電子部件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子部件及其制造方法。外部電極(120)包括：包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層(121)、不包含Sn但包含Cu或Ni的增強層(122)、由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層(123)、及包含Sn的Sn含有層(124)。燒結(jié)體層(121)按照覆蓋胚體(110)的各端面的方式在胚體(110)中設(shè)置成從各端面上橫跨到至少一個主面(10)上。增強層(122)按照覆蓋燒結(jié)體層(121)整體的方式設(shè)置在燒結(jié)體層(121)上。絕緣層(123)按照延伸存在于與胚體(110)的側(cè)面正交的方向上的方式直接設(shè)置在胚體(110)的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?122)上，從而構(gòu)成了外部電極(120)的表面的一部分。Sn含有層(124)被設(shè)置為覆蓋除了被絕緣層(123)覆蓋的部分以外的增強層(122)，從而構(gòu)成了外部電極(120)的表面的另一部分。由此抑制因填錫的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而使胚體產(chǎn)生裂紋。
【專利說明】電子部件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子部件及其制造方法，尤其涉及利用焊料來安裝的電子部件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]作為公開了對起因于填錫(solder fillet)的熱收縮而產(chǎn)生的裂紋導(dǎo)致內(nèi)部電極短路的狀況進行了抑制的層疊陶瓷電容器的在先文獻，有JP特開2003-22929號公報(專利文獻I)。
[0003]在專利文獻I所記載的層疊陶瓷電容器中，當(dāng)因填錫的張力而使一個外部電極附近的胚體中產(chǎn)生了裂紋的情況下，與另一個外部電極連接著的內(nèi)部電極不會向該裂紋的間隙內(nèi)露出。由此，在水分進入裂紋內(nèi)的情況下要抑制產(chǎn)生內(nèi)部電極的短路。
[0004]在先技術(shù)文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻I JP特開2003-22929號公報
[0007]若因填錫的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力使得胚體內(nèi)產(chǎn)生裂紋從而內(nèi)部電極被切斷，則層疊陶瓷電容器的靜電電容降低。這樣，在因填錫的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而使電子部件產(chǎn)生了裂紋的情況下，電子部件的電氣特性降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明正是鑒于上述問題點而進行的，其目的在于提供一種對因填錫的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而使胚體內(nèi)產(chǎn)生裂紋的狀況進行了抑制的電子部件及其制造方法。
[0009]基于本發(fā)明的電子部件，具備:胚體，其埋設(shè)有內(nèi)部電極、且具有I對主面、連結(jié)上述主面彼此間的I對側(cè)面、及與上述I對主面和上述I對側(cè)面分別正交的I對端面；和外部電極，其設(shè)置在胚體的表面上且與內(nèi)部電極電連接。外部電極包括:包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層、不包含Sn但包含Cu或Ni的增強層、由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層、及包含Sn的Sn含有層。燒結(jié)體層按照覆蓋各上述端面的方式從各上述端面上橫跨到至少一個上述主面上地設(shè)置。增強層被設(shè)置為覆蓋燒結(jié)體層的整體。絕緣層按照延伸存在于與上述側(cè)面正交的方向上的方式直接設(shè)置在各上述端面?zhèn)鹊脑鰪妼由希瑥亩鴺?gòu)成了外部電極的表面的一部分。Sn含有層被設(shè)置為覆蓋除了被絕緣層覆蓋的部分以外的增強層，從而構(gòu)成了外部電極的表面的另一部分。
[0010]在本發(fā)明的一形態(tài)中，Sn含有層從各上述端面?zhèn)葯M跨到一個上述主面?zhèn)鹊卦O(shè)置。
[0011]在本發(fā)明的一形態(tài)中，內(nèi)部電極不位于最短地連結(jié)上述端面?zhèn)鹊慕^緣層中的一個上述主面?zhèn)鹊倪吘壍奈恢煤鸵粋€上述主面?zhèn)鹊耐獠侩姌O的前端的位置所成的虛擬面。
[0012]在本發(fā)明的一形態(tài)中，絕緣層在與上述主面正交的方向上按照絕緣層的至少一部分位于內(nèi)部電極中最接近于一個上述主面的邊緣部的位置與一個上述主面之間的方式，設(shè)置在各上述端面?zhèn)鹊脑鰪妼由稀?br> [0013]在本發(fā)明的一形態(tài)中，燒結(jié)體層被設(shè)置為從各上述端面上進一步橫跨到各上述側(cè)面上。絕緣層按照延伸存在于與上述端面正交的方向上的方式進一步設(shè)置在各上述側(cè)面?zhèn)鹊脑鰪妼由稀?br> [0014]在本發(fā)明的一形態(tài)中，外部電極進一步包括:基底層，其是與增強層不同的材料，且包含Cu或Ni。基底層按照覆蓋燒結(jié)體層整體的方式設(shè)置在燒結(jié)體層與增強層之間。
[0015]在本發(fā)明的一形態(tài)中，外部電極還包括:屏蔽層，其是與增強層不同的材料，且包含Cu或Ni的。屏蔽層設(shè)置在增強層與Sn含有層之間。
[0016]基于本發(fā)明的電子部件的制造方法具備:準(zhǔn)備胚體的工序，該胚體埋設(shè)有內(nèi)部電極、且具有I對主面、連結(jié)上述主面彼此間的I對側(cè)面、及與上述I對主面和上述I對側(cè)面分別正交的I對端面；和按照與內(nèi)部電極電連接的方式將外部電極設(shè)置在胚體的表面上的工序。設(shè)置外部電極的工序包括:設(shè)置包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層的工序；設(shè)置不包含Sn但包含Cu或Ni的增強層的工序；設(shè)置由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層的工序；及設(shè)置包含Sn的Sn含有層的工序。在設(shè)置燒結(jié)體層的工序中，按照覆蓋各上述端面的方式，從各上述端面上橫跨到至少一個上述主面上地設(shè)置燒結(jié)體層。在設(shè)置增強層的工序中，按照覆蓋燒結(jié)體層整體的方式設(shè)置增強層。在設(shè)置絕緣層的工序中，按照延伸存在于與上述側(cè)面正交的方向上而構(gòu)成外部電極的表面的一部分的方式，將絕緣層直接設(shè)置在各上述端面?zhèn)鹊脑鰪妼由?。在設(shè)置Sn含有層的工序中，按照覆蓋除了被絕緣層覆蓋的部分以外的增強層而構(gòu)成外部電極的表面的另一部分的方式，設(shè)置Sn含有層。
[0017]在本發(fā)明的一形態(tài)中，在設(shè)置Sn含有層的工序中，從各上述端面?zhèn)葯M跨到一個上述主面?zhèn)鹊卦O(shè)置Sn含有層。
[0018]在本發(fā)明的一形態(tài)中，在設(shè)置外部電極的工序中，按照內(nèi)部電極不位于最短地連結(jié)上述端面?zhèn)鹊慕^緣層中的一個上述主面?zhèn)鹊倪吘壍奈恢煤鸵粋€上述主面?zhèn)鹊耐獠侩姌O的前端的位置所成的虛擬面上的方式，設(shè)置外部電極。
[0019]在本發(fā)明的一形態(tài)中，在設(shè)置絕緣層的工序中，在與上述主面正交的方向上，按照絕緣層的至少一部分位于內(nèi)部電極中最接近于一個上述主面的邊緣部的位置與一個上述主面之間的方式，將絕緣層設(shè)置在各上述端面?zhèn)鹊脑鰪妼由稀?br> [0020]在本發(fā)明的一形態(tài)中，在設(shè)置燒結(jié)體層的工序中，從各上述端面上進一步橫跨到各上述側(cè)面上地設(shè)置燒結(jié)體層。在設(shè)置絕緣層的工序中，按照延伸存在于與上述端面正交的方向上的方式將絕緣層進一步直接設(shè)置在各上述側(cè)面?zhèn)鹊脑鰪妼由稀?br> [0021]在本發(fā)明的一形態(tài)中，設(shè)置外部電極的工序進一步包括:設(shè)置基底層的工序，該基底層是與增強層不同的材料、且包含Cu或Ni。在設(shè)置基底層的工序中，按照覆蓋燒結(jié)體層整體的方式在燒結(jié)體層與增強層之間設(shè)置基底層。
[0022]在本發(fā)明的一形態(tài)中，設(shè)置外部電極的工序進一步包括:設(shè)置屏蔽層的工序，該屏蔽層是與增強層不同的材料、且包含Cu或Ni。在設(shè)置屏蔽層的工序中，在增強層與Sn含有層之間設(shè)置屏蔽層。
[0023]在本發(fā)明的一形態(tài)中，在設(shè)置燒結(jié)體層的工序中，同時燒成胚體所包含的電介質(zhì)層與燒結(jié)體層。
[0024]發(fā)明效果
[0025]根據(jù)本發(fā)明，可抑制因填錫的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而使胚體產(chǎn)生裂紋的狀況。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是表示本發(fā)明實施方式I涉及的電子部件的外觀的立體圖。
[0027]圖2是從I1-1I線箭頭方向觀察到圖1的電子部件的剖視圖。
[0028]圖3是從II1-1II線箭頭方向觀察到圖2的電子部件的剖視圖。
[0029]圖4是從IV-1V線箭頭方向觀察到圖2的電子部件的剖視圖。
[0030]圖5是從V-V線箭頭方向觀察到圖2的電子部件的剖視圖。
[0031]圖6是表示該實施方式涉及的電子部件的制造方法的流程圖。
