Tft陣列基板、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種TFT陣列基板，包括第一電極層；以及層疊于所述第一電極層下方的第二電極層；其中，所述第一電極層包括條形第一電極，第二電極層為片狀電極，所述條形第一電極包括彎曲部，所述第二電極層包括至少一個(gè)開(kāi)孔，所述開(kāi)孔位于所述彎曲部的下方。本發(fā)明的TFT陣列基板通過(guò)在第二電極層上設(shè)置開(kāi)孔，并設(shè)置開(kāi)孔位于第一電極的彎曲部的下方，可以達(dá)到以下至少一個(gè)效果：減少條形第一電極的彎曲部和第二電極層之間的交疊面積，從而減少條形第一電極的彎曲部與第二電極層交疊處的電場(chǎng)對(duì)液晶配向的影響，而達(dá)到減少黑色籌線的效果，及提高基板制備的良率，提高了顯示品質(zhì)。
【專利說(shuō)明】TFT陣列基板、顯示面板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種TFT陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，平板顯示器，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)和有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light Emit Display, OLED)等，由于其具有體積小、重量輕、厚度薄、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。在成像過(guò)程中，平板顯示器中每一像素點(diǎn)都由集成在陣列基板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)來(lái)驅(qū)動(dòng)，再配合外圍驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)圖像顯示，TFT是控制發(fā)光的開(kāi)關(guān)，是實(shí)現(xiàn)液晶顯示器LCD和有機(jī)發(fā)光顯示器OLED大尺寸化的關(guān)鍵，直接關(guān)系到高性能平板顯示器的發(fā)展方向。在實(shí)際產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)，有些液晶顯示器在白畫(huà)面下，出現(xiàn)了黑色籌線這一顯示缺陷，而隨著對(duì)產(chǎn)品和顯示效果的要求越來(lái)越高，如何快速消除黑色籌線成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
[0004]—種TFT陣列基板,包括第一電極層；以及層疊于所述第一電極層下方的第二電極層；其中，所述第一電極層包括條形第一電極，第二電極層為片狀電極，所述條形第一電極包括彎曲部，所述第二電極層包括至少一個(gè)開(kāi)孔，所述開(kāi)孔位于所述彎曲部的下方。
[0005]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括如上所述的TFT陣列基板；彩膜基板，與所述TFT陣列基板相對(duì)設(shè)置，以及液晶層，位于所述TFT陣列基板和彩膜基板之間。
[0006]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下突出的優(yōu)點(diǎn)之一:
[0008]本發(fā)明的TFT陣列基板、顯示面板和顯示裝置，通過(guò)在第二電極層上設(shè)置開(kāi)孔，并設(shè)置開(kāi)孔位于第一電極的彎曲部的下方，可以達(dá)到以下至少一個(gè)效果:減少條形第一電極的彎曲部和第二電極層之間的的交疊面積，從而減少條形第一電極的彎曲部與第二電極層交疊處的電場(chǎng)對(duì)液晶配向的影響，而達(dá)到減少黑色籌線的效果，及提高基板制備的良率，提聞了顯不品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的TFT陣列基板的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是本發(fā)明一實(shí)施例第一電極層的一種俯視圖；
[0011]圖3是本發(fā)明一實(shí)施例第一電極層的另一種俯視圖；
[0012]圖4是本發(fā)明一實(shí)施例的TFT陣列基板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖5是本發(fā)明一實(shí)施例的TFT陣列基板的條形第一電極與開(kāi)孔的俯視示意圖；
[0014]圖6是本發(fā)明又一實(shí)施例的TFT陣列基板的一種結(jié)構(gòu)不意圖；[0015]圖7是本發(fā)明一實(shí)施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖8本發(fā)明一實(shí)施例提供的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0018]需要說(shuō)明的是:
[0019]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列基板可以由非晶硅工藝、低溫多晶硅工藝或氧化物工藝制備，其相關(guān)的制程可以采用本領(lǐng)域的習(xí)知技術(shù)，在此不贅述。
[0021]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例一提供一種TFT陣列基板I，包括第一電極層2 ;以及層疊于所述第一電極層2下方的第二電極層3，第二電極層3為片狀電極，即第二電極層3是整面平鋪于TFT陣列基板1，以及絕緣層11，位于第一電極層2和第二電極層3之間；其中，如圖2所示，所述第一電極層2包括條形第一電極21，每條條形第一電極21間有刻縫22，所述條形第一電極21包括彎曲部211，所述第二電極層3包括至少一個(gè)開(kāi)孔31，所述開(kāi)孔31位于所述彎曲部211的下方(例如為正下方)，本發(fā)明實(shí)施例不對(duì)每條條形第一電極的彎曲部211的數(shù)量做限制，比如，還可以如圖3所示，每條條形第一電極包括3個(gè)彎曲部211。
[0022]進(jìn)一步的，如圖4所示，所述開(kāi)孔31貫穿于所述第二電極層3。所述開(kāi)孔31的數(shù)量小于等于所述彎曲部211的數(shù)量(需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例不對(duì)開(kāi)孔31的數(shù)量做限制，圖4中的開(kāi)孔311數(shù)量為2個(gè)僅為舉例而非限定，實(shí)際工作中，工作人員可以根據(jù)實(shí)際需求合理設(shè)定)。
