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集成的無源封裝、半導(dǎo)體模塊和制造方法

文檔序號:7054373閱讀:185來源:國知局
集成的無源封裝、半導(dǎo)體模塊和制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及集成的無源封裝、半導(dǎo)體模塊和制造方法。集成的無源封裝包含密封化合物和多個嵌入在密封化合物中的導(dǎo)電焊盤。焊盤中的每一個具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)。焊盤的第一側(cè)沒有被密封化合物覆蓋,并且在封裝的第一側(cè)形成外部電連接陣列。集成的無源封裝進(jìn)一步包含多個嵌入在密封化合物中的無源組件。無源組件中的每一個在焊盤的第二側(cè)具有附連到焊盤中的一個的第一端子和附連到不同的一個焊盤的第二端子。相應(yīng)的半導(dǎo)體模塊和制造方法也被提供。
【專利說明】集成的無源封裝、半導(dǎo)體模塊和制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及半導(dǎo)體模塊,特別是包含無源器件的半導(dǎo)體模塊。
[0002]

【背景技術(shù)】
包含無源組件諸如電感器、電容器和/或電阻器的傳統(tǒng)半導(dǎo)體模塊典型地使用用密封化合物覆蓋的引線框架或者層壓基板來制造。在傳統(tǒng)的層壓基板的情形中,分立的無源組件和有源半導(dǎo)體管芯(芯片)被放置在層壓基板上,經(jīng)由鍵合引線互連以形成集成電路,或者簡單的SMT拾放工藝用來放置必要的組件,并且隨后管芯用密封化合物覆蓋。在傳統(tǒng)的引線框架的情形中,無源組件被提供作為被放置在帶有有源半導(dǎo)體管芯的引線框架上的一個或者多個管芯。每個無源管芯包含集成到芯片中的無源組件,典型地被稱為集成的無源管芯(iro)。無源和有源管芯經(jīng)由鍵合引線互連,并且隨后用密封化合物覆蓋。層壓基板比引線框架更加昂貴,從而增加使用層壓基板而不是引線框架的半導(dǎo)體模塊的成本。使用在引線框架上的無源管芯的半導(dǎo)體模塊比使用層壓基板的模塊在更改客戶規(guī)格方面具有更小的靈活度,特別是在研發(fā)階段,導(dǎo)致長響應(yīng)時間和更高的成本。與層壓基板解決方案相比,iro典型地具有更高的成本和周期時間(即晶圓制造),并且也具有緩慢的對客戶設(shè)計更改的響應(yīng)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]依據(jù)集成的無源封裝的實施例,所述集成的無源封裝包括嵌入在密封化合物中的多個導(dǎo)電焊盤和多個無源組件。所述焊盤中的每一個具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)。所述焊盤的所述第一側(cè)沒有被所述密封化合物覆蓋,并且在所述封裝的第一側(cè)形成外部電連接陣列。在所述焊盤的所述第二側(cè),所述無源組件中的每一個具有附連到所述焊盤中的一個的第一端子和附連到所述焊盤中的不同的一個的第二端子。
[0004]依據(jù)制造集成的無源封裝的方法的實施例,所述方法包括:提供多個導(dǎo)電焊盤和多個無源組件,每個焊盤具有相對的第一側(cè)和第二側(cè),并且每個無源組件具有第一和第二端子;在所述焊盤的所述第二側(cè),附連每個無源組件的所述第一端子到所述焊盤中的一個并且附連所述第二端子到所述焊盤中的不同的一個;將所述焊盤和所述無源組件嵌入在密封化合物中,從而所述焊盤的所述第一側(cè)沒有被所述密封化合物覆蓋;并且將嵌入的焊盤和無源組件的群組分隔成分立的集成的無源封裝,每個集成的無源封裝在所述封裝的一側(cè)具有通過包含在所述封裝中的所述焊盤的所述第一側(cè)形成的外部電連接陣列。
