一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板制備方法、陣列基板、顯示裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)存在的陣列基板制備中掩膜板多制備成本高的問題。本發(fā)明提供的陣列基板制備方法、陣列基板、顯示裝置，由于將刻蝕阻擋層采用鈍化層的掩膜板或源、漏電極的掩膜板制備，減少了陣列基板制備的掩膜板，降低了制備成本。
【專利說(shuō)明】
一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]利用非晶硅(a-Si)薄膜晶體管(TFT)制作薄膜晶體管顯示器的缺點(diǎn)是其電子遷移率非常低(<lcm2/V.S)，同時(shí)a-Si在可見光范圍不透明，光敏性強(qiáng)，因此其應(yīng)用范圍受到了限制。隨著新技術(shù)的出現(xiàn)，如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示技術(shù)，透明液晶顯示技術(shù)，驅(qū)動(dòng)電路集成玻璃技術(shù)(Gate Driver on Array,GOA)等逐漸進(jìn)入人們的視野,需要薄膜半導(dǎo)體材料具有更高的電子遷移率，更佳的非晶態(tài)均一性，并能夠減少閾值電壓(Vth)漂移等。
[0003]金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(Oxide TFT)的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜具有沉積溫度低，電子遷移率高，易于刻蝕，在可見光范圍內(nèi)透過率高，且電子遷移率不那么取決于膜的顆粒尺寸，即具有Vth均一性高等優(yōu)點(diǎn)。
[0004]圖1為現(xiàn)有的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中。所述陣列基板包括:基板I;形成在基板I上的形成第一氧化銦錫層(圖1為剖視圖，剖不到該位置)；
[0005]形成在第一氧化銦錫層的柵電極2 ;形成在柵電極2的柵絕緣層3 ;形成在柵絕緣層3上的金屬氧化物有源層4 ;形成在有源層4上的刻蝕阻擋層5 (Etch Stop Layer, ESL)、源、漏電極6 ;源、漏電極6之上形成的鈍化層7 ;形成在鈍化層7上的第二氧化銦錫層(圖1為剖視圖，剖不到該位置)。
[0006]上述Oxide TFT陣列基板的制造工藝如下:通過7次構(gòu)圖工藝在基板I依次形成上述各層，其中，構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂布、掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等部分或全部工藝，使用的掩膜板依次為第一氧化銦錫層掩膜板，柵電極掩膜板，有源層掩膜板，刻蝕阻擋層掩膜板，源、漏電極掩膜板，鈍化層掩膜板，第二氧化銦錫層掩膜板。上述陣列基板的制造過程包括了 7次構(gòu)圖工藝，每次構(gòu)圖工藝都用到一塊不同的掩膜版，導(dǎo)致該陣列基板的制造成本較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]解決上述問題所采用的技術(shù)方案是一種節(jié)省掩膜板的陣列基板的制備方法，其技術(shù)方案如下:
[0008]一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0009]在襯底上通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形；
[0010]在形成有源層的所述襯底上沉積刻蝕阻擋層；
[0011]在所述刻蝕阻擋層上沉積金屬層；
[0012]通過構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，且所述源電極上形成有第一開口 ；所述漏電極上形成有第二開口 ；以及
[0013]在所述刻蝕阻擋層上形成刻蝕阻擋圖案，所述刻蝕阻擋圖案具有分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
[0014]優(yōu)選的是，所述通過構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，且所述源電極上形成有第一開口 ；所述漏電極上形成有第二開口 ；以及
[0015]在所述刻蝕阻擋層上形成刻蝕阻擋圖案，所述刻蝕阻擋圖案具有分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口包括以下步驟:
[0016]在所述金屬層上形成光刻膠、采用源、漏電極掩膜板曝光、顯影、并對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕，形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形；
[0017]接著，沉積鈍化層，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層和刻蝕阻擋層的圖形。
[0018]優(yōu)選的是，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層和刻蝕阻擋層的圖形包括以下步驟:在所述鈍化層上形成光刻膠、采用鈍化層掩膜板曝光、顯影、并對(duì)鈍化層和刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕，在所述刻蝕阻擋圖案形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
[0019]優(yōu)選的是，所述金屬層的刻蝕采用濕法刻蝕。
[0020]優(yōu)選的是，所述鈍化層和刻蝕阻擋層的刻蝕采用干法刻蝕。
