玻璃薄膜的制備方法、光電器件及其封裝方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種玻璃薄膜的制備方法、光電器件及其封裝方法、顯示裝置，該玻璃薄膜的制備方法包括：在襯底基板上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成玻璃料薄膜；固化所述玻璃料薄膜；以及去除所述犧牲層之后，得到玻璃薄膜。該方法可以獲得可獨(dú)立存在的玻璃薄膜，并且所獲得的玻璃薄膜有利于光電器件的窄邊框設(shè)計(jì)。
【專利說明】
玻璃薄膜的制備方法、光電器件及其封裝方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例涉及一種玻璃薄膜的制備方法、光電器件及其封裝方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)裝置作為一種新型的平板顯示器逐漸受到關(guān)注。由于OLED裝置具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光亮度高、分辨率高、寬視角、響應(yīng)速度快、低能耗以及可柔性化等特點(diǎn)，所以其有可能發(fā)展為代替液晶顯示器的下一代顯示技術(shù)。
[0003]OLED裝置一般包括相互對(duì)置的兩個(gè)電極,在這兩個(gè)電極之間設(shè)置有機(jī)發(fā)光兀件，有機(jī)發(fā)光元件在電流通過時(shí)可發(fā)光。由于有機(jī)發(fā)光元件的材料對(duì)水汽和氧氣比較敏感，因而需要對(duì)OLED裝置進(jìn)行封裝，以提高OLED裝置的使用壽命。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種玻璃薄膜的制備方法、光電器件及其封裝方法、顯示裝置，以實(shí)現(xiàn)可以獨(dú)立存在的玻璃薄膜，并且該玻璃薄膜有利于光電器件的窄邊框設(shè)計(jì)。
[0005]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種光電器件的封裝方法，其包括:提供玻璃薄膜；將第一基板和第二基板相對(duì)設(shè)置，且將光電元件夾置在所述第一和第二基板之間；使所述玻璃薄膜與所述第一基板和第二基板的疊層的側(cè)面形成密封結(jié)構(gòu)，以將所述光電元件密封在所述第一基板和所述第二基板之間。
[0006]例如，所述玻璃薄膜的厚度可以大于O μ m且小于等于10 μ m。
[0007]例如，在襯底基板上形成犧牲層，在所述犧牲層上形成玻璃料薄膜，固化所述玻璃料薄膜，以及去除所述犧牲層，得到玻璃薄膜。
[0008]例如，所述犧牲層可以采用金屬制作。例如，所述制作犧牲層的金屬可以為鋁、鎂、銀或銅。例如，所述犧牲層的厚度可以為1nm?lOOOnm。例如，可以將所述犧牲層放入酸性溶液中進(jìn)行溶解以去除所述犧牲層。
[0009]例如，可以將玻璃粉分散在溶劑和粘結(jié)劑中以形成玻璃漿料，將所述玻璃漿料涂覆在所述犧牲層上以形成所述玻璃料薄膜。
[0010]例如，所述玻璃粉可以為包括氧化鉛、氧化硼和氧化硅的化合物，包括氧化鋅、氧化硼和氧化硅的化合物，包括氧化鉛、氧化硼、氧化硅和氧化鋁的化合物，或者包括氧化鉛、氧化鋅、氧化硼和氧化硅的化合物。
[0011]例如，所述形成密封結(jié)構(gòu)可以包括:將所述玻璃薄膜與所述第一基板和所述第二基板的側(cè)面貼合；利用激光對(duì)所述玻璃薄膜進(jìn)行照射，使所述玻璃薄膜分別與所述第一基板和所述第二基板的側(cè)面熔接。
[0012]例如，上述光電器件的封裝方法還可以包括:在所述第一基板和所述第二基板之間設(shè)置所述玻璃薄膜，使所述玻璃薄膜包圍所述光電元件并分別與所述第一基板和所述第二基板的相對(duì)的表面熔接。
[0013]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例還提供了一種光電器件，其包括相互對(duì)置的第一基板和第二基板、設(shè)置于所述第一基板和所述第二基板之間的光電元件，以及玻璃薄膜。所述玻璃薄膜設(shè)置于所述第一基板和所述第二基板的側(cè)面并形成密封結(jié)構(gòu)。