[0005]依據(jù)半導(dǎo)體模塊的實施例,所述半導(dǎo)體模塊包括集成的無源封裝和半導(dǎo)體管芯。所述集成的無源封裝包括嵌入在密封化合物中的多個導(dǎo)電焊盤和多個無源組件。所述焊盤中的每一個具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)。所述焊盤的所述第一側(cè)沒有被所述密封化合物覆蓋,并且在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)形成外部電連接陣列。在所述焊盤的所述第二側(cè),所述無源組件中的每一個具有附連到所述焊盤中的一個的第一端子和附連到所述焊盤中的不同的一個的第二端子。所述半導(dǎo)體管芯被電連接到在所述集成的無源封裝的第一側(cè)的外部電連接中的至少一些。
[0006]依據(jù)制造半導(dǎo)體模塊的方法的實施例,所述方法包括提供集成的無源封裝,所述集成的無源封裝包括:嵌入在密封化合物中的多個導(dǎo)電焊盤,所述焊盤中的每一個具有相對的第一側(cè)和第二側(cè),所述焊盤的所述第一側(cè)沒有被所述密封化合物覆蓋,并且在所述集成的無源封裝的第一側(cè)形成外部電連接陣列;和嵌入在所述密封化合物中的多個無源組件,在所述焊盤的所述第二側(cè),所述無源組件中的每一個具有附連到所述焊盤中的一個的第一端子和附連到所述焊盤中的不同的一個的第二端子。所述方法進(jìn)一步包括電連接半導(dǎo)體管芯到在所述集成的無源封裝的第一側(cè)的外部電連接中的至少一些。
[0007]本領(lǐng)域技術(shù)人員通過閱讀下列詳細(xì)的描述并且通過查看附圖,將會意識到額外的特征和優(yōu)勢。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]繪圖的元素沒有必要相對彼此成比例。類似的參考數(shù)字指代相應(yīng)的相似部分。各個圖解的實施例的特征可以被結(jié)合,除非它們彼此排斥。實施例描述在繪圖中,并且在隨后的描述中詳細(xì)說明。
[0009]圖1A到ID圖解了集成的無源封裝的實施例的不同視圖。
[0010]圖2圖解了集成的無源封裝的另一種實施例的頂部平面視圖。
[0011]圖3A到3C圖解了集成的無源封裝的又一種實施例的不同視圖。
[0012]圖4A到4C圖解了依據(jù)實施例的制造集成的無源封裝的方法的不同階段。
[0013]圖5A到5F圖解了依據(jù)另一種實施例的制造集成的無源封裝的方法的不同階段。
[0014]圖6A和6B圖解了包含集成的無源封裝的半導(dǎo)體模塊的實施例的不同視圖。
[0015]圖7A到7C圖解了包含集成的無源封裝的半導(dǎo)體模塊的另一種實施例的不同視圖。
[0016]圖8A和SB圖解了包含集成的無源封裝的半導(dǎo)體模塊的又一種實施例的不同視圖。
[0017]圖9A到9F圖解了依據(jù)實施例的制造包含集成的無源封裝的半導(dǎo)體封裝的方法的不同階段。

【具體實施方式】
[0018]本文描述的實施例提供集成的無源封裝,包含集成的無源封裝的半導(dǎo)體模塊和制造這樣的集成的無源封裝和半導(dǎo)體模塊的方法。該集成的無源封裝包含只有無源組件,并且用密封化合物覆蓋以保護(hù)無源組件。封裝內(nèi)的無源組件可以相互互連或者相互斷開連接。在任何一種情形中,集成的無源封裝具有外部電連接用于提供到在封裝內(nèi)的無源組件的電連接點。(一個或多個)有源半導(dǎo)體管芯可以電連接到集成的無源封裝以形成集成電路。
[0019]圖1A到ID圖解了集成的無源封裝100的實施例的不同視圖。圖1A示出了集成的無源封裝100沿著在圖1B、IC和ID中標(biāo)注為A-A’的線的截面視圖。圖1B示出了集成的無源封裝100的頂(第二)側(cè)103的平面視圖。圖1C示出了集成的無源封裝100的底(第一)側(cè)101的平面視圖。圖1D示出了集成的無源封裝100,其中部分密封化合物102從封裝100的第二側(cè)103去除,從而封裝100的封閉式內(nèi)部分是可見的。
[0020]集成的無源封裝100包含嵌入在密封化合物102中的多個導(dǎo)電焊盤104和多個無源組件106??梢允褂萌魏螛?biāo)準(zhǔn)的密封化合物。密封化合物典型地包括由比如環(huán)氧樹脂、酚醛固化劑、硅酸鹽、催化劑、顏料和脫模劑組成的復(fù)合材料。存在很多類型的使用在半導(dǎo)體工業(yè)中的密封化合物。具有相對高抗彎強度但是施加相對更大應(yīng)力的通用的密封化合物可以用于大且厚的封裝。低到極低應(yīng)力的密封化合物對薄封裝的密封是優(yōu)選的。高熱導(dǎo)率密封化合物被典型地使用以密封高功率器件。用于表面安裝器件的密封化合物可能具有低吸潮率,或者在基板安裝溫度的高抗彎強度,或者兩者的組合以便防止開裂。