[0032]圖7是表示利用焊料將該實施方式涉及的電子部件安裝到基板上的狀態(tài)的立體圖。
[0033]圖8是表示本發(fā)明實施方式2涉及的電子部件的構(gòu)成的剖視圖。
[0034]圖9是表示本發(fā)明實施方式2涉及的電子部件的制造方法的流程圖。
[0035]圖10是表示本發(fā)明實施方式3涉及的電子部件的構(gòu)成的剖視圖。
[0036]圖11是表示本發(fā)明實施方式3涉及的電子部件的制造方法的流程圖。
[0037]圖12是表示本發(fā)明實施方式4涉及的電子部件的外觀的立體圖。
[0038]圖13是從XII1-XIII線箭頭方向觀察到圖12的電子部件的剖視圖。
[0039]圖14是表示本發(fā)明實施方式5涉及的電子部件的外觀的立體圖。
[0040]圖15是從XV-XV線箭頭方向觀察到圖14的電子部件的剖視圖。
[0041]圖16是從XV1-XVI線箭頭方向觀察到圖14的電子部件的剖視圖。
[0042]圖17是從XVI1-XVII線箭頭方向觀察到圖15、16的電子部件的剖視圖。
[0043]圖18是從XVII1-XVIII線箭頭方向觀察到圖15、16的電子部件的剖視圖。

【具體實施方式】
[0044]以下，參照圖來說明本發(fā)明實施方式I涉及的電子部件。在以下的實施方式的說明中，對圖中的相同或相應(yīng)部分賦予相同符號，其說明也不再重復(fù)。在以下的說明中，作為電子部件雖然對層疊陶瓷電容器進行說明，但電子部件未限于電容器，也可以是壓電部件、熱敏電阻或電感器等。
[0045](實施方式I)
[0046]圖1是表示本發(fā)明實施方式I涉及的電子部件的外觀的立體圖。圖2是從I1-1I線箭頭方向觀察到圖1的電子部件的剖視圖。圖3是從II1-1II線箭頭方向觀察到圖2的電子部件的剖視圖。圖4是從IV-1V線箭頭方向觀察到圖2的電子部件的剖視圖。圖5是從V-V線箭頭方向觀察到圖2的電子部件的剖視圖。在圖1中，以L表示后述的胚體的長邊方向，以W表示胚體的寬度方向，以T表示胚體的厚度方向。
[0047]如圖1?5所示，本發(fā)明實施方式I涉及的電子部件100具備:埋設(shè)了內(nèi)部電極130的大致長方體狀的胚體110、及被設(shè)置于胚體110的表面上并與內(nèi)部電極130電連接的外部電極120。
[0048]在胚體110中，電介質(zhì)層140與平板狀的內(nèi)部電極130交替地層疊。電介質(zhì)層140與內(nèi)部電極130的層疊方向，相對于胚體110的長邊方向L及胚體110的寬度方向W而正交。S卩，電介質(zhì)層140與內(nèi)部電極130的層疊方向平行于胚體110的厚度方向T。
[0049]胚體110具有:與厚度方向T正交的I對主面、與長邊方向L正交的I對端面、及與寬度方向W正交的I對側(cè)面。I對主面由一個主面10和另一個主面11組成。一個主面10是在安裝時的電子部件100中位于電子部件100的安裝面?zhèn)鹊拿?。即，在電子部?00被安裝于基板上的情況下，一個主面10是與基板對置的面。
[0050]這樣,胚體110具有:相對于電介質(zhì)層140與內(nèi)部電極130的層疊方向而正交的I對主面、連結(jié)主面彼此間的I對側(cè)面、及與I對主面和I對側(cè)面分別正交的I對端面。
[0051]另外,胚體110具有大致長方體狀的外形，其角部具有圓潤度，但角部也可以不具有圓潤度。再有，也可以在I對主面、I對端面及I對側(cè)面的任一面形成凹凸。
[0052]在相互相鄰并對置的內(nèi)部電極130彼此中，一個內(nèi)部電極130在胚體110的一個端面?zhèn)扰c外部電極120電連接，另一個內(nèi)部電極130在胚體110的另一個端面?zhèn)扰c外部電極120電連接。
[0053]以下，對各構(gòu)成詳細(xì)地進行說明。
[0054]作為構(gòu)成電介質(zhì)層140的材料，可以使用以BaTi03、CaTi03、SrT13或CaZrO3等為主成分的電介質(zhì)陶瓷。再有，也可以使用作為副成分而在這些主成分中添加了 Mn化合物、Co化合物、Si化合物或稀土類化合物等的材料。
[0055]內(nèi)部電極130在俯視時具有大致矩形狀的外形。層疊方向上相互相鄰的內(nèi)部電極130彼此將電介質(zhì)層140夾持于其間且相互對置。上述的一個內(nèi)部電極130與另一個內(nèi)部電極130沿著胚體110的厚度方向T而等間隔地交替配置。
[0056]一個內(nèi)部電極130從胚體110的一個端面朝向另一個端面延伸存在。如圖3所示，一個內(nèi)部電極130在胚體110的一個端面內(nèi)與后述的外部電極120的燒結(jié)體層121連接。
[0057]另一個內(nèi)部電極130從胚體110的另一個端面朝向一個端面延伸存在。如圖4所示，另一個內(nèi)部電極130在胚體110的另一個端面內(nèi)與后述的外部電極120的燒結(jié)體層121連接。
[0058]作為構(gòu)成內(nèi)部電極130的材料,可以使用N1、Cu、Ag、Pd、Au、Pt、Sn等金屬、或包含這些金屬的至少I種的合金、例如Ag與Pd的合金等。在本實施方式中，內(nèi)部電極130由Ni組成。
[0059]如圖2所示，外部電極120包括:包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層121、不包含Sn但包含Cu或Ni的增強層122、由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層123、及包含Sn的Sn含有層124。
[0060]燒結(jié)體層121按照覆蓋胚體110的各端面的方式設(shè)置成從各端面上橫跨到至少一個主面10上。在本實施方式中，燒結(jié)體層121覆蓋胚體110的一個端面整體，同時被設(shè)置成從一個端面上橫跨到各主面上及各側(cè)面上。再有，燒結(jié)體層121覆蓋胚體110的另一個端面整體，同時被設(shè)置成從另一個端面上橫跨到各主面上及各側(cè)面上。被設(shè)置成從胚體110的一個端面上橫跨到各主面上及各側(cè)面上的燒結(jié)體層121、和被設(shè)置成從胚體110的另一個端面上橫跨到各主面上及各側(cè)面上的燒結(jié)體層121，相互分離開，且并未被電連接。
[0061]作為構(gòu)成燒結(jié)體層121的材料，可以使用以N1、Cu、Ag、Pd等金屬、或包含這些金屬的至少I種的合金為主成分的導(dǎo)電性膏劑。在本實施方式中，在胚體110的表面涂敷以Cu為主成分的導(dǎo)電性膏劑，例如在700°C左右的溫度下進行加熱，由此將燒結(jié)體層121燒接到胚體110。另外，燒結(jié)體層121包含有玻璃成分。燒結(jié)體層121的玻璃含有率在表層部要比內(nèi)部高。
[0062]增強層122按照覆蓋燒結(jié)體層121的整體的方式直接設(shè)置在燒結(jié)體層121上。在本實施方式中，燒結(jié)體層121被設(shè)置成從胚體110的一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。再有，燒結(jié)體層121被設(shè)置成從胚體110的另一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。
[0063]由此，增強層122被設(shè)置成從胚體110的一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。再有，增強層122被設(shè)置成從胚體110的另一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。
[0064]作為構(gòu)成增強層122的材料，可以使用不包含Sn的、Ni或者Ni合金、或Cu或者Cu合金。在本實施方式中，增強層122由Ni組成。
[0065]絕緣層123按照延伸存在于與胚體110的側(cè)面正交的方向、即寬度方向W上的方式直接設(shè)置在各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22上，從而構(gòu)成了外部電極120的表面的一部分。
[0066]在本實施方式中，絕緣層123在胚體110的各端面?zhèn)妊由齑嬖谟谂唧w110的整個寬度方向W上。如圖2所示，內(nèi)部電極130不位于最短地連結(jié)胚體110的端面?zhèn)鹊慕^緣層123中的一個主面10側(cè)的邊緣的位置和胚體110的一個主面10側(cè)的外部電極120的前端的位置所成的虛擬面P1上。
[0067]另外，在本實施方式中，如圖2所示，雖然在與胚體110的側(cè)面平行的任意面中的電子部件100的剖面中，構(gòu)成虛擬面P1的虛擬線和全部內(nèi)部電極130并不交叉，但也可以包含與上述虛擬線交叉的內(nèi)部電極130。其中，優(yōu)選上述虛擬線與全部內(nèi)部電極130不交叉。
[0068]再有，絕緣層123在與胚體110的主面正交的方向、即厚度方向T上，按照絕緣層123的至少一部分位于內(nèi)部電極130中最接近于胚體110的一個主面10的邊緣部的位置和胚體110的一個主面10之間的方式，直接設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22上。
[0069]具體是，若將胚體110的一個主面10和最接近于一個主面10的內(nèi)部電極131的一個主面10側(cè)的邊緣部之間的距離的尺寸設(shè)為L1，則在胚體110的各端面?zhèn)?，胚體110的一個主面10與絕緣層123的一個主面10側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體110的厚度方向T的距尚的尺寸L2滿足L2 < L1的關(guān)系。
[0070]在本實施方式中，L2 > O。S卩，絕緣層123僅不覆蓋設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22之中的一個主面10側(cè)的一部分。另外，若將胚體110的厚度的尺寸設(shè)為Lt、則根據(jù)后述的理由優(yōu)選L2 > LT/10。為此，在電子部件100中，優(yōu)選滿足L2 < L1的關(guān)系、及L2> Lt/1的關(guān)系這兩者。在本實施方式中，電子部件100滿足LT/10 < L2 < L1的關(guān)系。
