一種電子器件加工方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子器件加工方法，所述方法包括：在基板的表面設(shè)置第一層，所述基板的透光率大于第一透光率，所述第一層用于粘合第二層和所述基板，所述第一層的透光率大于第二透光率；在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，所述第二層包括導(dǎo)體材料；在所述第二層的表面設(shè)置第三層，形成所述第三層的第三材料包括導(dǎo)體材料，所述第三層具有鏤空的幾何圖案，利用所述幾何圖案構(gòu)成所述電子器件。
【專利說(shuō)明】一種電子器件加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)，尤其涉及一種電子器件加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在觸摸屏(Touch Panel, TP)的玻璃上加工天線可以采用以下工藝:
[0003]1、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)工藝，由于ITO不是良導(dǎo)體，導(dǎo)致采用這種工藝制作出的天線的電阻過(guò)大，從而導(dǎo)致天線性能很差。
[0004]2、絲網(wǎng)印刷工藝，采用這種工藝制作出的天線的精度低，影響TP的外觀，而且由于絲網(wǎng)印刷所采用的油墨不是良導(dǎo)體，導(dǎo)致采用這種工藝制作出的天線的電阻過(guò)大，進(jìn)而導(dǎo)致天線性能很差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決現(xiàn)有存在的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種信息處理方法和電子設(shè)備。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種電子器件加工方法，所述方法包括:
[0007]在基板的表面設(shè)置第一層，所述基板的透光率大于第一透光率，所述第一層用于粘合所述第二層和所述基板，所述第一層的透光率大于第二透光率；
[0008]在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，形成所述第二層的第二材料包括導(dǎo)體材料；
[0009]在所述第二層的表面設(shè)置第三層，形成所述第三層的第三材料包括導(dǎo)體材料，所述第三層具有鏤空的幾何圖案，利用所述幾何圖案構(gòu)成所述電子器件。
[0010]其中，所述在基板的表面設(shè)置第一層，包括:
[0011]在所述基板上的表面噴涂第一材料，得到第一層，所述第一層的厚度滿足預(yù)設(shè)的第一條件。
[0012]其中，所述第一材料包括透明漆。
[0013]其中，所述基板包括玻璃基板。
[0014]其中，所述在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，包括:
[0015]通過(guò)濺鍍工藝，在所述第一層的表面鍍上第二層。
[0016]其中，所述第二層的厚度滿足預(yù)設(shè)的第二條件。
[0017]其中，形成所述第二層的第二材料包括金屬。
[0018]其中，所述在所述第二層的表面設(shè)置第三層，包括:
[0019]通過(guò)化學(xué)鍍工藝，在所述第二層的表面鍍上第三層。
[0020]其中，所述第三層的厚度滿足預(yù)設(shè)的第三條件。
[0021 ] 其中，所述第三材料包括金屬。
[0022]其中，在所述第二層的表面設(shè)置第三層，包括:
[0023]在所述第二層的表面噴涂一層第四材料；
[0024]使預(yù)設(shè)區(qū)域的所述第四材料固化，固化的第四材料的形狀與所述幾何圖案相同；[0025]去除未固化的第四材料，以及所述未固化的第四材料所覆蓋的第一層和第二層；
[0026]去除第二層表面的所述固化的第四材料；
[0027]在所述第二層的表面設(shè)置第三層。
[0028]由上可知，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案包括在基板的表面設(shè)置第一層，所述基板的透光率大于第一透光率，所述第一層用于粘合第二層和所述基板，所述第一層的透光率大于第二透光率；在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，形成所述第二層的第二材料包括導(dǎo)體材料；在所述第二層的表面設(shè)置第三層，形成所述第三層的第三材料包括導(dǎo)體材料，所述第三層具有鏤空的幾何圖案，利用所述幾何圖案構(gòu)成所述電子器件。由此，本發(fā)明通過(guò)在基板的表面設(shè)置第一層，以及在第一層的表面設(shè)置第二層，使得能夠在基板上設(shè)置導(dǎo)電性能良好的第三層，進(jìn)而根據(jù)所述第三層制成所述電子器件。所述電子器件不僅精度高而且導(dǎo)電性能好。