[0021]依據(jù)在圖1A到ID中所示的實施例,焊盤104中的每一個具有相對的第一(底)側(cè)105和第二 (頂)側(cè)107。焊盤104的第一側(cè)105沒有被密封化合物102覆蓋,并且在集成的無源封裝100的第一側(cè)101形成外部電連接陣列,如圖1A和IC中所示。在焊盤104的第二側(cè)107,無源組件106中的每一個具有附連到焊盤104中的一個的第一端或者端子109和附連到的不同的一個焊盤104的第二端或者端子111,如圖1D中所示。依據(jù)該實施例,無源組件106在所有側(cè)上都被覆蓋。包含在集成的無源封裝100中的無源組件106可以是電感器、電容器、電阻器等等。
[0022]進(jìn)一步依據(jù)在圖1A到ID中所示的實施例,集成的無源封裝進(jìn)一步包括導(dǎo)電區(qū)域108,所述導(dǎo)電區(qū)域108從焊盤104中的至少一些的第二側(cè)107延伸并且遠(yuǎn)離焊盤104的第一側(cè)105,如圖1A中所示。每個導(dǎo)電區(qū)域108在集成的無源封裝100的第二側(cè)103突出穿過密封化合物102,并且在封裝100的第二側(cè)103形成外部電連接陣列的部分,如圖1B中所
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[0023]圖1A示出了具有導(dǎo)電延伸區(qū)域108的焊盤104中的一個的放大的三維視圖。依據(jù)該實施例,焊盤104包括底座區(qū)域110和延伸區(qū)域112。底座區(qū)域110具有第一側(cè)105,所述第一側(cè)105沒有被密封化合物覆蓋并且在集成的無源封裝100的第一側(cè)101形成外部電連接點陣列的部分。一個或者多個無源組件106可以被附連到底座區(qū)域110的相對的第二側(cè)107。延伸區(qū)域112從底座區(qū)域110的第二側(cè)107延伸,并且具有在集成的無源封裝100的第二側(cè)103突出穿過密封化合物102的遠(yuǎn)端114,并且在封裝100的第二側(cè)103形成外部電連接陣列的部分。
[0024]關(guān)于圖1A到ID中所示的實施例,無源組件106中的至少一些可以例如經(jīng)由鍵合引線、帶、金屬夾或者其它電導(dǎo)體116在集成的無源封裝100內(nèi)部被電連接在一起,如圖1D中所示。替換地或者額外地,無源組件106中的至少一些可以通過被附連到相同的焊盤104在封裝100內(nèi)部被電連接在一起,也如圖1D中所示。
[0025]圖2圖解了與圖1D中一樣但是為集成的無源封裝100的不同實施例的視圖。依據(jù)圖2中所示的實施例,無源組件106中的至少一些關(guān)于焊盤104以角度Θ而不是90度或者180度連接到封裝100的焊盤104。
[0026]圖3A到3C圖解了集成的無源封裝100的又一種實施例的不同視圖。圖3A示出了集成的無源封裝100沿著在圖3B和3C中標(biāo)注為B-B’的線的截面視圖。圖3B示出了集成的無源封裝100的第二 (頂)側(cè)103的平面視圖,并且圖3C示出了封裝100的第一(底)側(cè)101的平面視圖。在圖3A到3C中所示的實施例與在圖1A到ID中所示的實施例類似,然而,焊盤104沒有延伸區(qū)域108/112。照此,集成的無源封裝100在封裝100的第一側(cè)101具有通過焊盤104的沒被覆蓋的側(cè)105形成的外部電連接陣列,并且在封裝100的第二側(cè)103沒有外部電連接陣列。那就是說封裝100的第二側(cè)103保持被密封化合物102完全地覆蓋。
[0027]接下來描述的是制造集成的無源封裝100的實施例。
