單層式陶瓷電容器及其介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)包括：基材主體，其具有上表面、相對的下表面以及連接上表面和下表面的側(cè)表面，其中基材主體具有長軸和短軸，其中長軸與短軸的比值大于1；以及第一凹槽和第二凹槽分別形成于上表面與下表面上。還提供了一種包括上述介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)的單層式陶瓷電容器。通過改變介質(zhì)基板結(jié)構(gòu)以滿足電子裝置高可靠度的需求。
【專利說明】單層式陶瓷電容器及其介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領域】
[0001]本實用新型涉及一種電容器結(jié)構(gòu)，特別地涉及一種單層式陶瓷電容器及其介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]電容器是一種常用的無源元件，電容器應用在例如電視、手機、電腦、等各種電機、電子設備中。電容器的基本結(jié)構(gòu)是通過兩個互相靠近的金屬電極，并在其中間隔一絕緣體(介質(zhì))，然后在兩金屬電極上分別通以電流以儲存電能。近年來，隨著集成電路高性能化和高密度化的發(fā)展趨勢，再加上高速組裝功能的表面組裝技術(shù)(Surface Mount Technology,SMT )開發(fā)，促使許多電子設備逐漸改以芯片型表面組裝(SMT)取代傳統(tǒng)插件型(ThroughHole)的焊接方式，因此，芯片化的無源元件需求也快速提升，使其要求尺寸也愈來愈小。因此如何在有限的結(jié)構(gòu)大小中制造高品質(zhì)、高可靠度的產(chǎn)品是業(yè)界所努力的方向。
實用新型內(nèi)容
[0003]為了解決上述問題，本實用新型的一個目的是提供一種單層式陶瓷電容器及其介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，通過改變介質(zhì)基板結(jié)構(gòu)以滿足電子裝置高可靠度的需求。
[0004]為了達到上述目的，本實用新型的一實施例的單層式陶瓷電容器之介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)包括:基材主體，該基材主體具有上表面、相對于該上表面的下表面以及連接該上表面和該下表面的側(cè)表面，其中所述基材主體具有長軸和短軸，且該長軸與該短軸的比值大于I ;第一凹槽，該第一凹槽形成于所述上表面上；以及第二凹槽，該第二凹槽形成于所述下表面上。
[0005]所述側(cè)表面包括位于所述短軸方向上且相對設置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面，并且所述第一凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述上表面分隔為分離的兩個次上表面。
[0006]所述第二凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述下表面分隔為分離的兩個次下表面。
[0007]所述第二凹槽沿著所述短軸方向延伸，并且所述第二凹槽的開口延伸到所述第二短側(cè)表面以形成第二開槽，并且該第二開槽的底部與所述下表面形成段差。
[0008]所述側(cè)表面包括位于所述短軸方向上且相對設置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面，且所述第一凹槽的開口延伸到所述第一短側(cè)表面以形成第一開槽，并且所述第一開槽的底部與所述上表面形成段差。
[0009]所述第二凹槽的開口延伸到所述第二短側(cè)表面以形成第二開槽，并且該第二開槽的底部與該下表面形成段差。
[0010]所述單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)還包括第一電極層，該第一電極層設置于所述上表面的一部分和所述側(cè)表面的一部分上；以及第二電極層，該第二電極層設置于所述下表面的一部分和所述側(cè)表面的一部分上。