[0021]優(yōu)選的是，通過構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，且所述源電極上形成有第一開口 ；所述漏電極上形成有第二開口 ；以及
[0022]在所述刻蝕阻擋層上形成刻蝕阻擋圖案，所述刻蝕阻擋圖案具有分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口包括以下步驟:
[0023]通過一次構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形；以及在刻蝕阻擋層上形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口的圖形。
[0024]優(yōu)選的是，所述通過一次構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形；以及在刻蝕阻擋層上形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口的圖形包括以下步驟:
[0025]在所述金屬層上形成光刻膠、采用源、漏電極掩膜板曝光、顯影、并對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕，形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形；
[0026]接著，對(duì)所述刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕，在所述刻蝕阻擋層形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
[0027]優(yōu)選的是，所述金屬層的刻蝕采用濕法刻蝕；所述刻蝕阻擋層的刻蝕采用干法刻蝕。
[0028]優(yōu)選的是，完成所述第一開口和所述第二開口的圖形的制作之后還包括:
[0029]通過構(gòu)圖工藝形成包括導(dǎo)電層的圖形，所述導(dǎo)電層通過所述過所述第一開口和所述第二開口以及在所述刻蝕阻擋層上的與所述第一開口、第二開口相對(duì)應(yīng)的開口將所述源電極的第一部分、漏電極的第一部分與所述有源層連接。
[0030]優(yōu)選的是，所述的導(dǎo)電層包括公共電極或像素電極。
[0031]優(yōu)選的是，完成所述第一開口和所述第二開口的圖形的制作之后還包括:
[0032]通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的步驟，其中，與所述第一開口和所述第二開口相對(duì)應(yīng)部分的鈍化層被刻蝕。
[0033]優(yōu)選的是，完成所述第一開口和所述第二開口的圖形的制作之后還包括:通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的步驟，其中，與源、漏電極圖形相對(duì)應(yīng)部分的鈍化層被刻蝕。
[0034]優(yōu)選的是，完成所述鈍化層步驟之后還包括:
[0035]將通過構(gòu)圖工藝形成包括導(dǎo)電層的圖形，所述導(dǎo)電層通過所述過所述第一開口和所述第二開口以及在所述刻蝕阻擋層上的與所述第一開口、第二開口相對(duì)應(yīng)的開口將所述源電極的第一部分、漏電極的第一部分與所述有源層連接。
[0036]優(yōu)選的是，所述的導(dǎo)電層包括公共電極或像素電極。
[0037]優(yōu)選的是，在形成有源層的圖形之前還包括:通過構(gòu)圖工藝形成柵電極層和柵極絕緣層的步驟。
[0038]本發(fā)明的另一目的是提供一種陣列基板，所述陣列基板是采用上述陣列基板的制備方法制備的。
[0039]優(yōu)選的是，所述陣列基板，包括有源層，位于所述有源層上的刻蝕阻擋層，位于所述刻蝕阻擋層上的源、漏極的第一部分；位于所述源、漏電極的第一部分上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層通過位于所述源電極上的第一開口和位于所述刻蝕阻擋層的與所述第一開口對(duì)應(yīng)的開口、以及位于所述漏電極上的第二開口和位于所述刻蝕阻擋層的與所述第二開口對(duì)應(yīng)的開口將所述源、漏電極的第一部分與所述有源層連接；所述導(dǎo)電層包括作為源、漏電極的第二部分和公共電極或像素電極的部分。
[0040]優(yōu)選的是，所述源、漏電極包括所述源、漏電極的第一部分以及源、漏電極的第二部分。
[0041]優(yōu)選的是，所述陣列基板、所述有源層的設(shè)置于柵極絕緣層上；所述柵極絕緣層設(shè)置于柵極上。
[0042]本發(fā)明的另一目的是提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0043]本發(fā)明提供的陣列基板及其制備方法、顯示裝置，由于源電極上形成有第一開口，漏電極上形成有第二開口 ；以及在刻蝕阻擋層上形成包括有分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口，這樣可以將刻蝕阻擋層采用鈍化層的掩膜板或源、漏電極的掩膜板制備，減少了陣列基板制備的掩膜板，降低了制備成本。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0044]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的剖視示意圖；
[0045]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中的陣列基板形成柵電極后的剖視示意圖；
[0046]圖3為本發(fā)明實(shí)施例1中的陣列基板形成柵極絕緣層后的剖視示意圖；
[0047]圖4為本發(fā)明實(shí)施例1中的陣列基板形成有源層后的剖視示意圖；
[0048]圖5為本發(fā)明實(shí)施例1中的陣列基板沉積刻蝕阻擋層后的剖視示意圖；
[0049]圖6為本發(fā)明實(shí)施例1中的陣列基板形成源、漏電極后的剖視示意圖；