[0028]圖4A到4C圖解了依據(jù)實施例的制造集成的無源封裝100的方法的不同階段。該方法包括:提供支撐襯底200 ;并且在支撐襯底上放置多個焊盤202,其中焊盤202的第一側(cè)(看不見)面對支撐襯底200而焊盤202的相對(第二)側(cè)203背對支撐襯底200,如圖4A中所示,這是支撐襯底200的部分頂部平面視圖??梢允褂萌魏螛?biāo)準(zhǔn)的支撐襯底,諸如銅板、TSLP (薄小型無引腳封裝)框架、黏性膠帶、預(yù)成型的框架等等。焊盤202可以均勻地或者非均勻地間隔。焊盤202可以均勻地或者非均勻地設(shè)置尺寸。在如支撐襯底200的預(yù)成型框架的情形中,焊盤202可以被嵌入在預(yù)成型框架中,從而使得焊盤202的兩側(cè)都被暴露。
[0029]焊料隨后被施加到焊盤202的第二側(cè)203,例如,通過在焊盤202被放置在支撐襯底200上之后印制焊料漿糊或者其它合適的導(dǎo)電漿糊。多個無源組件204被提供用于附連到焊盤202。每個無源組件204的第一端子205被放置在施加到焊盤202中的一個的漿糊上,并且第二端子207被放置在施加到不同的一個焊盤202的漿糊上。漿糊隨后被固化以附連無源組件204的端子205、207到相應(yīng)的管芯焊盤202。焊盤202和無源組件204的群組隨后被分隔成分立的片段206,如圖4B中所示。每個片段206隨后被成型從而使得片段206的焊盤202和無源組件204被嵌入在密封化合物208中,如圖4C中所示。成型工藝可以在分隔片段206之前或者之后執(zhí)行。無源組件204中的至少一些可以在焊盤202和無源組件204被嵌入在密封化合物208中之前相互電連接。
[0030]在每種情形中,支撐襯底200在成型工藝期間覆蓋焊盤202的第一側(cè)(看不見),從而使得焊盤202的第一側(cè)沒有被密封化合物208覆蓋。附連到每個片段206的密封化合物208的支撐襯底200的剩余部分210可以在分隔片段206之后被去除。片段306可以在分隔之前或者分隔之后被成型以形成個別的集成的無源封裝。每個集成的無源封裝在封裝的第一側(cè)具有外部電連接陣列,外部電連接陣列通過包含在封裝中的焊盤202的第一側(cè)形成,例如,如圖1C和圖3C中所示。在焊盤202中的至少一些具有導(dǎo)電延伸區(qū)域(如本文之前關(guān)于圖1A到ID所描述的)的情形中,密封化合物208的部分可以在封裝的第二側(cè)被去除,而沒有暴露無源組件204。去除之后,延伸區(qū)域在封裝的第二側(cè)突出穿過密封化合物208,并且在封裝的第二側(cè)形成外部電連接陣列,例如,如圖1B中所示。在焊盤202的沒有一個具有導(dǎo)電延伸區(qū)域的情形中,封裝的第二側(cè)保持被密封化合物208完全地覆蓋。
[0031]圖5A到5F圖解了依據(jù)另一種實施例的制造集成的無源封裝100的方法的不同階段。該方法包括提供支撐襯底300和在支撐襯底300上放置多個焊盤302,其中焊盤302的第一側(cè)303面對支撐襯底300而焊盤302的相對(第二)側(cè)305背對支撐襯底300,如圖5A中所示??梢允褂萌魏螛?biāo)準(zhǔn)的支撐襯底,諸如銅板、TSLP框架、黏性膠帶等等。焊盤302可以均勻地或者非均勻地間隔。焊盤302可以均勻地或者非均勻地設(shè)置尺寸。
[0032]導(dǎo)電漿糊隨后被施加到焊盤302的第二側(cè)305,例如,通過在焊盤302被放置在支撐襯底300上之后印制,如圖5B中所示。多個無源組件306被提供用于附連到焊盤302。每個無源組件306的第一端子307被放置在施加到焊盤302中的一個的導(dǎo)電漿糊304上,并且第二端子309被放置在施加到不同的一個焊盤302的導(dǎo)電漿糊304上。導(dǎo)電漿糊隨后被固化以附連無源組件306的端子307、309到相應(yīng)的焊盤302,如圖5C中所示。例如通過引線鍵合、帶或者其它電導(dǎo)體308,在無源組件306之間形成電連接,如圖中所示。焊盤302、無源組件306和互連308隨后被嵌入在密封化合物310中,如圖5E中所示。支撐襯底300在成型工藝期間覆蓋焊盤302的第一側(cè)303,從而使得焊盤302的第一側(cè)303沒有被密封化合物310覆蓋。焊盤302和無源組件306的群組隨后被分隔成分立的集成的無源封裝100,如圖5F中所示。
