一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)，包括芯片基體、以及在芯片基體內(nèi)的上下相對(duì)的第1電極層和第2電極層，其特征在于：在所述芯片基體相對(duì)兩側(cè)各有一個(gè)的導(dǎo)通孔，在所述導(dǎo)通孔上下兩端分別為焊接端子，所述導(dǎo)通孔表面覆有銅箔和所述焊接端子電路導(dǎo)通；本實(shí)用新型將貼片元器件層路之間的盲孔導(dǎo)通改為側(cè)孔環(huán)導(dǎo)通，簡(jiǎn)化PCB制程，縮短制程時(shí)間，通過(guò)內(nèi)層蝕刻方式制作此導(dǎo)通孔，內(nèi)層蝕刻可多片板同時(shí)進(jìn)行，并且10分鐘能完成，可大幅提高生產(chǎn)效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，具體涉及一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]迷你的貼片元器件產(chǎn)品內(nèi)部電路經(jīng)盲孔實(shí)現(xiàn)層路之間的導(dǎo)通，盲孔是貼片元器件連接表層和內(nèi)層而不貫通整版的導(dǎo)通孔，對(duì)孔的大小和深度要求比較搞，多采用⑶2激光打孔機(jī)(昂貴設(shè)備)及電漿，微蝕等附加制程來(lái)保證盲孔導(dǎo)通的可靠性。而激光打孔只能一個(gè)一個(gè)打孔，一般40分鐘才完成一片，并可能有局部漏打，同時(shí)，由于板厚不均，能量衰減等條件限制，激光打盲孔的可靠性存在風(fēng)險(xiǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型設(shè)計(jì)一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)，能夠解在不需要打盲孔的情況下解決貼片元器件內(nèi)部電路層路之間的導(dǎo)通，采用如下的技術(shù)方案。
[0004]一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)，包括芯片基體、以及在芯片基體內(nèi)的上下相對(duì)的第1電極層和第2電極層，其特征在于:在所述芯片基體相對(duì)兩側(cè)各有一個(gè)的導(dǎo)通孔，在所述導(dǎo)通孔上下兩端分別為焊接端子，所述導(dǎo)通孔表面覆有銅箔和所述焊接端子電路導(dǎo)通；所述第1電極層和所述的其中一側(cè)的導(dǎo)通孔接通，所述第1電極層經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)通孔實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通到所述焊接端子；所述第2電極層和所述的其中另一側(cè)的導(dǎo)通孔接通，所述第2電極層經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)通孔實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通到所述焊接端子；所述導(dǎo)通孔為內(nèi)凹的半圓貫通孔。
[0005]本實(shí)用新型將貼片元器件層路之間的盲孔導(dǎo)通改為側(cè)孔環(huán)導(dǎo)通，簡(jiǎn)化？⑶制程，縮短制程時(shí)間，通過(guò)內(nèi)層蝕刻方式制作此導(dǎo)通孔，內(nèi)層蝕刻可多片板同時(shí)進(jìn)行，并且10分鐘能完成，可大幅提聞生廣效率；同時(shí)提聞廣品導(dǎo)通可罪度，盲孔底部不能有任何殘留污染，否則電路導(dǎo)通不穩(wěn)定，由于板厚不均，能量衰減等條件限制，激光打盲孔的可靠性存在風(fēng)險(xiǎn)，而本實(shí)用新型的側(cè)孔環(huán)導(dǎo)通是全貫通孔，沒(méi)有深度要求，保證電路層之間導(dǎo)通的穩(wěn)定性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]附圖1為本實(shí)用新型的側(cè)視圖。
[0007]附圖2為本實(shí)用新型的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)，包括芯片基體1、以及在芯片基體內(nèi)的上下相對(duì)的第1電極層2和第2電極層3，在所述芯片基體1相對(duì)兩側(cè)各有一個(gè)的導(dǎo)通孔4，在所述導(dǎo)通孔上下兩端分別為焊接端子5，所述導(dǎo)通孔4表面覆有銅箔6和所述焊接端子5電路導(dǎo)通；所述第1電極層2和所述的其中一側(cè)的導(dǎo)通孔4接通，所述第1電極層2經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)通孔4實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通到所述焊接端子5 ；所述第2電極層3和所述的其中另一側(cè)的導(dǎo)通孔4接通，所述第2電極層3經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)通孔4實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通到所述焊接端子5 ；所述導(dǎo)通孔5為內(nèi)凹的半圓貫通孔。
[0009]在該實(shí)施例中，產(chǎn)品內(nèi)部電路層之間的導(dǎo)通取消盲孔，通過(guò)外側(cè)的導(dǎo)通孔接通一端的焊接端子，簡(jiǎn)化？⑶制程，縮短制程時(shí)間，通過(guò)內(nèi)層蝕刻方式制作此導(dǎo)通孔，內(nèi)層蝕刻可多片板同時(shí)進(jìn)行，并且10分鐘能完成，可大幅提高生產(chǎn)效率；同時(shí)提高產(chǎn)品導(dǎo)通可靠度，盲孔底部不能有任何殘留污染，否則電路導(dǎo)通不穩(wěn)定，由于板厚不均，能量衰減等條件限制，激光打盲孔的可靠性存在風(fēng)險(xiǎn)，而本實(shí)用新型的側(cè)孔環(huán)導(dǎo)通是全貫通孔，沒(méi)有深度要求，保證電路層之間導(dǎo)通的穩(wěn)定性。。
[0010]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思路，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)，包括芯片基體、以及在芯片基體內(nèi)的上下相對(duì)的第1電極層和第2電極層，其特征在于:在所述芯片基體相對(duì)兩側(cè)各有一個(gè)的導(dǎo)通孔，在所述導(dǎo)通孔上下兩端分別為焊接端子，所述導(dǎo)通孔表面覆有銅箔和所述焊接端子電路導(dǎo)通；所述第1電極層和所述的其中一側(cè)的導(dǎo)通孔接通，所述第1電極層經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)通孔實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通到所述焊接端子；所述第2電極層和所述的其中另一側(cè)的導(dǎo)通孔接通，所述第2電極層經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)通孔實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通到所述焊接端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貼片自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)通孔為內(nèi)凹的半圓貫通孔。
【文檔編號(hào)】H01H85/04GK203631462SQ201320775847
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月2日
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