一種具有精確檢測(cè)功能的igbt的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種具有精確檢測(cè)功能的IGBT。所述IGBT器件包括主器件區(qū)域、被主器件區(qū)域包圍的檢測(cè)區(qū)域、隔離主器件區(qū)域和檢測(cè)區(qū)域的隔離區(qū)域。所述IGBT檢測(cè)區(qū)域柵電極通過(guò)隔離區(qū)域柵電極與主器件區(qū)域柵電極相連；第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)與第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)及第二導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)均無(wú)電性連通；第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)與主器件區(qū)域發(fā)射極金屬和檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬均無(wú)電性連通；第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)結(jié)深等于或大于第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)結(jié)深。本實(shí)用新型的IGBT器件有效的減少了隔離區(qū)域?qū)z測(cè)信號(hào)的影響，提高了檢測(cè)信號(hào)精度，并且與現(xiàn)有工藝完全兼容，不增加任何制造成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種具有精確檢測(cè)功能的IGBT

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種IGBT，尤其是一種具有精確檢測(cè)功能的IGBT。

【背景技術(shù)】
[0002]絕緣柵雙極型晶體管(Insulatedgate bipolar transistor,以下簡(jiǎn)稱(chēng) IGBT)具有場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高輸入阻抗和雙極型晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力，特別適合作為電源開(kāi)關(guān)器件使用，尤其是作為大電流開(kāi)關(guān)器件或功率模塊使用。
[0003]在大電流IGBT開(kāi)關(guān)器件或功率模塊中，為防止IGBT短路和類(lèi)似原因造成的過(guò)電流燒毀問(wèn)題，廣泛的采用了一種方法，制造具有檢測(cè)功能的IGBT器件，并基于該檢測(cè)電流信號(hào)來(lái)控制IGBT器件柵極，從而進(jìn)一步控制流經(jīng)IGBT的電流。在用于防止IGBT器件過(guò)流的一般檢測(cè)方法中，電流檢測(cè)電阻與IGBT器件中的電流檢測(cè)部分相串聯(lián)，并檢測(cè)由穿過(guò)該電流檢測(cè)電阻器的檢測(cè)電流所引起的電勢(shì)差；當(dāng)IGBT器件中電流突然增大時(shí)，該電勢(shì)差會(huì)急劇增大，可以用于觸發(fā)報(bào)警，或啟動(dòng)保護(hù)電路，因此可以防止IGBT器件或模塊被破壞。
[0004]以最常見(jiàn)的N溝道矩形柵IGBT為例，傳統(tǒng)的具有電流檢測(cè)功能的IGBT設(shè)計(jì)如圖1A、圖1B所示，帶有電流檢測(cè)功能的IGBT芯片，一般包含:主器件區(qū)域101 ;從該主器件區(qū)域部分分割的、與主器件區(qū)域共用柵極和集電極的，并且尺寸很小的電流檢測(cè)區(qū)域103 ;隔離主器件區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的隔離區(qū)域102。
[0005]主器件區(qū)域的P型體區(qū)13和隔離區(qū)域及電流檢測(cè)器件區(qū)域的P型體區(qū)13電性相連，如圖1B所示；主器件區(qū)域與電流檢測(cè)區(qū)域柵極17電性連通；主器件區(qū)域與電流檢測(cè)區(qū)域共用集電極10 ;主器件區(qū)域發(fā)射極金屬15與檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬16彼此獨(dú)立。利用主器件區(qū)域與電流檢測(cè)區(qū)域的面積比例，可以通過(guò)電流檢測(cè)區(qū)域的檢測(cè)電流，估算主器件區(qū)域的實(shí)際電流。該方式設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，但存在問(wèn)題在于:由于電流檢測(cè)區(qū)域面積往往較小，而在高壓大電流器件或模塊中，隔離區(qū)域?qū)挾纫话爿^大，隔離區(qū)域面積已經(jīng)與電流檢測(cè)區(qū)域面積具備可比性；當(dāng)IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，背面空穴通過(guò)漂移層被P型體區(qū)收集，并分別流至主器件區(qū)域發(fā)射極和電流檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極。但由于隔離區(qū)域表面沒(méi)有金屬接觸，隔離區(qū)域的P型體區(qū)收集到的空穴，既有流向主器件區(qū)域的，也有流向電流檢測(cè)區(qū)域的，并且隨著溫度變化引起的空穴電流比例變化，這部分電流的具有很大的不確定性，造成電流檢測(cè)區(qū)域的檢測(cè)信號(hào)不能精確反映主器件區(qū)域電流，檢測(cè)信號(hào)精確度不高。