[0033]每個集成的無源封裝100在封裝100的第一側(cè)101具有外部電連接陣列,外部電連接陣列通過包含在封裝100中的焊盤302第一側(cè)303形成,例如,如圖1C和圖3C中所示。在焊盤302中的至少一些具有導(dǎo)電延伸區(qū)域(如本文之前關(guān)于圖1A到ID所描述的)的情形中,密封化合物310的部分可以在封裝100的第二側(cè)103被去除,而沒有暴露在封裝100內(nèi)含有的無源組件306。去除之后,延伸區(qū)域在封裝100的第二側(cè)103突出穿過密封化合物310,并且在封裝100的第二側(cè)103形成外部電連接陣列,例如,如圖1B中所示。在焊盤302中沒有一個具有導(dǎo)電延伸區(qū)域的情形中,封裝100的第二側(cè)103保持被密封化合物310完全地覆蓋。
[0034]接下來描述的是包含如本文之前所描述的集成的無源封裝100的半導(dǎo)體模塊的實施例。半導(dǎo)體管芯電連接到在集成的無源封裝100的第一側(cè)101的外部電連接中的至少一些。
[0035]圖6A示出了半導(dǎo)體模塊400在成型之前的平面視圖,并且圖6示出了半導(dǎo)體模塊400在成型之后的截面視圖。依據(jù)該實施例,第一半導(dǎo)體管芯402和第二半導(dǎo)體管芯404被安置在集成的無源封裝100的第一側(cè)101上。外部電連接陣列在封裝100的第一側(cè)101被提供,外部電連接陣列通過包含在集成的無源封裝100中的焊盤104的沒有被覆蓋的側(cè)105形成。每個半導(dǎo)體管芯402、404具有多個管芯焊盤406,所述管芯焊盤406附連到在集成的無源封裝100的第一側(cè)101的外部電連接中的至少一些,例如,經(jīng)由倒裝芯片配置中的焊料凸塊408,如圖6A中所示。額外的電連接可以經(jīng)由鍵合引線、帶、夾或者其它類型的電導(dǎo)體410在集成的無源封裝100的第一側(cè)101的外部電連接的不同的一些之間實現(xiàn)。
[0036]半導(dǎo)體管芯402、404和電導(dǎo)體410被嵌入在安置在集成的無源封裝100的第一側(cè)101上的額外的密封化合物412中,如圖6B所示。在一些實施例中,集成的無源封裝100的焊盤104中的至少一些包括:導(dǎo)電區(qū)域108/112,從焊盤104的第二側(cè)107且遠(yuǎn)離焊盤104的第一側(cè)105延伸。每個導(dǎo)電區(qū)域108/112在集成的無源封裝100的第二側(cè)103突出穿過密封化合物102,并且在封裝100的第二側(cè)103形成外部電連接的部分,如圖6B中所示。在延伸區(qū)域108/112被省略中,集成的無源封裝的密封化合物102完全地覆蓋封裝100的第二側(cè)103,例如,如圖3A和3B中所示。
[0037]圖7A到7C圖解了依據(jù)另一種實施例的包含如在本文之前描述的集成的無源封裝100的半導(dǎo)體模塊500的不同視圖。圖7A示出了半導(dǎo)體模塊500的截面視圖,圖7B示出了模塊500的底側(cè)的平面視圖,并且圖7C示出了模塊500的頂側(cè)的平面視圖。依據(jù)該實施例,第一半導(dǎo)體管芯502和第二半導(dǎo)體管芯504被附連到引線框架508的管芯座506,例如,通過焊接在管芯502、504的底側(cè)的管芯焊盤510到管芯座506。每個半導(dǎo)體管芯502、504與集成的無源封裝100橫向地相隔開,從而使得集成的無源封裝100沒有被半導(dǎo)體管芯502、504覆蓋。引線框架508在制造半導(dǎo)體模塊500期間可以被黏性膠帶512支撐。集成的無源封裝100可以被安置在黏性膠帶512上例如在膠帶512中的腔內(nèi)或者在另一個管芯座上(沒被示出)。在每種情形中,鍵合引線、帶、夾或者其它電導(dǎo)體514提供管芯502、504,集成的無源封裝100和引線框架508的引腳516之間的電連接,如圖7A和7C所示。集成的無源封裝100的第二側(cè)103可以被密封化合物102完全地覆蓋,如圖7B中所示。替換地,導(dǎo)電區(qū)域108/112從焊盤102中的至少一些延伸且在集成的無源封裝100的第二側(cè)103穿過密封化合物102,以在集成的無源封裝100的第二側(cè)103形成外部電連接陣列,例如,如圖1A和IB所示。
