光耦合器的制造方法
【專利摘要】一種光耦合器，解決了現(xiàn)有的光耦合器不能兼顧CMR特性以及CTR特性且制造成本高的問題。本實用新型的光耦合器包括：輸入側(cè)引線框；輸出側(cè)引線框，與所述輸入側(cè)引線框相對且隔著間隔而配置；發(fā)光元件，安裝在所述輸入側(cè)引線框中的所述輸出側(cè)引線框側(cè)的面；受光元件，在所述輸出側(cè)引線框中的所述輸入側(cè)引線框側(cè)的面，與所述發(fā)光元件相對且隔著間隔而安裝；以及突起物，配置在所述輸出側(cè)引線框中的所述受光元件的周圍的區(qū)域的至少一部分中，且由向所述輸入側(cè)引線框側(cè)突出的導(dǎo)電性的接合線或者凸部構(gòu)成。
【專利說明】光輔合器【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及具有發(fā)光元件以及受光元件的光耦合器。
【背景技術(shù)】
[0002]一般的光耦合器成為如下結(jié)構(gòu):兩個引線框相對而隔著間隔配置，在輸入側(cè)的引線框中安裝并接合發(fā)光元件(例如，發(fā)光二極管)，在輸出側(cè)的引線框中安裝并接合受光元件(例如，受光1C)，發(fā)光元件和受光元件相對而隔著間隔配置(例如，參照專利文獻2的圖5)。在這樣的光I禹合器中，由于在輸入輸出之間(發(fā)光兀件一受光兀件之間)寄生電容(雜散電容)等效地存在，所以若對寄生電容施加因噪聲信號或高速開關(guān)動作而急劇變化的電壓，則存在即使發(fā)光元件不點亮，也從輸入側(cè)(發(fā)光元件以及引線框)對受光元件流過電流(位移電流)從而產(chǎn)生輸出的誤動作的情況。
[0003]關(guān)于這樣的誤動作，作為表示誤動作的難易度的指標(biāo)，有被稱為CMR(Common ModeRejection (共模抑制);瞬間同相消除電壓)的參數(shù)。CMR是指可將光耦合器的輸出狀態(tài)維持準(zhǔn)確的狀態(tài)的最大的同相電壓Vai的轉(zhuǎn)換速率，作為每I μ s的電壓變化值來表示(參照非專利文獻I)。
[0004]在如上所述的一般的光耦合器中，經(jīng)由因噪聲信號或高速開關(guān)動作而電壓急劇變化所引起的輸入輸出之間的寄生電容流過的位移電流id可由[數(shù)學(xué)式I]表示。
[0005][數(shù)學(xué)式I]
【權(quán)利要求】
1.一種光稱合器，其特征在于，包括: 輸入側(cè)引線框； 輸出側(cè)引線框，與所述輸入側(cè)引線框相對且隔著間隔而配置； 發(fā)光元件，安裝在所述輸入側(cè)引線框中的所述輸出側(cè)引線框側(cè)的面上； 受光元件，在所述輸出側(cè)引線框中的所述輸入側(cè)引線框側(cè)的面上，與所述發(fā)光元件相對且隔著間隔而安裝；以及 突起物，配置在所述輸出側(cè)引線框中的所述受光元件的周圍的區(qū)域的至少一部分中，且由向所述輸入側(cè)引線框側(cè)突出的導(dǎo)電性的接合線或者凸部構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的光耦合器，其特征在于， 所述突起物突出得比所述受光元件的厚度還高。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光耦合器，其特征在于， 所述突起物的前端部呈尖狀。
4.如權(quán)利要求1或2所述的光耦合器，其特征在于， 所述突起物沒有配置在從所述發(fā)光元件至所述受光元件的光路上。
5.如權(quán)利要求1或2所述的光耦合器，其特征在于， 所述輸入側(cè)引線框在所述輸出側(cè)引線框側(cè)的面上具有凹部， 所述發(fā)光元件安裝在所述凹部內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1或2所述的光耦合器，其特征在于， 所述輸出側(cè)引線框側(cè)在所述輸入側(cè)引線框側(cè)的面上具有其他的凹部， 所述受光元件安裝在所述其他的凹部內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1或2所述的光耦合器，其特征在于， 具有將所述受光元件和所述輸出側(cè)引線框進行電連接的其他的接合線， 在所述突起物由接合線構(gòu)成的情況下，所述其他的接合線為與所述突起物相同的材料。
【文檔編號】H01L31/12GK203481259SQ201320560425
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月12日
【發(fā)明者】御田村和宏, 森林茂, 柳沼隆太 申請人:瑞薩電子株式會社