一種高清晰度數(shù)字x射線平板探測器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法，具體步驟包括：將襯底用超聲法洗凈并烘干保存；將薄膜晶體管陣列的生長在襯底上；將非晶硒半導(dǎo)體材料在薄膜晶體管陣列上方以真空蒸鍍的方式生成薄膜；將電子封閉層鋪設(shè)到非晶硒半導(dǎo)體材料上；將X射線半導(dǎo)體安裝在電子封閉層上；將絕緣層鋪設(shè)在X射線半導(dǎo)體上；將電機(jī)層安裝在絕緣層上。通過上述方式，本發(fā)明一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法使得薄膜與襯底具有足夠的結(jié)合力，圖像的清晰度更高。
【專利說明】一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板探測器的制造方法，尤其涉及一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在工業(yè)及醫(yī)療行業(yè)中X射線探測器被廣泛的應(yīng)用，作為X射線探測器必不可少的閃爍體部分也越來越重要。對(duì)于一些新型的醫(yī)用閃爍體，制備單晶時(shí)十分困難，發(fā)展多晶陶瓷閃爍體是目前最重要的研究方向，多晶陶瓷閃爍體具有成本低、加工性能好，易于進(jìn)行性能裁剪等優(yōu)點(diǎn)，是目前醫(yī)用閃爍體的首選。
[0003]在新的X射線診斷用探測器中，人們正在研發(fā)采用有源矩陣的平面探測器。在這種平面探測器中，利用閃爍層將探測到的X射線變換為可見光或熒光，再通過非晶硅光電二極管等光電變換元件將這一熒光變換成信號(hào)電荷，進(jìn)而將信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)而輸出圖像，然而往往薄膜與襯底的結(jié)合力不夠，而且圖像的清晰度較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法，具體步驟包括:
(1)將襯底用超聲法洗凈并烘干保存；
(2)將薄膜晶體管陣列的生長在襯底上；
(3)將非晶硒半導(dǎo)體材料在薄膜晶體管陣列上方以真空蒸鍍的方式生成薄膜；
(4)將電子封閉層鋪設(shè)到非晶硒半導(dǎo)體材料上；
(5)將X射線半導(dǎo)體安裝在電子封閉層上；
(6)將絕緣層鋪設(shè)在X射線半導(dǎo)體上；
(7)將電機(jī)層安裝在絕緣層上。
[0006]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，步驟(I)中所述襯底的材料為玻璃、光纖面板和光纖錐中的任意一種。
[0007]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，步驟(3)中所述薄膜的厚度為0.4-0.6mm，大小為40mmX48mm。
[0008]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法使得薄膜與襯底具有足夠的結(jié)合力，圖像的清晰度更高。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。[0010]本發(fā)明實(shí)施例包括:一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法，具體步驟包括:
(1)將襯底用超聲法洗凈并烘干保存；
(2)將薄膜晶體管陣列的生長在襯底上；
(3)將非晶硒半導(dǎo)體材料在薄膜晶體管陣列上方以真空蒸鍍的方式生成薄膜；
(4)將電子封閉層鋪設(shè)到非晶硒半導(dǎo)體材料上；
(5)將X射線半導(dǎo)體安裝在電子封閉層上；
(6)將絕緣層鋪設(shè)在X射線半導(dǎo)體上；
(7)將電機(jī)層安裝在絕緣層上。
[0011]步驟(I)中所述襯底的材料為玻璃、光纖面板和光纖錐中的任意一種。
[0012]步驟(3)中所述薄膜的厚度為0.4-0.6mm,大小為40mmX48mm。
[0013]下面對(duì)本發(fā)明的一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法的工作原理進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0014]將襯底用超聲法洗凈并烘干保存，其中襯底的材料為玻璃、光纖面板和光纖錐中的任意一種，將薄膜晶體管陣列的生長在襯底上，將非晶硒半導(dǎo)體材料在薄膜晶體管陣列上方以真空蒸鍍的方式生成厚度為0.4-0.6mm，大小為40mmX 48mm薄膜，將電子封閉層鋪設(shè)到非晶硒半導(dǎo)體材料上，將X射線半導(dǎo)體安裝在電子封閉層上，將絕緣層鋪設(shè)在X射線半導(dǎo)體上，將電機(jī)層安裝在絕緣層上。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法使得薄膜與襯底具有足夠的結(jié)合力，圖像的清晰度更高。
[0016]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法，其特征在于，具體步驟包括: (1)將襯底用超聲法洗凈并烘干保存； (2)將薄膜晶體管陣列的生長在襯底上； (3)將非晶硒半導(dǎo)體材料在薄膜晶體管陣列上方以真空蒸鍍的方式生成薄膜； (4)將電子封閉層鋪設(shè)到非晶硒半導(dǎo)體材料上； (5)將X射線半導(dǎo)體安裝在電子封閉層上； (6)將絕緣層鋪設(shè)在X射線半導(dǎo)體上； (7)將電機(jī)層安裝在絕緣層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法，其特征在于:步驟(I)中所述襯底的材料為玻璃、光纖面板和光纖錐中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高清晰度數(shù)字X射線平板探測器的制造方法，其特征在于:步驟(3)中所述薄膜的厚度為0.4-0.6mm,大小為40mmX48mm。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK103715214SQ201310627699
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月2日
【發(fā)明者】范波 申請人:江蘇龍信電子科技有限公司