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一種薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法及薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法

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一種薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法及薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法及薄膜太陽(yáng)能電池。該制備方法包括:清潔基板:將基板用清洗劑進(jìn)行清洗,并將清洗后的基板進(jìn)行烘干;基板表面改性:將清潔后的基板浸漬在配置的甲殼素和硫酸鎳的混合溶液中,待基板表面改性后取出烘干;基板表面催化活化:將改性后的基板放入二甲氨基硼烷溶液中進(jìn)行還原,直至基板表面出現(xiàn)金屬光澤后取出;化學(xué)鍍鎳:將催化活化后的基板浸入鎳化學(xué)鍍液中進(jìn)行鍍鎳,制得薄膜太陽(yáng)能電池背電極。本發(fā)明的制備方法,整個(gè)制備過(guò)程采用無(wú)鈀催化工藝沉積背電極,通過(guò)甲殼素作為媒介,避免了基板表面化學(xué)粗化,能制備出平整度高的鍍層,大大地降低生產(chǎn)成本,有利于大規(guī)模推廣。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法及薄膜太陽(yáng)能電池

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法以及使用該方法所制備的薄膜太陽(yáng)能電池。

【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。在太陽(yáng)能電池中,銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池具有優(yōu)異的光電性能,不存在光衰致減效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),被公認(rèn)為是未來(lái)最具前景的太陽(yáng)能電池。
[0003]目前,柔性CIGS薄膜太陽(yáng)能電池是太陽(yáng)能電池【技術(shù)領(lǐng)域】研究的熱點(diǎn),其典型結(jié)構(gòu)包括柔性基板、背電極、光吸收層(CIGS)、n型半導(dǎo)體緩沖層(CdS),以及透明導(dǎo)電的窗口層(1-ZnO與ZnO:A1薄膜)。其中,背電極的沉積常采用化學(xué)鍍工藝。然而,傳統(tǒng)的化學(xué)鍍工藝過(guò)程中需要對(duì)基板表面用化學(xué)腐蝕的方式進(jìn)行表面粗化,以提高鍍層與基板表面的結(jié)合力,影響背電極的平整度。如:采用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)作柔性襯底時(shí),在PET表面化學(xué)鍍鎳工藝常需要預(yù)先對(duì)PET表面進(jìn)行化學(xué)粗化,不僅容易造成環(huán)境污染,還影響鍍層表面的平整度。此外,在鍍鎳過(guò)程往往需要采用貴金屬鈀催化,工藝成本高,不利于大規(guī)模推廣。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法,采用無(wú)鈀催化工藝,旨在解決背電極鍍層表面的平整度差、成本高、不利于大規(guī)模推廣的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明的發(fā)明目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
