一種高封接強(qiáng)度led陶瓷電路cob基片的制作方法
【專利摘要】一種高封接強(qiáng)度LED陶瓷電路COB基片，包括LED基槽、芯片槽、焊接基片和自釋釉陶瓷基片，所述自釋釉陶瓷基片上開有LED基槽和芯片槽，所述芯片槽位于LED基槽底部，所述焊接基片位于自釋釉陶瓷基片的兩側(cè)，所述焊接基片為厚度為2-3mm的納米氧化鋁涂層。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于焊接，封接強(qiáng)度高，能根據(jù)需要制定形狀。
【專利說(shuō)明】—種高封接強(qiáng)度LED陶瓷電路COB基片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及無(wú)機(jī)非金屬工業(yè)，具體為一種高封接強(qiáng)度LED陶瓷電路COB基片。【背景技術(shù)】
[0002]COB, (Chips on Board)，多LED芯片封裝在一起作為一個(gè)照明模塊。當(dāng)它點(diǎn)亮的時(shí)候，看起來(lái)就像是一個(gè)發(fā)光面；LED (light emitting diode發(fā)光二極管)是新一代照明光源，具有節(jié)能環(huán)保的特點(diǎn)，然而并非完美無(wú)缺。相較于傳統(tǒng)光源，由于其單位面積發(fā)光強(qiáng)度過(guò)高，所以帶來(lái)嚴(yán)重眩光。當(dāng)需要大瓦數(shù)光源時(shí)，需要將多顆LED安裝在一起，在不采取霧狀濾光片或霧狀透鏡的情況下，會(huì)有嚴(yán)重的斑馬紋，而使用霧狀濾光片或霧狀透鏡又會(huì)帶來(lái)不小的光損失。世紀(jì)光點(diǎn)擁有LED MCOB技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是LED面光源的倡導(dǎo)者，世紀(jì)光點(diǎn)使用小尺寸芯片集群封裝技術(shù)小尺寸芯片集群封裝數(shù)十倍的增加了發(fā)光面積，最大限度避免了眩光，LED的光效隨著芯片尺寸的增大而降低。到目前為止世界各大LED公司的最新成果，小芯片的光效已可以做到2491m/watt § 20mA,而大尺寸芯片只做到1611m/watt@350mA。隨著驅(qū)動(dòng)電流的增加，光效會(huì)隨之降低。小尺寸芯片集群封裝成為了 LED封裝技術(shù)的一個(gè)趨勢(shì)。未來(lái)的LED照明光源和背光源，面發(fā)光光源將占據(jù)至少半壁江山。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種高封接強(qiáng)度LED陶瓷電路COB基片，以解決上述【背景技術(shù)】中的缺點(diǎn)。
[0004]本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問(wèn)題采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0005]一種高封接強(qiáng)度LED陶瓷電路COB基片，包括LED基槽、芯片槽、焊接基片和自釋釉陶瓷基片，所述自釋釉陶瓷基片上開有LED基槽和芯片槽，所述芯片槽位于LED基槽底部，所述焊接基片位于自釋釉陶瓷基片的兩側(cè)，所述焊接基片為厚度為2-3mm的納米氧化鋁涂層。
[0006]本實(shí)用新型中，所述LED基槽為弧面型，所述芯片槽的寬度為5-10 mm,所述焊接基片的厚度為10-15 mm，所述自釋釉陶瓷基片的陶瓷厚度為20_30mm。
[0007]本實(shí)用新型中，所述自釋釉陶瓷基片的材料采用自釋釉陶瓷。
[0008]有益效果:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于焊接，封接強(qiáng)度高，能根據(jù)需要制定形狀。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】 [0010]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0011]參見(jiàn)圖1，一種高封接強(qiáng)度LED陶瓷電路COB基片的結(jié)構(gòu)示意圖，一種高封接強(qiáng)度LED陶瓷電路COB基片，包括LED基槽1、芯片槽2、焊接基片3和自釋釉陶瓷基片4，所述自釋釉陶瓷基片4上開有LED基槽I和芯片槽2，所述芯片槽2位于LED基槽I底部，所述焊接基片3位于自釋釉陶瓷基片4的兩側(cè)，所述焊接基片3為厚度為2-3mm的納米氧化鋁涂層。所述LED基槽I為弧面型，所述芯片槽2的寬度為5-10 mm，所述焊接基片3的厚度為10-15 mm，所述自釋釉陶瓷基片4的陶瓷厚度為20_30mm，所述自釋釉陶瓷基片4的材料采用自釋釉陶瓷。
[0012]使用時(shí)，將芯片安裝在芯片槽2內(nèi)，LED安裝在LED基槽I內(nèi)部，將多個(gè)LED燈具通過(guò)焊接基片3進(jìn)行焊接。自釋釉陶瓷基片4具有良好的導(dǎo)熱性能，能夠大大延長(zhǎng)LED的壽命。
[0013]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征及本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)，本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)，本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種高封接強(qiáng)度LED陶瓷電路COB基片，包括LED基槽、芯片槽、焊接基片和自釋釉陶瓷基片，其特征在于，所述自釋釉陶瓷基片上開有LED基槽和芯片槽，所述芯片槽位于LED基槽底部，所述焊接基片位于自釋釉陶瓷基片的兩側(cè)，所述焊接基片為厚度為2-3mm的納米氧化鋁涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高封接強(qiáng)度LED陶瓷電路COB基片，其特征在于，所述LED基槽為弧面型，所述芯片槽的寬度為5-10 mm，所述焊接基片的厚度為10-15 mm，所述自釋釉陶瓷基片的陶瓷厚度為20-30mm。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK203746903SQ201420115574
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月14日
【發(fā)明者】晏育權(quán), 曹培福, 劉曦, 唐旭華, 唐梅娜 申請(qǐng)人:湖南中科特種陶瓷技術(shù)開發(fā)有限公司