[0038]圖8A和8B圖解了依據(jù)另一種實施例的半導(dǎo)體模塊500的不同視圖。圖8A示出了模塊500的底側(cè)的平面視圖,而圖8B示出了模塊500的頂側(cè)的平面視圖。在圖8A和8B中所示的實施例與在圖7A到7C中所示的實施例相似,然而,兩個集成的無源封裝100被包含在模塊500中??傮w上,半導(dǎo)體模塊500可能包含任何實際數(shù)量的半導(dǎo)體管芯和集成的無源封裝。本文所指的半導(dǎo)體管芯包含至少諸如晶體管、二極管等等的有源器件,并且當(dāng)連接到一個或者多個集成的無源封裝和任選的其它半導(dǎo)體管芯時形成集成電路。
[0039]圖9A到9H圖解了半導(dǎo)體模塊600在制造的不同階段期間的截面視圖。圖9A示出了圖5F的在去除支撐襯底300之后的集成的無源封裝100。圖9B示出了具有半導(dǎo)體管芯602的集成的無源封裝100,其中半導(dǎo)體管芯602例如經(jīng)由導(dǎo)電漿糊604附連到在封裝100的第一側(cè)101的外部電連接的至少一個。圖9C示出了在引線鍵合或者其它電導(dǎo)體606被從半導(dǎo)體管芯606的自由側(cè)連接到在集成的無源封裝100的第一側(cè)101的外部電連接中的一個或者多個不同外部電連接之后的模塊600。圖9D示出了在半導(dǎo)體管芯602被嵌入在形成在集成的無源封裝100的第一側(cè)101上的額外的密封化合物608中并且開口 610形成在額外的密封化合物608中之后的模塊600。開口 610從額外的密封化合物608的面對集成的無源封裝100的第一側(cè)611延伸到額外的密封化合物608的背對集成的無源封裝100的第二側(cè)613。圖9E示出了在例如通過導(dǎo)電漿糊印制而在開口 610中形成多個導(dǎo)電區(qū)域612之后的模塊600。導(dǎo)電區(qū)域612接觸(例如,在固化之后)集成的無源封裝100的沒有被半導(dǎo)體管芯602覆蓋的焊盤102中的至少一些,并且在額外的密封化合物608的第二側(cè)613形成外部電連接陣列。圖9F示出了在焊料凸塊614在額外的密封化合物608的第二側(cè)613的外部電連接陣列上形成之后的模塊600。模塊600可以隨后例如在集成的無源封裝100的第二側(cè)103被標(biāo)記。在多種模塊和集成的無源封裝在共同的支撐襯底上形成的情形中,模塊可以被分隔成個別的模塊。
[0040]空間相對的術(shù)語諸如“在…之下”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等等,被用于簡化描述以解釋一個元件相對于第二元件的定位。這些術(shù)語意在涵蓋器件的不同定向,除了與在圖中描述的那些不同的定向之外。進(jìn)一步,術(shù)語“第一”、“第二”等等也被用來描述各種元件、區(qū)域、部分等等,并且也不意在進(jìn)行限制。貫穿描述,類似的術(shù)語指代類似的元件。
[0041]如本文所用的術(shù)語“具有”、“含有”、“包含”、“包括”等等是開放型的術(shù)語,其指示陳述過的元件或特征的出現(xiàn)但是沒有排除額外的元件或特征。冠詞“一(a)”、“一個(an)”和“該(the)”意在包含復(fù)數(shù)以及單數(shù),除非上下文另外清楚地指示。
[0042]考慮到上述變化和應(yīng)用的范圍,應(yīng)該理解的是,本發(fā)明不受先前的描述所限制,也不受附圖所限制。作為替代地,本發(fā)明只受所附的權(quán)利要求書及其法律等價物限制。
【權(quán)利要求】
1.一種集成的無源封裝,包括: 密封化合物; 多個導(dǎo)電焊盤,嵌入在所述密封化合物中,所述焊盤中的每一個具有相對的第一側(cè)和第二側(cè),所述焊盤的所述第一側(cè)沒有被所述密封化合物覆蓋并且在所述封裝的第一側(cè)形成外部電連接陣列;和 多個無源組件,嵌入在所述密封化合物中,所述無源組件中的每一個在所述焊盤的所述第二側(cè)具有附連到所述焊盤中的一個的第一端子和附連到所述焊盤中的不同的一個的A-Ap ~.丄山—7*弟一觸子。
2.權(quán)利要求1的所述集成的無源封裝,進(jìn)一步包括從所述焊盤中的至少一些的所述第二側(cè)且遠(yuǎn)離所述焊盤的所述第一側(cè)延伸的導(dǎo)電區(qū)域,每個導(dǎo)電區(qū)域在與所述封裝的所述第一側(cè)相對的所述封裝的第二側(cè)突出穿過所述密封化合物并且在所述封裝的所述第二側(cè)形成外部電連接陣列的部分。