[0014]例如，在上述光電器件中，在所述第一基板和所述第二基板之間還可以設(shè)置有所述玻璃薄膜，所述玻璃薄膜包圍所述光電元件并分別與所述第一基板和所述第二基板的相對(duì)的表面熔接。
[0015]例如，所述光電元件可以為OLED或太陽能電池。
[0016]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述光電器件。例如，所述光電元件為OLED元件。
[0017]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例還提供了一種玻璃薄膜的制備方法，其包括:在襯底基板上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成玻璃料薄膜；固化所述玻璃料薄膜；以及去除所述犧牲層之后，得到玻璃薄膜。
[0018]例如，所述犧牲層可以采用金屬制作。例如，可以將所述犧牲層放入酸性溶液中進(jìn)行溶解以去除所述犧牲層。
[0019]相比于直接在兩個(gè)基板之間形成玻璃薄膜的方式，本發(fā)明實(shí)施例具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0020]1、本發(fā)明實(shí)施例提供的玻璃薄膜可獨(dú)立存在，因而其厚度和寬度的可控空間更大、圖形的設(shè)計(jì)更靈活，其可以應(yīng)用的領(lǐng)域更廣泛；
[0021]2、將本發(fā)明實(shí)施例提供的玻璃薄膜應(yīng)用于光電器件中，由于玻璃薄膜占據(jù)的空間較小，有利于實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)；
[0022]3、在本發(fā)明實(shí)施例中，可以將玻璃薄膜的沿寬度方向的側(cè)面或沿厚度方向的側(cè)面與光電器件的兩個(gè)基板相對(duì)應(yīng)的側(cè)面熔接，這進(jìn)一步有利于實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)；并且由于玻璃薄膜設(shè)置在光電器件的兩個(gè)基板相對(duì)應(yīng)的側(cè)面，玻璃薄膜離光電元件較遠(yuǎn)，因此在對(duì)玻璃薄膜進(jìn)行激光照射以使其與基板熔接時(shí)，激光對(duì)光電元件的損壞程度較小。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。
[0024]圖1為一種OLED裝置的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的光電器件的封裝方法的流程圖；
[0026]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的玻璃薄膜的制備方法的流程圖；
[0027]圖4a至圖4d為本發(fā)明實(shí)施例提供的玻璃薄膜的制備方法的各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的采用玻璃薄膜進(jìn)行封裝的光電器件的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]附圖標(biāo)記說明:
[0030]1、10_第一基板；2、20_第二基板；3、30_光電兀件；4、40_鈍化層；5、50_玻璃薄膜；51-襯底基板；52_犧牲層；53_玻璃料薄膜。

【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032]除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。