[0006]一種薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法,包括:清潔基板:將基板用清洗劑進(jìn)行清洗,并將清洗后的基板進(jìn)行烘干;基板表面改性:將清潔后的基板浸潰在配置的甲殼素和硫酸鎳的混合溶液中,待基板表面改性后取出烘干;基板表面催化活化:將改性后的基板放入二甲氨基硼烷溶液中進(jìn)行還原,直至基板表面出現(xiàn)金屬光澤后取出;化學(xué)鍍鎳:將催化活化后的基板浸入鎳化學(xué)鍍液中進(jìn)行鍍鎳,制得薄膜太陽(yáng)能電池背電極。
[0007]上述的制備方法,其中:所述清洗劑為去離子水、無(wú)水乙醇,所述將基板用清洗劑進(jìn)行清洗是將基板依次用去離子水、無(wú)水乙醇在超聲條件下清洗。
[0008]上述的制備方法,其中:所述清潔基板之后還包括:紫外光照射:將清洗烘干后的基板放置在紫外光燈下照射,進(jìn)行二次清潔;其中,紫外光燈的照射時(shí)間為10?20min,照射強(qiáng)度I?5mw/cm2。
[0009]上述的制備方法,其中:所述基板表面改性之前還包括:基板表面預(yù)制甲殼素:將清潔后的基板浸潰在甲殼素溶液中5?lOmin,取出放置在50?60°C烘箱中烘干10?20min,直至基板表面干燥。
[0010]上述的制備方法,其中:所述甲殼素溶液的配制方法為將甲殼素倒入去離子水中,再取乙酸加入該去離子水,攪拌均勻,得到所述甲殼素溶液,其中,所述去離子水與乙酸的體積比為100:1,所配置的甲殼素溶液的質(zhì)量濃度為0.1?0.3g/L。
[0011]上述的制備方法,其中:所述甲殼素和硫酸鎳的混合溶液的配制包括:將甲殼素倒入去離子水中,再取乙酸加入該去離子水,攪拌均勻,得到質(zhì)量濃度為0.1?0.3g/L的甲殼素溶液,其中,所述去離子水與乙酸的體積比為100:1 ;將硫酸鎳倒入所述甲殼素溶液中,攪拌,得到甲殼素和硫酸鎳的混合溶液;其中,硫酸鎳摩爾濃度為I?2mol/L。
[0012]上述的制備方法,其中:所述基板表面催化活化所使用的二甲氨基硼烷溶液濃度為0.2?0.5mol/L,溫度為30?40°C,在將改性后的基板放入二甲氨基硼烷溶液中進(jìn)行還原,其還原時(shí)間為5?1min。
[0013]上述的制備方法,其中:所述鎳化學(xué)鍍液的配置是將摩爾濃度為0.15mol/L的硫酸鎳、0.lmol/L的焦磷酸鈉和0.05mol/L的硼氫化鈉加入水中混合而成。
[0014]上述的制備方法,其中:所述基板為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯。
[0015]另外,本發(fā)明還提供一種生產(chǎn)成本低,有利于大規(guī)模推廣的薄膜太陽(yáng)能電池,通過(guò)無(wú)鈀催化工藝沉積背電極的方式制備出鍍層表面平整度高的背電極,有利于提高薄膜太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。
[0016]一種薄膜太陽(yáng)能電池,包括基板,依次沉積在所述基板上的背電極、光吸收層、緩沖層以及窗口層,其中,所述背電極是上述所述的薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法所制備。
[0017]本發(fā)明的薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法,整個(gè)制備過(guò)程采用無(wú)鈀催化工藝沉積背電極,通過(guò)甲殼素作為媒介,提高鍍層與基板表面的結(jié)合力,避免了基板表面化學(xué)粗化,能制備出平整度高的鍍層,大大地降低生產(chǎn)成本,有利于大規(guī)模推廣。而通過(guò)該制備方法制備出鍍層表面平整度高的背電極,應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池中,有利于提高薄膜太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率,降低薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0020]圖1所示為本發(fā)明提供的薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法,包括:
[0021]步驟S101,清潔基板:將基板用清洗劑進(jìn)行清洗,并將清洗后的基板進(jìn)行烘干。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例中,選用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)為基板,作為制作薄膜太陽(yáng)能電池的柔性襯底,能夠有效提高太陽(yáng)能薄膜電池的透光性,擴(kuò)大其使用范圍,同時(shí)降低成本,解決金屬和聚酰亞胺柔性襯底成本高,透光性差的問(wèn)題。
[0023]所采用的清洗劑包括但不限于去離子水、無(wú)水乙醇;將基板用清洗劑進(jìn)行清洗是將基板依次用去離子水、無(wú)水乙醇在超聲條件下清洗。
[0024]本發(fā)明其它實(shí)施例中,將基板用清洗劑進(jìn)行清洗還可以是將基板用去離子水或無(wú)水乙醇在超聲條件下清洗,當(dāng)然,也可以省略超聲條件,直接將基板用去離子或無(wú)水乙醇進(jìn)行清洗。
[0025]作為優(yōu)選實(shí)施例,本發(fā)明實(shí)施例中為了使基板得到更好的清潔,在清潔基板之后,通常還采用紫外光照射的方式,對(duì)基板進(jìn)行二次清潔。具體操作是將清洗烘干后的基板放置在紫外光燈下照射,進(jìn)行二次清潔;其中,紫外光燈的照射時(shí)間為10?20min,照射強(qiáng)度I?5mW/cm2。此處用紫外光照射的目的主要有:①通過(guò)紫外光照射,可以去除基板表面未清洗干凈的表面油污;②增加基板表面的C-O鍵,為后續(xù)將甲殼素基團(tuán)嫁接到基板表面做準(zhǔn)備。
[0026]步驟S102,基板表面改性:將清潔后的基板浸潰在配置的甲殼素和硫酸鎳的混合溶液中,待基板表面改性后取出烘干。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例中,基板表面改性通常是基板浸潰混合溶液中5?lOmin,取出放置在50?60°C烘箱中烘干10?20min,直至基板表面干燥。此處浸入混合液并烘干的目的主要有:①甲殼素能發(fā)生水解、烷基化、?;?、羧甲基化、磺化、硝化、鹵化、氧化、還原、縮合和絡(luò)合等化學(xué)反應(yīng),通過(guò)該步驟可以使甲殼素通過(guò)化學(xué)作用嫁接到基板表面,成為基板與鎳(Ni)連接的“橋梁”;②甲殼素能夠有效螯合金屬離子,通過(guò)該步驟,Ni2+離子通過(guò)化學(xué)鍵嫁接到了基板表面。
[0028]其中,甲殼素和硫酸鎳的混合溶液的配制包括:將甲殼素倒入去離子水中,再取乙酸加入該去離子水,攪拌均勻,得到質(zhì)量濃度為0.1?0.3g/L的甲殼素溶液,其中,去離子水與乙酸的體積比為100:1 ;將硫酸鎳倒入該甲殼素溶液中,攪拌,得到甲殼素和硫酸鎳的混合溶液;其中,硫酸鎳摩爾濃度為I?2mol/L。
[0029]步驟S103,基板表面催化活化:將改性后的基板放入二甲氨基硼烷溶液中進(jìn)行還原,直至基板表面出現(xiàn)金屬光澤后取出。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例中,基板表面催化活化所使用的二甲氨基硼烷溶液濃度為0.2?0.5mol/L,溫度為30?40°C,在將改性后的基板放入二甲氨基硼烷溶液中進(jìn)行還原,其還原時(shí)間為5?lOmin。此處,活化后的目的:通過(guò)該步驟基板表面附著有分散的金屬Ni原子或團(tuán)簇,該原子或團(tuán)簇有催化作用,可以催化后續(xù)化學(xué)鍍鎳步驟的進(jìn)行。如果沒(méi)有活化步驟,則后續(xù)的化學(xué)鍍反應(yīng)難以進(jìn)行。通過(guò)催化活化基板表面附著有分散的金屬Ni原子或團(tuán)簇,該原子或團(tuán)簇有催化作用。
[0031]步驟S104,化學(xué)鍍鎳:將催化活化后的基板浸入鎳化學(xué)鍍液中進(jìn)行鍍鎳,制得薄膜太陽(yáng)能電池背電極。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例中,鎳化學(xué)鍍液的配置是將摩爾濃度為0.15mol/L的硫酸鎳、0.lmol/L的焦磷酸鈉和0.05mol/L的硼氫化鈉加入水中混合而成。該步驟通常在室溫下進(jìn)行;有催化活性的Ni原子或團(tuán)簇,催化化學(xué)鍍鎳步驟的進(jìn)行,從而在基板表面形成完整的