[0071]再有，絕緣層123在胚體110的各側(cè)面?zhèn)?，沿與胚體110的端面正交的方向、即長邊方向L延伸存在。在本實施方式中，絕緣層123在胚體110的各側(cè)面?zhèn)?，延伸存在于胚體110的整個長邊方向L。S卩，絕緣層123的一部分在胚體110的各側(cè)面?zhèn)戎苯釉O(shè)置在增強層122上。絕緣層123的另一部分直接設(shè)置在胚體110的各側(cè)面上。
[0072]設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊慕^緣層123和設(shè)置在胚體110的各側(cè)面?zhèn)鹊慕^緣層123相互連接而具有環(huán)狀的形狀。在胚體110的各側(cè)面?zhèn)?，胚體110的一個主面10與絕緣層123的一個主面10側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體110的厚度方向T的距離的尺寸為L2。
[0073]進而，絕緣層123覆蓋胚體110的另一個主面11側(cè)的整體。即，絕緣層123的一部分在胚體I1的另一個主面11側(cè)直接設(shè)置在增強層122上。絕緣層123的另一部分直接設(shè)置在胚體110的另一個主面11上。覆蓋胚體110的另一個主面11側(cè)的絕緣層123和設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊慕^緣層123及設(shè)置在胚體110的各側(cè)面?zhèn)鹊慕^緣層123分別相互連接。
[0074]這樣，絕緣層123的一部分直接設(shè)置在胚體110的另一個主面11上及胚體110的各側(cè)面上。與增強層122相比，絕緣層123和胚體110的密接性高。因而，通過將絕緣層123的一部分直接設(shè)置在胚體110上，從而可抑制在后述的鍍敷處理時或安裝時絕緣層123剝離。
[0075]作為構(gòu)成絕緣層123的材料，可以使用作為阻焊劑起作用的材料、即熱固化性絕緣性樹脂或紫外線固化性絕緣性樹脂等絕緣性樹脂。
[0076]Sn含有層124按照對被絕緣層123覆蓋的部分以外的增強層122進行覆蓋的方式設(shè)置在增強層122上，從而構(gòu)成了外部電極120的表面的另一部分。
[0077]在本實施方式中，Sn含有層124設(shè)置成從胚體110的各端面?zhèn)葯M跨到一個主面10偵U。如上所述，絕緣層123僅不覆蓋設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22之中的一個主面10側(cè)的一部分。因而，Sn含有層124在胚體110的各端面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。
[0078]再有，Sn含有層124在胚體110的一個主面10側(cè)覆蓋未被絕緣層123覆蓋的增強層122。進而，Sn含有層124在胚體110的各側(cè)面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。
[0079]如上所述，增強層122設(shè)置成從胚體110的一個端面上橫跨到各主面上及各側(cè)面上。再有，增強層122設(shè)置成從胚體110的另一個端面上橫跨到各主面上及各側(cè)面上。
[0080]由此，從胚體110的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置Sn含有層124。再有，從胚體110的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置Sn含有層124。
[0081]被設(shè)置成從胚體110的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊腟n含有層124、和被設(shè)置成從胚體110的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊腟n含有層124，相互分離開，且并未被電連接。
[0082]作為構(gòu)成Sn含有層124的材料，可以使用與焊料的潤濕性良好的材料的Sn或Sn
么么
I=1-Wl O
[0083]以下，對本實施方式涉及的電子部件的制造方法進行說明。圖6是表示本實施方式涉及的電子部件的制造方法的流程圖。如圖6所示，具備準(zhǔn)備胚體110的工序(S100)、以及按照與內(nèi)部電極130電連接的方式在胚體110的表面上設(shè)置外部電極120的工序
(SllO)。
[0084]如下所述地制作胚體110。
[0085]首先，基于壓模涂敷法、凹版涂敷法或微型凹版涂敷法等，將包含陶瓷粉末的陶瓷膏劑涂敷成薄片狀并使其干燥，由此制作陶瓷生片。
[0086]在制作出的多個陶瓷生片之中的一部分內(nèi)，在陶瓷生片上通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法或凹版印刷法等將內(nèi)部電極形成用的導(dǎo)電膏劑涂敷成規(guī)定的圖案。如此，準(zhǔn)備形成了成為內(nèi)部電極的導(dǎo)電圖案的陶瓷生片、和未形成導(dǎo)電圖案的陶瓷生片。另外，陶瓷膏劑及內(nèi)部電極形成用的導(dǎo)電膏劑中也可以包含公知的粘合劑及溶劑。
[0087]將未形成導(dǎo)電圖案的陶瓷生片層疊規(guī)定片數(shù)，在其上依次層疊已形成導(dǎo)電圖案的多個陶瓷生片，進一步在其上層疊規(guī)定片數(shù)的未形成導(dǎo)電圖案的陶瓷生片，由此制作母模塊。根據(jù)需要，也可以通過等靜壓機等手段，在層疊方向上對母模塊進行沖壓。
[0088]通過將母模塊切成并分割為規(guī)定的形狀，從而制作多個長方體狀的軟質(zhì)胚體。對長方體狀的軟質(zhì)胚體進行滾筒研磨，將軟質(zhì)胚體的角部磨圓。其中，也可以并非一定要進行滾筒研磨。
[0089]通過對軟質(zhì)胚體進行燒成而使其固化，來制作胚體110。根據(jù)陶瓷材料及導(dǎo)電材料的種類適宜地設(shè)定燒成溫度，例如在900°C以上且1300°C以下的范圍內(nèi)設(shè)定。
[0090]設(shè)置外部電極120的工序(SllO)包括:設(shè)置包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層121的工序
(Slll)、設(shè)置不包含Sn但包含Cu或Ni的增強層122的工序(S112)、設(shè)置由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層123的工序(SI 13)、及設(shè)置包含Sn的Sn含有層124的工序(SI 14)。
[0091]在設(shè)置燒結(jié)體層121的工序(Slll)中，按照覆蓋胚體110的各端面的方式從胚體110的各端面上橫跨到至少胚體110的一個主面上地設(shè)置燒結(jié)體層121。在本實施方式中，通過浸潰法在胚體I1的兩端部涂敷成為燒結(jié)體層121的導(dǎo)電性膏劑。這樣，在設(shè)置燒結(jié)體層121的工序(Slll)中，從胚體110的各端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上地設(shè)置燒結(jié)體層121。
[0092]如上所述，在本實施方式中，將以Cu為主成分的導(dǎo)電性膏劑涂敷于胚體110的表面，例如通過在70(TC左右的溫度下進行加熱，從而將燒結(jié)體層121燒接至胚體110。此外，也可以通過重復(fù)導(dǎo)電性膏劑的涂敷與干燥，從而來設(shè)置多層的燒結(jié)體層121。
[0093]在設(shè)置燒結(jié)體層的工序(Slll)中，也可以將電介質(zhì)層140與燒結(jié)體層121同時燒成。即，也可以在軟質(zhì)胚體涂敷導(dǎo)電性膏劑后進行燒成，由此同時形成胚體110與燒結(jié)體層
121。
[0094]在設(shè)置增強層122的工序(S112)中，按照覆蓋燒結(jié)體層121整體的方式在燒結(jié)體層121上設(shè)置增強層122。在本實施方式中，通過電鍍來設(shè)置增強層122。具體是，通過滾筒鍍敷法來設(shè)置增強層122。在將容納了設(shè)置有燒結(jié)體層121的多個胚體110的滾筒浸潰于鍍敷槽內(nèi)的鍍敷液中的狀態(tài)下一邊使其旋轉(zhuǎn)一邊進行通電，由此在燒結(jié)體層121上設(shè)置增強層122。
[0095]在設(shè)置絕緣層123的工序(SI 13)中，按照延伸存在于與胚體110的側(cè)面正交的方向、即寬度方向W而構(gòu)成外部電極120的表面的一部分的方式，在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22上直接設(shè)置絕緣層123。
[0096]在本實施方式中，通過噴涂作為阻焊劑起作用的熱固化性絕緣性樹脂或紫外線固化性絕緣性樹脂等絕緣性樹脂來設(shè)置絕緣層123。
[0097]具體是，在具有多個凹部的板上配置設(shè)有燒結(jié)體層121及增強層122的多個胚體110。設(shè)有燒結(jié)體層121及增強層122的各胚體110被配置成一個主面10側(cè)容納于凹部內(nèi)。凹部的俯視中的形狀比設(shè)有燒結(jié)體層121及增強層122的胚體110的主面的外形稍大。凹部的深度的尺寸被設(shè)定為與上述尺寸L2大體相同。如上所述，尺寸L2滿足LT/10 < L2 < L1的關(guān)系。
[0098]在凹部內(nèi)容納了胚體110的狀態(tài)下進行噴涂，由此可以在未被容納于凹部內(nèi)的部分的胚體110上涂敷絕緣性樹脂。其結(jié)果，如圖1所示，可以在胚體110的各端面?zhèn)?、各?cè)面?zhèn)燃傲硪粋€主面11側(cè)分別設(shè)置絕緣層123。
[0099]這樣，在本實施方式中，在設(shè)置絕緣層123的工序(SI 13)中，按照延伸存在于與胚體I1的端面正交的方向、即長邊方向L上的方式，進一步在胚體110的各側(cè)面?zhèn)鹊脑鰪妼?22上直接設(shè)置絕緣層123。