[0050]圖7為本發(fā)明實(shí)施例1中的陣列基板完成刻蝕阻擋層的刻蝕后的剖視示意圖；
[0051]圖8為本發(fā)明實(shí)施例1中的陣列基板形成鈍化層后的剖視示意圖；
[0052]圖9為本發(fā)明實(shí)施例1中的陣列基板形成第二透明導(dǎo)電層后的剖視示意圖或本發(fā)明實(shí)施3中的陣列基板剖視示意圖；
[0053]圖10為本發(fā)明實(shí)施例2中的陣列基板形成源漏電極后的剖視示意圖；
[0054]圖11為本發(fā)明實(shí)施例2中的陣列基板形成鈍化層后的剖視示意圖；
[0055]圖12為本發(fā)明實(shí)施例2中的陣列基板完成刻蝕阻擋層后的剖視示意圖；
[0056]圖13為本發(fā)明實(shí)施例2中的陣列基板形成第二透明導(dǎo)電層后的剖視示意圖或本發(fā)明實(shí)施3中的陣列基板剖視示意圖；
[0057]圖14為本發(fā)明實(shí)施例3中的陣列基板形成源、漏電極后的剖視示意圖；
[0058]圖15為本發(fā)明實(shí)施例3中的陣列基板完成刻蝕阻擋層的刻蝕后的剖視示意圖；
[0059]圖16為本發(fā)明實(shí)施例3中的陣列基板形成第二透明導(dǎo)電層后的剖視示意圖；
[0060]圖17為本發(fā)明實(shí)施例3中的陣列基板形成鈍化層后的剖視示意圖；
[0061]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0062]1.基板；2.柵電極；3.柵電極絕緣層；4.有源層；5.刻蝕阻擋層；6.源、漏電極；61.源電極的第一部分；62.漏電極的第一部分；7.鈍化層；8.第二透明導(dǎo)電層；91.第一開口 ；92.第二開口。

【具體實(shí)施方式】
[0063]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0064]實(shí)施例1:
[0065]如圖2-7所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0066]步驟1:在襯底上通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形；
[0067]步驟2:在形成有源層的所述襯底上沉積刻蝕阻擋層；
[0068]步驟3:在所述刻蝕阻擋層上沉積源、漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，且所述源電極上形成有第一開口 ；所述漏電極上形成有第二開口 ；以及
[0069]在所述刻蝕阻擋層上形成刻蝕阻擋圖案，所述刻蝕阻擋圖案具有分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
[0070]具體的，步驟S3包括:在所述金屬層上形成光刻膠、采用源、漏電極掩膜板曝光、顯影、并對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕，形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形；
[0071]接著，對(duì)所述刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕，在所述刻蝕阻擋層上形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
[0072]本實(shí)施例中刻蝕阻擋層與源、漏電極采用源、漏電極掩膜板通過一次構(gòu)圖工藝形成，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)減少了刻蝕阻擋層掩膜板，降低了陣列基板的制備成本。
[0073]下面更進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，
[0074]I)通過構(gòu)圖工藝形成包括第一透明導(dǎo)電層和柵電極的圖形
[0075]如圖2所示，通過構(gòu)圖工藝在基板I上依次形成第一透明導(dǎo)電層(圖2為剖視圖，剖不到該位置)、柵電極2。
[0076]應(yīng)當(dāng)理解的是，第一透明導(dǎo)電層也可以放在制備完其它功能層后沉積，或者在TN模式中不需該第一透明導(dǎo)電層(只需一層導(dǎo)電層即可)；本實(shí)施例是以邊緣場(chǎng)模式即兩層透明導(dǎo)電層的模式為例進(jìn)行介紹。
[0077]其中，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上形成透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(Ι--)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；然后，在透明導(dǎo)電層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成第一透明導(dǎo)電層的圖形?’最后，剝離剩余的光刻膠。
[0078]應(yīng)當(dāng)理解的是，第一透明導(dǎo)電層針對(duì)不同顯示模式，可以是公共電極(高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)或像素電極(超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)，第一透明導(dǎo)電層的其它部分(未剖出)與外圍走線連接傳遞相應(yīng)信號(hào)在此不再一一贅述。
[0079]接著，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在基板I形成柵金屬層，柵金屬層可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫氧化物(ITO)及其合金，并且，柵金屬層可以為一層或多層；然后，在柵金屬層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)柵金屬層進(jìn)行刻蝕，形成柵電極2的圖形；最后，剝離剩余的光刻膠。