[0011]本實用新型的一實施例的一種單層式陶瓷電容器，包括:介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，該介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)包括:基材主體，該基材主體具有上表面、相對于該上表面的下表面以及連接該上表面和該下表面的側(cè)表面,其中該基材主體具有長軸與短軸，且該長軸與該短軸的比值大于I ;第一凹槽，該第一凹槽形成于所述上表面上；第二凹槽，該第二凹槽形成于所述下表面上；以及所述側(cè)表面包括位于所述短軸方向上且相對設置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面；第一電極層，該第一電極層設置于所述上表面以及與所述上表面連接的所述第二短側(cè)表面上；第二電極層，該第二電極層設置于所述下表面以及與所述下表面連接的所述第一短側(cè)表面上；兩個端子，該兩個端子分別設置于所述第一短側(cè)表面和所述第二短側(cè)表面，并且分別與所述第一電極層和所述第二電極層電性連接；以及密封膠體，包封所述介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)、所述第一電極層和所述第二電極層，并且使所述兩個端子暴露于所述密封膠體的外部。
[0012]所述第一凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述上表面分隔為分離的兩個次上表面；以及所述第二凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述下表面分隔為分離的兩個次下表面。
[0013]所述第一凹槽的開口延伸到所述第一短側(cè)表面以形成第一開槽，且該第一開槽的底部與所述上表面形成段差；以及所述第二凹槽的開口延伸到所述第二短側(cè)表面以形成第二開槽，且該第二開槽的底部與所述下表面形成段差。
[0014]所述第一凹槽和所述第二凹槽的其中一個沿著所述短軸方向延伸，并將所述上表面或所述下表面分隔為分離的兩個次表面；以及所述第一凹槽和所述第二凹槽的其中另一個沿著所述短軸方向延伸，且所述第一凹槽或所述第二凹槽的開口延伸到所述第一短側(cè)表面或所述第二短側(cè)表面以形成第一開槽或第二開槽，且該第一開槽的底部與所述上表面形成段差或者該第二開槽的底部與所述下表面形成段差。
[0015]所述第一電極層的材質(zhì)是銀膠、銅漿或以上的組合；以及所述第二電極層的材質(zhì)是銀膠、銅漿或以上的組合。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1A和圖1B是本實用新型的一實施例的單層式陶瓷電容器介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖及其剖視圖。
[0017]圖2A和圖2B是本實用新型的另一實施例的單層式陶瓷電容器介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖及其剖視圖。
[0018]圖3A和圖3B是本實用新型的又一實施例的單層式陶瓷電容器介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0019]圖4A、圖4B、圖4C和圖4D的本實用新型的一實施例的單層式陶瓷電容器的制作流程的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖5A、圖5B和圖5C是本實用新型的又一實施例的密封膠體包封介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0021]附圖標號說明
[0022]1:介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)
[0023]10:基材主體[0024]101:上表面
[0025]1011，1012:次上表面
[0026]102:下表面
[0027]1021, 1022:次下表面
[0028]103:側(cè)表面
[0029]1031:第一短側(cè)表面
[0030]1032:第二短側(cè)表面
[0031]11:第一凹槽
[0032]111:第一開槽
[0033]12:第二凹槽
[0034]121:第二開槽
[0035]13:第一電極層
[0036]14:第二電極層
[0037]15, 16:端子
[0038]17:密封膠體
[0039]2:模具
[0040]X1:長軸
[0041]X2:短軸
[0042]S1, S2:段差
【具體實施方式】
[0043]本實用新型的詳細說明如下，優(yōu)選實施例僅作為說明并非限定本實用新型。
[0044]根據(jù)一方面，一種單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)包括:基材主體，其具有上表面、相對于上表面的下表面以及連接上表面與下表面的側(cè)表面，其中基材主體具有長軸和短軸，且長軸與短軸的比值大于I ;形成在上表面上的第一凹槽；以及形成在下表面上的第
二凹槽。
[0045]上述側(cè)表面包括位于短軸方向上且相對設置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面，并且第一凹槽沿著短軸方向延伸，并將上表面分隔為分離的兩個次上表面。而第二凹槽沿著短軸方向延伸，并將下表面分隔為分離的兩個次下表面。此外，介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)還包括:第一電極層，其設置于部分上表面與部分側(cè)表面上；以及第二電極層，其設置于部分下表面與部分側(cè)表面上。
