背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，包括：采用高濃度堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行拋光處理，在硅片的正面和背面均形成拋光結(jié)構(gòu)；在硅片的背面形成一層掩膜；采用低濃度堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行制絨，在掩膜的保護(hù)下，只在硅片的正面形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)；對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，去除掩膜，保留硅片背面的拋光結(jié)構(gòu)；對(duì)硅片表面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成N+層；以及電極的制備。本發(fā)明的方法可以簡(jiǎn)便有效地制備出背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池，并進(jìn)一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
【專利說明】背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，中國(guó)光伏電池領(lǐng)域發(fā)展迅速，太陽能光伏發(fā)電將會(huì)替代部分常規(guī)能源成為世界能源供應(yīng)的主體。太陽能電池主要包括晶體硅電池和薄膜電池。然而，薄膜電池所用設(shè)備昂貴、轉(zhuǎn)換效率不高等缺點(diǎn)，未來10年晶體硅太陽能電池的主導(dǎo)地位仍不會(huì)改變。晶體硅太陽能電池包括單晶硅、多晶硅和不定形硅為基體材料的太陽能電池，單晶硅太陽能電池是以高純的單晶硅棒為原料的太陽能電池，是目前開發(fā)得最快的一種太陽能電池，它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于空間和地面。
[0003]目前，請(qǐng)參閱圖1，圖1為工業(yè)生產(chǎn)的單晶硅太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0004]步驟LOl:對(duì)硅片進(jìn)行槽式雙面制絨；
[0005]步驟L02:對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散前清洗；
[0006]步驟L03:擴(kuò)散制結(jié)；例如，對(duì)于P或N型太陽能電池，進(jìn)行雙面磷擴(kuò)散，在硅片的表面形成N+層；這里，擴(kuò)散過程中，不僅會(huì)在硅片正面形成N+層，也會(huì)在硅片背面及側(cè)面邊緣形成N+層；然后，進(jìn)行濕法刻蝕，去除硅片背面和側(cè)面邊緣的N+層；
[0007]步驟L04:制備電極；例如，針對(duì)P或N型太陽能電池，在硅片的正面沉積氮化硅薄膜；接著，絲網(wǎng)印刷電極材料，比如依次印刷銀鋁漿背電極、鋁背電場(chǎng)和銀正電極；最后高溫?zé)Y(jié)制備出電極。
[0008]上述方法中，單晶硅片雙面均具有絨面結(jié)構(gòu)，當(dāng)光照射正面時(shí)，會(huì)在表面的絨面結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生二次反射，大大提高對(duì)光的吸收率；但是，背面的絨面結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致鋁背場(chǎng)燒結(jié)后形成的P+層不平整，對(duì)于N型半導(dǎo)體襯底則影響PN結(jié)的質(zhì)量，對(duì)電池的短路電流和開路電壓產(chǎn)生不利影響，最終導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率的下降。
[0009]此外，雖然采用上述方法去除背面的N+層的過程中能夠使絨面結(jié)構(gòu)變小，但是，襯底背面仍具有絨面結(jié)構(gòu)，也會(huì)導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率的下降，因此，需要一種方法，可以有效簡(jiǎn)便地制備出正面為絨面結(jié)構(gòu)和背面為拋光結(jié)構(gòu)的太陽能電池。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]為了克服上述問題，本發(fā)明旨在簡(jiǎn)化制備背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的工藝步驟，有效地實(shí)現(xiàn)正面絨面結(jié)構(gòu)和背面拋光結(jié)構(gòu)，從而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0011]本發(fā)明的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其中，該制備方法包括以下步驟:
[0012]步驟SOl:采用高濃度堿溶液對(duì)所述硅片進(jìn)行拋光處理，在所述硅片的正面和背面均形成拋光結(jié)構(gòu)；[0013]步驟S02:在所述硅片的背面形成一層掩膜；
[0014]步驟S03:采用低濃度堿溶液對(duì)所述硅片進(jìn)行制絨，在所述掩膜的保護(hù)下，只在所述硅片的正面形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)；
[0015]步驟S04:對(duì)所述硅片進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，去除所述掩膜，保留所述硅片背面的拋光結(jié)構(gòu)；
[0016]步驟S05:在所述娃片正面形成N+層；
[0017]步驟S06:制備電極。
[0018]優(yōu)選地，所述掩膜為二氧化硅膜或氮化硅膜。
[0019]優(yōu)選地,所述掩膜的厚度不小于5nm。
