異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）裝置及其制造方法。異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）裝置包括：設(shè)置在結(jié)晶硅層中的n型集電極區(qū)域；包括硼摻雜的硅鍺晶體的p型本征基極，硼摻雜的硅鍺晶體設(shè)置在由淺溝槽隔離體（STI）劃界的下層結(jié)晶Si層的頂表面上，并在下層結(jié)晶Si層與淺溝槽隔離體（STI）的界面上形成有角度的小面；富Ge的結(jié)晶硅鍺層，其設(shè)置在p型本征基極的有角度的小面上，而不設(shè)置在p型本征基極的頂表面上；以及n型結(jié)晶發(fā)射極，其設(shè)置在p型本征基極的頂表面上，而不在p型本征基極的有角度的小面上。
【專利說明】異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開總體涉及一種結(jié)構(gòu)和一種制造異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的方法，該異質(zhì)結(jié)雙極晶體管通過減少集電極-基極電容而提供高速運轉(zhuǎn)。HBT的示例實施例可包括ρ型本征基極，該P型本征基極包括硼摻雜的硅鍺(B+摻雜SipxlGexl)外延晶體和富鍺結(jié)晶Sipx2Gex2層外延層，該硼摻雜的硅鍺外延晶體設(shè)置在下面的結(jié)晶Si層(其由淺溝槽隔離體(STI)劃界)的頂表面上并在下面的結(jié)晶硅層與淺溝槽隔離體(STI)的界面上形成有角度的小面，該富鍺結(jié)晶Sih2Gex2層外延層設(shè)置在該有角度的小面上。更具體地，B+摻雜Sih1Gexl外延晶體可影響硼從外延晶體向外擴散。又更具體地，“環(huán)繞”B+摻雜Sih1Gexl外延晶體的ρ型本征基極的富鍺結(jié)晶Sih2Gex2外延層可用作對于硼沿著具有有角度的小面的界面區(qū)域從非本征基極層進入HBT的結(jié)晶本征區(qū)域的阻擋。
【背景技術(shù)】
[0002]異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)包括例如硅/硅鍺(Si/SiGe)異質(zhì)結(jié)，其為高頻下的運行提供較高傳導。異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的Si/SiGe異質(zhì)結(jié)通過在結(jié)晶Si基板上外延生長結(jié)晶SiGe層來形成。因為結(jié)晶Si基板和結(jié)晶SiGe層由與常規(guī)光刻工藝相適應(yīng)的材料制成，所以異質(zhì)結(jié)雙極晶體管可以以低成本和高產(chǎn)出制造。SVSihGex異質(zhì)結(jié)雙極晶體管還提供連續(xù)調(diào)整異質(zhì)結(jié)的能帶隙的能力，因為Si和Ge可以實質(zhì)上以任意百分比固體溶解在彼此之中。
[0003]圖1為示出npn型Si/SihGe, HBT100的截面圖。集電極區(qū)域105形成在結(jié)晶硅基板層102的上部中 ，該上部中央地設(shè)置在裝置隔離淺溝槽隔離體104之間。結(jié)晶硅基板層102外延生長，而例如為磷或砷(P，As)的η型雜質(zhì)在外延生長期間或通過后續(xù)的離子注入而被引入結(jié)晶硅基板層102的上部中。η型雜質(zhì)在硅晶體中形成η型摻雜的區(qū)域，其作為HBT的η型結(jié)晶集電極區(qū)域105。
[0004]未摻雜SihGex層120通過含硅氣體(例如硅烷(SiH4))和含鍺氣體(例如鍺烷(GeH4))的混合物的外延生長而形成在η型結(jié)晶集電極區(qū)域105上方。ρ型摻雜結(jié)晶P+Si1^xGex層125外延生長在未摻雜Si^Gex層120上，以在η型結(jié)晶集電極區(qū)域105上方形成HBT的本征基極。將包含ρ型雜質(zhì)硼(B)的另一種氣體(例如硼烷(BH4))添加至含硅和含鍺的氣體中，用于P型摻雜結(jié)晶P+SihGex層125的外延生長。形成HBT的本征基極的P型摻雜結(jié)晶P+SihGex層125電連接至HBT的非本征基極層128。
[0005]未摻雜結(jié)晶硅蓋130外延生長在ρ型摻雜結(jié)晶P+SihGex層125的本征基極上方。同時，未摻雜結(jié)晶硅蓋130分別與ρ型摻雜和未摻雜的結(jié)晶SihGex層125、120形成Si/SipxGex異質(zhì)結(jié)。
[0006]參考圖1，發(fā)射極開口形成在未摻雜硅蓋130的中央部分之上，穿過非本征基極層128和絕緣層140。發(fā)射極開口可襯有絕緣側(cè)壁137。使用含硅氣體和含磷氣體或含砷氣體，將包括例如為磷或砷(P，As)的η型雜質(zhì)的η型摻雜非結(jié)晶多晶硅135沉積在發(fā)射極開口中以及在未摻雜硅蓋130上方。加熱該結(jié)構(gòu)(導致η型摻雜非結(jié)晶多晶硅135的磷或砷(P，As)擴散進入未摻雜結(jié)晶硅蓋130的中央部分)，以形成HBT的η型擴散摻雜結(jié)晶發(fā)射極。隨后，η型摻雜非結(jié)晶多晶硅135可被圖案化，蝕刻以及熱退火，以形成發(fā)射極引線電極 135。
[0007]應(yīng)注意的是，圖1的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極/基極/集電極結(jié)不是通過Si/SiGe晶體的邊界彼此隔開，而是通過摻雜雜質(zhì)的濃度分布而彼此隔開。
