一種改善剝落型缺陷的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及一種改善剝落型缺陷的方法，通過打磨工藝和清洗工藝處理保護(hù)環(huán)表面；然后在處理后的保護(hù)環(huán)表面電鍍一層石英膜層，增加保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)，從而有效增加了保護(hù)環(huán)表面與刻蝕產(chǎn)生的高分子聚合物的黏附力，有效避免高分子聚合物隨著RF時(shí)間的增加而剝落造成的剝落型缺陷，從而縮小了保護(hù)環(huán)的更換頻率，延長了保護(hù)環(huán)的使用壽命。
【專利說明】一種改善剝落型缺陷的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及一種改善剝落型缺陷的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在微電子領(lǐng)域頂層鈍化膜刻蝕工藝中，通常采用等離子體對金屬介質(zhì)膜進(jìn)行刻蝕。其原理是等離子體與金屬介質(zhì)膜發(fā)生反應(yīng)，生成高分子的刻蝕反應(yīng)聚合物，保護(hù)環(huán)表面有一定的粗糙度系數(shù)，并且這些聚合物分子間有范德華力，因此刻蝕工藝生成的高分子聚合物可以黏附于保護(hù)環(huán)的表面。
[0003]但是隨著刻蝕時(shí)數(shù)的增加，這些高分子聚合物在等離子的轟擊下，破壞了其與保護(hù)環(huán)之間的范德華力，這層黏附在保護(hù)環(huán)表面的高分子聚合物會(huì)在等離子體的轟擊下發(fā)生脫落，形成顆粒污染，一般當(dāng)RF (Rad1 Frequency,射頻,簡稱RF)時(shí)數(shù)到達(dá)80小時(shí)后,使其脫落，在靠近slit door (閥門)的地方尤為嚴(yán)重。這些高分子反應(yīng)聚合物覆蓋于晶圓的表面，阻擋了等離子體對覆蓋下層膜之間的反應(yīng)而產(chǎn)生缺陷，也就是所謂的剝落型缺陷，導(dǎo)致器件的失效，降低了產(chǎn)品的良率。因此如何增加高分子聚合物與保護(hù)環(huán)之間的黏附力，以減小保護(hù)環(huán)的更換頻率，延長其用壽命顯成為本領(lǐng)域技術(shù)人員面臨的一大難題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述問題，本發(fā)明提出一種改善剝落型缺陷的方法，通過在保護(hù)環(huán)表面電鍍一保護(hù)膜層，增加了保護(hù)環(huán)與刻蝕過程中產(chǎn)生的刻蝕聚合生成物的黏附力，有效避免了隨著射頻時(shí)間的增長導(dǎo)致刻蝕聚合生成物脫落的現(xiàn)象，從而縮小了保護(hù)環(huán)的更換頻率，減輕了剝落型缺陷，延長了保護(hù)環(huán)的使用壽命。
[0005]一種改善剝落型缺陷的方法，其中，所述方法包括:
[0006]提供一石英保護(hù)環(huán)；
[0007]對保護(hù)環(huán)進(jìn)行打磨工藝和清洗工藝；
[0008]于保護(hù)環(huán)的表面制備一層石英膜層，所述石英膜層的摩擦系數(shù)比所述保護(hù)環(huán)表面粗糙度系數(shù)大，以增加保護(hù)環(huán)的黏附力。
[0009]上述方法，其中，所述石英保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)為0.8 μ m。
[0010]上述方法，其中，所述石英膜層的粗糙度系數(shù)為2.6μπι。
[0011]上述方法，其中，所述進(jìn)行打磨工藝和清洗工藝后的步驟還包括:
[0012]測試保護(hù)環(huán)的粗糙度系數(shù)。
[0013]上述方法，其中，使用電鍍的方法制備所述石英膜層。
[0014]上述方法，其中，所述石英膜層的材質(zhì)與保護(hù)環(huán)表面材質(zhì)相同。
[0015]上述發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果:
[0016]本發(fā)明公開了一種改善剝落型缺陷的方法，通過打磨工藝和清洗工藝處理保護(hù)環(huán)表面，然后在處理后的保護(hù)環(huán)表面電鍍一層石英膜層，增加保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)，從而有效增加了保護(hù)環(huán)表面與刻蝕產(chǎn)生的高分子聚合物的黏附力，有效避免高分子聚合物隨著RF時(shí)間的增加而剝落造成的剝落型缺陷，從而縮小了保護(hù)環(huán)的更換頻率，延長了保護(hù)環(huán)的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。
[0018]圖1是改善剝落型缺陷方法流程圖。
[0019]實(shí)施方式
[0020]下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明，但是不作為本發(fā)明的限定。