[0080]2)通過構(gòu)圖工藝形成包括柵電極絕緣層的圖形
[0081]如圖3所示，接著，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等方法，在所述基板I上沉積柵電極絕緣層3。其中，柵電極絕緣層3可以選用氧化物(例如S1x)或者氮化物(例如SiNx)等材料，也可以為兩種的組合。
[0082]3)通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形
[0083]如圖4所示，首先，可以采用濺射等方法，在所述基板I上形成半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層可以為金屬氧化物半導(dǎo)體層，其材料可以為ZnO基材料,也可以為IGZO基材料；然后，在半導(dǎo)體層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成有源層4的圖形；最后，剝離剩余的刻膠。
[0084]4)沉積刻蝕阻擋層
[0085]如圖5所示，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上形成刻蝕阻擋層5，刻蝕阻擋層5可以采用SiNx或S1x等材料，也可以為兩種的組合。
[0086]5)通過構(gòu)圖工藝形成包括源、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形。
[0087]應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)施例中源、漏電極包括源電極的第一部分61、漏電極的第一部分62和源、漏電極的第二部分(后續(xù)第二透明導(dǎo)電層的一部分)。
[0088]如圖6所示，首先，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上面形成源漏金屬層，源漏柵金屬層可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、銦錫氧化物(ITO)及其合金，并且，源漏金屬層可以為一層或多層；然后，在源漏金屬層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)源漏金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，形成包括源電極的第一部分61、漏電極的第一部分62的圖形；以及位于所述源電極上的第一開口的91，位于所述漏電極上的第二開口 92。需要說(shuō)明的是，此時(shí)源、漏電極雖然只形成了第一部分，但是第一開口 91與第二開口 92已經(jīng)完成，所以為了圖示能夠清楚說(shuō)明，上述過程也可以理解為:形成位于源電極的第一部分61的第一開口 91和位于位于漏電極的第一部分62的第二開口92，而在源、漏極的第二部分(后續(xù)說(shuō)明)形成后，第一開口 91與第二開口 92依然存在，從而使源電極上形成有第一開口 91 ;漏電極上形成有第二開口 92。還需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的開口通?？梢允侨笨冢蛘呤沁^孔等形式，以下的實(shí)施例以過孔為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0089]由于濕法刻蝕主要針對(duì)金屬或金屬氧化物其刻蝕作用，對(duì)非金屬氧化物不起刻蝕作用，因此，上述的濕法刻蝕不會(huì)對(duì)源、漏電極的第一部分61、62下方的刻蝕阻擋層5刻蝕，從而，保護(hù)了有源層4不會(huì)被刻蝕。
[0090]如圖7所示，可以接著采用干法刻蝕對(duì)刻蝕阻擋層5進(jìn)行刻蝕，在刻蝕阻擋層5上形成分別與所述源電極上的第一開口 91、所述漏電極上的第二開口 92相對(duì)應(yīng)的開口的圖形。最后，剝離剩余的光刻膠。
[0091]本實(shí)施例中源、漏電極的第一部分61、62和刻蝕阻擋層5采用同一掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成，減少了一張掩膜板，降低了陣列基板制備成本。
[0092]6)通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層的圖形
[0093]如圖8所示，首先，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上形成鈍化層7，鈍化層7可以采用SiNx或S1x等材料，也可以為兩種的組合；然后，在鈍化層7上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜通過干法刻蝕形成鈍化層7的圖形，其中，對(duì)應(yīng)第一開口 91和所述第二開口 92的鈍化層7被刻蝕；最后，剝離剩余的光刻膠。
[0094]需要說(shuō)明的是，與源、漏電極區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層7也相應(yīng)的可以被刻蝕，只要不影響有源層4通過第一開口 91及其在刻蝕阻擋層5中的對(duì)應(yīng)開口和所述第二開口 92及其在刻蝕阻擋層5中的對(duì)應(yīng)開口暴露出來(lái)即可。
[0095]7)通過構(gòu)圖工藝形成包括第二透明導(dǎo)電層的圖形