[0006]因此，為了更好的提高IGBT器件和模塊中IGBT的電流檢測(cè)精度，有必要進(jìn)一步優(yōu)化現(xiàn)有的IGBT電流檢測(cè)設(shè)計(jì)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種具有精確檢測(cè)功能的IGBT，提高電流檢測(cè)精度，并且器件設(shè)計(jì)及工藝簡(jiǎn)單，與現(xiàn)有技術(shù)完全兼容，不增加工藝成本的。
[0008]本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0009]一種具有精確檢測(cè)功能的IGBT，在所述IGBT器件第一主面的俯視平面上，包含主器件區(qū)域、檢測(cè)區(qū)域以及隔離區(qū)域；所述主器件區(qū)域包含主器件柵電極接觸和主器件發(fā)射電極接觸及終端保護(hù)結(jié)構(gòu)；所述檢測(cè)區(qū)域被主器件區(qū)域包圍，包含檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極電極；所述隔離區(qū)域?qū)⒅髌骷^(qū)域和檢測(cè)區(qū)域隔離；
[0010]所述IGBT器件的截面上，半導(dǎo)體基板具有兩個(gè)相對(duì)的主面，所述主面包括第一主面與第二主面，半導(dǎo)體基板的第一主面與第二主面間包括第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移層；所述半導(dǎo)體基板的第二主面含有被主器件區(qū)域和檢測(cè)器件區(qū)域共用的集電極金屬，所述集電極金屬與第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移層之間設(shè)置有第二導(dǎo)電類(lèi)型層；
[0011]在半導(dǎo)體基板第一主面漂移層上部，在主器件區(qū)域設(shè)置有被絕緣介質(zhì)層包圍的主器件區(qū)域柵電極和第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)，在第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電類(lèi)類(lèi)型主器件區(qū)域源區(qū)，第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)和第一導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域源區(qū)與主器件區(qū)域發(fā)射極金屬電性連接；在檢測(cè)區(qū)域設(shè)置有被絕緣介質(zhì)層包圍的檢測(cè)區(qū)域柵電極和第二導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)，在第二導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域源區(qū)，第二導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)和第一導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域源區(qū)與檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬電性連接；在隔離區(qū)域漂移層上方設(shè)置有第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)和被絕緣介質(zhì)層包圍的隔離區(qū)域柵電極；
[0012]所述檢測(cè)區(qū)域柵電極通過(guò)隔離區(qū)域柵電極與主器件區(qū)域柵電極相連；第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)與第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)及第二導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)均無(wú)電性連通；第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)與主器件區(qū)域發(fā)射極金屬和檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬均無(wú)電性連通；第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)的結(jié)深等于或大于第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)的結(jié)深。
[0013]其進(jìn)一步的技術(shù)方案為:
[0014]所述IGBT器件中，在俯視平面上，所述檢測(cè)區(qū)域的面積小于所述主器件區(qū)域的面積。
[0015]所述IGBT器件中，在截面上，所述IGBT器件包括平面柵型IGBT結(jié)構(gòu)和溝槽柵型IGBT結(jié)構(gòu)。
[0016]所述IGBT器件中，在俯視平面上，所述柵電極為矩形、方形以及其他多邊形。