[0100]通過將凹部的深度的尺寸設(shè)定成與尺寸L2大體相同，從而在設(shè)置絕緣層123的工序(S113)中，可以在與胚體110的主面正交的方向、即厚度方向T上，按照絕緣層123的至少一部分位于內(nèi)部電極130中最接近于胚體110的一個主面10的邊緣部的位置和胚體110的一個主面10之間的方式，將絕緣層123直接設(shè)置于胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22上。
[0101]在作為絕緣性樹脂而使用了熱固化性絕緣性樹脂的情況下，通過對已噴涂的胚體110進行加熱而使絕緣性樹脂固化。在作為絕緣性樹脂而使用了紫外線固化性絕緣性樹脂的情況下，通過對已噴涂的胚體110照射紫外線而使絕緣性樹脂固化。
[0102]由已固化的絕緣性樹脂組成的絕緣層123的厚度優(yōu)選為ΙΟμ--以上且50μπι以下。更優(yōu)選絕緣層123的厚度為15 μ m以上且30 μ m以下。
[0103]在絕緣層123的厚度比10 μ m薄的情況下，絕緣層123的抗張力不足，在后述的鍍敷處理時在鍍敷槽內(nèi)被攪拌之際絕緣層123有可能剝離或破碎。在絕緣層123的厚度比50 μ m厚的情況下，成為絕緣層123向電子部件的外形的外側(cè)突出的狀態(tài)，在后述的鍍敷處理時在鍍敷槽內(nèi)被攪拌之際外力易作用于絕緣層123，故絕緣層123變得易于剝離。
[0104]另外，作為絕緣層123的形成方法，未限于噴涂，例如也可以是浸潰法、絲網(wǎng)印刷法或光刻法等。作為其他的絕緣層123的形成方法，例如也可以在使設(shè)有燒結(jié)體層121及增強層122的多個胚體110相互隔開間隔地保持于板上的狀態(tài)下，使已軟化的絕緣性樹脂流入該板上，由此在已設(shè)置有燒結(jié)體層121及增強層122的胚體110的表面涂敷絕緣性樹脂。
[0105]在設(shè)置Sn含有層124的工序(S114)中，按照覆蓋除了被絕緣層123覆蓋的部分以外的增強層122而構(gòu)成外部電極120的表面的另一部分的方式，設(shè)置Sn含有層124。
[0106]在本實施方式中，通過電鍍來設(shè)置Sn含有層124。具體是，通過滾筒鍍敷法來設(shè)置Sn含有層124。在將容納了設(shè)有燒結(jié)體層121、增強層122及絕緣層123的多個胚體110的滾筒浸潰到鍍敷槽內(nèi)的鍍敷液中的狀態(tài)下一邊使其旋轉(zhuǎn)一邊進行通電，由此在被絕緣層123覆蓋的部分以外的增強層122上設(shè)置Sn含有層124。
[0107]如上所述，絕緣層123僅不覆蓋設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22之中的一個主面10側(cè)的一部分。因而，Sn含有層124在胚體110的各端面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。再有，Sn含有層124在胚體110的一個主面10側(cè)覆蓋未被絕緣層123覆蓋的增強層122。其結(jié)果，Sn含有層124被設(shè)置成從胚體110的各端面?zhèn)葯M跨到一個主面10偵U。
[0108]進而，Sn含有層124在胚體110的各側(cè)面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。由此，Sn含有層124被設(shè)置成從胚體110的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)取Ｔ儆?，Sn含有層124被設(shè)置成從胚體110的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)取?br> [0109]利用焊料來安裝如上所述地制造出的電子部件100。作為焊料，可以使用Sn-Sb系、Sn-Cu系或Sn-Ag系的焊料。
[0110]圖7是表示利用焊料將本實施方式涉及的電子部件安裝到基板上的狀態(tài)的立體圖。如圖7所示，按照已圖案形成于基板20上的乳脂狀焊料與外部電極120的Sn含有層124接觸的方式，在基板20上配置電子部件100并進行回流焊，由此形成填錫30而將電子部件100安裝于基板20上。
[0111]在本實施方式涉及的電子部件100中，由于在外部電極120的表面設(shè)置有絕緣層123，故填錫30無法澗濕爬升到絕緣層123上，僅形成在外部電極120的表面中未被絕緣層123覆蓋的Sn含有層124所位于的部分。
[0112]S卩，絕緣層123被設(shè)置成在胚體110的各端面?zhèn)妊由齑嬖谟谡麄€寬度方向W，且在胚體110的各側(cè)面?zhèn)妊由齑嬖谟谡麄€長邊方向L，因此填錫30的濕潤爬升在胚體110的整周內(nèi)減少。
[0113]在本實施方式涉及的電子部件100的外部電極120中，如上所述，由于在不包含Sn的增強層122上直接設(shè)置絕緣層123，故在回流焊時乳脂狀焊料與Sn含有層124融合在一起之際，絕緣層123不會剝離。因而，可以有效地減少填錫30的濕潤爬升。
[0114]假設(shè)，在Sn含有層124上設(shè)置有絕緣層123的情況下，在回流焊時乳脂狀焊料與Sn含有層124融合在一起之際，位于熔化后的Sn含有層124上的絕緣層123剝離。因而，填錫會潤濕爬升到絕緣層123剝離所露出的Sn含有層124上，不能有效地減少填錫的濕潤爬升。
[0115]在本實施方式涉及的電子部件100中，在胚體110的至少各端面?zhèn)仍O(shè)置絕緣層123，由此可以減少填錫30的濕潤爬升，并抑制因填錫30的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而使胚體110產(chǎn)生裂紋的狀況。
[0116]再有，如上所述，內(nèi)部電極130不位于最短地連結(jié)胚體110的端面?zhèn)鹊慕^緣層123中的一個主面10側(cè)的邊緣的位置和一個主面10側(cè)的外部電極120的前端的位置所成的虛擬面P1上。假設(shè)，在因填錫30的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而產(chǎn)生了裂紋的情況下，裂紋易于沿著虛擬面P1而發(fā)展。為此，通過使內(nèi)部電極130不位于虛擬面P1上，從而可抑制內(nèi)部電極130因裂紋被切斷。其結(jié)果，可抑制因裂紋的產(chǎn)生而使電子部件100的電氣特性降低。
[0117]進而，如上所述，若將胚體110的一個主面10與內(nèi)部電極130的一個主面10側(cè)的邊緣部之間的距離的尺寸設(shè)為L1，將胚體110的各端面?zhèn)扰唧w110的一個主面10與絕緣層123的一個主面10側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體110的厚度方向T的距離的尺寸設(shè)為L2，將胚體110的厚度的尺寸設(shè)為Lt，則滿足LT/10 < L2 < L1的關(guān)系。
[0118]通過滿SLT/10< L2的關(guān)系，從而可以形成適度的填錫30并確保安裝時的電子部件100的姿勢穩(wěn)定性。再有，可抑制已被安裝的電子部件100因沖擊等而從基板20脫落。
[0119]另外，在胚體110的各側(cè)面?zhèn)?，?yōu)選按照絕緣層123位于最外側(cè)的方式覆蓋增強層122。這樣一來，在相互接近地安裝了多個電子部件100之際，假設(shè)在電子部件100的姿勢穩(wěn)定性不充分、且相互鄰接的電子部件100的側(cè)面彼此粘附使得各自的絕緣層123相互接觸的狀態(tài)下進行了安裝的情況下，可防止粘附在一起的電子部件100彼此電氣短路。
[0120]通過滿足L2 < L1的關(guān)系，從而由于在胚體110中填錫30未重疊形成于層疊有內(nèi)部電極130的區(qū)域、即功能區(qū)域，故可以使填錫30的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力難以作用于功能區(qū)域。其結(jié)果，可抑制起因于填錫30的熱收縮而在功能區(qū)域產(chǎn)生裂紋。
[0121]再有，通過滿足L2 < L1的關(guān)系，從而可減少所謂的“噪聲”(ac0UStic noise)的產(chǎn)生。以下說明其理由。
[0122]在胚體110由具有壓電性或電致伸縮性的材料構(gòu)成的情況下，若向電子部件100施加疊加有交流電壓或交流成分的直流電壓，則在電子部件100中將產(chǎn)生機械性變形的振動。若變形的振動傳播至基板20，則從基板20產(chǎn)生聲音。20Hz以上且20kHz以下的聲音作為可聽聲音會給人造成不適感。該現(xiàn)象即為所謂的“噪聲”。
[0123]在電子部件100中，成為機械性變形的振動的產(chǎn)生源的是上述功能區(qū)域。在功能區(qū)域產(chǎn)生的機械性變形的振動通過填錫而從外部電極120傳播至基板20。
[0124]通過滿足L2 < L1的關(guān)系，從而因為填錫30并未重疊形成于功能區(qū)域，所以可以減少通過填錫30從功能區(qū)域傳播至基板20的振動。其結(jié)果，可減少自基板20產(chǎn)生的聲音、即“噪聲”的產(chǎn)生。尤其，對于具備包含由相對介電常數(shù)L為3000以上的電介質(zhì)組成的電介質(zhì)層140在內(nèi)的胚體110的層疊陶瓷電容器、或公稱靜電電容為1yF以上的層疊陶瓷電容器等、易于產(chǎn)生“噪聲”的電子部件來說，效果變得顯著起來。
[0125]以下，對本發(fā)明實施方式2涉及的電子部件及其制造方法進行說明。其中，本實施方式涉及的電子部件10a僅在具備基底層這一點上不同于實施方式I涉及的電子部件100，故對其他構(gòu)成不再重復(fù)說明。
[0126](實施方式2)
[0127]圖8是表示本發(fā)明實施方式2涉及的電子部件的構(gòu)成的剖視圖。圖9是表示本發(fā)明實施方式2涉及的電子部件的制造方法的流程圖。另外，圖8中表示從與圖2相同的方向觀察到電子部件的剖面。
[0128]如圖8所示，本發(fā)明實施方式2涉及的電子部件10a的外部電極120a進一步包括基底層125，其是與增強層122不同的材料、且包含Cu或Ni?；讓?25按照覆蓋燒結(jié)體層121的整體的方式設(shè)置在燒結(jié)體層121與增強層122之間。