[0096]如圖9所示，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上形成透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；然后，在透明導(dǎo)電層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成第二透明導(dǎo)電層8的圖形，其中，第二透明導(dǎo)電層8的一部分通過第一開口 91及其在刻蝕阻擋層5中的對(duì)應(yīng)開口和第二開口 92及其在刻蝕阻擋層5中的對(duì)應(yīng)開口與有源層4連接；最后，剝離剩余的光刻膠。最終，第二透明導(dǎo)電層8的一部分作為源電極、漏電極的第二部分將所述源、漏電極的第一部分61、62與所述有源層4連接。
[0097]由圖9可見，位于第一開口 91和第二開口 92之間的與刻蝕鈍化層7相對(duì)應(yīng)的第二透明導(dǎo)電層8部分被刻蝕掉，形成源、漏電極的間隔設(shè)置，可以理解，由于第一開口 91和第二開口 92之間有鈍化層7的存在，在刻蝕所述第一開口 91和第二開口 92之間的透明導(dǎo)電層8時(shí)，很好的保護(hù)了鈍化層7下的有源層4不受刻蝕影響。這樣在節(jié)省工藝的情況下，保證了有源層4不受刻蝕影響。
[0098]應(yīng)當(dāng)理解的是，第二透明導(dǎo)電層8包括其它部分，針對(duì)不同顯示模式，可以為公共電極(高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)或像素電極(超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)，第二透明導(dǎo)電層8的其它部分(未剖出)與外圍走線連接傳遞相應(yīng)信號(hào)在此不再一一贅述。
[0099]實(shí)施例2
[0100]如圖10-13所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0101]步驟1:在襯底上通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形；
[0102]步驟2:在形成有源層的所述襯底上沉積刻蝕阻擋層；
[0103]步驟3:在所述刻蝕阻擋層上沉積源、漏金屬層，在所述金屬層上涂覆光刻膠、采用源、漏電極掩膜板曝光、顯影、并對(duì)所述金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及在所述源電極上形成第一開口的圖形，在所述漏電極上形成第二開口的圖形；
[0104]接著，沉積鈍化層，在所述鈍化層上涂覆光刻膠、采用鈍化層掩膜板曝光、顯影、并對(duì)鈍化層和刻蝕阻擋層進(jìn)行干法刻蝕，在所述刻蝕阻擋層形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
[0105]本實(shí)施例中刻蝕阻擋層和鈍化層采用鈍化層模板通過構(gòu)圖工藝形成，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)減少了刻蝕阻擋層掩膜板，降低了陣列基板的制備成本。
[0106]具體地，
[0107]I)通過構(gòu)圖工藝形成包括第一透明導(dǎo)電層和柵電極絕緣層的圖形
[0108]2)通過構(gòu)圖工藝形成包括柵電極的圖形
[0109]3)通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形
[0110]4)沉積刻蝕阻擋層
[0111]5)通過構(gòu)圖工藝形成包括源、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形。
[0112]上述步驟與實(shí)施例1相同，在此不再一一贅述。
[0113]通過上述步驟獲得的陣列基板如圖10所示，
[0114]6)通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層的圖形
[0115]如圖11所示，首先，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上形成鈍化層7，鈍化層7可以采用SiNx或S1x等材料，也可以為兩種的組合；然后，在鈍化層7上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜通過干法刻蝕形成鈍化層7的圖形，其中，第一開口 91和所述第二開口 92中鈍化層7被刻蝕；可選的，與所述源、漏電極的第一部分61、62相對(duì)應(yīng)部分的鈍化層被刻蝕。
[0116]如圖12所示，接著采用干法刻蝕對(duì)刻蝕阻擋層5進(jìn)行刻蝕，形成分別與所述源電極上的第一開口 91、所述漏電極上的第二開口 92相對(duì)應(yīng)的開口。最后，剝離剩余的光刻膠。
[0117]源、漏電極6和刻蝕阻擋層5采用同一掩膜板通過構(gòu)圖工藝形成，減少了一張掩膜板，降低了陣列基板制備成本。
[0118]7)通過構(gòu)圖工藝形成包括第二透明導(dǎo)電層的圖形
[0119]如圖13所示，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上形成透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；然后，在透明導(dǎo)電層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成第二透明導(dǎo)電層8的圖形，其中，第二透明導(dǎo)電層8的第一部分通過第一開口 91及其在蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)的開口和第二開口 92及其在蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)的開口與有源層4連接；最后，剝離剩余的光刻膠。最終，第二透明導(dǎo)電層8的一部分作為源電極、漏電極的第二部分將所述源電極源、漏電極的第一部分61、62與所述有源層4連接。