[0020]優(yōu)選地，所述掩膜的制備采用擴(kuò)散爐或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。
[0021]優(yōu)選地，所述高濃度堿溶液的濃度大于2%，所述低濃度堿溶液的濃度小于2%。
[0022]優(yōu)選地,所述堿溶液為氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液。
[0023]優(yōu)選地，所述擴(kuò)散前清洗所采用的溶液為氫氟酸溶液。
[0024]優(yōu)選地，所述硅片正面制絨采用的是槽式制絨機(jī)。
[0025]優(yōu)選地，所述步驟S05中在所述硅片正面形成N+層的方法包括:首先，對(duì)所述硅片的表面進(jìn)行磷擴(kuò)散，擴(kuò)散方阻為60-90ohm，從而在所述硅片的正面、背面和側(cè)面邊緣均形成N+層；然后，采用濕法刻蝕工藝去除所述硅片背面和側(cè)面邊緣的N+層，保留所述硅片正面的
N.層。
[0026]優(yōu)選地，所述制備電極的方法包括:
[0027]步驟Al:采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述硅片正面形成一層氮化硅薄膜；
[0028]步驟A2:采用絲網(wǎng)印刷工藝制備背電極、背電場(chǎng)和正電極；
[0029]步驟A3:采用燒結(jié)工藝，使所述背電極和所述正電極均與所述硅片形成歐姆接觸，并在所述硅片與所述背電場(chǎng)接觸的區(qū)域形成P+層。
[0030]本發(fā)明的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，通過采用高濃度堿溶液進(jìn)行各向同性刻蝕使硅片正面和背面均呈現(xiàn)為拋光結(jié)構(gòu)，再利用掩膜對(duì)硅片背面進(jìn)行保護(hù)，采用低濃度堿溶液進(jìn)行各向異性刻蝕，巧妙地在硅片正面形成絨面結(jié)構(gòu)，在去除掩膜之后，背面為拋光結(jié)構(gòu)；同時(shí)，由于在傳統(tǒng)的工藝方法中，在制絨后進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，利用掩膜易被清洗液比如氫氟酸腐蝕的特性，在該常規(guī)清洗步驟中即可去除掩膜，而不需要增加新的工藝步驟，因此，本發(fā)明的方法可以簡(jiǎn)便有效地制備出背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池，從而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。采用本發(fā)明的方法和常規(guī)的方法相比，其開路電壓增加值大于3mV，短路電流增加值大于0.2A，光電轉(zhuǎn)換效率增加值大于0.3%。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為工業(yè)生產(chǎn)的單晶硅太陽能電池的制備方法
[0032]圖2為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法所制備的太陽能電池的剖面結(jié)構(gòu)示意圖
[0033]圖3為本發(fā)明的上述較佳實(shí)施例的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法的流程示意圖[0034]圖4為本發(fā)明的上述較佳實(shí)施例中在正面制絨后所形成的硅片剖面結(jié)構(gòu)示意圖【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0036]以下結(jié)合具體實(shí)施例和附圖2-4對(duì)本發(fā)明的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。其中，圖2為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法所制備的太陽能電池的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為本發(fā)明的上述較佳實(shí)施例的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法的流程示意圖，圖4為本發(fā)明的上述較佳實(shí)施例中在正面制絨后所形成的硅片剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]本發(fā)明的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，可以應(yīng)用于制備N型或P型太陽能電池，如前所述，由于本發(fā)明的方法可以較為簡(jiǎn)便和有效地制備出背面拋光結(jié)構(gòu)，對(duì)N型電池而言，背面拋光結(jié)構(gòu)有利于提高其PN結(jié)的質(zhì)量，對(duì)P型電池而言，背面拋光結(jié)構(gòu)有利于提高鋁背場(chǎng)燒結(jié)后形成的P+層的平整度，因此，本發(fā)明的方法能夠簡(jiǎn)化工藝和有效提高太陽能電池的光轉(zhuǎn)換效率。
[0038]請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中，在硅片5的正面上具有絨面結(jié)構(gòu)3，在絨面結(jié)構(gòu)3中具有N+層4，在絨面結(jié)構(gòu)3上沉積有氮化硅薄膜2，正電極I穿透氮化硅薄膜2和絨面結(jié)構(gòu)3,與N+層4相接觸；在娃片5的背面表面具有背電場(chǎng)7,在背電場(chǎng)7和娃片5的背面的接觸區(qū)域形成有P+層6，背電極8的側(cè)面與P+層6和背電場(chǎng)7接觸，頂部與硅片5直接接觸。需要說明的是，在本發(fā)明中，硅片可以為N型，也可以為P型，所形成的太陽能電池的結(jié)構(gòu)可以但不限于為N+NP+型太陽能電池，在該較佳實(shí)施例僅以N型單晶硅片所形成的N+NP+型太陽能電池為例進(jìn)行說明，但這不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0039]單晶硅被堿溶液腐蝕的原理為:單晶硅的(100)面與(111)面被腐蝕速率之商定義為“各向異性因子”(SI)。當(dāng)堿液濃度較低(< 2%)時(shí)，各向異性因子較大，(100)面被腐蝕速率明顯大于(111)面，腐蝕后會(huì)在表面形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)。隨著堿液濃度的升高，各向異性因子逐漸減小并趨近于1，當(dāng)趨近于I時(shí)，硅片(100)面與(111)面的被腐蝕速度相近，得到的表面是平坦光亮的，稱為背面拋光結(jié)構(gòu)。當(dāng)堿濃度大于2%時(shí)我們認(rèn)為會(huì)對(duì)硅片進(jìn)行拋光。因此，在本發(fā)明中，低濃度堿溶液指濃度小于2%的堿溶液，高濃度堿溶液指濃度大于2%的堿溶液。