[0129]基底層125按照覆蓋燒結(jié)體層121的整體的方式直接設(shè)置在燒結(jié)體層121上。在本實施方式中，燒結(jié)體層121被設(shè)置成從胚體110的一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。再有，燒結(jié)體層121被設(shè)置成從胚體110的另一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。
[0130]由此，從胚體110的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置基底層125。再有，從胚體110的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置基底層125。
[0131]作為構(gòu)成基底層125的材料，是與構(gòu)成增強層122的材料不同的材料，可以使用Ni或者Ni合金、或、Cu或者Cu合金。在本實施方式中，基底層125由Cu組成。
[0132]在本實施方式中，增強層122按照覆蓋基底層125整體的方式設(shè)置在基底層125上。在本實施方式中，增強層122由Ni組成。
[0133]如圖9所示，本實施方式涉及的電子部件10a的制造方法具備:準(zhǔn)備胚體110的工序(S100)、以及按照與內(nèi)部電極130電連接的方式在胚體110的表面上設(shè)置外部電極120a 的工序(S210)。
[0134]設(shè)置外部電極120a的工序(S210)包括:設(shè)置包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層121的工序(sill)、設(shè)置是與增強層122不同的材料且包含Cu或Ni的基底層125的工序(S211)、設(shè)置包含Ni或Cu的增強層122的工序(S112)、設(shè)置由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層123的工序(SI 13)、及設(shè)置包含Sn的Sn含有層124的工序(SI 14)。
[0135]在設(shè)置基底層125的工序(S211)中，按照覆蓋燒結(jié)體層121整體的方式在燒結(jié)體層121與增強層122之間設(shè)置基底層125。在本實施方式中，通過電鍍來設(shè)置基底層125。具體是，通過滾筒鍍敷法來設(shè)置基底層125。在將容納了已設(shè)置燒結(jié)體層121的多個胚體110的滾筒浸潰到鍍敷槽內(nèi)的鍍敷液中的狀態(tài)下一邊使其旋轉(zhuǎn)一邊進行通電，從而在燒結(jié)體層121上設(shè)置基底層125。
[0136]在本實施方式中，通過電鍍來設(shè)置增強層122。具體是，通過滾筒鍍敷法來設(shè)置增強層122。在將容納了已設(shè)置燒結(jié)體層121與基底層125的多個胚體110的滾筒浸潰到鍍敷槽內(nèi)的鍍敷液中的狀態(tài)下一邊使其旋轉(zhuǎn)一邊進行通電，由此在基底層125上設(shè)置增強層
122。
[0137]通過在基底層125上設(shè)置增強層122，從而與將增強層122設(shè)置在燒結(jié)體層121上的情況相比較，能容易地通過鍍敷來設(shè)置增強層122。
[0138]在本實施方式涉及的電子部件10a中，通過在胚體110的至少各端面?zhèn)仍O(shè)置絕緣層123，從而也能減少填錫30的濕潤爬升來抑制因填錫30的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而使胚體110產(chǎn)生裂紋的狀況。
[0139]以下，對本發(fā)明實施方式3涉及的電子部件及其制造方法進行說明。其中，本實施方式涉及的電子部件10b僅在具備屏蔽層這一點上不同于實施方式2涉及的電子部件100a，故對其他構(gòu)成不再重復(fù)說明。
[0140](實施方式3)
[0141]圖10是表示本發(fā)明實施方式3涉及的電子部件的構(gòu)成的剖視圖。圖11是表示本發(fā)明實施方式3涉及的電子部件的制造方法的流程圖。其中，在圖10中表示從與圖2相同的方向觀察到電子部件的剖面。
[0142]如圖10所示，本發(fā)明實施方式3涉及的電子部件10b的外部電極120b進一步包含屏蔽層126，其是與增強層122不同的材料、且包含Cu或Ni。屏蔽層126設(shè)置在增強層122與Sn含有層124之間。
[0143]屏蔽層126按照覆蓋除了被絕緣層123覆蓋的部分以外的增強層122的方式設(shè)置在增強層122上。在本實施方式中，屏蔽層126被設(shè)置成從胚體110的各端面?zhèn)葯M跨到一個主面10側(cè)。如上所述，絕緣層123僅不覆蓋設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22之中的一個主面10側(cè)的一部分。因而，屏蔽層126在胚體110的各端面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。
[0144]再有，屏蔽層126在胚體110的一個主面10側(cè)覆蓋未被絕緣層123覆蓋的增強層122。進而，屏蔽層126在胚體110的各側(cè)面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。
[0145]如上所述，增強層122被設(shè)置成從胚體110的一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。再有，增強層122被設(shè)置成從胚體110的另一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。
[0146]由此，從胚體110的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置屏蔽層126。再有，從胚體110的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置屏蔽層126。
[0147]作為構(gòu)成屏蔽層126的材料，是與構(gòu)成增強層122的材料不同的材料，可以使用Ni或者Ni合金、或Cu或者Cu合金。在本實施方式中，屏蔽層126由Cu組成。
[0148]另外，屏蔽層126也可以擱淺數(shù)μ m左右而形成在絕緣層123的端部上。該情況下，優(yōu)選絕緣層123的表面粗糙度較大。再有，與屏蔽層126的厚度的尺寸相比，優(yōu)選擱淺至絕緣層123的端部上的部分中屏蔽層126沿著胚體110的厚度方向T的長度的尺寸較大。這樣一來，該情況下擱淺于絕緣層123的端部上的屏蔽層126將浸入絕緣層123的表面的凹部內(nèi)而成為鞋釘狀，從而與絕緣層123的密接性升高。其結(jié)果，絕緣層123與屏蔽層126的邊界被緊密地接合，可進一步抑制在安裝時填錫浸入絕緣層123與屏蔽層126的邊界。
[0149]如圖11所示，本實施方式涉及的電子部件10b的制造方法具備:準(zhǔn)備胚體110的工序(S100)、以及按照與內(nèi)部電極130電連接的方式在胚體110的表面上設(shè)置外部電極120b 的工序(S310)。
[0150]設(shè)置外部電極120b的工序(S310)包括:設(shè)置包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層121的工序(Slll);設(shè)置是與增強層122不同的材料且包含Cu或Ni的基底層125的工序(S211)；設(shè)置包含Ni或Cu的增強層122的工序(S112);設(shè)置由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層123的工序(SI 13);設(shè)置是與增強層122不同的材料且包含Cu或Ni的屏蔽層126的工序(S311);及設(shè)置包含Sn的Sn含有層124的工序(SI 14)。
[0151]在設(shè)置屏蔽層126的工序(S311)中，按照覆蓋除了被絕緣層123覆蓋的部分以外的增強層122的方式設(shè)置屏蔽層126。在本實施方式中，通過電鍍來設(shè)置屏蔽層126。具體是，通過滾筒鍍敷法來設(shè)置屏蔽層126。在將容納了已設(shè)置燒結(jié)體層121、基底層125、增強層122及絕緣層123的多個胚體110的滾筒浸潰到鍍敷槽內(nèi)的鍍敷液中的狀態(tài)下一邊使其旋轉(zhuǎn)一邊進行通電，由此在被絕緣層123覆蓋的部分以外的增強層122上設(shè)置屏蔽層126。
[0152]如上所述，絕緣層123僅不覆蓋設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22之中的一個主面10側(cè)的一部分。因而，屏蔽層126在胚體110的各端面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。再有，屏蔽層126在胚體110的一個主面10側(cè)覆蓋未被絕緣層123覆蓋的增強層122。其結(jié)果，屏蔽層126被設(shè)置成從胚體110的各端面?zhèn)葯M跨到一個主面10偵U。
[0153]進而，屏蔽層126在胚體110的各側(cè)面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。由此，從胚體110的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置屏蔽層126。再有，從胚體110的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置屏蔽層126。
[0154]在設(shè)置Sn含有層124的工序(S114)中，按照覆蓋除了被絕緣層123覆蓋的部分以外的增強層122而構(gòu)成外部電極120的表面的另一部分的方式，在屏蔽層126上設(shè)置Sn含有層124。
[0155]在本實施方式中，通過電鍍來設(shè)置Sn含有層124。具體是，通過滾筒鍍敷法來設(shè)置Sn含有層124。在將容納了已設(shè)置燒結(jié)體層121、基底層125、增強層122、絕緣層123及屏蔽層126的多個胚體110的滾筒浸潰到鍍敷槽內(nèi)的鍍敷液中的狀態(tài)下一邊使其旋轉(zhuǎn)一邊進行通電，由此在屏蔽層126上設(shè)置Sn含有層124。其結(jié)果，Sn含有層124被設(shè)置成從胚體110的各端面?zhèn)葯M跨到一個主面10側(cè)。進而，Sn含有層124在胚體110的各側(cè)面?zhèn)缺辉O(shè)置在屏蔽層126上。