[0120]由圖13可見，位于第一開口 91和第二開口 92之間的與刻蝕鈍化層7相對(duì)應(yīng)的第二透明導(dǎo)電層8部分被刻蝕掉，形成源、漏電極的間隔設(shè)置?？梢岳斫猓瑓⒄?qǐng)D10，在刻蝕金屬層以形成第一開口 91和第二開口 92時(shí)，所述第一開口 91和第二開口 92之間的金屬層部分可以先不刻蝕，等到沉積完成透明導(dǎo)電層8后，再在刻蝕完成透明導(dǎo)電層8后刻蝕，同樣能夠達(dá)到節(jié)省工藝，并且保護(hù)有源層4不被刻蝕影響。
[0121]應(yīng)當(dāng)理解的是，第二透明導(dǎo)電層8包括其它部分，針對(duì)不同顯示模式，可以公共電極(高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)或像素電極(超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)，第二透明導(dǎo)電層8的其它部分(未剖出)與外圍走線連接傳遞相應(yīng)信號(hào)在此不再一一贅述。
[0122]實(shí)施例3
[0123]如圖14-17所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0124]步驟1:在襯底上通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形；
[0125]步驟2:在形成有源層的所述襯底上沉積刻蝕阻擋層；
[0126]步驟3:在所述刻蝕阻擋層上沉積源、漏金屬層，在所述金屬層上涂覆光刻膠、采用源、漏電極掩膜板曝光、顯影、并對(duì)所述金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口 ；位于所述漏電極上的第二開口 ；
[0127]接著，對(duì)所述刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕，在所述刻蝕阻擋層形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
[0128]本實(shí)施例中刻蝕阻擋層與源、漏電極采用源、漏電極掩膜板通過構(gòu)圖工藝形成，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)減少了刻蝕阻擋層掩膜板，降低了陣列基板的制備成本。
[0129]具體為:
[0130]I)通過構(gòu)圖工藝形成包括第一透明導(dǎo)電層和柵電極絕緣層的圖形
[0131]2)通過構(gòu)圖工藝形成包括柵電極的圖形
[0132]3)通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形
[0133]4)沉積刻蝕阻擋層
[0134]上述步驟與實(shí)施例1中的步驟相同，在此不再一一贅述。
[0135]5)通過構(gòu)圖工藝形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形。
[0136]如圖14所示，首先，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上面形成源漏金屬層，源漏柵金屬層可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、銦錫氧化物(ITO)及其合金，并且，源漏金屬層可以為一層或多層；然后，在源漏金屬層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)源漏金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，形成包括源電極的第一部分61、漏電極的第一部分62的圖形；以及位于所述源電極上的第一開口 91的圖形，位于所述漏電極上的第二開口 92的圖形；
[0137]由于濕法刻蝕主要針對(duì)金屬或金屬氧化物其刻蝕作用，對(duì)非金屬氧化物不起刻蝕作用，因此，上述的濕法刻蝕不會(huì)對(duì)源、漏電極的第一部分61、62下方的刻蝕阻擋層5刻蝕，從而，保護(hù)了有源層4不會(huì)被刻蝕。
[0138]如圖15所示，接著采用干法刻蝕對(duì)刻蝕阻擋層5進(jìn)行刻蝕，形成分別與所述源電極上的第一開口 91、所述漏電極上的第二開口 92相對(duì)應(yīng)的開口。最后，剝離剩余的光刻膠。
[0139]本實(shí)施例中源、漏電極的第一部分61、62和刻蝕阻擋層5采用同一掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成，減少了一張掩膜板，降低了陣列基板制備成本。
[0140]6)通過構(gòu)圖工藝形成包括第二透明導(dǎo)電層的圖形
[0141]如圖16所示，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板I上形成透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；然后，在透明導(dǎo)電層上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜；再次，采用光刻膠掩膜對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行濕法刻蝕，形成包括第二透明導(dǎo)電層8的圖形，其中，第二透明導(dǎo)電層8的一部分通過第一開口 91及其在蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)的開口和第二開口 92及其在蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)的開口與有源層4連接；
[0142]需要說(shuō)明的是，參考圖15，本實(shí)施例中的第一開口 91與第二開口 92之間的部分，即源、漏電極之間需要斷開的部分，在沉積第二透明導(dǎo)電層前先不對(duì)位于其間的金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，而是在沉積第二透明導(dǎo)電層后再將第一開口 91和第二開口 92之間的源、漏極金屬層刻穿，形成源極、漏極間隔布置，參考圖16。