[0046]首先，請參考圖1A及圖1B，圖1A和圖1B是本實用新型的一實施例的單層式陶瓷電容器介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖及其剖視圖。如圖所示，此為單層式的陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，該實施例的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)I包括:基材主體10，該基材主體10具有上表面101、下表面102以及連接上表面101與下表面102的側(cè)表面103，并且上表面101與下表面102近似平行地相對設置。如圖1A所示，基材主體10具有:長軸X1與短軸X2，并且長軸X1與短軸X2之比值大于I，使得基材主體10的外型大約呈現(xiàn)長條型片狀結(jié)構(gòu)，在此實施例中，側(cè)表面103包括:第一短側(cè)表面1031 (如圖1B所示)和第二短側(cè)表面1032 (如圖1B所示)，且第一短側(cè)表面1031與第二短側(cè)表面1032都位于基材主體10的短軸X2方向上且相對設置。此外，第一凹槽11和第二凹槽12分別形成于基材主體10的上表面101上和下表面102上。在此實施例中，如圖1A與圖1B所示，第一凹槽11沿著短軸X2方向延伸，并將上表面101分隔為分離的兩個次上表面1011、1012。而第二凹槽12也沿著短軸X2方向延伸，并將下表面102分隔為分離的兩個次下表面1021、1022。此外，如圖1B所示，介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)I還包括:第一電極層13和第二電極層14,其中第一電極層13是設置在次上表面1011和側(cè)表面1032上以形成第一電極部；而第二電極層14是設置于次下表面1021和側(cè)表面1031上以形成第二電極部，也就是說，第一電極層13與第二電極層14分別形成于基材主體10的上表面11和下表面12以形成單獨且電性分離的兩電極部。在此實施例中，凹槽設計的目的在于增加第一電極層與第二電極層的安全距離以形成類似如防火墻般的障壁，從而避免發(fā)生跳火問題發(fā)生。因此可以理解的是，只要凹槽結(jié)構(gòu)可提供如上述功能，則凹槽的大小、形狀與位置可不限于圖1A和圖1B所示。
[0047]根據(jù)另一方面，上述第一凹槽的開口可延伸到第一短側(cè)表面以形成第一開槽，且第一開槽的底部與上表面形成段差；以及上述第二凹槽的開口也延伸到第二短側(cè)表面以形成第二開槽，且第二開槽的底部與下表面形成段差。
[0048]如圖2A和圖2B所示，圖2A和圖2B是本實用新型的又一實施例的單層式陶瓷電容器介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖及其剖視圖。在此實施例中，基材主體10的凹槽設計略與第一實施例不同，如圖所示，第一凹槽11 (如圖1A)的開口可擴大延伸到第一短側(cè)表面1031，以形成第一開槽111，且第一開槽111的底部與基材主體10的上表面101形成階梯狀段差Sp同樣地，第二凹槽12的開口也可延伸擴大到第二短側(cè)表面1032，以形成第二開槽121，且第二開槽121的底部與基材主體10下表面102形成另一階梯狀段差S2。則上述第一電極層13 (如圖2B所示)設置在上表面101和第二短側(cè)表面1032上；而上述第二電極層14則設置在下表面102和第一短側(cè)表面1031上，以分別形成電性分隔的兩個電極部。
[0049]根據(jù)另一方面，當上述第一凹槽沿著短軸方向延伸，并將上表面分隔為分離的兩個次上表面時，上述第二凹槽也可沿著短軸方向延伸，且第二凹槽的開口延伸到第二短側(cè)表面以形成第二開槽，且第二開槽的底部與下表面形成段差，反之亦然。因此，可以理解的是，凹槽結(jié)構(gòu)也可與開槽結(jié)構(gòu)搭配使用，如圖3A與圖3B所示，其結(jié)構(gòu)大致如上描述，在此省略。
[0050]根據(jù)又一方面，本實用新型的一實施例的一種單層式陶瓷電容器包括:介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其包括基材主體，其具有上表面、相對于上表面的下表面以及連接上表面與下表面的側(cè)表面，其中基材主體具有長軸和短軸，且長軸與短軸之比值大于I ;第一凹槽，其形成于上表面上；第二凹槽，其形成于下表面上；以及側(cè)表面，其包括位于短軸方向上的且相對設置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面。第一電極層設置于上表面和與上表面連接的第二短側(cè)表面上。第二電極層設置于下表面和與下表面連接的第一短側(cè)表面上。兩端子分別設置于第一短側(cè)表面與第二短側(cè)表面，并分別與第一電極層、第二電極層電性連接。以及，密封膠體包封介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)、第一電極層和第二電極層，并使得兩端子暴露于密封膠體外。