[0033]玻璃薄膜封裝方法可應(yīng)用于但不限于中小尺寸OLED裝置的封裝。但是，由于粉末狀或塊體狀的玻璃材料無法得到具有穩(wěn)定特性的薄膜體，因此對(duì)OLED裝置進(jìn)行封裝的一種方法可如下進(jìn)行。首先將玻璃粉(frit)分散在粘結(jié)劑中形成玻璃漿料，然后可以利用例如絲網(wǎng)印刷或涂覆的方式使玻璃漿料在基板的表面形成玻璃料薄膜，之后利用激光束直接加熱該玻璃料薄膜并使其熔化，使得熔化的玻璃料薄膜形成分別與上下兩基板熔接在一起的玻璃薄膜，該上下基板以及玻璃薄膜形成密封結(jié)構(gòu)，將有機(jī)發(fā)光元件密封在其中，以防止外界的水汽、氧等造成的不利影響。
[0034]圖1為一種OLED裝置的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，第一基板I和第二基板2之間形成有光電兀件3,光電兀件3上設(shè)置有鈍化層4 ;第一基板I和第二基板2分別與涂覆在例如第一基板I上的玻璃薄膜5密封連接。玻璃薄膜5為通過激光束對(duì)形成在第一基板I和第二基板2之間的玻璃料薄膜直接進(jìn)行加熱形成，并且該玻璃薄膜5包圍光電元件3，通過其與第一基板I和第二基板2所形成的密封結(jié)構(gòu)防止外界的水汽、氧氣等進(jìn)入OLED裝置內(nèi)部后對(duì)光電元件3造成損壞。
[0035]本申請(qǐng)的發(fā)明人注意到，通過絲網(wǎng)印刷直接制備在基板上的玻璃料薄膜的方式所形成的玻璃薄膜無法從基板上剝離，這在一定程度上限制了該玻璃薄膜的應(yīng)用范圍。并且，在采用絲網(wǎng)印刷方法將frit制備在一個(gè)基板上，并通過激光束熔接方法使其與這兩個(gè)基板熔接在一起的方式所制得的產(chǎn)品中，雖然目前玻璃薄膜的寬度已經(jīng)能夠控制在600?800 μ m這個(gè)范圍內(nèi)，但對(duì)于制備窄邊框或無邊框的顯示器件來說，仍然過大。此外，采用玻璃薄膜封裝方法對(duì)OLED裝置進(jìn)行封裝時(shí)，利用激光束熔化玻璃料薄膜的過程是在圖1所示的第一基板I和第二基板2之間進(jìn)行的，由于玻璃薄膜5比較靠近光電器件3,激光束會(huì)對(duì)光電器件3造成一定程度的損壞。
[0036]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種玻璃薄膜的制備方法、光電器件及其封裝方法、顯示裝置，該玻璃薄膜的制備方法包括:在襯底基板上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成玻璃料薄膜；固化所述玻璃料薄膜；以及去除所述犧牲層之后，得到玻璃薄膜。本發(fā)明實(shí)施例提供的玻璃薄膜的制備方法，通過在犧牲層上制備具有一定厚度、寬度和圖案的玻璃料薄膜，然后經(jīng)過固化步驟，之后將犧牲層去除，可以獲得獨(dú)立存在的玻璃薄膜。與所獲得的玻璃薄膜不能從基板上分離的方法相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的方法制備的玻璃薄膜可以應(yīng)用的領(lǐng)域更廣泛，并且有利于窄邊框設(shè)計(jì)。
[0037]下面結(jié)合附圖具體說明本發(fā)明實(shí)施例提供的玻璃薄膜的制備方法、光電器件及其封裝方法、顯示裝置。
[0038]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供的一種光電器件的封裝方法，如圖2所示，包括以下步驟SlO至S30，下面逐一描述。
[0039]步驟SlO:提供玻璃薄膜。
[0040]例如，所述玻璃薄膜可以通過在犧牲層上形成一層玻璃料薄膜，然后將玻璃料薄膜固化，之后將該犧牲層去除獲得。也就是說，所述提供玻璃薄膜，如圖3所示，可以包括以下步驟SlOl至S104。
[0041]步驟SlOl:在襯底基板上形成犧牲層。如圖4a所示，在襯底基板51上形成犧牲層52。
[0042]在一個(gè)實(shí)施例中，犧牲層52可以采用金屬制作。例如，可以采用鋁、鎂、銀或銅等金屬。襯底基板51可以為玻璃基板或石英基板。