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第一實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第二實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0032]圖3為本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第三實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0033]圖4為本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第四實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0034]圖5為本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第五實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0035]圖6至圖12為本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第六實(shí)施例的工藝流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。
[0037]本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第一實(shí)施例，如圖1所示，所述方法包括:
[0038]步驟101、在基板的表面設(shè)置第一層；
[0039]所述基板的透光率大于第一透光率，所述第一層用于粘合第二層和所述基板，所述第一層的透光率大于第二透光率；
[0040]這里，所述基板為不耐高溫的透明材料，且金屬等導(dǎo)體不能直接的牢固附著于所述基板的表面。
[0041]在一實(shí)施例中，所述基板包括玻璃基板。
[0042]步驟102、在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，形成所述第二層的第二材料包括導(dǎo)體材料；
[0043]在一實(shí)施例中，所述第二材料包括金屬。如銅、銀、金等金屬。當(dāng)然，所述第二材料也可以包括其他良導(dǎo)體。
[0044]步驟103、在所述第二層的表面設(shè)置第三層，形成所述第三層的第三材料包括導(dǎo)體材料，所述第三層具有鏤空的幾何圖案，利用所述幾何圖案構(gòu)成所述電子器件。
[0045]在一實(shí)施例中，所述第三材料包括金屬。如銅、銀、金等金屬。當(dāng)然，所述第三材料也可以包括其他良導(dǎo)體。
[0046]這里，所述電子器件可以是天線等電子器件。
[0047]由此，本實(shí)施例通過(guò)在基板的表面設(shè)置第一層，以及在第一層的表面設(shè)置第二層，使得能夠在基板上設(shè)置導(dǎo)電性能良好的第三層，進(jìn)而根據(jù)所述第三層制成所述電子器件。所述電子器件不僅精度高而且導(dǎo)電性能好。
[0048]本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第二實(shí)施例，如圖2所示，所述方法包括:
[0049]步驟201、在所述基板上的表面噴涂第一材料，形成第一層；
[0050]所述第一層的厚度滿足預(yù)設(shè)的第一條件。所述第一層的厚度可以為I至10微米，較佳地，可以是I至5微米。
[0051]所述基板的透光率大于第一透光率，所述第一層用于粘合第二層和所述基板，所述第一層的透光率大于第二透光率；
[0052]在一實(shí)施例中，所述第一材料包括透明漆。透明漆的透過(guò)率較佳，而且粘合性能更好。
[0053]這里，所述基板為不耐高溫的透明材料，且金屬等導(dǎo)體不能直接的牢固附著于所述基板的表面。
[0054]在一實(shí)施例中，所述基板包括玻璃基板。
[0055]步驟202、在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，形成所述第二層的第二材料包括導(dǎo)體材料；
[0056]在一實(shí)施例中，所述第二材料包括金屬。如銅、銀、金等金屬。當(dāng)然，所述第二材料也可以包括其他良導(dǎo)體。
[0057]步驟203、在所述第二層的表面設(shè)置第三層，形成所述第三層的第三材料包括導(dǎo)體材料，所述第三層具有鏤空的幾何圖案，利用所述幾何圖案構(gòu)成所述電子器件。
[0058]在一實(shí)施例中，所述第三材料包括金屬。如銅、銀、金等金屬。當(dāng)然，所述第三材料也可以包括其他良導(dǎo)體。
[0059]由此，本實(shí)施例在所述基板上的表面噴涂第一層，使用噴涂工藝可以更好的控制第一層的厚度，而且使得第一層更均勻。
[0060]本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第三實(shí)施例，如圖3所示，所述方法包括:
[0061]步驟301、在基板的表面設(shè)置第一層，所述基板的透光率大于第一透光率，所述第一層用于粘合第二層和所述基板，所述第一層的透光率大于第二透光率；
[0062]這里，所述基板為不耐高溫的透明材料，且金屬等導(dǎo)體不能牢固附著于所述基板的表面。
[0063]在一實(shí)施例中,所述基板包括玻璃基板。
[0064]步驟302、通過(guò)濺鍍工藝，在所述第一層的表面鍍上第二材料，形成第二層，所述第二材料包括導(dǎo)體材料；
[0065]在一實(shí)施例中，所述第二材料包括金屬。如銅、銀、金等金屬。當(dāng)然，所述第二材料也可以包括其他良導(dǎo)體。
[0066]在一實(shí)施例中，所述第二層的厚度滿足預(yù)設(shè)的第二條件。所述第二層的厚度可以為I至10微米，較佳地，可以是I至5微米。
[0067]步驟303、在所述第二層的表面設(shè)置第三層，形成所述第三層的第三材料包括導(dǎo)體材料，所述第三層具有鏤空的幾何圖案，利用所述幾何圖案構(gòu)成所述電子器件。
[0068]在一實(shí)施例中，所述第三材料包括金屬。如銅、銀、金等金屬。當(dāng)然，所述第三材料也可以包括其他良導(dǎo)體。