[0040]本發(fā)明即采用上述原理，利用高濃度堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向同性刻蝕，通過掩膜對(duì)硅片背面的保護(hù)，再利用低濃度堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性刻蝕，從而在硅片正面形成金字塔絨面，在硅片背面形成拋光面，經(jīng)后續(xù)加工制備出的單晶硅太陽能電池，在本發(fā)明中稱之為背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池。
[0041]以下請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明的上述較佳實(shí)施例中的制備上述背面拋光結(jié)構(gòu)太陽能電池的方法，具體包括以下步驟:
[0042]步驟SOl:采用高濃度堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行拋光處理，在硅片的正面和背面均形成拋光結(jié)構(gòu)；
[0043]具體的，在該實(shí)施例中，利用槽式制絨機(jī)并采用氫氧化鈉溶液對(duì)硅片進(jìn)行拋光處理，高濃度堿溶液指的是濃度大于2%的堿溶液。當(dāng)然，在本發(fā)明中，所采用的高濃度堿溶液可以但不限于為氫氧化鈉溶液，還可以為氫氧化鉀溶液等。
[0044]步驟S02:在硅片的背面形成一層掩膜；
[0045]具體的，在該實(shí)施例中，可以但不限于利用擴(kuò)散爐在硅片背面沉積掩膜，也可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法來制備該掩膜，還可以采用低壓化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法、溶膠凝膠沉積或化學(xué)氧化法等；由于擴(kuò)散前清洗過程中所采用的溶液通常為氫氟酸溶液，因此，掩膜的材料為容易被氫氟酸溶液腐蝕的材料，并且由于后續(xù)還要進(jìn)行低濃度堿溶液腐蝕，所以掩膜的材料需要不易于堿溶液反應(yīng)，較佳地，可以為二氧化硅或氮化硅膜，掩膜的厚度不小于5nm。
[0046]步驟S03:采用低濃度堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行制絨，在掩膜的保護(hù)下，只在硅片的正面形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)；
[0047]具體的，在該實(shí)施例中，低濃度堿溶液指的是濃度小于2%的堿溶液。由于掩膜遮擋在硅片背面，對(duì)背面起到保護(hù)作用，低濃度的堿溶液只能腐蝕到硅片正面；原理為:掩膜一般情況下不與堿溶液反應(yīng)，比如氮化硅膜，如果掩膜為二氧化硅膜，其與該低濃度的堿溶液的反應(yīng)也非常慢，因此，掩膜的存在，能夠阻止硅片背面與堿溶液的反應(yīng)，從而保護(hù)了背面拋光結(jié)構(gòu)。在硅片正面，如前所述原理，低濃度堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性刻蝕，(100)面被腐蝕速率大于(111)面，腐蝕后會(huì)在表面形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)。
[0048]步驟S04:對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，去除掩膜，保留硅片背面的拋光結(jié)構(gòu)。
[0049]具體的，在該實(shí)施例中，擴(kuò)散前清洗采用的溶液為氫氟酸溶液，利用掩膜容易被氫氟酸溶液腐蝕的特性，在氫氟酸漂洗槽中即可將掩膜完全去除，因此，該步驟中不需要增加其它步驟即可去除掩膜，簡(jiǎn)化了工藝步驟。
[0050]請(qǐng)參閱圖4，在該較佳實(shí)施例中，對(duì)硅片進(jìn)行正面制絨之后，所形成的硅片剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖中3為正面金字塔絨面，9為背面拋光結(jié)構(gòu)。在經(jīng)擴(kuò)散前清洗之后，掩膜被去除掉，暴露出背面拋光結(jié)構(gòu)9。
[0051]步驟S05:對(duì)硅片的表面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成N+層；磷擴(kuò)散可以采用常規(guī)工藝進(jìn)行，其中，該N+層的方阻可以為60-90ohm，經(jīng)磷擴(kuò)散后，在硅片的正面、背面和側(cè)面邊緣均形成N+層。
[0052]步驟S06:濕法刻蝕該硅片；保留硅片正面的N+層，去除該硅片背面以及側(cè)面邊緣的由于上述磷擴(kuò)散形成的N+層，防止產(chǎn)生漏電。濕法刻蝕可以采用常規(guī)的刻蝕溶液，比如硝酸、氫氟酸、鹽酸等。當(dāng)然，該步驟中，還可以包括采用氫氟酸溶液去除擴(kuò)散層上的磷硅玻璃，這是由于在擴(kuò)散過程中，不可避免會(huì)在硅片背面和側(cè)面形成磷硅玻璃。
[0053]需要說明的是，本實(shí)施例中經(jīng)過步驟S05和S06之后，在硅片的正面形成了 N+層，當(dāng)然，在本發(fā)明中，在硅片的正面形成N+層的方法，還可以為直接在正面制備絨面，然后對(duì)絨面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成N+層；也可以為直接在正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成N+層等，本發(fā)明對(duì)此不作限制。