3.權(quán)利要求1的所述集成的無源封裝,其中所述無源組件中的至少一些在所述密封化合物內(nèi)部被電連接在一起。
4.一種制造集成的無源封裝的方法,所述方法包括: 提供多個導(dǎo)電焊盤和多個無源組件,每個焊盤具有相對的第一側(cè)和第二側(cè),并且每個無源組件具有第一端子和第二端子; 在所述焊盤的所述第二側(cè)附連每個無源組件的所述第一端子到所述焊盤中的一個并且附連所述第二端子到所述焊盤中的不同的一個; 將所述焊盤和所述無源組件嵌入在密封化合物中,從而使得所述焊盤的所述第一側(cè)沒有被所述密封化合物覆蓋;并且 將焊盤和無源組件的群組分隔成分立的集成的無源封裝,每個集成的無源封裝在所述封裝的一側(cè)具有通過包含在所述封裝中的所述焊盤的所述第一側(cè)形成的外部電連接陣列。
5.權(quán)利要求4的所述方法,其中提供所述焊盤包括放置所述焊盤在支撐襯底上,其中所述焊盤的所述第一側(cè)面對所述支撐襯底并且所述焊盤的所述第二側(cè)背對所述支撐襯底。
6.權(quán)利要求5的所述方法,其中在所述焊盤的所述第二側(cè)附連每個無源組件的所述第一端子到所述焊盤中的一個并且附連所述第二端子到所述焊盤中的不同的一個包括: 在所述焊盤被放置在所述支撐襯底上之后施加導(dǎo)電漿糊到所述焊盤的所述第二側(cè);放置每個無源組件的所述第一端子在施加到所述焊盤中的一個的所述導(dǎo)電漿糊上,并且放置第二端子在施加到所述焊盤中的不同的一個的所述導(dǎo)電漿糊上;并且固化所述導(dǎo)電漿糊。
7.權(quán)利要求5的所述方法,進(jìn)一步包括在分隔之后去除附連到每個分立的集成的無源封裝的所述密封化合物的所述支撐襯底的剩余部分。
8.權(quán)利要求4的所述方法,進(jìn)一步包括在所述焊盤和所述無源組件被嵌入在所述密封化合物中之前電連接所述無源組件中的至少一些。
9.權(quán)利要求4的所述方法,其中所述焊盤中的至少一些包括從所述焊盤的所述第二側(cè)且遠(yuǎn)離所述焊盤的所述第一側(cè)延伸的導(dǎo)電區(qū)域,所述方法進(jìn)一步包括: 去除所述密封化合物的部分以暴露所述導(dǎo)電區(qū)域而沒有暴露所述無源組件,從而使得所述導(dǎo)電區(qū)域在與所述焊盤的所述第一側(cè)相對的所述密封化合物的一側(cè)突出穿過所述密封化合物并且形成外部電連接陣列。
10.權(quán)利要求4的所述方法,其中提供所述焊盤包括將所述焊盤嵌入在預(yù)成型框架中從而使得所述焊盤的兩側(cè)都暴露。
11.一種半導(dǎo)體模塊,包括: 集成的無源封裝,包括: 多個導(dǎo)電焊盤,嵌入在密封化合物中,所述焊盤中的每一個具有相對的第一側(cè)和第二偵牝所述焊盤的所述第一側(cè)沒有被所述密封化合物覆蓋并且在所述集成的無源封裝的第一側(cè)形成外部電連接陣列;和 多個無源組件,嵌入在所述密封化合物中,所述無源組件中的每一個在所述焊盤的所述第二側(cè)具有附連到所述焊盤中的一個的第一端子和附連到所述焊盤中的不同的一個的第二端子;和 半導(dǎo)體管芯,電連接到在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)的外部電連接中的至少一些。
12.權(quán)利要求11的所述半導(dǎo)體模塊,其中所述半導(dǎo)體管芯被安置在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)上并且附連到在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)的外部電連接中的至少一些。
13.權(quán)利要求12的所述半導(dǎo)體模塊,其中所述半導(dǎo)體管芯被嵌入在安置在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)上的額外的密封化合物中,所述半導(dǎo)體模塊進(jìn)一步包括: 多個導(dǎo)電區(qū)域,附連到?jīng)]有被所述半導(dǎo)體管芯覆蓋的所述集成的無源封裝的所述焊盤中的至少一些并且從面對所述集成的無源封裝的所述額外的密封化合物的第一側(cè)延伸到背對所述集成的無源封裝的所述額外的密封化合物的第二側(cè),所述導(dǎo)電區(qū)域在所述額外的密封化合物的所述第二側(cè)形成外部電連接陣列。