[0069]由此，本實(shí)施例通過(guò)濺鍍工藝在所述第一層的表面鍍上第二層，使用濺鍍工藝可以更好的控制第二層的厚度，而且使得第二層更均勻。
[0070]本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第四實(shí)施例，如圖4所示，所述方法包括:
[0071]步驟401、在基板的表面設(shè)置第一層，所述基板的透光率大于第一透光率，所述第一層用于粘合第二層和所述基板，所述第一層的透光率大于第二透光率；
[0072]這里，所述基板為不耐高溫的透明材料，且金屬等導(dǎo)體不能牢固附著于所述基板的表面。
[0073]在一實(shí)施例中，所述基板包括玻璃基板。
[0074]步驟402、在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，形成所述第二層的第二材料包括導(dǎo)體材料；
[0075]在一實(shí)施例中，所述第二材料包括金屬。如銅、銀、金等金屬。當(dāng)然，所述第二材料也可以包括其他良導(dǎo)體。
[0076]步驟403、通過(guò)化學(xué)鍍工藝，在所述第二層的表面鍍上第三材料，形成第三層，所述第三材料包括導(dǎo)體材料，所述第三層具有鏤空的幾何圖案，利用所述幾何圖案構(gòu)成所述電子器件。
[0077]在一實(shí)施例中，所述第三層的厚度滿足預(yù)設(shè)的第三條件。所述第三層的厚度可以根據(jù)所加工電子器件的實(shí)際情況確定。通常，所述第三層的厚度可以為10至20微米，較佳地，可以是10至15微米。
[0078]這里，所述第三層的厚度可以大于所述第二層的厚度。
[0079]在一實(shí)施例中，所述第三材料包括金屬。如銅、銀、金等金屬。當(dāng)然，所述第三材料也可以包括其他良導(dǎo)體。
[0080]由此，本實(shí)施例通過(guò)化學(xué)鍍工藝在所述第二層的表面鍍上第三層，使用化學(xué)鍍工藝可以高效、節(jié)能的鍍上第三層。
[0081]本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第五實(shí)施例，如圖5所示，所述方法包括:
[0082]步驟501、在基板的表面設(shè)置第一層，所述基板的透光率大于第一透光率，所述第一層用于粘合第二層和所述基板，所述第一層的透光率大于第二透光率；
[0083]這里，所述基板為不耐高溫的透明材料，且金屬等導(dǎo)體不能牢固附著于所述基板的表面。
[0084]在一實(shí)施例中，所述基板包括玻璃基板。
[0085]步驟502、在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，形成所述第二層的第二材料包括導(dǎo)體材料；
[0086]步驟503、在所述第二層的表面噴涂一層第四材料；
[0087]在一實(shí)施例中，所述第四材料可以包括光刻膠。
[0088]步驟504、使預(yù)設(shè)區(qū)域的所述第四材料固化，固化的第四材料的幾何圖案用于構(gòu)成電子器件；
[0089]步驟505、去除未固化的第四材料，以及所述未固化的第四材料所覆蓋的第一層和
第二層；
[0090]步驟506、去除第二層表面的所述固化的第四材料；
[0091 ] 步驟507、在所述第二層的表面設(shè)置第三層，形成所述第三層的第三材料包括導(dǎo)體材料，所述第三層具有鏤空的幾何圖案，利用所述幾何圖案構(gòu)成所述電子器件。
[0092]由此，本實(shí)施例采用半導(dǎo)體器件制造的成熟工藝，能夠提高電子器件的精度，保證電子器件的性能。
[0093]本發(fā)明提供的一種電子器件加工方法的第六實(shí)施例，本實(shí)施例中基板為玻璃基板、第一材料為透明漆、第二材料為銅、第三材料為銅、第四材料為光刻膠，下面結(jié)合圖6至12對(duì)本發(fā)明的工藝流程進(jìn)行介紹。
[0094]步驟601、在玻璃基板的表面噴涂透明漆，形成透明漆層，如圖6所示；
[0095]步驟602、在所述透明漆的表面濺鍍銅，形成鍍銅層，如圖7所示；
[0096]步驟603、在所述銅的表面噴涂光刻膠，形成光刻膠層，如圖8所示；
[0097]步驟604、將玻璃基板放入曝光機(jī)里，光線通過(guò)掩模板使預(yù)設(shè)區(qū)域的光刻膠固化，固化的光刻膠的圖形與由掩模板中的圖形決定，如圖9所示；
[0098]步驟605、通過(guò)腐蝕工藝去除未固化的光刻膠，以及所述未固化的光刻膠所覆蓋的銅和透明漆，如圖10所示；
[0099]步驟606、通過(guò)腐蝕工藝去除銅表面的固化的光刻膠，如圖11所示；
[0100]步驟607、在所述鍍銅層的表面通過(guò)化學(xué)鍍的方式再設(shè)置一層銅，如圖12所示。
[0101]由此，本實(shí)施例采用半導(dǎo)體器件制造的成熟工藝，能夠提高電子器件的精度，保證電子器件的性能。
[0102]在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的設(shè)備和方法，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。以上所描述的設(shè)備實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，如:多個(gè)單元或組件可以結(jié)合，或可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的各組成部分相互之間的耦合、或直接耦合、或通信連接可以是通過(guò)一些接口，設(shè)備或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性的、機(jī)械的或其它形式的。