[0143]最后，剝離剩余的光刻膠。最終，第二透明導(dǎo)電層8的一部分作為源電極、漏電極的第二部分將所述源、漏電極的第一部分61、62與所述有源層4連接。
[0144]7)通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層的圖形
[0145]如圖17，首先，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上形成鈍化層7，鈍化層7可以采用SiNx或S1x等材料，也可以為兩種的組合；然后，在鈍化層7上形成光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠掩膜通過干法刻蝕形成鈍化層7的圖形，其中，與第二透明導(dǎo)電層8向?qū)?yīng)的鈍化層被刻蝕；最后，剝離剩余的光刻膠。
[0146]應(yīng)當(dāng)理解的是，第二透明導(dǎo)電層8包括其它部分，針對(duì)不同顯示模式，可以為公共電極(高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)或像素電極(超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)，第二透明導(dǎo)電層8的其它部分(未剖出)與外圍走線連接傳遞相應(yīng)信號(hào)在此不再一一贅述。
[0147]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述的實(shí)施例是以底柵型陣列基板為例介紹的，對(duì)于頂柵型的陣列基板也是適用的。
[0148]實(shí)施例4
[0149]如圖9、13、17所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:包括有源層4，位于所述有源層4上的刻蝕阻擋層5，位于所述刻蝕阻擋層5上的源、漏極的第一部分61、62 ;位于所述源、漏電極的第一部分61、62上的第二透明導(dǎo)電層8，所述第二透明導(dǎo)電層8通過位于所述源電極上的第一開口 91和位于所述刻蝕阻擋層5的與所述第一開口 61對(duì)應(yīng)的開口、以及位于所述漏電極上的第二開口 92和位于所述刻蝕阻擋層5的與所述第二開口 92對(duì)應(yīng)的開口將所述源、漏電極的第一部分61、62與所述有源層4連接；所述第二透明導(dǎo)電層8包括作為源、漏電極的第二部分和公共電極或像素電極的部分。
[0150]優(yōu)選的，所述源、漏電極包括所述源、漏電極的第一部分61、62、以及源、漏電極的第二部分(第二透明導(dǎo)電層8的一部分)。
[0151]優(yōu)選的，所述陣列基板、所述有源層的設(shè)置于柵極絕緣層上；所述柵極絕緣層設(shè)置于柵極上。
[0152]上述結(jié)構(gòu)是以底柵型的陣列基板為例介紹的，同樣，對(duì)頂柵型的陣列基板也是適用的。
[0153]實(shí)施例5
[0154]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，所述顯示裝置上述的陣列基板。
[0155]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底上通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形； 在形成有源層的所述襯底上沉積刻蝕阻擋層； 在所述刻蝕阻擋層上沉積金屬層； 通過構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，且所述源電極上形成有第一開口 ；所述漏電極上形成有第二開口 ；以及 在所述刻蝕阻擋層上形成刻蝕阻擋圖案，所述刻蝕阻擋圖案具有分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
2.權(quán)利要求1所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，且所述源電極上形成有第一開口 ；所述漏電極上形成有第二開口 ；以及 在所述刻蝕阻擋層上形成刻蝕阻擋圖案，所述刻蝕阻擋圖案具有分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口包括以下步驟: 在所述金屬層上形成光刻膠、采用源、漏電極掩膜板曝光、顯影、并對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕，形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形； 接著，沉積鈍化層，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層和刻蝕阻擋層的圖形。
3.如權(quán)利要求2所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層和刻蝕阻擋層的圖形包括以下步驟:在所述鈍化層上形成光刻膠、采用鈍化層掩膜板曝光、顯影、并對(duì)鈍化層和刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕，在所述刻蝕阻擋圖案形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
4.如權(quán)利要求2所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述金屬層的刻蝕采用濕法刻蝕。
5.如權(quán)利要求3所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述鈍化層和刻蝕阻擋層的刻蝕采用干法刻蝕。