[0156]由此，從胚體110的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置Sn含有層124。再有，從胚體110的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置Sn含有層124。
[0157]在本實施方式涉及的電子部件10b中，通過在胚體110的至少各端而側(cè)設(shè)置絕緣層123，從而也可以減少填錫30的濕潤爬升來抑制因填錫30的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而使胚體110產(chǎn)生裂紋。另外，也可以并非一定要設(shè)置基底層125。
[0158]以下，對本發(fā)明實施方式4涉及的電子部件進行說明。其中，本實施方式涉及的電子部件400僅絕緣層及Sn含有層的位置不同于實施方式I涉及的電子部件100，故對其他構(gòu)成不再重復(fù)說明。
[0159](實施方式4)
[0160]圖12是表示本發(fā)明的實施方式4涉及的電子部件的外觀的立體圖。圖13是從ΧΙΠ-ΧΙΠ線箭頭方向觀察到圖12的電子部件的剖視圖。
[0161]如圖12、13所示，本發(fā)明實施方式4涉及的電子部件400具備:胚體110、以及設(shè)置在胚體I1的表面上并與內(nèi)部電極130電連接的外部電極420。外部電極420包括:包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層121、不包含Sn但包含Cu或Ni的增強層122、由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層423、及包含Sn的Sn含有層424。
[0162]絕緣層423按照延伸存在于與胚體110的側(cè)面正交的方向、即寬度方向W上的方式直接設(shè)置在各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22上，從而構(gòu)成外部電極420的表面的一部分。
[0163]在本實施方式中，絕緣層423在胚體110的各端面?zhèn)妊由齑嬖谟谂唧w110的整個寬度方向W。如圖13所示，內(nèi)部電極130不位于最短地連結(jié)胚體110的端面?zhèn)鹊慕^緣層423中的一個主面10側(cè)的邊緣的位置和胚體110的一個主面10側(cè)的外部電極420的前端的位置所成的虛擬面P1上。
[0164]另外，在本實施方式中，如圖13所示，在與胚體110的側(cè)面平行的任意面中的電子部件400的剖面中，構(gòu)成虛擬面P1的虛擬線與全部內(nèi)部電極130并不交叉，但也可以包含與上述虛擬線交叉的內(nèi)部電極130。其中，優(yōu)選上述虛擬線與全部內(nèi)部電極130不交叉。
[0165]再有，絕緣層423在與胚體110的主面正交的方向、即厚度方向T上，按照絕緣層423的至少一部分位于內(nèi)部電極130中最接近于胚體110的一個主面10的邊緣部的位置和胚體110的一個主面10之間的方式，直接設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22上。
[0166]具體是，若將胚體110的一個主面10與內(nèi)部電極130的一個主面10側(cè)的邊緣部之間的距離的尺寸設(shè)為L1，則在胚體110的各端面?zhèn)?，胚體110的一個主面10與絕緣層423的一個主面10側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體110的厚度方向T的距離的尺寸L2滿足L2〈L1的關(guān)系。
[0167]在本實施方式中，L2 > O。S卩，絕緣層423并未覆蓋設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22的一個主面10側(cè)的一部分。其中，若將胚體110的厚度的尺寸設(shè)為Lt，則更優(yōu)選L2 > LT/10。因而，在電子部件400中，優(yōu)選滿足L2 < L1的關(guān)系、及、L2 > Lt/1的關(guān)系雙方。在本實施方式中，電子部件400滿足LT/10 < L2 < L1的關(guān)系。
[0168]再有，如圖13所示，對于絕緣層423而言，被設(shè)置成內(nèi)部電極130不位于最短地連結(jié)胚體I1的端面?zhèn)鹊慕^緣層423中的另一個主面11側(cè)的邊緣的位置和胚體110的另一個主面11側(cè)的外部電極420的前端的位置所成的虛擬面P2。
[0169]另外，如圖13所示，在本實施方式中，在與胚體110的側(cè)面平行的任意面中的電子部件400的剖面上，構(gòu)成虛擬面P2的虛擬線與全部內(nèi)部電極130并不交叉，但也可以包含與上述虛擬線交叉的內(nèi)部電極130。其中，優(yōu)選上述虛擬線與全部內(nèi)部電極130不交叉。
[0170]再有，絕緣層423在與胚體110的主面正交的方向、即厚度方向T上，按照絕緣層423的至少一部分位于內(nèi)部電極130中最接近于胚體110的另一個主面11的邊緣部的位置和胚體110的另一個主面11之間的方式，直接設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22上:O
[0171]具體是，若將胚體110的另一個主面11和最接近于另一個主面11的內(nèi)部電極130的另一個主面11側(cè)的邊緣部之間的距離的尺寸設(shè)為L3，則在胚體110的各端面?zhèn)?，胚體110的另一個主面11與絕緣層423的另一個主面11側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體110的厚度方向T的距離的尺寸L4滿足L4 < L3的關(guān)系。
[0172]在本實施方式中，L4 > O。S卩，絕緣層423并未覆蓋設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22的另一個主面11側(cè)的一部分。其中，若將胚體110的厚度的尺寸設(shè)為Lt，則更優(yōu)選L4 > LT/10。因而，在電子部件400中，優(yōu)選滿足L4 < L3的關(guān)系、及、L4 > Lt/1的關(guān)系雙方。在本實施方式中，電子部件400滿足LT/10 < L4 < L3的關(guān)系。
[0173]還有，絕緣層423在胚體110的各側(cè)面?zhèn)妊由齑嬖谟谂c胚體110的端面正交的方向、即長邊方向L上。在本實施方式中，絕緣層423在胚體110的各側(cè)面?zhèn)妊由齑嬖谟谂唧w110的整個長邊方向L上。S卩，絕緣層423的一部分在胚體110的各側(cè)面?zhèn)戎苯釉O(shè)置于增強層122上。絕緣層423的另一部分直接設(shè)置在胚體110的各側(cè)面上。
[0174]設(shè)置于胚體110的各端面?zhèn)鹊慕^緣層423和設(shè)置于胚體110的各側(cè)面?zhèn)鹊慕^緣層423相互連接而具有環(huán)狀的形狀。在胚體110的各側(cè)面?zhèn)?，胚體110的一個主面10和絕緣層423的一個主面10側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體110的厚度方向T的距離的尺寸為L20在胚體110的各側(cè)面?zhèn)?，胚體110的另一個主面11和絕緣層423的另一個主面11側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體110的厚度方向T的距離的尺寸為L4。在本實施方式中，將尺寸L2與尺寸L4設(shè)為相同。
[0175]作為絕緣層423的形成方法，例如也可以在將已設(shè)置燒結(jié)體層121及增強層122的多個胚體110相互隔開間隔地由具有彈性的2張板夾持的狀態(tài)下，使已軟化的絕緣性樹脂流入這2張板間，由此在已設(shè)置有燒結(jié)體層121及增強層122的胚體110的表面上涂敷絕緣性樹脂。這樣一來，由于在設(shè)置有燒結(jié)體層121及增強層122的胚體110中沉入2張板的部分并未附著絕緣性樹脂，故可以形成上述的絕緣層423。
[0176]Sn含有層424按照覆蓋除了被絕緣層423覆蓋的部分以外的增強層122的方式設(shè)置在增強層122上，從而構(gòu)成了外部電極420的表面的另一部分。
[0177]在本實施方式中，Sn含有層424被設(shè)置成從胚體110的各端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及另一個主面11側(cè)。如上所述，絕緣層423并未覆蓋設(shè)置在胚體110的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22的一個主面10側(cè)的一部分及另一個主面11側(cè)的一部分。因而，Sn含有層424在胚體110的各端面?zhèn)雀采w位于一個主面10側(cè)的增強層122的一部分、及位于另一個主面11側(cè)的增強層122的一部分。
[0178]再有，含有層424在胚體110的一個主面10側(cè)及另一個主面11側(cè)覆蓋未被絕緣層423覆蓋的增強層122。進而，％含有層424在胚體110的各側(cè)面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層423覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分、及位于未被絕緣層423覆蓋的另一個主面11側(cè)的增強層122的一部分。
[0179]如上所述，增強層122被設(shè)置成從胚體110的一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。再有，增強層122被設(shè)置成從胚體110的另一個端面上橫跨到胚體110的各主面上及各側(cè)面上。