[0103]上述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是、或也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是、或也可以不是物理單元；既可以位于一個(gè)地方，也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上；可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。
[0104]另外，在本發(fā)明各實(shí)施例中的各功能單元可以全部集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各單元分別單獨(dú)作為一個(gè)單元，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中；上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
[0105]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備、只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory, ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Access Memory, RAM)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0106]或者，本發(fā)明上述集成的單元如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，也可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備、只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory，ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Access Memory, RAM)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0107]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種電子器件加工方法，所述方法包括: 在基板的表面設(shè)置第一層，所述基板的透光率大于第一透光率，所述第一層用于粘合第二層和所述基板，所述第一層的透光率大于第二透光率； 在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，形成所述第二層的第二材料包括導(dǎo)體材料；在所述第二層的表面設(shè)置第三層，形成所述第三層的第三材料包括導(dǎo)體材料，所述第三層具有鏤空的幾何圖案，利用所述幾何圖案構(gòu)成所述電子器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板的表面設(shè)置第一層，包括: 在所述基板上的表面噴涂第一材料，形成第一層，所述第一層的厚度滿足預(yù)設(shè)的第一條件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一材料包括透明漆。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述基板包括玻璃基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一層的表面設(shè)置所述第二層，包括: 通過(guò)濺鍍工藝，在所述第一層的表面鍍上第二材料，形成第二層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述第二層的厚度滿足預(yù)設(shè)的第二條件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述第二材料包括金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二層的表面設(shè)置第三層，包括: 通過(guò)化學(xué)鍍工藝，在所述第二層的表面鍍上第三材料，形成第三層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的方法，其特征在于，所述第三層的厚度滿足預(yù)設(shè)的第三條件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的方法，其特征在于，所述第三材料包括金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5或8所述的方法，其特征在于，在所述第二層的表面設(shè)置第三層，包括: 在所述第二層的表面噴涂一層第四材料； 使預(yù)設(shè)區(qū)域的所述第四材料固化，固化的第四材料的形狀與所述幾何圖案相同； 去除未固化的第四材料，以及所述未固化的第四材料所覆蓋的第一層和第二層； 去除第二層表面的所述固化的第四材料； 在所述第二層的表面設(shè)置第三層。
【文檔編號(hào)】H01Q1/38GK103928756SQ201410103649
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月19日
【發(fā)明者】林輝 申請(qǐng)人:聯(lián)想(北京)有限公司