[0043]在本發(fā)明實(shí)施例中，可以在襯底基板51的表面通過磁控濺射或真空蒸鍍的方法制作一層金屬薄膜作為犧牲層52。例如，該金屬薄膜的厚度可以為10nm-1000nm，即犧牲層52采用金屬制作時(shí)，其厚度可以根據(jù)所采用的金屬設(shè)置在1nm-1OOOnm的范圍內(nèi)，這可以保證后續(xù)步驟中在犧牲層52上形成的玻璃料薄膜能夠與襯底基板51順利分離，同時(shí)，犧牲層52也可以比較容易地被去除。
[0044]此外，在襯底基板上形成犧牲層之前，根據(jù)需要還可以對(duì)襯底基板51進(jìn)行清洗，然后將上述經(jīng)過清洗的襯底基板51放置于烘箱中進(jìn)行干燥處理以去除襯底基板51表面的水汽。對(duì)襯底基板進(jìn)行清洗，可以使在襯底基板上形成的薄膜更好地展開，從而使形成的薄膜的平整度更好。
[0045]步驟S102:在所述犧牲層上形成玻璃料薄膜。如圖4b所示，在步驟S102中得到的犧牲層52上形成玻璃料薄膜53。
[0046]例如，可以采用玻璃粉制作玻璃料薄膜53。在至少一個(gè)實(shí)施例中，可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的用于制備玻璃薄膜的玻璃粉，例如，玻璃粉可以為包括氧化鉛、氧化硼和氧化硅的化合物(PbO-B2O3-S12)，包括氧化鋅、氧化硼和氧化硅的化合物(ZnO-B2O3-S12)，包括氧化鉛、氧化硼、氧化硅和氧化鋁的化合物(Pb0-B203-Si02-A1203)，或者包括氧化鉛、氧化鋅、氧化硼和氧化硅的化合物(PbO-ZnO-B2O3-S12)。本發(fā)明實(shí)施例不做限定。
[0047]在一個(gè)實(shí)施例中，可以將玻璃粉分散在溶劑和粘結(jié)劑中以形成玻璃漿料，將玻璃漿料利用例如絲網(wǎng)印刷或涂覆的方式涂覆在犧牲層上以形成玻璃料薄膜，并通過調(diào)整絲網(wǎng)印刷或涂覆工藝的參數(shù)使所述玻璃料薄膜具有設(shè)定的厚度、寬度和圖形。在至少一個(gè)實(shí)施例中，玻璃料薄膜的厚度可以為大于O μ m且小于等于10 μ m,優(yōu)選為I?10 μ m,例如I μ m、3 μ m、5 μ m、7 μ m、8 μ m、9 μ m等；玻璃薄膜的寬度最小可達(dá)到微米級(jí)別。當(dāng)然，玻璃料薄膜的厚度還可以大于10 μ m。所述溶劑和粘結(jié)劑均可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的有機(jī)材料，本發(fā)明實(shí)施例不做限定。
[0048]步驟S103:固化所述玻璃料薄膜。
[0049]例如，將步驟S102中得到的玻璃料薄膜53放入氮?dú)夥諊暮嫦渲羞M(jìn)行加熱，例如加熱溫度為300_500°C ;玻璃料薄膜53中的有機(jī)材料(溶劑和粘結(jié)劑)在加熱過程中被去除，從而使玻璃料薄膜53固化。
[0050]步驟S104:去除所述犧牲層。
[0051]如圖4c所示，犧牲層52被去除，使得玻璃料薄膜53可以從襯底基板51上分離。分離后的玻璃料薄膜53可以經(jīng)過清洗、烘干等處理之后形成如圖4d所示的可以獨(dú)立存在的玻璃薄膜50。例如，所得到的玻璃薄膜50的厚度可以大于O μ m且小于等于10 μ m,優(yōu)選為I?10 μ m,例如I μ m、3 μ m、5 μ m、7 μ m、8 μ m、9 μ m等；玻璃薄膜的寬度最小可達(dá)微米級(jí)另O。玻璃薄膜的厚度、寬度和圖形可以在上述的制作玻璃料薄膜的過程中通過調(diào)整絲網(wǎng)印刷或涂覆工藝的參數(shù)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，玻璃薄膜的厚度還可以大于ΙΟμπι，本發(fā)明實(shí)施例不做限定。
[0052]在本發(fā)明實(shí)施例中，可以采用化學(xué)溶蝕的方法溶解犧牲層52。例如，可以將步驟S103中得到的形成有玻璃料薄膜53和犧牲層52的襯底基板51放入可以溶解犧牲層52的溶液中并在一定溫度下浸泡一段時(shí)間，當(dāng)犧牲層52被完全溶解后，可以將玻璃料薄膜53從所述溶液中取出，然后進(jìn)行清洗、烘干，得到玻璃薄膜50。