14.權(quán)利要求11的所述半導(dǎo)體模塊,其中所述焊盤中的至少一些包括從所述焊盤的所述第二側(cè)且遠(yuǎn)離所述焊盤的所述第一側(cè)延伸的導(dǎo)電區(qū)域,每個導(dǎo)電區(qū)域在與所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)相對的所述集成的無源封裝的第二側(cè)突出穿過所述密封化合物并且在所述集成的無源封裝的所述第二側(cè)形成外部電連接陣列的部分。
15.權(quán)利要求11的所述半導(dǎo)體模塊,進(jìn)一步包括連接在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)的外部電連接中的不同外部電連接的一個或者多個電導(dǎo)體。
16.權(quán)利要求11的所述半導(dǎo)體模塊,其中所述半導(dǎo)體管芯被附連到引線框架的管芯座并且橫向地與所述集成的無源封裝間隔開從而使得所述集成的無源封裝沒有被所述半導(dǎo)體管芯覆蓋。
17.—種制造半導(dǎo)體模塊的方法,所述方法包括: 提供集成的無源封裝,所述集成的無源封裝包括: 多個導(dǎo)電焊盤,嵌入在密封化合物中,所述焊盤中的每一個具有相對的第一側(cè)和第二側(cè),所述焊盤的所述第一側(cè)沒有被所述密封化合物覆蓋并且在所述集成的無源封裝的第一側(cè)形成外部電連接陣列;和 多個無源組件,嵌入在所述密封化合物中,所述無源組件中的每一個在所述焊盤的所述第二側(cè)具有附連到所述焊盤中的一個的第一端子和附連到所述焊盤中的不同的一個的第二端子;和電連接半導(dǎo)體管芯到在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)的外部電連接中的至少一些。
18.權(quán)利要求17的所述方法,其中電連接所述半導(dǎo)體管芯到在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)的外部電連接中的至少一些包括: 放置所述半導(dǎo)體管芯在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)上;并且 附連所述半導(dǎo)體管芯到在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)的外部電連接中的至少一些。
19.權(quán)利要求18的所述方法,進(jìn)一步包括: 將所述半導(dǎo)體管芯嵌入在額外的密封化合物中,所述額外的密封化合物在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)上形成; 在所述額外的密封化合物中形成開口,所述開口從面對所述集成的無源封裝的所述額外的密封化合物的第一側(cè)延伸到背對所述集成的無源封裝的所述額外的密封化合物的第~■側(cè);并且 在所述開口中形成多個導(dǎo)電區(qū)域,所述導(dǎo)電區(qū)域接觸沒有被所述半導(dǎo)體管芯覆蓋的所述集成的無源封裝的所述焊盤中的至少一些并且在所述額外的密封化合物的所述第二側(cè)形成外部電連接陣列。
20.權(quán)利要求17的所述方法,進(jìn)一步包括連接一個或者多個電導(dǎo)體到在所述集成的無源封裝的所述第一側(cè)的外部電連接中的不同外部電連接。
21.權(quán)利要求17的所述方法,進(jìn)一步包括附連所述半導(dǎo)體管芯到引線框架的管芯座,從而使得所述半導(dǎo)體管芯被橫向地與所述集成的無源封裝間隔開并且所述集成的無源封裝沒有被所述半導(dǎo)體管芯覆蓋。
【文檔編號】H01L21/768GK104347612SQ201410357904
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月26日
【發(fā)明者】C.Y.吳 申請人:英飛凌科技股份有限公司
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