有機發(fā)光二極管設(shè)備的制作方法
【專利摘要】一種有機發(fā)光二極管設(shè)備包括有機發(fā)光元件和傳感器。該有機發(fā)光元件包括位于陽極與陰極之間的有機層。該傳感器探測表示該發(fā)光元件的有機層的劣化的特性。該傳感器可以是化學傳感器或另一種傳感器。該傳感器可以永久地固定在該發(fā)光元件內(nèi)部或外部，并且可以采取電子測量來減少由于檢測到的有機層的劣化而導致的性能損失。
【專利說明】有機發(fā)光二極管設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文描述的一個或多個實施例涉及顯示設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]針對許多消費者相關(guān)的應用和商業(yè)相關(guān)的應用，平板顯示器已經(jīng)取代陰極射線管(CRT)的使用。這是因為平板顯示器比CRT更輕且更薄。
[0003]一種平板顯示器，具體是液晶顯示器(LCD)，使用單獨的背光照明，其在響應速度和視角方面已表現(xiàn)出問題。被稱為有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的另一種平板顯示器能夠克服這些問題。
[0004]OLED顯示器可以包括位于兩個電極之間的有機層。該有機層包括發(fā)射層。在操作時，通過來自一個電極的電子與來自另一電極的空穴在發(fā)射層中的耦合，形成激子。于是，發(fā)出光。有機層可以包括有機化合物。這種化合物的使用可降低隨時間變化的電子和/或化學穩(wěn)定性，從而損害顯示器的質(zhì)量或可用壽命。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)一個實施例，有機發(fā)光二極管設(shè)備包括化學傳感器和包括陽極、有機層和陰極的有機發(fā)光元件，所述化學傳感器位于所述有機發(fā)光元件內(nèi)部或外部中的至少一處。所述化學傳感器可以檢測來自所述有機層的排出的氣體的量或者由該排出的氣體生成的產(chǎn)物的量。
[0006]所述化學傳感器可以包括傳輸層、傳感器和探測器，所述傳輸層選擇性地可滲透所述氣體或所述產(chǎn)物，所述傳感器用于可逆地或不可逆地與所滲透的氣體或產(chǎn)物相互作用，并且所述探測器基于所述相互作用探測變化。所述化學傳感器可以探測基于所述氣體或所述產(chǎn)物的吸收的振動變化。
[0007]所述化學傳感器可以包括氫氣傳感器。所述氫氣傳感器可以檢測來自所述有機層的排出的氫氣的量或者由所述氫氣生成的水分的量。所述氫氣傳感器可以包括傳輸層、傳感器和探測器，所述傳輸層選擇性地可滲透所述氫氣或所述水分，所述傳感器可逆地或不可逆地與所滲透的氫氣或水分相互作用，并且所述探測器基于所述相互作用探測變化。所述氫氣傳感器可以包括QCM (石英晶體微量天平)或者SAW (表面聲波)傳感器。所述氫氣傳感器可以檢測由于所述氫氣或所述水分的吸收而導致的振動變化。
[0008]所述設(shè)備可以包括支撐基板、對立基板和密封器，所述支撐基板支撐所述有機發(fā)光元件，所述對立基板面對所述支撐基板，并且所述密封器密封所述支撐基板和所述對立基板，其中所述化學傳感器位于由所述支撐基板、所述對立基板和所述密封器限定的區(qū)域內(nèi)。
[0009]所述化學傳感器可以位于與以下至少之一對應的位置:所述有機發(fā)光元件的內(nèi)部、所述有機發(fā)光元件與所述對立基板之間或者所述有機發(fā)光元件與所述密封器之間。
[0010]所述有機層可以包括發(fā)射層。所述有機層可以包括以下至少之一:位于所述陽極與所述發(fā)射層之間的空穴輔助層或者位于所述陰極與所述發(fā)射層之間的電子輔助層。
[0011]根據(jù)另一實施例,一種有機發(fā)光二極管設(shè)備包括有機發(fā)光器和傳感器,所述有機發(fā)光器包括有機層，所述傳感器探測表示所述有機層的劣化程度的特性。所述特性可以是來自所述有機層的氣體(如氫氣)的量。此外或可替代地，所述特性可以是根據(jù)來自所述有機層的氣體得到的水分的量。