[0180]由此，從胚體110的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置5打含有層424。同樣地，從胚體110的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的另一個主面11側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置5打含有層424。
[0181]再有，從胚體110的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置％含有層424。同樣，從胚體110的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體110的另一個主面11側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置311含有層424。
[0182]在本實施方式中，在電子部件400的外部電極420中可以將胚體110的一個主面10側(cè)及另一個主面11側(cè)雙方作為與基板20的安裝面。
[0183]即，在電子部件400的外部電極420中無論將胚體110的一個主面10側(cè)及另一個主面11側(cè)的哪一個作為安裝面的情況，均能減少填錫30的濕潤爬升來抑制因填錫30的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而使胚體110產(chǎn)生裂紋的狀況。
[0184]因而，在本實施方式涉及的電子部件400中，可以對胚體110的厚度方向I上的電子部件400的朝向無限制地安裝電子部件400。
[0185]以下，對本發(fā)明實施方式5涉及的電子部件進行說明。其中，本實施方式涉及的電子部件500僅內(nèi)部電極的層疊方向不同于實施方式1涉及的電子部件100，因此對其他構(gòu)成不再重復(fù)說明。
[0186](實施方式5)
[0187]圖14是表示本發(fā)明實施方式5涉及的電子部件的外觀的立體圖。圖15是從線箭頭方向觀察到圖14的電子部件的剖視圖。圖16是從線箭頭方向觀察到圖14的電子部件的剖視圖。圖17是從線箭頭方向觀察到圖15、16的電子部件的剖視圖。圖18是從線箭頭方向觀察到圖15、16的電子部件的剖視圖。在圖14中，用I表示胚體的長邊方向，用I表示胚體的寬度方向，用I表示胚體的厚度方向。
[0188]如圖14?18所示，本發(fā)明實施方式5涉及的電子部件500具備:埋設(shè)了內(nèi)部電極130的大致長方體狀的胚體510、以及設(shè)置在胚體510的表面上并與內(nèi)部電極130電連接的外部電極120。
[0189]在胚體510中，電介質(zhì)層140與平板狀的內(nèi)部電極130交替地層疊。電介質(zhì)層140與內(nèi)部電極130的層疊方向相對于胚體510的長邊方向[及胚體510的厚度方向I而正交。即，電介質(zhì)層140與內(nèi)部電極130的層疊方向平行于胚體510的寬度方向胃。
[0190]胚體510具有與厚度方向I正交的1對主面、與長邊方向I正交的1對端面、及與寬度方向I正交的1對側(cè)面。1對主面由一個主面10與另一個主面11組成。一個主面10在安裝時的電子部件500中是位于電子部件500的安裝面?zhèn)鹊拿?。即，在將電子部?00安裝于基板上的情況下，一個主面10是與基板對置的面。
[0191]這樣，胚體510具有:相對于電介質(zhì)層140和內(nèi)部電極130的層疊方向而正交的1對側(cè)面、連結(jié)側(cè)面彼此間的1對主面、及與1對主面和1對側(cè)面分別正交的1對端面。
[0192]另外，胚體510具有在角部有圓潤度的大致長方體狀的外形，但也可以在角部不具有圓潤度。再有，也可以在1對主面、1對端面及1對側(cè)面的任一面形成凹凸。
[0193]在相互相鄰并對置的內(nèi)部電極130彼此中，一個內(nèi)部電極130在胚體510的一個端面?zhèn)扰c外部電極120電連接，另一個內(nèi)部電極130在胚體510的另一個端面?zhèn)扰c外部電極120電連接。
[0194]在本實施方式中，絕緣層123在胚體510的各端面?zhèn)妊由齑嬖谟谂唧w510的整個寬度方向I上。如圖15、16所示，內(nèi)部電極130不位于最短地連結(jié)胚體510的端面?zhèn)鹊慕^緣層123中的一個主面10側(cè)的邊緣的位置和胚體510的一個主面10側(cè)的外部電極120的前端的位置所成的虛擬面上。
[0195]另外，在本實施方式中，如圖15、16所示，在與胚體510的側(cè)面平行的任意面中的電子部件500的剖面，構(gòu)成虛擬面？工的虛擬線與全部內(nèi)部電極130并不交叉，但也可以包含與上述虛擬線交叉的內(nèi)部電極130。其中，優(yōu)選上述虛擬線與全部內(nèi)部電極130不交叉。
[0196]再有，絕緣層123在與胚體510的主面正交的方向、即厚度方向I上，按照絕緣層123的至少一部分位于內(nèi)部電極130中最接近于胚體510的一個主面10的邊緣部的位置和胚體510的一個主面10之間的方式，直接設(shè)置在胚體510的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22上。
[0197]具體是，若將胚體510的一個主面10與內(nèi)部電極130的一個主面10側(cè)的邊緣之間的距離的尺寸設(shè)為、，則在胚體510的各端面?zhèn)?，胚體510的一個主面10與絕緣層123的一個主面10側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體510的厚度方向I的距離的尺寸。滿足〈1^5的關(guān)系。
[0198]在本實施方式中，12 ? 0。即，絕緣層123僅不覆蓋設(shè)置在胚體510的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22之中的一個主面10側(cè)的一部分。另外，若將胚體510的厚度的尺寸設(shè)為。，貝0優(yōu)選。? 1,/10.因而，在電子部件500中優(yōu)選滿足。? 15的關(guān)系、及、。? 1^/10的關(guān)系雙方。在本實施方式中，電子部件500滿足。/川? 12 ? 15的關(guān)系。
[0199]再有，絕緣層123在胚體510的各側(cè)面?zhèn)妊由齑嬖谟谂c胚體510的端面正交的方向、即長邊方向[上。在本實施方式中，絕緣層123在胚體510的各側(cè)面?zhèn)妊由齑嬖谟谂唧w510的整個長邊方向[上。即，絕緣層123的一部分在胚體510的各側(cè)面?zhèn)戎苯釉O(shè)置于增強層122上。絕緣層123的另一部分直接設(shè)置在胚體510的各側(cè)面上。
[0200]設(shè)置在胚體510的各端面?zhèn)鹊慕^緣層123和設(shè)置在胚體510的各側(cè)面?zhèn)鹊慕^緣層123相互連接而具有環(huán)狀的形狀。在胚體510的各側(cè)面?zhèn)?，胚體510的一個主面10和絕緣層123的一個主面10側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體510的厚度方向I的距離的尺寸為。
[0201]進而，絕緣層123覆蓋胚體510的另一個主面11側(cè)的整體。即，絕緣層123的一部分在胚體510的另一個主面11側(cè)直接設(shè)置于增強層122上。絕緣層123的另一部分直接設(shè)置在胚體510的另一個主面11上。覆蓋胚體510的另一個主面11側(cè)的絕緣層123和設(shè)置在胚體510的各端面?zhèn)鹊慕^緣層123及設(shè)置在胚體510的各側(cè)面?zhèn)鹊慕^緣層123各自相互連接。
[0202]這樣，絕緣層123的一部分直接設(shè)置在胚體510的另一個主面11上及胚體510的各側(cè)面上。與增強層122相比，絕緣層123與胚體510的密接性高。因而，通過將絕緣層123的一部分直接設(shè)置在胚體510上，從而可抑制鍍敷處理時或安裝時絕緣層123剝離。
[0203]在本實施方式中，&1含有層124被設(shè)置成從胚體510的各端面?zhèn)葯M跨到一個主面10偵彳。如上所述，絕緣層123僅不覆蓋設(shè)置在胚體510的各端面?zhèn)鹊脑鰪妼?22之中的一個主面10側(cè)的一部分。因而，％含有層124在胚體510的各端面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。
[0204]再有，811含有層124在胚體510的一個主面10側(cè)覆蓋未被絕緣層123覆蓋的增強層122。進而，％含有層124在胚體510的各側(cè)面?zhèn)雀采w位于未被絕緣層123覆蓋的一個主面10側(cè)的增強層122的一部分。
[0205]如上所述，增強層122被設(shè)置成從胚體510的一個端面上橫跨到各主面上及各側(cè)面上。再有，增強層122被設(shè)置成從胚體510的另一個端面上橫跨到各主面上及各側(cè)面上。
[0206]由此，從胚體510的一個端面?zhèn)葯M跨到一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置311含有層124。再有，從胚體510的另一個端面?zhèn)葯M跨到一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊卦O(shè)置含有層 124。
[0207]被設(shè)置成從胚體510的一個端面?zhèn)葯M跨到胚體510的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊模ズ袑?24和被設(shè)置成從胚體510的另一個端面?zhèn)葯M跨到胚體510的一個主面10側(cè)及各側(cè)面?zhèn)鹊模ズ袑?24，相互分離開，并未被電連接。
[0208]在本實施方式涉及的電子部件500中，通過在胚體510的至少各端面?zhèn)仍O(shè)置絕緣層123，從而也可以減少填錫30的濕潤爬升來抑制因填錫30的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而使胚體510產(chǎn)生裂紋的狀況。
[0209]如上所述，內(nèi)部電極130不位于最短地連結(jié)胚體510的端面?zhèn)鹊慕^緣層123中的一個主面10側(cè)的邊緣的位置和一個主面10側(cè)的外部電極120的前端的位置所成的虛擬面