[0017]注:上述“第一導(dǎo)電類(lèi)型”和“第二導(dǎo)電類(lèi)型”兩者中，對(duì)于N溝道IGBT器件，第一導(dǎo)電類(lèi)型為N型，第二導(dǎo)電類(lèi)型為P型；對(duì)于P溝道IGBT器件，第一導(dǎo)電類(lèi)型與第二導(dǎo)電類(lèi)型所指的類(lèi)型與N溝道IGBT器件相反。
[0018]本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是:
[0019]當(dāng)IGBT導(dǎo)通時(shí)，少數(shù)載流子電流從背面集電極通過(guò)漂移層，被第二導(dǎo)電類(lèi)型體區(qū)收集，形成調(diào)制電流；其中由于隔離區(qū)域的第二導(dǎo)電類(lèi)型體區(qū)與主器件區(qū)域體區(qū)和檢測(cè)區(qū)域體區(qū)均無(wú)電性連通，與主器件發(fā)射極金屬和檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬均無(wú)電性連通，所以隔離區(qū)域體區(qū)不會(huì)收集少數(shù)載流子。因此，隔離區(qū)域不會(huì)有少數(shù)載流子電流流向主器件區(qū)域或檢測(cè)區(qū)域，最大限度減少隔離區(qū)域?qū)z測(cè)信號(hào)的影響，有效的提高檢測(cè)精度，并且與現(xiàn)有工藝完全兼容，不增加任何制造成本。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1A是傳統(tǒng)具有檢測(cè)功能的IGBT的俯視平面圖。
[0021]圖1B是傳統(tǒng)具有檢測(cè)功能的IGBT延圖1A中AA’方向的截面圖。
[0022]圖2A是本實(shí)用新型具有精確檢測(cè)功能的IGBT的俯視平面圖。
[0023]圖2B是本實(shí)用新型具有精確檢測(cè)功能的IGBT延圖2A中AA’方向的截面圖。
[0024]圖2C是本實(shí)用新型具有精確檢測(cè)功能的IGBT延圖2A中BB’方向的截面圖。
[0025]圖3?圖7是圖2A中BB截面上具體工藝實(shí)施各階段的剖面圖，其中:
[0026]圖3是半導(dǎo)體材料的剖視圖。
[0027]圖4是完成IGBT柵極后的剖視圖。
[0028]圖5是P型體區(qū)注入、推結(jié)后的剖視圖。
[0029]圖6是完成源區(qū)等常規(guī)IGBT工藝后的剖視圖。
[0030]圖7是完成IGBT正面金屬后的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0032]圖2A?圖2C以N溝道溝槽柵型IGBT為例，包括:主器件區(qū)域201，隔離區(qū)域202，檢測(cè)區(qū)域203 ；P型層21，N型漂移層22，P型主器件區(qū)域體區(qū)213，P型隔離區(qū)域體區(qū)223，P型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)233，主器件區(qū)域柵氧化層216，隔離區(qū)域柵氧化層226，檢測(cè)區(qū)域柵氧化層236，主器件區(qū)域柵電極217，隔離區(qū)域柵電極227，檢測(cè)區(qū)域柵電極237，絕緣介質(zhì)層214、224,234, N+型主器件區(qū)域源區(qū)218，N+型檢測(cè)區(qū)域源區(qū)238，主器件區(qū)域發(fā)射極金屬215，檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬235。
[0033]如圖2A所示，為本實(shí)施例1GBT的俯視平面圖(僅顯示了器件柵極和P型體區(qū),其余部分未示出)。在所述IGBT的俯視平面上，主器件區(qū)域201包含主器件柵電極接觸和主器件發(fā)射極電極接觸及器件的終端耐壓保護(hù)結(jié)構(gòu)等常規(guī)IGBT器件的必備結(jié)構(gòu)(圖中未示出)；檢測(cè)區(qū)域203包含檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極電極接觸(圖中未示出)；隔離區(qū)域202用于隔離主器件區(qū)域201和檢測(cè)區(qū)域203。
[0034]如圖2B和圖2C所示，所述IGBT的截面上，半導(dǎo)體基板具有兩個(gè)相對(duì)的主面:第一主面與第二主面；半導(dǎo)體基板的第一主面與第二主面間包括N型漂移層22 ;所述半導(dǎo)體基板的第二主面含有被主器件區(qū)域201和檢測(cè)區(qū)域203共用的集電極金屬20 ;在集電極金屬20和N型漂移層22之間設(shè)置有P型層21。
[0035]在N型漂移層22上部，在主器件區(qū)域201中設(shè)置有被主器件區(qū)域柵氧化層216和絕緣介質(zhì)層214包圍的主器件區(qū)域柵電極217和P型主器件區(qū)域體區(qū)213，在P型主器件區(qū)域體區(qū)213內(nèi)設(shè)置有N+型主器件區(qū)域源區(qū)218，P型主器件區(qū)域體區(qū)213和N+型主器件區(qū)域源區(qū)218與主器件區(qū)域發(fā)射極金屬215電性連接；在檢測(cè)區(qū)域203內(nèi)設(shè)置有被檢測(cè)區(qū)域柵氧化層236和絕緣介質(zhì)層234包圍的檢測(cè)區(qū)域柵電極237和P型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)233，在P型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)233內(nèi)設(shè)置有N+型檢測(cè)區(qū)域源區(qū)238，P型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)233和N+型檢測(cè)區(qū)域源區(qū)238與檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬235電性連接；在隔離區(qū)域202的漂移層上方設(shè)置有P型隔離區(qū)域體區(qū)223及被隔離區(qū)域柵氧化層226和絕緣介質(zhì)層224包圍的隔離區(qū)域柵電極 227。