[0012]所述傳感器可以位于所述有機發(fā)光器的內(nèi)部。所述特性可以表示所述有機發(fā)光器的一個或多個懸空鍵和/或陷阱級。所述特性可以表示所述有機發(fā)光器中HOMO和LUMO之間的懸空鍵和/或陷阱級的含量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]通過參照附圖詳細描述示例性實施例，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，各特征將變得明顯，在附圖中:
[0014]圖1圖示有機發(fā)光二極管設(shè)備像素的實施例，以及
[0015]圖2圖示有機發(fā)光二極管設(shè)備的實施例。

【具體實施方式】
[0016]下面將參照附圖更全面地描述示例性實施例，然而這些示例性實施例可以以不同的形式體現(xiàn)，并且不應當被解釋為局限于本文闡述的實施例。相反，提供這些實施例，是為了使本公開全面和完整，并且將示例性實現(xiàn)方式完整地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0017]在附圖中，為了圖示清楚，可以放大層和區(qū)域的尺寸。還將理解，當一層或元件被稱為位于另一層或基板“上”時，該層或元件可以直接位于另一層或基板上，或者還可以存在中間層。進一步，將理解，當一層被稱為位于另一層“下方”時，其可以直接位于下方，或還可以存在一個或多個中間層。此外，還將理解，當一層被稱為位于兩個層“之間”時，其可以是這兩個層之間的唯一層，或者還可以存在一個或多個中間層。在全文中，相同的附圖標記指代相同的要素。
[0018]圖1圖示有機發(fā)光二極管設(shè)備的單元像素的實施例。參照圖1，該有機發(fā)光二極管設(shè)備包括多條信號線121、171和172以及與多條信號線121、171和172連接的像素PX。
[0019]這些信號線包括用于傳輸柵極信號(或掃描信號)的多條掃描信號線121、用于傳輸數(shù)據(jù)信號的多條數(shù)據(jù)線171以及用于傳輸驅(qū)動電壓的多條驅(qū)動電壓線172。掃描信號線121基本沿行方向并且基本彼此平行延伸。數(shù)據(jù)線171基本沿列方向并且基本彼此平行延伸。驅(qū)動電壓線172基本沿列方向并且基本彼此平行延伸。在其它實施例中，這些線可以朝向不同的方向，以形成例如網(wǎng)孔形狀或別的形狀。
[0020]像素PX包括開關(guān)晶體管Qs、驅(qū)動晶體管Qd、電容器Cst和有機發(fā)光元件LD。開關(guān)晶體管Qs具有控制端子N1、輸入端子N2和輸出端子N3?？刂贫俗覰I連接至掃描信號線121，輸入端子N2連接至數(shù)據(jù)線171，并且輸出端子N3連接至驅(qū)動晶體管Qd。響應于施加至掃描信號線121的柵極信號，開關(guān)晶體管Qs將施加至數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號傳輸至驅(qū)動晶體管Qd。
[0021]驅(qū)動晶體管Qd還包括控制端子N3、輸入端子N4和輸出端子N5。控制端子N3連接至開關(guān)晶體管Qs，輸入端子N4連接至驅(qū)動電壓線172，并且輸出端子N5連接至有機發(fā)光元件LD。驅(qū)動晶體管Qd驅(qū)動輸出電流I111,該輸出電流Iui的幅度依賴于驅(qū)動晶體管Qd的控制端子N3與輸出端子N5之間的電壓。
[0022]電容器Cst連接在驅(qū)動晶體管Qd的控制端子N3與輸入端子N4之間。電容器Cst存儲施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端子的數(shù)據(jù)信號，并且在開關(guān)晶體管Qs截止之后維持該數(shù)據(jù)信號。
[0023]有機發(fā)光元件LD是有機發(fā)光二極管(OLED)，其具有連接至驅(qū)動晶體管Qd的輸出端子N5的陽極和連接至公共電壓Vss的陰極。有機發(fā)光元件LD發(fā)出強度依賴于驅(qū)動晶體管Qd的輸出電流I111的光，從而顯示圖像。有機發(fā)光元件LD可以包括獨特地發(fā)射三原色(例如，紅色、綠色或藍色)中至少一種顏色的有機材料?；诠飧黝伾目臻g總和，該有機發(fā)光二極管設(shè)備顯示期望的圖像。
