功率容量為100瓦的1dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種功率容量為100瓦的1dB衰減片，其包括一8.9*5.7*1mm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導線及5個黑色電阻，所述銀漿導線連接所述電阻形成衰減電路，所述5個黑色電阻的面積根據(jù)吸收功率的不同大小不一，所述5個黑色電阻采用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導層和所述銀漿導線采用端接地漿料導通。該衰減片在設(shè)計思路上考慮了衰減片從輸入到輸出衰減各個電阻對功率的吸收，定義了各個電阻的面積，同時優(yōu)化了銀漿導線的走向，改善了電路的駐波，同時通過電阻值的精確修改，得到高精度的衰減值。該功率容量為100瓦的1dB衰減片，各項指標優(yōu)良，滿足了目前4G網(wǎng)絡(luò)的使用要求。
【專利說明】 功率容量為100瓦的IdB哀減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種功率衰減片，特別涉及一種功率容量為100瓦的IdB衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監(jiān)控，當基站工作發(fā)生故障時無法及時地做出判斷，對設(shè)備沒有保護作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監(jiān)控，從而對設(shè)備形成有效保護。
[0003]衰減片作為一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說其應(yīng)與兩端電路都是匹配的。目前國內(nèi)10W-1dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號不符合實際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時，其衰減精度往往達不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿足436.3±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為1±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20:1max，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的功率容量為100瓦的IdB衰減片。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]其包括一 8.9*5.7*1MM的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導線及5個黑色電阻，所述銀漿導線連接所述電阻形成衰減電路，所述5個黑色電阻的面積根據(jù)吸收功率的不同大小不一，所述5個黑色電阻采用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導層和所述銀漿導線采用端接地漿料導通優(yōu)選的，所述端接地所用漿料為低溫烘烤銀漿。
[0007]優(yōu)選的，氮化鋁陶瓷基板采用低熱膨脹系數(shù)氮化鋁陶瓷基板。
[0008]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該衰減片以8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板作為基準，在設(shè)計思路上充分考慮了各個電阻對功率的吸收狀況，根據(jù)吸收功率的不同設(shè)計了不同的電阻面積，最大程度地優(yōu)化了產(chǎn)品的功率容量，同時改善了電路結(jié)構(gòu)，改善了電路的駐波，并且通過電阻值的精確修改，得到了高精度的衰減值。同時該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達阻值436.3±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為l±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax,能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0009]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。
[0012]如圖1所示，該功率容量為100瓦的IdB衰減片包括一氮化鋁基板I，氮化鋁基板I的背面印刷有導體層，導體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板I的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導線2，銀漿導線2將電阻Rl、R2、R3、R4、R5連接起來形成衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有高溫透明保護膜3，高溫透明保護膜3用于保護電阻R1、R2、R3、R4、R5。在整個電路即銀漿導線2及高溫透明保護膜3的上表面還印刷有一層保護膜4，保護膜4上再印刷有一層保護膜5，這樣可對整個電路進行包括，保護膜5上還可印刷品牌和型號。
[0013]該衰減片輸入端和接地的阻值為436.3±3% Ω，輸出端和接地端的阻值為436.3±3% Ω。信號從輸入端進入衰減片，從輸出端經(jīng)過1?1、1?2、1?5、1?3、1?4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。
[0014]該衰減片以8.9*5.7*1麗的氮化鋁基板作為基準，在設(shè)計思路上充分考慮了各個電阻對功率的吸收狀況，根據(jù)吸收功率的不同設(shè)計了不同的電阻面積，最大程度地優(yōu)化了產(chǎn)品的功率容量，同時改善了電路結(jié)構(gòu)，改善了電路的駐波，并且通過電阻值的精確修改，得到了高精度的衰減值。同時該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達阻值436.3±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為1±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足
1.20: lmax,能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0015]以上對本發(fā)明實施例所提供的一種功率容量為100瓦的IdB衰減片進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種功率容量為100瓦的IdB衰減片，其特征在于:其包括一 8.9*5.7*1MM的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導線及5個黑色電阻，所述銀漿導線連接所述電阻形成衰減電路，所述5個黑色電阻的面積根據(jù)吸收功率的不同大小不一，所述5個黑色電阻采用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導層和所述銀漿導線采用端接地漿料導通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率容量為100瓦的IdB衰減片，其特征在于:所述端接地所用漿料為低溫烘烤銀漿。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率容量為100瓦的IdB衰減片，其特征在于:氮化鋁陶瓷基板采用低熱膨脹系數(shù)氮化鋁陶瓷基板。
【文檔編號】H01P1/22GK104241789SQ201410235855
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司