[0051]上述第一電極層的材質(zhì)是銀膠、銅漿或以上的組合。而上述第二電極層之材質(zhì)是銀膠、銅漿或以上的組合。
[0052]介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)的實例可以是，實例一:上述第一凹槽與上述第二凹槽皆沿著短軸方向延伸，并分別將上表面分隔為分離的兩個次上表面，并且將下表面分隔為分離的兩個次下表面。其次，實例二可以是:上述第一凹槽的開口延伸至第一短側(cè)表面以形成第一開槽，且第一開槽的底部與上表面形成段差；以及上述第二凹槽的開口延伸至第二短側(cè)表面以形成第二開槽，且第二開槽的底部與下表面形成段差。另外，實例三可以是:凹槽與開槽合并使用，即第一凹槽和第二凹槽的其中一個沿著短軸方向延伸，并且將上表面或下表面分隔為分離的兩個次表面；而第一凹槽和第二凹槽的其中另一個沿著短軸方向延伸，并且第一凹槽或第二凹槽的開口延伸至第一短側(cè)表面或第二短側(cè)表面以形成第一開槽或第二開槽，且第一開槽的底部與上表面形成段差或者第二開槽的底部與下表面形成段差。
[0053]請參考圖4A、圖4B、圖4C和圖4D，圖4A、圖4B、圖4C和圖4D是本實用新型的一實施例的單層式陶瓷電容器的制作流程的結(jié)構(gòu)示意圖。首先請參考圖4A，如圖所示，介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)I的基材主體10具有第一凹槽11、第二凹槽12，其并以適當方式分別形成于基材主體10的上表面101和下表面102。而第一電極層13形成于部分上表面101和第二短側(cè)表面1032 ;而第二電極層14則形成于部分下表面102和第一短側(cè)表面1031，以分別形成電性獨立的兩電極部。而兩端子15、16則分別以適當方式設置于第一短側(cè)表面1031和第二短側(cè)表面1032上，以分別與第二電極層14、第一電極層13電性連接，如圖4B所示。接著，如圖4C所示，圖4C是俯視示意圖，提供模具2，以容置已設置端子15、16的上述介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)1，并以適當方式形成密封膠體17包封介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)1、第一電極層13和第二電極層14，并使端子15、16暴露于密封膠體17外，以對外部電性連接。包封完成后的結(jié)構(gòu)如圖4D所示。而根據(jù)不同實施例的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)1，其利用密封膠體17包封時的示意圖分別如圖5A、圖5B和圖5C所示，其中介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)I的結(jié)構(gòu)特征如同上述實施例所述，在此即不再多作說明。而基材主體10上的凹槽或開槽設計不僅可增加上下電極層的安全距離，也可使填充密封膠體時增加密封膠體與基材主體的接觸面積，以有效提高產(chǎn)品的可靠度。
[0054]根據(jù)上述，本實用新型一個目的是提供一種單層式陶瓷電容器及其介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，通過改變介質(zhì)基板結(jié)構(gòu)以滿足電子裝置高可靠度的需求。
[0055]以上所述的實施例僅為說明本實用新型的技術(shù)思想及特點，其目的在于使本領域技術(shù)人員能夠了解本實用新型的內(nèi)容并予以實施，但不能以此限定本實用新型的保護范圍，凡根據(jù)本實用新型所揭示的精神所作的等效改變或改進，都應包含在本申請的專利范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 基材主體,該基材主體具有上表面、相對于該上表面的下表面以及連接該上表面和該下表面的側(cè)表面，其中 所述基材主體具有長軸和短軸，且該長軸與該短軸的比值大于I; 第一凹槽，該第一凹槽形成于所述上表面上；以及 第二凹槽，該第二凹槽形成于所述下表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)表面包括位于所述短軸方向上且相對設置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面，并且所述第一凹槽沿著所述短軸方向 延伸，并將所述上表面分隔為分離的兩個次上表面。