Ni層。
[0033]因此,本發(fā)明的薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法,整個(gè)制備過(guò)程采用無(wú)鈀催化工藝沉積背電極,工藝簡(jiǎn)單,大大地降低生產(chǎn)成本,有利于大規(guī)模推廣。采用純天然試劑的甲殼素作為表面改性所用的試劑,不會(huì)對(duì)環(huán)境造成任何污染,同時(shí)起到提高粘附性與完整度的作用;另外,使用鎳催化劑,不引入雜質(zhì),同時(shí)具有足夠的催化活性能夠催化鍍鎳;而表面化學(xué)鍍鎳不使用化學(xué)粗化,不降低柔性基板的強(qiáng)度,所制備的鍍層表面的平整度高。
[0034]作為優(yōu)選實(shí)施例,本發(fā)明在基板表面改性之前還包括:基板表面預(yù)制甲殼素,其具體操作為:將清潔后的基板浸潰在甲殼素溶液中5?lOmin,取出放置在50?60°C烘箱中烘干10?20min,直至基板表面干燥。其中,甲殼素溶液的配制方法為將甲殼素倒入去離子水中,再取乙酸加入該去離子水,攪拌均勻,得到甲殼素溶液,其中,去離子水與乙酸的體積比為100:1,所配置的甲殼素溶液的質(zhì)量濃度為0.1?0.3g/L。此處,浸入甲殼素溶液并烘干的目的是:甲殼素可在50?60°C溫度調(diào)節(jié)下通過(guò)化學(xué)作用嫁接到基板表面,成為基板與Ni連接的“橋梁”。通過(guò)該步驟先在基板表面預(yù)制一層甲殼素,能夠使經(jīng)過(guò)步驟S104,化學(xué)鍍鎳操作后獲得的背電極即基板表面鎳層更加均勻完整。
[0035]下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0036]實(shí)施例一
[0037]清潔基板:將PET薄膜依次用去離子水、無(wú)水乙醇在超聲條件下清洗,清洗后烘干。
[0038]紫外光照射:將清洗過(guò)的PET薄膜放置在紫外光燈下照射lOmin,紫外光燈照射強(qiáng)度 lmw/cm2。
[0039]基板表面預(yù)制甲殼素:將紫外光照射后的PET薄膜浸潰在甲殼素溶液中5min,取出放置在50°C烘箱中烘干lOmin,直至PET表面干燥。其中,甲殼素溶液質(zhì)量濃度為0.1g/L0
[0040]基板表面改性:基板表面預(yù)制甲殼素后的PET板浸潰在甲殼素和硫酸鎳的混合溶液中5min,取出放置在55°C烘箱中烘干lOmin,直至PET表面干燥。其中,甲殼素濃度為0.lg/L,硫酸鎳摩爾濃度為lmol/L。
[0041]基板表面催化活化:將改性后的PET薄膜放入二甲氨基硼烷溶液中還原5min,直至PET薄膜表面出現(xiàn)銀色金屬光澤,二甲氨基硼烷溶液濃度為0.2mol/L,溫度為40°C。
[0042]化學(xué)鍍鎳:將催化活化后的PET薄膜在室溫下浸入化學(xué)鍍液中鍍鎳20min,制得薄膜太陽(yáng)能電池背電極。其中化學(xué)鍍液的配置是把摩爾濃度為0.15mol/L的硫酸鎳、0.1mol/L的焦磷酸鈉和0.05mol/L的硼氫化鈉加入水中混合而成,
[0043]本實(shí)施例所制備的薄膜太陽(yáng)能電池背電極,PET表面鎳層完整,剝離強(qiáng)度大于40N/cm,電阻率為6 μ Ω.cm,平均剪切強(qiáng)度可達(dá)45MPa。
[0044]實(shí)施例二
[0045]清潔基板:將PET薄膜依次用去離子水、無(wú)水乙醇在超聲條件下清洗,清洗后烘干。
[0046]紫外光照射:將清洗過(guò)的PET薄膜放置在紫外光燈下照射20min,紫外光燈照射強(qiáng)度 5mw/cm2。
[0047]基板表面預(yù)制甲殼素:將紫外光照射后的PET薄膜浸潰在甲殼素溶液中l(wèi)Omin,取出放置在60°C烘箱中烘干lOmin,直至PET表面干燥。其中,甲殼素質(zhì)量濃度為0.3g/L。
