一種新型圓片級封裝結構及其工藝方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新型圓片級封裝結構及其工藝方法，所述結構包括基板（1），所述基板（1）正面倒裝有芯片（2），所述芯片（2）正面設置有金屬凸點（3），所述金屬凸點（3）與基板（1）之間通過錫球（4）相連接，所述芯片（2）正面與基板（1）之間設置有底部填充膠（5），所述芯片（2）背面包封有塑封料（6），所述基板（1）背面電鍍有金屬層（7）。本發(fā)明一種新型圓片級封裝結構及其工藝方法，圓片上的圖面設計與引線框的圖面完全對應，實現(xiàn)整片圓片倒裝于引線框，再進行圓片的切割分離以及封裝，實現(xiàn)單顆芯片尺寸等同于引線框單顆Unit的晶圓級封裝。
【專利說明】一種新型圓片級封裝結構及其工藝方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新型圓片級封裝結構及其工藝方法，屬于半導體封裝【技術領域】。

【背景技術】
[0002]現(xiàn)有的圓片級封裝，先對圓片進行劃片，將完成劃片后分離的芯片正面粘貼在載板上，再對載板粘貼芯片的一側進行塑封，去除載板，露出芯片正面，對芯片正面電極進行Fanout重布線制作金屬線路與產(chǎn)品電性的輸出。圓片劃片后單顆芯片排列粘貼在載板上進行包封、制作Fanout金屬線路，一方面芯片排列對位的效率低，而且分離芯片排列對位容易產(chǎn)生位移偏差，這將造成后續(xù)芯片正面Fanout金屬線路的偏移；由于圓片F(xiàn)anout封裝在封裝廠進行，但是對于封裝廠進行Fanout工藝涉及的密間距線路制作，難度比較高，容易出現(xiàn)線路短路、線路剝離的問題，良率偏低。


【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種新型圓片級封裝結構及其工藝方法，圓片上的圖面設計與引線框的圖面完全對應，實現(xiàn)整片圓片倒裝于引線框，再進行圓片的切割分離以及封裝，實現(xiàn)單顆芯片尺寸等同于引線框單顆Unit的晶圓級封裝。
[0004]本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:一種新型圓片級封裝結構，它包括基板，所述基板正面倒裝有芯片，所述芯片正面設置有金屬凸點，所述金屬凸點與基板之間通過錫球相連接，所述芯片正面與基板之間設置有底部填充膠，所述芯片背面包封有塑封料，所述基板背面電鍍有金屬層。
[0005]一種新型圓片級封裝結構的工藝方法，所述方法包括以下步驟:
步驟一、取一圓片，圓片正面線路設計完全對應于引線框圖面，單顆芯片尺寸等同于封裝尺寸；
步驟二、在圓片正面電極上制作金屬凸點；
步驟三、在金屬凸點上制作錫球；
步驟四、圓片通過金屬凸點上的錫球倒裝于基板，基板單顆產(chǎn)品尺寸等同于單顆芯片尺寸；
步驟五、將完成倒裝的圓片與基板放入回流焊設備進行回流焊；
步驟六、對完成回流焊的產(chǎn)品進行正面切割，切至基板正面，切穿圓片；
步驟七、對完成圓片切割的切割槽內注入底部填充膠，利用毛細現(xiàn)象填充芯片與基板之間空白區(qū)；
步驟八、對完成底部填充膠填充后的產(chǎn)品進行塑封；
步驟九、對完成塑封后的產(chǎn)品進行基板背面電鍍；
步驟十、對完成電鍍的產(chǎn)品進行切割，分離單個產(chǎn)品。
[0006]所述圓片正面線路可以根據(jù)引線框圖面進行Fanout設計；
所述引線框圖面可以根據(jù)圓片正面線路進行匹配設計。
[0007]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
1、芯片重布線制作與封裝分別由各自擅長的晶圓FAB廠與封裝廠完成，產(chǎn)品良率比較尚;
2、引線框單顆Unit尺寸等同于單獨的芯片尺寸，不僅最大化地利用了金屬引線框，而且可以縮小產(chǎn)品尺寸，提高引線框的利用率，降低材料成本；
3、整片圓片一次倒裝完成、大大提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明一種新型圓片級封裝結構的結構示意圖。
[0009]圖2~圖11為本發(fā)明一種新型圓片級封裝結構工藝方法的各工序示意圖。
[0010]其中:
基板1 芯片2
金屬凸點3 錫球4
底部填充膠5 塑封料6 金屬層7。

