衰減為24dB的100瓦氮化鋁瓦衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種衰減為24dB的氮化鋁100瓦衰減片，其包括一5.7*8.9*1.0mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述衰減電路的接地端與所述背導(dǎo)層連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜，所述衰減線路上印刷有兩層保護膜，所述兩層保護膜之間印刷有一層介質(zhì)層；該結(jié)構(gòu)的24dB的100瓦衰減片具有良好的VSWR性能以及衰減精度，在5.7*8.9*1.0mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到100W，同時使其特性突破了3G,使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進行良好的匹配，適用于目前的4G網(wǎng)絡(luò)。
【專利說明】衰減為24dB的100瓦氮化鋁瓦衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明設(shè)計一種衰減片,特別涉及一種衰減為24dB的100瓦氮化招衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時無法及時地做出判斷，對設(shè)備沒有保護作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監(jiān)控，從而對設(shè)備形成有效保護。
[0003]目前國內(nèi)100W_24dB的氮化鋁陶瓷衰減片的衰減精度大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制。而市場對衰減精度的要求很高，我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。目前市場上的衰減片當(dāng)使用頻段高于2G時，其衰減精度達不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。
[0004]目前國內(nèi)的100W_24dB衰減片因為設(shè)計的原因，衰減精度達不到要求，并且抗高低溫沖擊性能差，當(dāng)完成高低溫沖擊實驗后，阻值和衰減精度會偏出實際要求的范圍。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿足50.4±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為24±0.8dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足
1.20:1max，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦功率的衰減為24dB的100瓦氮化鋁衰減片。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種衰減為24dB的100瓦氮化鋁衰減片，其包括一 5.7*8.9*1.0mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述衰減電路的接地端與所述背導(dǎo)層連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜，所述衰減線路上印刷有兩層保護膜，所述兩層保護膜之間印刷有一層介質(zhì)層。
[0007]優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面印刷有雙層耐酸堿樹脂保護膜。
[0008]優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該衰減片以8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在第一黑色保護膜上加印了一層介質(zhì)層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，使得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達阻值50.4 ± 3 % Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為24±0.8dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)，填補了國內(nèi)不能生產(chǎn)100瓦24dB衰減片的空白。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。
[0013]如圖1所示，該衰減為24dB的100瓦氮化鋁衰減片包括一 8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板1，氮化鋁基板I的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，氮化鋁基板I的正面印刷有銀漿導(dǎo)線2及電阻Rl、R2、R3、R4及R5，銀漿導(dǎo)線2連接上述電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成衰減電路，衰減電路的接地端通過銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路導(dǎo)通。背導(dǎo)層、導(dǎo)線由需要高溫?zé)Y(jié)的導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
[0014]在電阻上R1、R2、R3、R4、R5印刷有玻璃保護膜3，玻璃保護膜3及銀漿導(dǎo)線2上印刷有第一黑色保護膜4，第一黑色保護膜4上印刷有一介質(zhì)層6。介質(zhì)層6上印刷有第二黑色保護膜5，第二黑色保護膜5上可印刷品牌和型號。第一黑色保護膜、第二黑色保護膜可對衰減電路起到雙重保護的作用。
[0015]該衰減片輸入端和接地的阻值為50.4±3% Ω，輸出端和接地端的阻值為50.4±3% Ω。信號從輸入端進入衰減片，從輸出端經(jīng)過R1、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。
[0016]該衰減片以8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在第一黑色保護膜上加印了一層介質(zhì)層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，同時采用該結(jié)構(gòu)可增大電阻R3，R4的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，進而避免了在輸出端焊接引線時高溫對電阻的淬傷而壞掉的風(fēng)險。使得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達阻值50.4±3%Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為24±0.8dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax,能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)，填補了國內(nèi)不能生產(chǎn)100瓦24dB衰減片的空白。
[0017]以上對本發(fā)明實施例所提供的一種衰減為24dB的100瓦氮化鋁衰減片進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種衰減為24dB的100瓦氮化鋁衰減片，其特征在于:其包括一 5.7*8.9*1.0mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述衰減電路的接地端與所述背導(dǎo)層連接，所述電阻上印刷有玻璃保護膜，所述衰減線路上印刷有兩層保護膜，所述兩層保護膜之間印刷有一層介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衰減為24dB的100瓦氮化鋁衰減片，其特征在于:所述導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面印刷有雙層耐酸堿樹脂保護膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衰減為24dB的100瓦氮化鋁衰減片，其特征在于:所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
【文檔編號】H01P1/22GK104241788SQ201410235852
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司