想，無法滿足顯示器連續(xù)工作超過1000小時(shí)的壽命要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型目的是提供一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0005]一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)，包括透明的柔性基板，所述柔性基板上旋涂有使柔性基板表面平整化的高分子導(dǎo)電聚合物的防短路層，所述防短路層上由下及上依次沉積有陰極薄膜，金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜上由下至上依次蒸鍍有η型摻雜的電子傳輸層，電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。
[0006]優(yōu)選地，所述防短路層為PEDOT:PSS為高分子導(dǎo)電聚合物，厚度為100-300 nm。防短路層的厚度必須保證在一兩百納米以上，這樣才能有效的保證柔性基地表面粗糙表面能夠很好被遮覆，保證器件不會(huì)因?yàn)榛状植谠斐啥搪?，該厚度增?qiáng)了器件的穩(wěn)定性。
[0007]優(yōu)選地，所述陰極薄膜為納米銀線，石墨烯，金屬薄層，ΙΤ0，碳納米管的一種，厚度為 15?60nm。
[0008]優(yōu)選地，所述陽極為半透明或全反射的電極薄膜。
[0009]優(yōu)選地，所述金屬氧化物薄膜為WO3 (氧化鎢)，Mo03(氧化鑰)，V2O5 (五氧化二釩)，ReO3 (氧化錸)，的厚度為1-15 nm。
[0010]優(yōu)選地，所述η型摻雜的電子傳輸層中η型摻雜劑為Li或銫的氧化物或氮化物，如 LiH, Li2CO3, Cs2CO30
[0011]優(yōu)選地，所述陽極為金屬電極薄膜，透明金屬氧化物薄膜或復(fù)合陽極薄膜。
[0012]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:使基板表面平整化，防止短路點(diǎn)的產(chǎn)生，倒置OLED器件結(jié)構(gòu)具有高效率長壽命性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:
[0014]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]具體實(shí)施
[0016]一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)，是在柔性基板上旋涂一層200 nm厚的PEDOT: PSS (高分子導(dǎo)電聚合物)，其次是30 nm的石墨烯，接著是10 nm的Mo03，然后是55 nm的Bphen: Li，其它功能層的蒸鍍順序自下而上依次為20 nm TmPyPB電子傳輸層，20 nm CBP:1r (ppy) 3發(fā)光層，40 nm的TAPC空穴傳輸層，10 nm HAT-CN空穴注入層，100nm招金屬陽極。
[0017]本實(shí)用新型的PED0T:PSS (高分子導(dǎo)電聚合物)使基板表面平整化，防止短路點(diǎn)的產(chǎn)生，倒置OLED器件結(jié)構(gòu)具有高效率長壽命性。
[0018]上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型主要技術(shù)方案的精神實(shí)質(zhì)所做的等效變換或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括透明的柔性基板，所述柔性基板上設(shè)置有使柔性基板表面平整化的高分子導(dǎo)電聚合物的防短路層，所述防短路層上由下及上依次沉積有陰極薄膜，金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜上由下至上依次蒸鍍有η型摻雜的電子傳輸層，電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述防短路層厚度為100-300 nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述陰極薄膜為厚度為15飛Onm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬氧化物薄膜的厚度為1-15 nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述陽極為半透明或全反射的電極薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述陽極為金屬電極薄膜，透明金屬氧化物薄膜或復(fù)合陽極薄膜。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK204088384SQ201420461006
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月15日
【發(fā)明者】丁磊, 馮亞青, 徐杰, 楊玲, 馮敏強(qiáng), 廖良生 申請(qǐng)人:蘇州方昇光電裝備技術(shù)有限公司