[0053]由于犧牲層可以采用金屬制作，因此，在一個(gè)實(shí)施例中，可以利用能夠溶解該金屬的酸性溶液去除該犧牲層，即將犧牲層放入酸性溶液中進(jìn)行溶解以去除所述犧牲層。例如，犧牲層采用鎂、鋁等金屬時(shí)，酸性溶液可以為鹽酸；例如，犧牲層采用銀、銅等金屬時(shí)，酸性溶液可以為硝酸溶液。
[0054]需要注意的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，玻璃料薄膜53形成在犧牲層52上，在步驟S103中對(duì)玻璃料薄膜53進(jìn)行加熱固化時(shí)，犧牲層52也被加熱，因此，犧牲層52需要滿足能夠耐受玻璃料薄膜53固化過程中所需的溫度這一要求。此外，在步驟S104中，形成有玻璃料薄膜53和犧牲層52的襯底基板51被放入溶液中浸泡以去除犧牲層52，在此過程中，要求所述溶液既能去除犧牲層52，又不會(huì)損壞玻璃料薄膜53。因此，優(yōu)選犧牲層能夠耐受玻璃料薄膜53的固化溫度，能夠被去除以分離玻璃薄膜，且在被去除的過程中不會(huì)對(duì)經(jīng)固化的玻璃料薄膜造成損壞。例如，本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例中的犧牲層采用金屬制作。但本發(fā)明實(shí)施例并不限于此，任何滿足上述要求的其他材料也可用于制作本發(fā)明實(shí)施例中所述的犧牲層。
[0055]下面接著描述圖2所示的實(shí)施例的方法的步驟S20和S30。
[0056]步驟S20:將第一基板和第二基板相對(duì)設(shè)置，且將光電元件夾置在所述第一和第二基板之間。
[0057]例如，如圖5所示，第一基板10上可以形成有光電元件30和其他功能層或結(jié)構(gòu)層；第二基板20可以為在其內(nèi)側(cè)貼附有干燥劑的玻璃蓋板；然后將第一基板10的形成有光電元件30的一側(cè)與第二基板20的貼附有干燥劑的一側(cè)相互對(duì)置，使第一基板10和第二基板20貼合在一起。
[0058]如圖5所示，光電元件30上還可以設(shè)置有鈍化層40，以保護(hù)光電元件30。例如，鈍化層40可以為采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposit1n, PECVD)或其它工藝依次形成的氮化娃薄膜和氧化娃薄膜的復(fù)合膜。
[0059]步驟S30:使所述玻璃薄膜與所述第一基板和第二基板的疊層的側(cè)面形成密封結(jié)構(gòu)，以將所述光電元件密封在所述第一基板和所述第二基板之間。
[0060]例如，如圖5所示，第一基板10和第二基板20上下堆疊在一起，將玻璃薄膜50與第一基板10和第二基板20的疊層的側(cè)面貼合，此時(shí)玻璃薄膜50為扁平的長條狀，例如，其表面貼附在第一基板10和第二基板20的側(cè)面上，厚度方向與第一基板10和第二基板20的側(cè)面垂直，同時(shí)長度方向與第一基板10和第二基板20的側(cè)面的長度方向相同；利用激光對(duì)玻璃薄膜50進(jìn)行照射，使玻璃薄膜50分別與第一基板10和第二基板20的側(cè)面熔接。當(dāng)然，還可以利用其他外力(例如磁力或機(jī)械重物壓力)實(shí)現(xiàn)將玻璃薄膜50分別與第一基板10和第二基板20的相對(duì)應(yīng)的側(cè)面連接以形成密封結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例不做限定。
[0061]此外，在形成所述密封結(jié)構(gòu)之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的光電器件的封裝方法還可以采用如圖1所示的封裝方式，即在至少一個(gè)實(shí)施例中，還可以將步驟SlO中制得的玻璃薄膜設(shè)置于第一基板和第二基板之間，使該玻璃薄膜包圍光電元件并分別與第一基板和第二基板的相對(duì)的表面熔接。這種封裝結(jié)構(gòu)結(jié)合后續(xù)在第一基板和第二基板的側(cè)面設(shè)置的玻璃薄膜，可以形成雙重密封結(jié)構(gòu)，這樣能夠?qū)崿F(xiàn)更好的封裝效果。