[0024]開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動晶體管Qd是η溝道場效應晶體管(FET)。在其它實施例中，這些晶體管中的至少一個可以是P溝道FET。此外，在其它實施例中，可以改變晶體管Qs和Qd、電容器Cst以及有機發(fā)光元件LD之間的連接。
[0025]圖2圖示有機發(fā)光二極管設(shè)備的實施例，該有機發(fā)光二極管設(shè)備包括支撐基板
10、面對支撐基板10的對立基板20、有機發(fā)光元件30、化學傳感器40以及用于密封支撐基板10和對立基板20的密封構(gòu)件50。有機發(fā)光兀件30和化學傳感器40被放置在由支撐基板10、對立基板20和密封構(gòu)件50限定的區(qū)域。
[0026]支撐基板10可以是玻璃基板、硅晶片或聚合物基板。例如，聚合物基板可以由聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜或它們的組合制成。
[0027]多條信號線121、171和172以及開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動晶體管Qd形成在支撐基板10上。開關(guān)晶體管Qs可以包括連接至控制端子NI的柵電極、連接至輸入端子N2的源電極以及連接至輸出端子N3的漏電極。該設(shè)備可以具有各種結(jié)構(gòu)，如底柵結(jié)構(gòu)、頂柵結(jié)構(gòu)、底部接觸結(jié)構(gòu)或頂部接觸結(jié)構(gòu)，其中在底柵結(jié)構(gòu)中，柵電極被放置在半導體層或基板下，在頂柵結(jié)構(gòu)中，柵電極被放置在半導體層或基板上，在底部接觸結(jié)構(gòu)中，半導體層或基板的下表面與源電極和漏電極接觸，在頂部接觸結(jié)構(gòu)中，半導體層或基板的上表面與源電極和漏電極接觸。
[0028]對立基板20可以是封裝基板、玻璃板、金屬板、聚合物薄膜或它們的組合。
[0029]密封構(gòu)件50將支撐基板10和對立基板20接合。密封構(gòu)件50可以例如依照支撐基板10和對立基板20的邊界放置。密封構(gòu)件50用來密封支撐基板10與對立基板20之間的空間。
[0030]有機發(fā)光元件30被放置在支撐基板10上，并且包括下電極31、有機層32和上電極33。下電極31或上電極33之一是陽極，另一個是陰極。例如，下電極31可以是陽極，上電極33可以是陰極。
[0031]當下電極31是透明電極時，該有機發(fā)光二極管設(shè)備可以是底部發(fā)射型，其中光通過支撐基板10的表面發(fā)出。當上電極33是透明電極時，該有機發(fā)光二極管設(shè)備可以是頂部發(fā)射型，其中光通過對立基板20的表面發(fā)出。此外，當下電極31和上電極33都是透明電極時，該有機發(fā)光二極管設(shè)備可以是雙側(cè)發(fā)射型，其中光通過支撐基板10的表面和對立基板20的表面發(fā)出。
[0032]下電極31可以由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導電氧化物制成。
[0033]上電極33可以包括例如鎂(Mg)或鎂合金。鎂合金可以是鎂銀合金(MgAg)或者由鎂(Mg)層和銀(Ag)層構(gòu)成的雙層。例如，鎂銀合金(MgAg)可以是鎂(Mg)和銀(Ag)可以以大約10:1的比例共同沉積的合金。
[0034]有機層32可以包括包含發(fā)射層的至少一個層。例如，有機層32可以僅包括發(fā)射層，或者可以包括發(fā)射層和輔助層。