假設(shè)，在因填錫的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力而產(chǎn)生了裂紋的情況下，裂紋容易沿著虛擬面而發(fā)展。為此，通過使內(nèi)部電極130并不位于虛擬面？工上，從而可抑制因裂紋使內(nèi)部電極130被切斷。其結(jié)果，可抑制因裂紋的產(chǎn)生而使電子部件500的電氣特性降低。
[0210]進而，如上所述，若將胚體510的一個主面10與內(nèi)部電極130的一個主面10側(cè)的邊緣之間的距離的尺寸設(shè)為、，將胚體510的各端面?zhèn)扰唧w510的一個主面10與絕緣層123的一個主面10側(cè)的端部的位置之間的沿著胚體510的厚度方向I的距離的尺寸設(shè)為12，將胚體510的厚度的尺寸設(shè)為則滿足。/川? 12 ? 15的關(guān)系。
[0211]通過滿足1710 ? 12的關(guān)系，從而可以形成適度的填錫以確保安裝時的電子部件500的姿勢穩(wěn)定性。再有，可抑制已被安裝的電子部件500因沖擊等而從基板脫落。
[0212]另外，在胚體510的各側(cè)面?zhèn)?，?yōu)選按照絕緣層123位于最外側(cè)的方式覆蓋增強層122。這樣一來，在將多個電子部件500相互接近地進行安裝之際，假設(shè)在電子部件500的姿勢穩(wěn)定性不充分、且相互鄰接的電子部件500的側(cè)面彼此粘附使得各自的絕緣層123相互接觸的狀態(tài)下被安裝的情況下，可防止粘附的電子部件500彼此電氣短路。
[0213]通過滿足12 ? 15的關(guān)系，從而因為在胚體510中填錫未重疊形成于層疊有內(nèi)部電極130的區(qū)域、即功能區(qū)域，所以能使填錫的熱收縮所引起的拉伸應(yīng)力難以作用于功能區(qū)域。其結(jié)果，可抑制起因于填錫的熱收縮而使功能區(qū)域產(chǎn)生裂紋。
[0214]另外，在實施方式2涉及的電子部件1003、實施方式3涉及的電子部件1001及實施方式4涉及的電子部件400的每一個中，也可以將內(nèi)部電極130的層疊方向設(shè)為與本實施方式的電子部件500同樣。
[0215]應(yīng)該認(rèn)為本次公開的實施方式在所有方面都只是例示，而不是限制性的。本發(fā)明的范圍并不是由上述的說明而是由權(quán)利要求來表示，意味著包含與權(quán)利要求范圍均等的含義及范圍內(nèi)的所有變更。
[0216]符號說明
[0217]10 一個主面；11另一個主面；20基板；30填錫；100、1003、10013、400、500電子部件；110、510胚體；120、1203、12013、420外部電極；121燒結(jié)體層；122增強層；123、423絕緣層；124,424811含有層；125基底層；126屏蔽層；130、131、132內(nèi)部電極；140電介質(zhì)層。
【權(quán)利要求】
1.一種電子部件，包括: 胚體，其埋設(shè)有內(nèi)部電極，且具有I對主面、連結(jié)該主面彼此間的I對側(cè)面、及與所述I對主面和所述I對側(cè)面分別正交的I對端面；和 外部電極，其設(shè)置在所述胚體的表面上，且與所述內(nèi)部電極電連接， 所述外部電極包括:包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層、不包含Sn但包含Cu或Ni的增強層、由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層、及包含Sn的Sn含有層， 所述燒結(jié)體層按照覆蓋各所述端面的方式從各所述端面上橫跨到至少一個所述主面上地設(shè)置， 所述增強層被設(shè)置為覆蓋所述燒結(jié)體層的整體， 所述絕緣層按照延伸存在于與所述側(cè)面正交的方向上的方式直接設(shè)置在各所述端面?zhèn)鹊乃鲈鰪妼由?，從而?gòu)成了所述外部電極的表面的一部分， 所述Sn含有層被設(shè)置為覆蓋除了被所述絕緣層覆蓋的部分以外的所述增強層，從而構(gòu)成了所述外部電極的表面的另一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其中， 所述Sn含有層從各所述端面?zhèn)葯M跨到一個所述主面?zhèn)鹊卦O(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其中， 所述內(nèi)部電極不位于最短地連結(jié)所述端面?zhèn)鹊乃鼋^緣層中的一個所述主面?zhèn)鹊倪吘壍奈恢煤鸵粋€所述主面?zhèn)鹊乃鐾獠侩姌O的前端的位置所成的虛擬面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其中， 所述絕緣層在與所述主面正交的方向上，按照所述絕緣層的至少一部分位于所述內(nèi)部電極中最接近于一個所述主面的邊緣部的位置與一個所述主面之間的方式，設(shè)置在各所述端面?zhèn)鹊乃鲈鰪妼由稀?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的電子部件，其中， 所述燒結(jié)體層被設(shè)置為從各所述端面上橫跨到各所述側(cè)面上， 所述絕緣層按照延伸存在于與所述端面正交的方向上的方式設(shè)置在各所述側(cè)面?zhèn)鹊乃鲈鰪妼由稀?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的電子部件，其中， 所述外部電極還包括:基底層，其是與所述增強層不同的材料，且包含Cu或Ni， 所述基底層按照覆蓋所述燒結(jié)體層的整體的方式設(shè)置在所述燒結(jié)體層與所述增強層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項所述的電子部件，其中， 所述外部電極還包括:屏蔽層，其是與所述增強層不同的材料，且包含Cu或Ni， 所述屏蔽層設(shè)置在所述增強層與所述Sn含有層之間。
8.一種電子部件的制造方法，具備: 準(zhǔn)備胚體的工序，該胚體埋設(shè)有內(nèi)部電極、且具有I對主面、連結(jié)該主面彼此間的I對側(cè)面、及與所述I對主面和所述I對側(cè)面分別正交的I對端面；和 按照與所述內(nèi)部電極電連接的方式將外部電極設(shè)置在所述胚體的表面上的工序， 設(shè)置所述外部電極的工序包括:設(shè)置包含燒結(jié)金屬的燒結(jié)體層的工序、設(shè)置不包含Sn但包含Cu或Ni的增強層的工序、設(shè)置由具有電絕緣性的材料組成的絕緣層的工序、及設(shè)置包含Sn的Sn含有層的工序， 在設(shè)置所述燒結(jié)體層的工序中，按照覆蓋各所述端面的方式從各所述端面上橫跨到至少一個所述主面上地設(shè)置所述燒結(jié)體層， 在設(shè)置所述增強層的工序中，按照覆蓋所述燒結(jié)體層的整體的方式設(shè)置所述增強層， 在設(shè)置所述絕緣層的工序中，按照延伸存在于與所述側(cè)面正交的方向上而構(gòu)成所述外部電極的表面的一部分的方式，將所述絕緣層直接設(shè)置在各所述端面?zhèn)鹊乃鲈鰪妼由希? 在設(shè)置所述Sn含有層的工序中，按照覆蓋除了被所述絕緣層覆蓋的部分以外的所述增強層而構(gòu)成所述外部電極的表面的另一部分的方式，設(shè)置所述Sn含有層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子部件的制造方法，其中， 在設(shè)置所述Sn含有層的工序中，從各所述端面?zhèn)葯M跨到一個所述主面?zhèn)鹊卦O(shè)置所述Sn含有層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子部件的制造方法，其中， 在設(shè)置所述外部電極的工序中，按照所述內(nèi)部電極不位于最短地連結(jié)所述端面?zhèn)鹊乃鼋^緣層中的一個所述主面?zhèn)鹊倪吘壍奈恢煤鸵粋€所述主面?zhèn)鹊乃鐾獠侩姌O的前端的位置所成的虛擬面上的方式，設(shè)置所述外部電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子部件的制造方法，其中， 在設(shè)置所述絕緣層的工序中，在與所述主面正交的方向上，按照所述絕緣層的至少一部分位于所述內(nèi)部電極中最接近于一個所述主面的邊緣部的位置與一個所述主面之間的方式，將所述絕緣層設(shè)置在各所述端面?zhèn)鹊乃鲈鰪妼由稀?br> 12.根據(jù)權(quán)利要求8?11中任一項所述的電子部件的制造方法，其中， 在設(shè)置所述燒結(jié)體層的工序中，從各所述端面上橫跨到各所述側(cè)面上地設(shè)置所述燒結(jié)體層， 在設(shè)置所述絕緣層的工序中，按照延伸存在于與所述端面正交的方向上的方式，將所述絕緣層設(shè)置在各所述側(cè)面?zhèn)鹊乃鲈鰪妼由稀?br> 13.根據(jù)權(quán)利要求8?12中任一項所述的電子部件的制造方法，其中， 設(shè)置所述外部電極的工序還包括:設(shè)置基底層的工序，該基底層是與所述增強層不同的材料、且包含Cu或Ni， 在設(shè)置所述基底層的工序中，按照覆蓋所述燒結(jié)體層的整體的方式，將所述基底層設(shè)置在所述燒結(jié)體層與所述增強層之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求8?13中任一項所述的電子部件的制造方法，其中， 設(shè)置所述外部電極的工序還包括:設(shè)置屏蔽層的工序，該屏蔽層是與所述增強層不同的材料、且包含Cu或Ni， 在設(shè)置所述屏蔽層的工序中，將所述屏蔽層設(shè)置在所述增強層與所述Sn含有層之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求8?14中任一項所述的電子部件的制造方法，其中， 在設(shè)置所述燒結(jié)體層的工序中，同時燒成所述胚體所包含的電介質(zhì)層和所述燒結(jié)體層。
【文檔編號】H01G4/12GK104465090SQ201410494423
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】森治彥, 大綱弘幸 申請人:株式會社村田制作所