[0021]針對上述存在的問題，本發(fā)明披露了一種改善剝落型缺陷的方法，通過對保護(hù)環(huán)表面進(jìn)行打磨工業(yè)和清洗工藝，然后反復(fù)測試保護(hù)環(huán)表面粗糙度系數(shù)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)保護(hù)環(huán)表面粗糙度系數(shù)為2.6μπι時(shí)剝落型缺陷可以得到有效改善，通過在保護(hù)環(huán)表面電鍍一層石英膜層，增大保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)，有效增加了保護(hù)環(huán)與刻蝕產(chǎn)生的高分子聚合物的黏附力，有效避免了刻蝕過程中產(chǎn)生的高分子聚合物隨著RF時(shí)間的增加而剝落引起的剝落型缺陷，從而縮小了保護(hù)環(huán)的更換頻率，延長了保護(hù)環(huán)的使用壽命。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步闡述。
[0022]參照附圖1所示結(jié)構(gòu)，首先對保護(hù)環(huán)進(jìn)行打磨工藝和清洗工藝，打磨過程中難免出現(xiàn)一些微小的顆粒，通過清洗工藝可以有效將打磨過程出現(xiàn)的微小顆粒清除，并同時(shí)可以清除保護(hù)環(huán)表面的其他異物。
[0023]對保護(hù)環(huán)表面進(jìn)行打磨工藝和清洗工藝后，反復(fù)實(shí)驗(yàn)測試保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)，通過反復(fù)測試得出，當(dāng)保護(hù)環(huán)表面粗糙度系數(shù)為2.6 μ m時(shí)，剝落型缺陷可以得到有效改善。
[0024]保護(hù)環(huán)表面粗糙度系數(shù)為0.8 μ m，隨著RF時(shí)數(shù)的增加，保護(hù)環(huán)表面0.8 μ m的粗糙度系數(shù)將不能滿足有效阻止刻蝕過程中產(chǎn)生的高分子聚合物從保護(hù)環(huán)表面脫落，從而形成剝落型缺陷，優(yōu)選的，本發(fā)明所選高分子聚合物為含氟聚合物。
[0025]采用電鍍方法在保護(hù)環(huán)表面制備一石英膜層，以使保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)從0.8 μ m增大到2.6 μ m，其中，保護(hù)環(huán)表面材質(zhì)也為石英，這就方便將保護(hù)膜層有效制備到保護(hù)環(huán)表面。由于將石英層電鍍到保護(hù)環(huán)表面后，有效增大了保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)，則刻蝕過程產(chǎn)生的高分子聚合物與保護(hù)環(huán)表面的黏附力有效增大。
[0026]綜上所述，本發(fā)明公開了一種改善剝落型缺陷的方法，通過在保護(hù)環(huán)表面電鍍一石英膜層，將保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)從0.8 μ m增大到2.6 μ m，有效增大了刻蝕過程中產(chǎn)生的高分子聚合物與保護(hù)環(huán)表面的黏附力，有效避免了剝落型缺陷的發(fā)生，從而縮小了保護(hù)環(huán)的更換頻率，延長了保護(hù)環(huán)的使用壽命。
[0027]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)所述變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。
[0028]以上對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種改善剝落型缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一石英保護(hù)環(huán)； 對保護(hù)環(huán)進(jìn)行打磨工藝和清洗工藝； 測試保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)； 于保護(hù)環(huán)的表面制備一層石英膜層，所述石英膜層的摩擦系數(shù)比所述保護(hù)環(huán)表面粗糙度系數(shù)大，以增加石英保護(hù)環(huán)的黏附力。
2.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述石英保護(hù)環(huán)表面的粗糙度系數(shù)為0.8 μ m。
3.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述石英膜層的粗糙度系數(shù)為2.6μπι。
4.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，使用電鍍的方法制備所述石英膜層。
5.如權(quán)利要求4所述方法，其特征在于，所述石英膜層的材質(zhì)與保護(hù)環(huán)表面材質(zhì)相同。
【文檔編號】H01L21/56GK104465415SQ201410710193
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月28日
【發(fā)明者】侯寧普, 王福喜, 曾林華, 任昱, 呂煜坤, 朱駿, 張旭升 申請人:上海華力微電子有限公司