[0048]基板表面改性:將基板表面預(yù)制甲殼素后的PET板浸潰在甲殼素和硫酸鎳的混合溶液中5min,取出放置在55°C烘箱中烘干lOmin,直至PET表面干燥。其中,甲殼素質(zhì)量濃度為0.3g/L,硫酸鎳摩爾濃度為2mol/L。
[0049]基板表面催化活化:將改性后的PET薄膜放入二甲氨基硼烷溶液中還原lOmin,直至PET薄膜表面出現(xiàn)銀色金屬光澤,二甲氨基硼烷溶液濃度為0.5mol/L,溫度為30°C。
[0050]化學(xué)鍍鎳:將催化活化后的PET薄膜浸入化學(xué)鍍液中施鍍20min,在室溫下鍍鎳即可,制得薄膜太陽(yáng)能電池背電極。其中化學(xué)鍍液制備是把摩爾濃度為0.15mol/L的硫酸鎳、0.lmol/L的焦磷酸鈉和0.05mol/L的硼氫化鈉加入水中混合而成。
[0051]本實(shí)施例所制備的薄膜太陽(yáng)能電池背電極,PET表面鎳層完整,剝離強(qiáng)度大于45N/cm,電阻率為4.5μ Ω.cm,平均剪切強(qiáng)度可達(dá)50MPa。
[0052]實(shí)施例三
[0053]本實(shí)施例與上述實(shí)施例二的制備方法基本相同,不同之處僅在于:紫外光燈的照射時(shí)間為15min,照射強(qiáng)度3mw/cm2。
[0054]實(shí)施例四
[0055]本實(shí)施例與上述實(shí)施例二的制備方法基本相同,不同之處僅在于:省略紫外光照射。直接將清洗過(guò)的PET薄膜浸潰在甲殼素溶液中8min,取出放置在55°C烘箱中烘干15min,直至PET表面干燥。其中,甲殼素溶液濃度為0.2g/L。
[0056]實(shí)施例五
[0057]本實(shí)施例與上述實(shí)施例二的制備方法基本相同,不同之處僅在于:省略基板表面預(yù)制甲殼素,直接將紫外光照射后的PET浸潰在甲殼素和硫酸鎳的混合溶液中7min,取出放置在55°C烘箱中烘干15min,直至PET表面干燥。其中,甲殼素質(zhì)量濃度為0.2g/L,硫酸鎳摩爾濃度為1.5mol/L。
[0058]實(shí)施例六
[0059]本實(shí)施例與上述實(shí)施例二的制備方法基本相同,不同之處僅在于:二甲氨基硼烷溶液中還原8min,濃度為0.3mol/L。
[0060]因此,本發(fā)明的薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法,整個(gè)制備過(guò)程采用無(wú)鈀催化工藝沉積背電極,通過(guò)甲殼素作為媒介,提高鍍層與基板表面的結(jié)合力,避免了基板表面化學(xué)粗化,能制備出平整度高的鍍層,大大地降低生產(chǎn)成本,有利于大規(guī)模推廣。
[0061]實(shí)施例七
[0062]一種薄膜太陽(yáng)能電池,包括基板,依次沉積在該基板上的背電極、光吸收層、緩沖層以及窗口層,其中,該背電極是上述實(shí)施例任意一種制備方法所制備的背電極。光吸收層為銅銦鎵硒(CIGS)膜光吸收層,其是采用電沉積法在背電極表面沉積CIGS膜,表面沉積CIGS后的PET薄膜即為CIGS柔性薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層。
[0063]在上述實(shí)施例任意一種制備方法所制備的背電極表面實(shí)施電沉積法制備CIGS膜光吸收層的具體操作是:將沉積好背電極膜的PET薄膜浸入電解液中,在電壓0.5v的恒電位條件下沉積50min,然后,洗凈后放入300°C電阻爐中熱處理30min制備而成,其中,該電阻爐中使用氮?dú)獗Wo(hù),PET薄膜面使用水冷保護(hù);該電解液將濃度為2mmol/L的CuCl2、20mmol/L 的 InCl3、15mmol/L 的 CaCL3、2OmmoI/L 的酒石酸鐘納和 4mmo1 /I,的 HCl 加入水中混合均勻而成。
[0064]因此,本發(fā)明的薄膜太陽(yáng)能電池,通過(guò)無(wú)鈀催化工藝沉積背電極的方式制備出鍍層表面平整度高的背電極,有利于提高薄膜太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率,降低薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本,有利于大規(guī)模推廣。