[0023]如圖5所示，所述開(kāi)孔31沿第一方向Y的最大長(zhǎng)度yI小于等于所述彎曲部211沿第一方向Y的最大長(zhǎng)度y2。如圖2和圖5所不,所述開(kāi)孔31沿第二方向X的最大長(zhǎng)度xl小于等于相鄰兩條所述條形第一電極21的間距pitch。所述開(kāi)孔31沿第一方向Y的長(zhǎng)度順著彎曲部211的開(kāi)口朝向方向逐漸減小，如圖1和圖5所示，第一方向Y、第二方向X和第三方向Z在空間上兩兩互相垂直。
[0024]進(jìn)一步的，所述第一電極層2為像素電極層，所述第二電極層3為公共電極層(即第二電極層3被施加公共電位);或者，所述第一電極層2為公共電極層(即第一電極層2被施加公共電位)，所述第二電極層3為像素電極層。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例一的TFT陣列基板通過(guò)在第二電極層3上設(shè)置開(kāi)孔31，并將開(kāi)孔31設(shè)置于條形第一電極21的彎曲部211的正下方，可以達(dá)到以下至少一個(gè)效果:減少條形第一電極21的彎曲部211和第二電極層3之間的的交疊面積，從而減少條形第一電極21的彎曲部211與第二電極層3交疊處的電場(chǎng)，進(jìn)而減少條形第一電極21的彎曲部211與第二電極層3交疊處的電場(chǎng)對(duì)液晶配向的影響，而達(dá)到減少黑色籌線的效果，及提高基板制備的良率，提聞了顯不品質(zhì)。
[0026]本發(fā)明進(jìn)一步的提供實(shí)施例二，本實(shí)施例二與實(shí)施例一的TFT陣列基板I具有相同的部分不再重述。如圖6所示，本實(shí)施例中，開(kāi)孔31不貫穿所述第二電極層3，開(kāi)孔31朝向所述第一電極層2。
[0027]相應(yīng)的,如圖7所示,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板4,包括TFT陣列基板I和彩膜基板5，彩膜基板5與TFT陣列基板I相對(duì)設(shè)置；以及液晶層6，位于所述TFT陣列基板I和彩膜基板5之間。其中，TFT陣列基板I采用上述實(shí)施例一、二中所述的TFT陣列基板，通常情況下，所述顯示面板可以為液晶顯示面板。
[0028]相應(yīng)的,如圖8所示,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置7,包括顯示面板4,顯示面板4采用如上所示的顯示面板。顯示裝置不限于液晶顯示裝置，通常情況下，所述顯示裝置可以為液晶顯示裝置，但是顯示裝置還可以為有機(jī)發(fā)光顯示裝置等。
[0029]現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)手指或壓頭在顯示面板上劃動(dòng)時(shí)，面板上出現(xiàn)劃痕(即黑色籌線，disclination)，隨著時(shí)間的推移劃痕逐漸消失，劃痕在微觀上表現(xiàn)為液晶分子出現(xiàn)紊亂配向，導(dǎo)致亮度與未劃過(guò)的區(qū)域不一致；黑色籌線產(chǎn)生的機(jī)理是由于當(dāng)外力按壓顯示面板時(shí)，由于彎曲部與彎曲部下方的第二電極層形成第二方向電場(chǎng)和第三方向電場(chǎng)(如圖1和圖5所不，第二方向電場(chǎng)平行于第二方向X ;第三方向電場(chǎng)平行于第三方向Z,即第三方向電場(chǎng)垂直于整個(gè)顯不基板)，而第二方向電場(chǎng)和第三方向電場(chǎng)得同時(shí)存在導(dǎo)致條形第一電極的彎曲部下方的液晶出現(xiàn)紊亂配向，從而產(chǎn)生黑色籌線，進(jìn)而擴(kuò)散到整個(gè)像素區(qū)域，當(dāng)外力消除時(shí)，液晶無(wú)法恢復(fù)到初始排列或者恢復(fù)緩慢。
[0030]而本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板和顯示裝置，通過(guò)在第二電極層上設(shè)置開(kāi)孔，并將開(kāi)孔設(shè)置于條形第一電極的彎曲部的正下方，可以達(dá)到以下至少一個(gè)效果:減少條形第一電極的彎曲部和第二電極層之間的的交疊面積，從而減少條形第一電極的彎曲部與第二電極層交疊處的電場(chǎng)，進(jìn)而減少條形第一電極的彎曲部與第二電極層交疊處的電場(chǎng)對(duì)液晶配向的影響，而達(dá)到減少黑色籌線的效果，及提聞基板制備的良率，提聞了顯不品質(zhì)。
[0031]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板，包括 第一電極層；以及 層疊于所述第一電極層下方的第二電極層； 其中，所述第一電極層包括條形第一電極，第二電極層為片狀電極，所述條形第一電極包括彎曲部，所述第二電極層包括至少一個(gè)開(kāi)孔，所述開(kāi)孔位于所述彎曲部的下方。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)孔的數(shù)量小于等于所述彎曲部的數(shù)量。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)孔貫穿于所述第二電極層。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)孔不貫穿所述第二電極層。
5.如權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)孔朝向所述第一電極層。
6.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)孔沿第一方向的最大長(zhǎng)度小于等于所述彎曲部沿第一方向的最大長(zhǎng)度。
7.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)孔沿第二方向的最大長(zhǎng)度小于等于相鄰兩條所述條形第一電極的間距。
8.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開(kāi)孔沿第一方向的長(zhǎng)度順著彎曲部的開(kāi)口朝向方向逐漸減小。
9.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一電極層為像素電極層，所述第二電極層為公共電極層；或者，所述第一電極層為公共電極層，所述第二電極層為像素電極層。
10.一種顯不面板,包括: 如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板； 彩膜基板，與所述TFT陣列基板相對(duì)設(shè)置；以及 液晶層，位于所述TFT陣列基板和彩膜基板之間。
11.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求10所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103943629SQ201310712762
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月23日
【發(fā)明者】樂(lè)琴, 沈柏平, 葉巖溪 申請(qǐng)人:廈門(mén)天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司