[0036]該IGBT的主要特征在于:檢測(cè)區(qū)域柵電極237通過(guò)隔離區(qū)域柵電極227與主器件區(qū)域柵電極217電性相連；P型隔離區(qū)域體區(qū)223與P型主器件區(qū)域體區(qū)213及P型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)233均無(wú)電性連通；P型隔離區(qū)域體區(qū)223與主器件區(qū)域發(fā)射極金屬215和電流檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬235均無(wú)電性連通；P型隔離區(qū)域體區(qū)223的深度(結(jié)深)等于或大于P型主器件區(qū)域體區(qū)213的深度(結(jié)深)。
[0037]所述IGBT中的截面上，所述IGBT器件包括平面柵型IGBT結(jié)構(gòu)和溝槽柵型IGBT結(jié)構(gòu)。
[0038]所述IGBT中，在俯視平面上，柵電極可以是矩形，方形，以及其他多邊形。
[0039]上述實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),如圖3?圖7所示，以圖2C所示截面為例,采用下述工藝步驟實(shí)現(xiàn):
[0040]步驟(a)、提供具有兩個(gè)相對(duì)主面的N型的半導(dǎo)體基板，所述兩個(gè)主面包括第一主面和第二主面；半導(dǎo)體基板的第一主面與第二主面間包括N型漂移區(qū)，如圖3所示。
[0041]步驟(b)、在上述半導(dǎo)體基板的第一主面上，通過(guò)常規(guī)半導(dǎo)體工藝，形成主器件區(qū)域柵氧化層216、主器件區(qū)域柵電極217、隔離區(qū)域柵氧化層226、隔離區(qū)域柵電極227、檢測(cè)區(qū)域柵氧化層236、檢測(cè)區(qū)域電柵237，如圖4所示。
[0042]步驟(c)、在半導(dǎo)體材料表面注入P型雜質(zhì)，并進(jìn)行高溫推結(jié)，分別形成彼此不接觸的P型主器件區(qū)域體區(qū)213、p型隔離區(qū)域體區(qū)223、P型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)233，如圖5所示。
[0043]步驟(d)、在上述半導(dǎo)體基板的第一主面上，通過(guò)常規(guī)半導(dǎo)體工藝，得到IGBT器件相對(duì)應(yīng)的N+型主器件區(qū)域源區(qū)218、N+型檢測(cè)區(qū)域源區(qū)238，及絕緣介質(zhì)層214、223、234，如圖6所示。
[0044]步驟(e)、在上述半導(dǎo)體基板的第一主面上的主器件區(qū)域和檢測(cè)區(qū)域分別形成彼此獨(dú)立的主器件區(qū)域發(fā)射極金屬215和檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬235，如圖7所示。
[0045]步驟(f)、在上述半導(dǎo)體基板的第二主面上，注入P型雜質(zhì)離子，通過(guò)高溫推結(jié)形成P型集電區(qū)。
[0046]步驟(g)、在所述半導(dǎo)體基板的第二主面上淀積金屬層，形成集電極金屬，最終形成圖2A?圖2C所示器件。
[0047]所述IGBT常規(guī)工藝包括溝槽型IGBT工藝或平面型IGBT工藝；
[0048]可選的，適當(dāng)增加P型隔離區(qū)域體區(qū)223的深度(結(jié)深)，可以更能保證本實(shí)用新型中IGBT的耐壓特性。
[0049]本實(shí)用新型的工作機(jī)理在于:當(dāng)IGBT導(dǎo)通時(shí)，空穴電流從背面集電極通過(guò)漂移層，被P型體區(qū)收集，形成調(diào)制電流；其中由于P型隔離區(qū)域體區(qū)223與P型主器件區(qū)域體區(qū)213和P型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)233均無(wú)電性連通，與主器件區(qū)域發(fā)射極金屬215和檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬235均無(wú)電性連通，所以P型隔離區(qū)域體區(qū)223不會(huì)收集空穴電流。因此，隔離區(qū)域202不會(huì)有空穴電流流向主器件區(qū)域201或檢測(cè)區(qū)域203，最大限度減少隔離區(qū)域?qū)z測(cè)信號(hào)的影響，有效的提高檢測(cè)精度，并且與現(xiàn)有工藝完全兼容，不增加任何制造成本。
[0050]注，上述實(shí)施例是以N溝道IGBT為例加以描述的。本實(shí)用新型也可以用于P溝道IGBT,僅需要上述實(shí)施例中的導(dǎo)電類(lèi)型由P型改為N型、N型改為P型即可。