6.如權(quán)利要求1所述陣列基板的制備方法，其特征在于，通過構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，且所述源電極上形成有第一開口 ；所述漏電極上形成有第二開口 ；以及 在所述刻蝕阻擋層上形成刻蝕阻擋圖案，所述刻蝕阻擋圖案具有分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口包括以下步驟: 通過一次構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形；以及在刻蝕阻擋層上形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口的圖形。
7.如權(quán)利要求6所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝在所述金屬層上形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形；以及在刻蝕阻擋層上形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口的圖形包括以下步驟: 在所述金屬層上形成光刻膠、采用源、漏電極掩膜板曝光、顯影、并對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕，形成包括源電極的第一部分、漏電極的第一部分的圖形，以及位于所述源電極上的第一開口的圖形，位于所述漏電極上的第二開口的圖形； 接著，對(duì)所述刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕，在所述刻蝕阻擋層上形成分別與所述源電極上的第一開口、所述漏電極上的第二開口相對(duì)應(yīng)的開口。
8.如權(quán)利要求7所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述金屬層的刻蝕采用濕法刻蝕；所述刻蝕阻擋層的刻蝕采用干法刻蝕。
9.如權(quán)利要求1-8所述任一項(xiàng)陣列基板的制備方法，其特征在于，完成所述第一開口和所述第二開口的圖形的制作之后還包括: 通過構(gòu)圖工藝形成包括導(dǎo)電層的圖形，所述導(dǎo)電層通過所述第一開口和所述第二開口以及在所述刻蝕阻擋層上的與所述第一開口、第二開口相對(duì)應(yīng)的開口將所述源電極的第一部分、漏電極的第一部分與所述有源層連接。
10.如權(quán)利要求9所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述的導(dǎo)電層包括公共電極或像素電極。
11.如權(quán)利要求6所述陣列基板的制備方法，其特征在于，完成所述第一開口和所述第二開口的圖形的制作之后還包括: 通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的步驟，其中，與所述第一開口和所述第二開口相對(duì)應(yīng)部分的鈍化層被刻蝕。
12.如權(quán)利要求6所述陣列基板的制備方法，其特征在于，完成所述第一開口和所述第二開口的圖形的制作之后還包括:通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的步驟，其中，與源、漏電極圖形相對(duì)應(yīng)部分的鈍化層被刻蝕。
13.如權(quán)利要求11或12所述陣列基板的制備方法，其特征在于，完成所述鈍化層步驟之后還包括: 將通過構(gòu)圖工藝形成包括導(dǎo)電層的圖形，所述導(dǎo)電層通過所述過所述第一開口和所述第二開口以及在所述刻蝕阻擋層上的與所述第一開口、第二開口相對(duì)應(yīng)的開口將所述源電極的第一部分、漏電極的第一部分與所述有源層連接。
14.如權(quán)利要求13所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述的導(dǎo)電層包括公共電極或像素電極。
15.如權(quán)利要求1所述陣列基板的制備方法，其特征在于，在形成有源層的圖形之前還包括:通過構(gòu)圖工藝形成柵電極層和柵極絕緣層的步驟。
16.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板是采用如權(quán)利要求1-15任一項(xiàng)所述的陣列基板的制備方法制備的。
17.如權(quán)利要求16所述陣列基板，其特征在于，包括有源層，位于所述有源層上的刻蝕阻擋層，位于所述刻蝕阻擋層上的源、漏極的第一部分；位于所述源、漏電極的第一部分上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層通過位于所述源電極上的第一開口和位于所述刻蝕阻擋層的與所述第一開口對(duì)應(yīng)的開口、以及位于所述漏電極上的第二開口和位于所述刻蝕阻擋層的與所述第二開口對(duì)應(yīng)的開口將所述源、漏電極的第一部分與所述有源層連接；所述導(dǎo)電層包括作為源、漏電極的第二部分和公共電極或像素電極的部分。
18.如權(quán)利要求17所述陣列基板，其特征在于，所述源、漏電極包括所述源、漏電極的第一部分以及源、漏電極的第二部分。
19.如權(quán)利要求17所述陣列基板，其特征在于，所述陣列基板、所述有源層的設(shè)置于柵極絕緣層上；所述柵極絕緣層設(shè)置于柵極上。
20.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求15所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK104409415SQ201410729803
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月3日
【發(fā)明者】王武, 邱海軍, 尚飛, 王國(guó)磊 申請(qǐng)人:重慶京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司