[0008]仍然存在改進異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的高速運行的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]考慮到前述內(nèi)容，本公開的示例實施例可提供一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT )裝置，其包括設(shè)置在由淺溝槽隔離體(STI)劃界的結(jié)晶硅基板層中的η型摻雜硅(Si)集電極區(qū)域。HBT還可包括ρ型本征基極，該本征基極包括硼摻雜的硅鍺(B+摻雜Sih1Gexl)晶體，其設(shè)置在結(jié)晶Si基板層的頂表面上并在結(jié)晶Si基板層與STI的界面上形成有角度的小面。HBT還可包括富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2M，其設(shè)置在有角度的小面上，而不設(shè)置在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上。最后，HBT可包括η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極，其設(shè)置在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上而不在有角度的小面上。
[0010]另一示例實施例可包括異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)裝置，其包括設(shè)置在由淺溝槽隔離體(STI)劃界的結(jié)晶硅(Si)層中的η型集電極區(qū)域。HBT還可包括ρ型本征基極，該本征基極包括硼摻雜的含碳硅鍺(B+摻雜Si1^GexlCy)晶體，其設(shè)置在結(jié)晶Si層的頂表面上并在結(jié)晶Si層與STI的界面上形成有角度的小面。HBT還可包括富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層，其設(shè)置在B+摻雜Si1^GexlCy晶體的有角度的小面上而不在頂表面上。最后，HBT可包括η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā) 射極，其設(shè)置在B+摻雜Si1^GexlCy晶體的頂表面上而不在有角度的小面上。
[0011]又一示例實施例可提供一種制造異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)裝置的方法，其包括在由淺溝槽隔離體(STI)劃界的結(jié)晶硅(Si)層中形成η型集電極區(qū)域。該方法還可包括在結(jié)晶Si層的頂表面上外延生長包括硼摻雜的硅鍺(B+摻雜Sih1Gexl)晶體的ρ型本征基極，其中B+摻雜Sih1Gexl晶體在結(jié)晶Si層與STI的界面上形成有角度的小面。該方法可包括在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上，而不是在B+摻雜Sih1Gexl晶體的有角度的小面上沉積犧牲層。該方法可又進一步包括在犧牲層上以及在B+摻雜Sih1Gexl晶體的有角度的小面上外延生長富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層。該方法可又進一步包括在富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層上外延生長包括高度B+摻雜的結(jié)晶Si層的ρ型非本征基極層。該方法可又進一步包括蝕刻發(fā)射極開口穿過至少高度B+摻雜的結(jié)晶Si層、富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層和犧牲層的中央部分至B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面。最后，該方法可包括在發(fā)射極開口中，在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上形成η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極。
[0012]又一示例實施例可提供一種制造異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)裝置的方法，其包括在由淺溝槽隔離體(STI)劃界的結(jié)晶硅(Si)層中形成η型集電極區(qū)域。該方法還可包括在結(jié)晶Si層的頂表面上外延生長包括硼摻雜的硅鍺(B+摻雜Sih1Gexl)晶體的ρ型本征基極，其中B+摻雜Sih1Gexl晶體形成設(shè)置在結(jié)晶Si層與STI的界面上的有角度的小面。該方法還可包括在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上，而不是在B+摻雜Sih1Gexl晶體的有角度的小面上沉積犧牲層。該方法由可進一步包括在犧牲層上以及在B+摻雜Sih1Gexl晶體的有角度的小面上外延生長富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層。該方法又可進一步包括在富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層上外延生長包括高度B+摻雜的結(jié)晶Si層的ρ型非本征基極層。