[0035]發(fā)射層由發(fā)射具有一種或多種預定顏色(例如，諸如紅色、綠色或藍色的一種或多種原色)的光的有機材料制成，或者由有機材料和無機材料的混合物制成。有機材料可以包括聚芴的衍生物、聚對苯乙烯撐的衍生物、聚亞苯基的衍生物、聚芴的衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩的衍生物或者其中其聚合物材料摻雜有二萘嵌苯族顏料、香豆素族顏料、若丹明族顏料、紅熒稀、二萘嵌苯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素、喹吖酮等的化合物。通過在空間上合成從發(fā)射層發(fā)出的有色(原色)光，該有機發(fā)光二極管設(shè)備顯示期望的圖像。
[0036]通過這些原色(如紅色、綠色和藍色的三原色)的合并，發(fā)射層可以發(fā)射白光。通過合并相鄰像素的顏色或者通過合并沿豎直方向沉積的顏色，可以發(fā)射白光。
[0037]輔助層可以被置于下電極31與發(fā)射層之間和/或上電極33與發(fā)射層之間，以提高發(fā)光效率。輔助層可以包括選自由電子傳輸層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、空穴注入層(HIL)以及空穴阻擋層和電子阻擋層組成的組中的至少一種，其中電子傳輸層(ETL)和空穴傳輸層(HTL)用于實現(xiàn)電子和空穴的平衡，電子注入層(EIL)、空穴注入層(HIL)用于加強電子和空穴的注入，空穴阻擋層和電子阻擋層用于阻擋相反電荷的運動。
[0038]例如，當下電極31是陽極且上電極33是陰極時，輔助層可以包括位于下電極31與發(fā)射層之間的至少一個空穴輔助層或者位于上電極33與發(fā)射層之間的至少一個電子輔助層中的至少一種?？昭ㄝo助層可以包括例如空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)和/或電子阻擋層。電子輔助層可以包括例如電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和/或空穴阻擋層。
[0039]化學傳感器40被圖不為布置在與有機發(fā)光兀件30對應的位置。在其它實施例中，化學傳感器40可以被布置在被有機發(fā)光元件30阻擋的區(qū)域。
[0040]例如，化學傳感器40可以被放置在有機發(fā)光兀件30的內(nèi)部或外部,或者有機發(fā)光元件30的內(nèi)部和外部。當化學傳感器40被放置在有機發(fā)光元件30的內(nèi)部時，化學傳感器40可以被放置在各像素之間。當化學傳感器40被放置在有機發(fā)光元件30的外部時，化學傳感器40可以被放置在由支撐基板10、對立基板20和密封構(gòu)件50限定的位于有機發(fā)光元件30與對立基板20之間和/或位于有機發(fā)光元件30與密封構(gòu)件50之間的區(qū)域。一個或多個化學傳感器40可以被布置在相同位置或不同位置。
[0041]化學傳感器40檢測來自有機層32的排出的氣體的量或者由該排出的氣體生成的產(chǎn)物的量。例如，該檢測可以通過由于氣體或產(chǎn)物的吸收而改變的振動來執(zhí)行。
[0042]在一個實施例中，化學傳感器40是氫氣傳感器。氫氣傳感器可以檢測來自有機層32的排出的氫氣的量或者由排出的氫氣生成的水分的量。水分可以由來自有機層32的氫氣以及來自環(huán)境的氧氣流生成。
[0043]通過利用氫氣傳感器檢測來自有機層32的排出的氫氣的量或者由氫氣生成的水分的量，可以確定表示有機層32的劣化程度的信息。然后，可以基于該信息進行電子校正。
[0044]形成有機層32的有機化合物可以包含芳基和/或雜芳基。該有機化合物中的大多數(shù)可以是稠和(fused)的或非稠和的。有機化合物可以包括碳氫鍵和/或雜環(huán)原子-氫鍵，以及分子內(nèi)鍵。
[0045]在有機化合物中，HOMO,LUMO和能帶間隙(對應于HOMO和LUMO之間的間隔)是通過分子內(nèi)鍵合確定的。目標亮度可以基于分子間鍵合(例如，懸空鍵)和/或形成在HOMO和LUMO之間的陷講級(trap level)來獲得。
[0046]隨著有機化合物劣化，當碳氫鍵和/或雜環(huán)原子-氫鍵斷裂時，氫氣從有機化合物中分離出。同時可以生成非鍵合部分(被稱為懸空鍵)。對于非鍵合部分，在HOMO和LUMO之間形成附加能級(或者“陷阱級”)，來捕獲電子和空穴。被捕獲的電子和空穴不參與激子的形成。結(jié)果，發(fā)光效率可能降低，并且亮度可能下降。