3.如權(quán)利要求2所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述下表面分隔為分離的兩個次下表面。
4.如權(quán)利要求2所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹槽沿著所述短軸方向延伸，并且所述第二凹槽的開口延伸到所述第二短側(cè)表面以形成第二開槽，并且該第二開槽的底部與所述下表面形成段差。
5.如權(quán)利要求1所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)表面包括位于所述短軸方向上且相對設置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面，且所述第一凹槽的開口延伸到所述第一短側(cè)表面以形成第一開槽，并且所述第一開槽的底部與所述上表面形成段差。
6.如權(quán)利要求5所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹槽的開口延伸到所述第二短側(cè)表面以形成第二開槽，并且該第二開槽的底部與該下表面形成段差。
7.如權(quán)利要求1所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第一電極層，該第一電極層設置于所述上表面的一部分和所述側(cè)表面的一部分上；以及第二電極層，該第二電極層設置于所述下表面的一部分和所述側(cè)表面的一部分上。
8.一種單層式陶瓷電容器，其特征在于，包括: 介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，該介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)包括:基材主體，該基材主體具有上表面、相對于該上表面的下表面以及連接該上表面和該下表面的側(cè)表面，其中 該基材主體具有長軸與短軸，且該長軸與該短軸的比值大于I ; 第一凹槽，該第一凹槽形成于所述上表面上； 第二凹槽，該第二凹槽形成于所述下表面上；以及 所述側(cè)表面包括位于所述短軸方向上且相對設置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面； 第一電極層，該第一電極層設置于所述上表面以及與所述上表面連接的所述第二短側(cè)表面上； 第二電極層，該第二電極層設置于所述下表面以及與所述下表面連接的所述第一短側(cè)表面上； 兩個端子，該兩個端子分別設置于所述第一短側(cè)表面和所述第二短側(cè)表面，并且分別與所述第一電極層和所述第二電極層電性連接；以及 密封膠體，該密封膠體包封所述介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)、所述第一電極層和所述第二電極層，并且使所述兩個端子暴露于所述密封膠體的外部。
9.如權(quán)利要求8所述的單層式陶瓷電容器，其特征在于，所述第一凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述上表面分隔為分離的兩個次上表面；以及所述第二凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述下表面分隔為分離的兩個次下表面。
10.如權(quán)利要求8所述的單層式陶瓷電容器，其特征在于，所述第一凹槽的開口延伸到所述第一短側(cè)表面以形成第一開槽，且該第一開槽的底部與所述上表面形成段差；以及所述第二凹槽的開口延伸到所述第二短側(cè)表面以形成第二開槽，且該第二開槽的底部與所述下表面形成段差。
11.如權(quán)利要求8所述的單層式陶瓷電容器，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的其中一個沿著所述短軸方向延伸，并將所述上表面或所述下表面分隔為分離的兩個次表面；以及所述第一凹槽和所述第二凹槽的其中另一個沿著所述短軸方向延伸，且所述第一凹槽或所述第二凹槽的開口延伸到所述第一短側(cè)表面或所述第二短側(cè)表面以形成第一開槽或第二開槽，且該第一開槽的底部與所述上表面形成段差或者該第二開槽的底部與所述下表面形成段差。
【文檔編號】H01G4/12GK203690113SQ201320649722
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
【發(fā)明者】紀彥玨, 邱垂成, 莊天云 申請人:炳軒科技股份有限公司, 增智電子股份有限公司, 成功工業(yè)（惠州）有限公司