【具體實施方式】
[0011]參見圖1，本發(fā)明一種新型圓片級封裝結構，它包括基板1，所述基板1正面倒裝有芯片2，所述芯片2正面設置有金屬凸點3，所述金屬凸點3與基板1之間通過錫球4相連接，所述芯片2正面與基板1之間設置有底部填充膠5，所述芯片2背面包封有塑封料6，所述基板1背面電鍍有金屬層7。
[0012]其工藝方法如下:
步驟一、參見圖2，取一圓片，圓片正面線路設計完全對應于引線框圖面，單顆芯片尺寸等同于封裝尺寸；
步驟二、參見圖3，在圓片正面電極上制作金屬凸點；
步驟三、參見圖4，在金屬凸點上制作錫球；
步驟四、參見圖5，圓片通過金屬凸點上的錫球倒裝于基板，基板單顆產(chǎn)品尺寸等同于單顆芯片尺寸；
步驟五、參見圖6，將完成倒裝的圓片與基板放入回流焊設備進行回流焊；
步驟六、參見圖7，對完成回流焊的產(chǎn)品進行正面切割，切至基板正面，切穿圓片；步驟七、參見圖8，對完成圓片切割的切割槽內注入底部填充膠，利用毛細現(xiàn)象填充芯片與基板之間空白區(qū)；
步驟八、參見圖9，對完成底部填充膠填充后產(chǎn)品進行塑封；
步驟九、參見圖10，對完成塑封后的產(chǎn)品進行基板背面電鍍；
步驟十、參見圖11，對完成電鍍的產(chǎn)品進行切割，分離單個產(chǎn)品。
[0013]所述圓片正面線路可以根據(jù)引線框圖面進行Fanout設計；所述引線框圖面可以根據(jù)圓片正面線路進行匹配設計。
【權利要求】
1.一種新型圓片級封裝結構，其特征在于:它包括基板(I)，所述基板(I)正面倒裝有芯片(2 )，所述芯片(2 )正面設置有金屬凸點(3 )，所述金屬凸點(3 )與基板(I)之間通過錫球(4)相連接，所述芯片(2)正面與基板(I)之間設置有底部填充膠(5)，所述芯片(2)背面包封有塑封料(6 )，所述基板(I)背面電鍍有金屬層(7 )。
2.一種新型圓片級封裝結構的工藝方法，其特征在于所述方法包括以下步驟: 步驟一、取一圓片，圓片正面線路設計完全對應于引線框圖面，單顆芯片尺寸等同于封裝尺寸； 步驟二、在圓片正面電極上制作金屬凸點； 步驟三、在金屬凸點上制作錫球； 步驟四、圓片通過金屬凸點上的錫球倒裝于基板，基板單顆產(chǎn)品尺寸等同于單顆芯片尺寸； 步驟五、將完成倒裝的圓片與基板放入回流焊設備進行回流焊； 步驟六、對完成回流焊的產(chǎn)品進行正面切割，切至基板正面，切穿圓片； 步驟七、對完成圓片切割的切割槽內注入底部填充膠，利用毛細現(xiàn)象填充芯片與基板之間空白區(qū)； 步驟八、對完成底部填充膠填充后產(chǎn)品進行塑封； 步驟九、對完成塑封后的產(chǎn)品進行基板背面電鍍； 步驟十、對完成電鍍的產(chǎn)品進行切割，分離單個產(chǎn)品。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種新型圓片級封裝結構的工藝方法，其特征在于:所述圓片正面線路根據(jù)引線框圖面進行Fanout設計或引線框圖面根據(jù)圓片正面線路進行匹配設i+o
【文檔編號】H01L21/60GK104465586SQ201410828528
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月26日 優(yōu)先權日:2014年12月26日
【發(fā)明者】梁志忠, 王亞琴 申請人:江蘇長電科技股份有限公司