[0062]在圖1所示的通過激光束直接熔化兩個(gè)基板之間的玻璃料薄膜并使其與這兩個(gè)基板熔接在一起的方式形成的光電器件中，玻璃薄膜的寬度為600?800 μ m，相比之下，本發(fā)明實(shí)施例采用可獨(dú)立存在的玻璃薄膜對(duì)光電器件進(jìn)行封裝，該玻璃薄膜的厚度可以大于Oym且小于等于10 μ m，其寬度最小可達(dá)到微米級(jí)別，因而本發(fā)明實(shí)施例中的玻璃薄膜占據(jù)的空間較小，有利于實(shí)現(xiàn)光電器件的窄邊框設(shè)計(jì)。在本發(fā)明實(shí)施例的光電器件中，可以將獨(dú)立存在的玻璃薄膜設(shè)置于兩個(gè)基板的疊層的側(cè)面上，而圖1所示的光電器件中，通過激光束直接熔化玻璃料薄膜的方式形成的玻璃薄膜不能設(shè)置于兩個(gè)基板的疊層的側(cè)面上；相比于玻璃薄膜水平設(shè)置于兩個(gè)基板之間的方式，將玻璃薄膜設(shè)置于兩個(gè)基板的疊層的側(cè)面上的方式，可以實(shí)現(xiàn)將玻璃薄膜的沿寬度方向的側(cè)面或沿厚度方向的側(cè)面與光電器件的兩個(gè)基板相對(duì)應(yīng)的側(cè)面熔接，這可以進(jìn)一步有利于光電器件的窄邊框設(shè)計(jì)。此外，在本發(fā)明實(shí)施例中，玻璃薄膜設(shè)置于兩個(gè)基板的疊層的側(cè)面上，與將玻璃設(shè)置于兩個(gè)基板之間的方式相比，玻璃薄膜離光電元件較遠(yuǎn)，對(duì)玻璃薄膜進(jìn)行激光照射時(shí)，激光對(duì)光電元件的損壞程度較小。
[0063]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例還提供了一種光電器件，如圖5所示，該光電器件包括相互對(duì)置的第一基板10和第二基板20、設(shè)置于第一基板10和第二基板20之間的光電兀件30，以及玻璃薄膜50。玻璃薄膜50設(shè)置于第一基板10和第二基板20的側(cè)面并與第一基板10和第二基板20形成密封結(jié)構(gòu)。
[0064]例如，所述光電元件可以為0LED、太陽能電池、或其他光電系統(tǒng)。
[0065]在一個(gè)實(shí)施例中，另一玻璃薄膜還可以設(shè)置于第一基板10和第二基板20之間并包圍所述光電兀件，該玻璃薄膜分別與第一基板10和第二基板20的相對(duì)的表面熔接以形成另一密封結(jié)構(gòu)。這樣，結(jié)合在第一基板和第二基板的側(cè)面設(shè)置的玻璃薄膜，可以形成雙重密封結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)更好的封裝效果。
[0066]本發(fā)明實(shí)施例提供的光電器件的實(shí)施方式，可以參見上述光電器件的封裝方法的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0067]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述任一項(xiàng)所述的光電器件。例如，所述光電元件為OLED元件。該顯示裝置例如可以為:0LED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0068]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的實(shí)施方式可以參見上述光電器件的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0069]本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例還提供了一種玻璃薄膜的制備方法，該方法包括:在襯底基板上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成玻璃料薄膜；固化所述玻璃料薄膜；以及去除所述犧牲層之后，得到玻璃薄膜。
