窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體元件IC【技術(shù)領(lǐng)域】。本實(shí)用新型的表面布滿整齊排列多個(gè)芯片，每個(gè)芯片上設(shè)有多個(gè)CP測(cè)試晶粒。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，在每個(gè)光照的部分芯片上置有多個(gè)測(cè)試晶粒，各芯片之間的劃片槽采用激光劃片的方式進(jìn)行窄縫隙切割。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型可以不受測(cè)試晶粒尺寸的影響而縮減劃片槽的寬度，降低芯片成本。
【專利說(shuō)明】窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體元件IC【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是圓片流片和圓片切割的窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，晶圓的結(jié)構(gòu)如圖1所示，劃片槽4寬度一般在60um以上，劃片槽4中分布著測(cè)試晶粒2。由于測(cè)試晶粒2有最小尺寸要求，傳統(tǒng)的輪刀切割要求劃片槽4寬度最小在50um以上，所以目前劃片槽寬度以傳統(tǒng)的流片及切割模式已經(jīng)到達(dá)一個(gè)技術(shù)極限，無(wú)法再縮減。
[0003]但流片工藝正在飛速發(fā)展，線寬從um級(jí)已經(jīng)發(fā)展到nm級(jí)，這樣使得芯片I的面積變得更小，芯片I面積變小導(dǎo)致單位晶圓上劃片槽4面積增加，而劃片槽4部分沒(méi)有電路功能，使得芯片I成本無(wú)法降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)。它可以不受測(cè)試晶粒尺寸的影響而縮減劃片槽的寬度，降低芯片成本。
[0005]為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案以如下方式實(shí)現(xiàn):
[0006]窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)，它的表面布滿整齊排列多個(gè)芯片，每個(gè)芯片上設(shè)有多個(gè)CP測(cè)試晶粒。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，在每個(gè)光照的部分芯片上置有多個(gè)測(cè)試晶粒，各芯片之間的劃片槽采用激光劃片的方式進(jìn)行窄縫隙切割。
[0007]本實(shí)用新型由于采用了上述結(jié)構(gòu)，將原本置于劃片槽中的測(cè)試晶粒集中放置在每個(gè)光照的某一個(gè)或者某幾個(gè)區(qū)域的芯片上。同時(shí)，采用激光劃片方式，使得劃片槽寬度可以大大縮減，有效節(jié)約了芯片成本。
[0008]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中晶圓及芯片的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0010]圖2為本實(shí)用新型晶圓及芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]參看圖2，本實(shí)用新型晶圓結(jié)構(gòu)，它的表面布滿整齊排列多個(gè)芯片1，每個(gè)芯片I上設(shè)有多個(gè)CP測(cè)試晶粒3。在每個(gè)光照的部分芯片I上置有多個(gè)測(cè)試晶粒2，各芯片I之間的劃片槽4采用激光劃片的方式進(jìn)行窄縫隙切割。
[0012]本實(shí)用新型中，將測(cè)試晶粒2放置在芯片I上并在放置測(cè)試晶粒2的芯片I表面保留芯片I上原有的CP測(cè)試晶粒3。
[0013]影響劃片槽4寬度的第二個(gè)因素是切割的要求，現(xiàn)有技術(shù)中的輪刀切割要求劃片槽4最小寬度為50um。本實(shí)用新型采用隱形激光切割的方式，這種方式的刀痕寬度可以做至IJ Ium以內(nèi)，并且沒(méi)有崩齒的影響。隨著激光劃片設(shè)備的發(fā)展，劃片槽4寬度會(huì)進(jìn)一步減小，所以本實(shí)用新型方案理論上可以將劃片槽4做到無(wú)限窄，這將大大降低光照芯片I的生產(chǎn)成本。
【權(quán)利要求】
1.窄劃片槽的晶圓結(jié)構(gòu)，它的表面布滿整齊排列的多個(gè)芯片(1)，每個(gè)芯片(I)上設(shè)有多個(gè)CP測(cè)試晶粒(3)，其特征在于，在每個(gè)光照的部分芯片(I)上置有多個(gè)測(cè)試晶粒(2)，各芯片(I)之間的劃片槽(4)采用激光劃片的方式進(jìn)行窄縫隙切割。
【文檔編號(hào)】H01L23/544GK203932046SQ201420231132
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月7日
【發(fā)明者】陳志龍, 王國(guó)兵, 高鳳來(lái) 申請(qǐng)人:北京同方微電子有限公司