[0054]步驟S07:采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在硅片正面形成一層氮化硅薄膜；在本實(shí)施例中，該氮化硅薄膜的厚度可以為60-100nm。
[0055]步驟S08:采用絲網(wǎng)印刷工藝在硅片上制備背電極、背電場(chǎng)和正電極；
[0056]步驟S09:采用燒結(jié)工藝，使背電極和正電極均與硅片形成歐姆接觸，并在硅片與背電場(chǎng)接觸的區(qū)域形成P+層。
[0057]需要說明的是，在本發(fā)明中，制備背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池包括正面制絨、擴(kuò)散制結(jié)和電極的制備，在正面制絨和擴(kuò)散前清洗之后，可以但不限于為該實(shí)施例中的步驟S05-S09，還可以包括其它擴(kuò)散制結(jié)和電極制備工藝過程，根據(jù)實(shí)際所要制備的太陽能電池的結(jié)構(gòu)的不同而不同。比如，可以先制備背電場(chǎng)、再制備背電極和正電極等。
[0058]綜上所述，本發(fā)明的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，通過采用高濃度堿溶液進(jìn)行各向同性刻蝕使硅片正面和背面均呈現(xiàn)為拋光結(jié)構(gòu)，再利用掩膜對(duì)硅片背面進(jìn)行保護(hù)，采用低濃度堿溶液進(jìn)行各向異性刻蝕，巧妙地在硅片正面形成絨面結(jié)構(gòu)，在去除掩膜之后，背面為拋光結(jié)構(gòu)；同時(shí)，由于在傳統(tǒng)的工藝方法中，在制絨后進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，利用掩膜易被清洗液比如氫氟酸腐蝕的特性，在該常規(guī)清洗步驟中即可去除掩膜，而不需要增加新的工藝步驟，因此，本發(fā)明的方法可以簡(jiǎn)便有效地制備出背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池，從而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0059]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然所述實(shí)施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動(dòng)與潤(rùn)飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟SOl:采用高濃度堿溶液對(duì)所述硅片進(jìn)行拋光處理，在所述硅片的正面和背面均形成拋光結(jié)構(gòu)； 步驟S02:在所述硅片的背面形成一層掩膜； 步驟S03:采用低濃度堿溶液對(duì)所述硅片進(jìn)行制絨，在所述掩膜的保護(hù)下，只在所述硅片的正面形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)； 步驟S04:對(duì)所述硅片進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，去除所述掩膜，保留所述硅片背面的拋光結(jié)構(gòu)； 步驟S05:在所述硅片正面形成N+層； 步驟S06:制備電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述掩膜為二氧化硅膜或氮化硅膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述掩膜的厚度不小于5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述掩膜的制備采用擴(kuò)散爐或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述高濃度堿溶液的濃度大于2%，所述低濃度堿溶液的濃度小于2%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述堿溶液為氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述擴(kuò)散前清洗所采用的溶液為氫氟酸溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述硅片正面制絨采用的是槽式制絨機(jī)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S05中在所述硅片正面形成N+層的方法包括:首先，對(duì)所述硅片的表面進(jìn)行磷擴(kuò)散，擴(kuò)散方阻為60-90ohm，從而在所述硅片的正面、背面和側(cè)面邊緣均形成N+層；然后，采用濕法刻蝕工藝去除所述硅片背面和側(cè)面邊緣的N+層，保留所述硅片正面的N+層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述制備電極的方法包括: 步驟Al:采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述硅片正面形成一層氮化硅薄膜； 步驟A2:采用絲網(wǎng)印刷工藝制備背電極、背電場(chǎng)和正電極； 步驟A3:采用燒結(jié)工藝，使所述背電極和所述正電極均與所述硅片形成歐姆接觸，并在所述硅片與所述背電場(chǎng)接觸的區(qū)域形成P+層。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103746044SQ201410043107
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2014年1月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月29日
【發(fā)明者】張勤杰, 杜飛龍, 傅建奇, 李秀青, 華永云 申請(qǐng)人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司