[0070]在一個(gè)實(shí)施例中，所述犧牲層采用金屬制作，例如通過濺射、真空蒸鍍等方法制作。在一個(gè)實(shí)施例中，將所述犧牲層放入酸性溶液中進(jìn)行溶解以去除所述犧牲層。
[0071]該玻璃薄膜的制備方法的實(shí)施方式，可以參見上述光電器件的封裝方法的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0072]在本發(fā)明實(shí)施例中，玻璃粉與溶劑和粘結(jié)劑混合后所得到的玻璃漿料可以通過絲網(wǎng)印刷或涂覆的方式涂覆在形成有犧牲層的襯底基板上，得到玻璃料薄膜，通過調(diào)整絲網(wǎng)印刷或涂覆工藝的參數(shù)可以使玻璃料薄膜經(jīng)過固化和除去犧牲層處理后形成的玻璃薄膜的厚度大于O μ m且小于等于10 μ m,寬度最小可達(dá)到微米級(jí)別，并且可以形成設(shè)定的圖形。相比于在基板上直接對(duì)玻璃料薄膜進(jìn)行激光束處理形成的玻璃薄膜，本發(fā)明實(shí)施例提供的玻璃薄膜可單獨(dú)存在，并且其厚度和寬度的可控空間更大、圖形的設(shè)計(jì)更靈活，因此，其可以應(yīng)用的領(lǐng)域更廣泛。例如，可以將該玻璃薄膜設(shè)置于光電器件的兩個(gè)基板相對(duì)應(yīng)的側(cè)面上，尤其是可以將玻璃薄膜的沿寬度方向的側(cè)面或沿厚度方向的側(cè)面與光電器件的兩個(gè)基板相對(duì)應(yīng)的側(cè)面熔接。
[0073]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例通過化學(xué)溶蝕犧牲層的方法將制備在其上的玻璃料薄膜剝離之后形成可以獨(dú)立存在的玻璃薄膜，該玻璃薄膜的厚度可以大于O μ m且小于等于10 μ m，其寬度和圖形可通過調(diào)整絲網(wǎng)印刷或涂覆工藝的參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，并且將其應(yīng)用于光電器件的封裝中，可達(dá)到良好的封裝效果。相比于直接在兩個(gè)基板之間形成玻璃薄膜的方式，本發(fā)明實(shí)施例具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0074]1、本發(fā)明實(shí)施例提供的玻璃薄膜可以獨(dú)立存在，因而其厚度和寬度的可控空間更大、圖形的設(shè)計(jì)更靈活，其可以應(yīng)用的領(lǐng)域更廣泛；
[0075]2、將本發(fā)明實(shí)施例提供的玻璃薄膜應(yīng)用于光電器件中，由于玻璃薄膜占據(jù)的空間較小，有利于實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)；
[0076]3、在本發(fā)明實(shí)施例中，可以將玻璃薄膜的沿寬度方向的側(cè)面或沿厚度方向的側(cè)面與光電器件的兩個(gè)基板相對(duì)應(yīng)的側(cè)面熔接，這進(jìn)一步有利于實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)；并且由于玻璃薄膜設(shè)置在光電器件的兩個(gè)基板相對(duì)應(yīng)的側(cè)面，玻璃薄膜離光電元件較遠(yuǎn)，因此在對(duì)玻璃薄膜進(jìn)行激光照射以使其與基板熔接時(shí)，激光對(duì)光電元件的損壞程度較小。
[0077]以上所述僅是本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。
【權(quán)利要求】