[0047]如前面描述的，通過利用化學傳感器40檢測排出的氫氣的量和/或由氫氣生成的水分的量，可以測量從有機化合物中分離出的氫氣的量。結(jié)果，可以預測表示懸空鍵和陷阱級的信息，例如有機發(fā)光二極管設(shè)備中的HOMO與LUMO之間的懸空鍵和/或陷阱級的含量(concentrat1n),以確定有機層32的劣化程度。當確定出有機層32的劣化程度時,可以根據(jù)劣化程度先占性地執(zhí)行電子校正，從而防止有機發(fā)光二極管設(shè)備的性能退化。
[0048]氫氣傳感器可以具有一種結(jié)構(gòu)，其中該結(jié)構(gòu)包括可逆地或不可逆地與氫氣相互作用來形成預定反應的材料、微粒或薄膜。例如，當氫氣傳感器與氫氣相互反應時，氫氣傳感器可以包括其視覺特性(如顏色變化)、聲音特性(如噪聲)、光學特性(如透射率)、電導率或電特性(如電阻)改變的材料、微?；虮∧?。
[0049]氫氣傳感器可以包括:使氫氣或由氫氣生成的水分選擇性地滲透的傳輸元件，可逆地或不可逆地與氫氣相互作用的傳感器元件，以及探測由相互作用導致的變化的探測元件，但不局限于此。
[0050]在一個實施例中，氫氣傳感器是QCM(石英晶體微量天平)或者SAW(表面聲波)傳感器。當在彼此面對的電極之間插入石英晶體并且施加電壓時，QCM可以通過其中以與這些電極與石英晶體之間的機械諧振點相對應的頻率生成振動的方法，來檢測大約毫微克的變化量。當QCM用作化學傳感器40時，可以檢測排出的氫氣的量和/或由氫氣生成的水分的量。
[0051]SAW傳感器利用形成在壓電基板上的一對電極，來基于施加至壓電基板的物理變化檢測表面彈性波的傳播速度變化。當化學傳感器40中包含SAW時，可以基于表面彈性波的傳播速度變化檢測排出的氫氣的量或者由氫氣生成的水分的量。作為SAW的一個示例，可以通過利用有孔金屬(如鈦(Ti)/鉭(Ta))，根據(jù)由于水分吸收而導致的表面彈性波的變化檢測水分的量。
[0052]此前已經(jīng)描述了用于檢測排出的氫氣的量或者由氫氣生成的水分的量的氫氣傳感器。在其它實施例中，可以利用其它類型的化學傳感器來檢測形成有機層32的有機化合物的劣化。
[0053]根據(jù)一個實施例，提供一種用于分析并補償有機層的有機化合物劣化程度的方法。在一個示例中，有機發(fā)光二極管設(shè)備包括用于簡單地且正確地測量有機化合物的劣化程度的傳感器。此外，有機發(fā)光二極管設(shè)備包括化學傳感器和包括陽極、有機層和陰極的有機發(fā)光元件，其中化學傳感器被放置在該有機發(fā)光元件內(nèi)部、外部或內(nèi)部和外部。通過簡單地并清楚地測量有機化合物的劣化程度以及基于表示劣化程度的信息執(zhí)行電子校正，可以先占地防止有機發(fā)光二極管設(shè)備的性能退化。
[0054]在本文中已經(jīng)公開了示例性實施例，雖然采用了具體術(shù)語，但是這些具體術(shù)語僅從一般的和說明的意義上使用和解釋，而不用于限制。在一些情況中，如本領(lǐng)域技術(shù)人員會明白的，在提交本申請時，關(guān)于特定實施例描述的特征、特性和/或要素可以單獨使用或者與關(guān)于其它實施例描述的特征、特性和/或要素結(jié)合使用，除非另外具體指出。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在不背離在下面的權(quán)利要求中提出的本發(fā)明的精神和范圍的情況下進行形式和細節(jié)上的各種變化。