[0051]以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)用新型不限于以上實(shí)施例。可以理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的基本構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進(jìn)和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有精確檢測(cè)功能的IGBT，其特征在于: 在所述IGBT器件第一主面的俯視平面上，包含主器件區(qū)域、檢測(cè)區(qū)域以及隔離區(qū)域；所述主器件區(qū)域包含主器件柵電極接觸和主器件發(fā)射電極接觸及終端保護(hù)結(jié)構(gòu)；所述檢測(cè)區(qū)域被主器件區(qū)域包圍，包含檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極電極；所述隔離區(qū)域?qū)⒅髌骷^(qū)域和檢測(cè)區(qū)域隔離； 所述IGBT器件的截面上，半導(dǎo)體基板具有兩個(gè)相對(duì)的主面，所述主面包括第一主面與第二主面，半導(dǎo)體基板的第一主面與第二主面間包括第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移層；所述半導(dǎo)體基板的第二主面含有被主器件區(qū)域和檢測(cè)器件區(qū)域共用的集電極金屬，所述集電極金屬與第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移層之間設(shè)置有第二導(dǎo)電類(lèi)型層； 在半導(dǎo)體基板第一主面漂移層上部，在主器件區(qū)域設(shè)置有被絕緣介質(zhì)層包圍的主器件區(qū)域柵電極和第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)，在第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電類(lèi)類(lèi)型主器件區(qū)域源區(qū)，第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)和第一導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域源區(qū)與主器件區(qū)域發(fā)射極金屬電性連接；在檢測(cè)區(qū)域設(shè)置有被絕緣介質(zhì)層包圍的檢測(cè)區(qū)域柵電極和第二導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)，在第二導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域源區(qū)，第二導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)和第一導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域源區(qū)與檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬電性連接；在隔離區(qū)域漂移層上方設(shè)置有第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)和被絕緣介質(zhì)層包圍的隔離區(qū)域柵電極； 所述檢測(cè)區(qū)域柵電極通過(guò)隔離區(qū)域柵電極與主器件區(qū)域柵電極相連；第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)與第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)及第二導(dǎo)電類(lèi)型檢測(cè)區(qū)域體區(qū)均無(wú)電性連通；第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)與主器件區(qū)域發(fā)射極金屬和檢測(cè)區(qū)域發(fā)射極金屬均無(wú)電性連通；第二導(dǎo)電類(lèi)型隔離區(qū)域體區(qū)的結(jié)深等于或大于第二導(dǎo)電類(lèi)型主器件區(qū)域體區(qū)的結(jié)深。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有精確檢測(cè)功能的IGBT，其特征在于:所述IGBT器件中，在俯視平面上，所述檢測(cè)區(qū)域的面積小于所述主器件區(qū)域的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有精確檢測(cè)功能的IGBT，其特征在于:所述IGBT器件中，在截面上，所述IGBT器件包括平面柵型IGBT結(jié)構(gòu)和溝槽柵型IGBT結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有精確檢測(cè)功能的IGBT，其特征在于:所述IGBT器件中，在俯視平面上，所述柵電極為矩形、方形。
【文檔編號(hào)】H01L23/544GK203932066SQ201420244861
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月13日
【發(fā)明者】朱袁正, 李宗清 申請(qǐng)人:無(wú)錫新潔能股份有限公司