1.一種光電器件的封裝方法，包括: 提供玻璃薄膜； 將第一基板和第二基板相對(duì)設(shè)置，且將光電元件夾置在所述第一和第二基板之間； 使所述玻璃薄膜與所述第一基板和第二基板的疊層的側(cè)面形成密封結(jié)構(gòu)，以將所述光電元件密封在所述第一基板和所述第二基板之間。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中， 在襯底基板上形成犧牲層，在所述犧牲層上形成玻璃料薄膜，固化所述玻璃料薄膜，以及去除所述犧牲層，得到所述玻璃薄膜。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝方法，其中，將所述犧牲層放入酸性溶液中進(jìn)行溶解以去除所述犧牲層。
4.如權(quán)利要求3所述的封裝方法，其中，所述犧牲層采用金屬制作。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中，所述玻璃薄膜的厚度大于ομ m且小于等于10 μ m。
6.如權(quán)利要求2或3所述的封裝方法，其中，將玻璃粉分散在溶劑和粘結(jié)劑中以形成玻璃漿料，將所述玻璃漿料涂覆在所述犧牲層上以形成所述玻璃料薄膜。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝方法，其中，所述玻璃粉為包括氧化鉛、氧化硼和氧化硅的化合物，包括氧化鋅、氧化硼和氧化娃的化合物，包括氧化鉛、氧化硼、氧化娃和氧化招的化合物，或者包括氧化鉛、氧化鋅、氧化硼和氧化硅的化合物。
8.如權(quán)利要求4所述的封裝方法，其中，所述制作犧牲層的金屬為鋁、鎂、銀或銅。
9.如權(quán)利要求4所述的封裝方法，其中，所述犧牲層的厚度為10nm?lOOOnm。
10.如權(quán)利要求3所述的封裝方法，其中，所述形成密封結(jié)構(gòu)包括: 將所述玻璃薄膜與所述第一基板和所述第二基板的側(cè)面貼合； 利用激光對(duì)所述玻璃薄膜進(jìn)行照射，使所述玻璃薄膜分別與所述第一基板和所述第二基板的側(cè)面熔接。
11.如權(quán)利要求1-5,8-10任一所述的封裝方法,還包括: 在所述第一基板和所述第二基板之間設(shè)置所述玻璃薄膜，使所述玻璃薄膜包圍所述光電元件并分別與所述第一基板和所述第二基板的相對(duì)的表面熔接。
12.—種光電器件，包括:相互對(duì)置的第一基板和第二基板、設(shè)置于所述第一基板和所述第二基板之間的光電元件，以及玻璃薄膜，其中， 所述玻璃薄膜設(shè)置于所述第一基板和所述第二基板的側(cè)面，所述玻璃薄膜與所述第一基板和所述第二基板形成密封結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求12所述的光電器件，其中，在所述第一基板和所述第二基板之間還設(shè)置有所述玻璃薄膜，所述玻璃薄膜包圍所述光電元件并分別與所述第一基板和所述第二基板的相對(duì)的表面熔接。
14.如權(quán)利要求12或13所述的光電器件，其中，所述光電元件為0LED或太陽能電池。
15.—種顯不裝置，包括如權(quán)利要求12-14任一所述的光電器件。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中，所述光電元件為0LED元件。
17.—種玻璃薄膜的制備方法，包括: 在襯底基板上形成犧牲層； 在所述犧牲層上形成玻璃料薄膜； 固化所述玻璃料薄膜；以及 去除所述犧牲層之后，得到玻璃薄膜。
18.如權(quán)利要求17所述的制備方法，其中，將所述犧牲層放入酸性溶液中進(jìn)行溶解以去除所述犧牲層。
19.如權(quán)利要求17或18所述的制備方法，其中，所述犧牲層采用金屬制作。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104409652SQ201410574969
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月23日
【發(fā)明者】王丹 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司