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管設(shè)備，包括: 有機發(fā)光元件，包括陽極、有機層和陰極；以及 化學傳感器，位于所述有機發(fā)光元件的內(nèi)部或外部中的至少一處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述化學傳感器檢測來自所述有機層的排出的氣體的量或由所述排出的氣體生成的產(chǎn)物的量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述化學傳感器包括: 傳輸層，選擇性地可滲透所述氣體或所述產(chǎn)物； 傳感器，可逆地或不可逆地與所滲透的氣體或產(chǎn)物相互作用；以及 探測器，基于所述相互作用探測變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述化學傳感器檢測基于所述氣體或所述產(chǎn)物的吸收的振動變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述化學傳感器包括氫氣傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述氫氣傳感器檢測來自所述有機層的排出的氫氣的量或由所述氫氣生成的水分的量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述氫氣傳感器包括: 傳輸層，選擇性地可滲透所述氫氣或所述水分； 傳感器，可逆地或不可逆地與所滲透的氫氣或水分相互作用；以及 探測器，基于所述相互作用探測變化。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述氫氣傳感器檢測由于所述氫氣或所述水分的吸收而導致的振動變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述氫氣傳感器包括石英晶體微量天平或者表面聲波傳感器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，進一步包括: 支撐基板，支撐所述有機發(fā)光元件； 對立基板，面對所述支撐基板；以及 密封器，密封所述支撐基板和所述對立基板，其中所述化學傳感器位于由所述支撐基板、所述對立基板和所述密封器限定的區(qū)域內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述化學傳感器位于與以下至少之一對應的位置: 所述有機發(fā)光元件的內(nèi)部， 所述有機發(fā)光元件與所述對立基板之間，或者 所述有機發(fā)光元件與所述密封器之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述有機層包括發(fā)射層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述有機層包括以下至少之 空穴輔助層，位于所述陽極與所述發(fā)射層之間，或者 電子輔助層，位于所述陰極與所述發(fā)射層之間。
14.一種有機發(fā)光二極管設(shè)備,包括: 有機發(fā)光元件，包括有機層；以及 傳感器，探測表示所述有機層的劣化程度的特性。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述特性是來自所述有機層的氣體的量。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述氣體是氫氣。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述特性是根據(jù)來自所述有機層的氣體得到的水分的量。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述傳感器位于所述有機發(fā)光器的內(nèi)部。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述特性表示所述有機發(fā)光器的一個或多個懸空鍵和/或陷阱級。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光二極管設(shè)備，其中所述特性表示所述有機發(fā)光器中的HOMO與LUMO之間的懸空鍵和/或陷阱級的含量。
【文檔編號】H01L27/32GK104241546SQ201410275697
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月24日
【發(fā)明者】樸商鎮(zhèn) 申請人:三星顯示有限公司