[0065]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法,其特征在于,包括: 清潔基板:將基板用清洗劑進(jìn)行清洗,并將清洗后的基板進(jìn)行烘干; 基板表面改性:將清潔后的基板浸潰在配置的甲殼素和硫酸鎳的混合溶液中,待基板表面改性后取出烘干; 基板表面催化活化:將改性后的基板放入二甲氨基硼烷溶液中進(jìn)行還原,直至基板表面出現(xiàn)金屬光澤后取出;以及 化學(xué)鍍鎳:將催化活化后的基板浸入鎳化學(xué)鍍液中進(jìn)行鍍鎳,制得薄膜太陽(yáng)能電池背電極。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述清洗劑為去離子水、無(wú)水乙醇,所述將基板用清洗劑進(jìn)行清洗是將基板依次用去離子水、無(wú)水乙醇在超聲條件下清洗。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述清潔基板之后還包括: 紫外光照射:將清洗烘干后的基板放置在紫外光燈下照射,進(jìn)行二次清潔;其中,紫外光燈的照射時(shí)間為10?20111111,照射強(qiáng)度1?5麗八1112。
4.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述基板表面改性之前還包括: 基板表面預(yù)制甲殼素:將清潔后的基板浸潰在甲殼素溶液中5?1001??!,取出放置在50?601^烘箱中烘干10?20111111,直至基板表面干燥。
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述甲殼素溶液的配制方法為將甲殼素倒入去離子水中,再取乙酸加入該去離子水,攪拌均勻,得到所述甲殼素溶液,其中,所述去離子水與乙酸的體積比為100:1,所配置的甲殼素溶液的質(zhì)量濃度為0.1?0.38凡。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述甲殼素和硫酸鎳的混合溶液的配制包括: 將甲殼素倒入去離子水中,再取乙酸加入該去離子水,攪拌均勻,得到質(zhì)量濃度為0.1?0.38/1的甲殼素溶液,其中,所述去離子水與乙酸的體積比為100:1 ;及 將硫酸鎳倒入所述甲殼素溶液中,攪拌,得到甲殼素和硫酸鎳的混合溶液;其中,硫酸鎳摩爾濃度為1?211101/1。
7.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述基板表面催化活化所使用的二甲氨基硼烷溶液濃度為0.2?0.511101/1,溫度為30?401,在將改性后的基板放入二甲氨基硼燒溶液中進(jìn)行還原,其還原時(shí)間為5?10111111。
8.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述鎳化學(xué)鍍液的配置是將摩爾濃度為0.1511101/1的硫酸鎳、0.111101/1的焦磷酸鈉和0.0511101/1的硼氫化鈉加入水中混合而成。
9.如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述基板為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯。
10.一種薄膜太陽(yáng)能電池,包括基板,依次沉積在所述基板上的背電極、光吸收層、緩沖層以及窗口層,其特征在于,所述背電極是根據(jù)權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的薄膜太陽(yáng)能電池背電極的制備方法所制備。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104372313SQ201410513715
【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月29日
【發(fā)明者】李文龍 申請(qǐng)人:上海科慧太陽(yáng)能技術(shù)有限公司
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