該方法又可進一步包括在高度B+摻雜的結(jié)晶Si層上形成絕緣層。該方法又可進一步包括蝕刻發(fā)射極開口穿過絕緣層、高度B+摻雜的結(jié)晶Si層、富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層和犧牲層的中央部分至B+摻雜SipxlGexl晶體的頂表面。該方法又可進一步包括在B+摻雜SipxlGexl晶體的頂表面上外延生長結(jié)晶Si蓋。該方法又可進一步包括在結(jié)晶Si蓋上形成η型摻雜非結(jié)晶多晶硅。最后，該方法可包括退火η型摻雜非結(jié)晶多晶硅，以形成η型摻雜結(jié)晶發(fā)射極，η型雜質(zhì)從η型摻雜非結(jié)晶多晶硅擴散進入Si蓋以形成HBT的η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]從以下參考附圖的詳細描述，將更好地理解本公開的示例實施例，附圖不必須按照比例繪制，其中:
[0014]圖1為示出現(xiàn)有技術(shù)中的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的截面的示意圖；
[0015]圖2為示出可用于制造示例實施例中的HBT的、設(shè)置在由淺溝槽隔離體(STI)劃界的結(jié)晶硅(Si)層中的η型集電極區(qū)域的截面的示意圖；
[0016]圖3為可用于制造示例實施例中的HBT的、包括硼摻雜的硅鍺(B+摻雜Sih1Gexl)晶體的P型本征基極的截面的示意圖；
[0017]圖4為可用于制造示例實施例中的HBT的、形成在結(jié)晶ρ型本征基極上的犧牲層和形成在犧牲層上方的富Ge結(jié)晶Sih2Gex2層以及結(jié)晶ρ型本征基極的有角度的小面的截面示意圖；
[0018]圖5為可用于制造示例實施例中的HBT的、形成在富Ge的結(jié)晶Sipx2Gex2層上的ρ型非本征基極層的截面的示意圖；
[0019]圖6為可用于制造示例實施例中的HBT的絕緣層的截面的示意圖，該絕緣層形成在ρ型非本征基極層上，蝕刻穿過該絕緣層的發(fā)射極開口至ρ型本征基極的頂表面；
[0020]圖7為可用于制造示例實施例中的HBT的、形成在發(fā)射極開口中的絕緣側(cè)壁和η型擴散摻雜的結(jié)晶發(fā)射極的截面的示意圖；
[0021]圖8為示出制造本公開示例實施例中的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的方法的流程圖800 ；
[0022]圖9為示出制造本公開另一示例實施例中的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的方法的流程圖900。
【具體實施方式】
[0023]參考在附圖中示出并在以下描述中詳述的非限制性示例實施例，更加全面地說明本公開的示例實施例和它們的多種特征及有利細節(jié)。應(yīng)注意的是，圖中示出的特征不是必須按照比例繪制。省略已知材料、組件和工藝技術(shù)的描述，從而不多余地使本公開的示例實施例模糊。示例僅旨在有利于理解本公開示例實施例的實施，以及進一步使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┦纠龑嵤├?。因而，示例不?yīng)被理解為對本公開示例實施例的范圍的限制。
[0024]如上所述，仍存在改進異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的高速運行的需要。改進高速運行的一個因素是減小HBT的集電極和基極結(jié)之間的電容。[0025]在本公開的實施例中，HBT可包括富鍺Sih2Gex2外延層，其“環(huán)繞”硼摻雜的硅鍺(B+摻雜Sih1Gexl)結(jié)晶本征基極并用作對于硼沿著有角度的小面的界面區(qū)域從非本征基極層進入HBT的結(jié)晶本征區(qū)域的阻擋。
[0026]參考圖2，集電極區(qū)域205可設(shè)置在結(jié)晶Si基板層202的在裝置隔離淺溝槽隔離體204之間的上部中。結(jié)晶Si基板層202的頂表面和淺溝槽隔離體204的頂表面可為共面的。結(jié)晶Si基板層202可在小于600°C的低溫外延生長，且η型雜質(zhì)(例如，磷(P)和砷(As)中的一種)在外延生長期間或通過后續(xù)的離子注入而被引入結(jié)晶Si基板層的上部中，以形成HBT的η型摻雜Si集電極區(qū)域205。
[0027]參考圖3，示例實施例中的HBT的ρ型結(jié)晶本征基極可包括硼摻雜的硅鍺(B+摻雜Sih1Gexl)晶體325。B+摻雜SipxlGexl晶體325可設(shè)置在結(jié)晶Si基板層202的頂表面上，并可形成設(shè)置在結(jié)晶Si基板層202與淺溝槽隔離體204的界面上的有角度的小面。B+摻雜Sih1Gexl晶體325中的鍺的摩爾分數(shù)xl可在從10%至40%的范圍內(nèi)，并優(yōu)選可為40%?？商鎿Q地，B+摻雜Sih1Gexl晶體325還可包括已知用于抑制硼向外擴散的碳(C)。在該情況下，B+摻雜Si1^GexlCy晶體中的碳摩爾分數(shù)I可在從0.01%至0.10%的范圍內(nèi)，并優(yōu)選可為0.05%。
[0028]B+摻雜SipxlGexl晶體325可通過含硅氣體(例如硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)中的一種)、含鍺氣體(例如鍺烷(GeH4)和乙鍺烷(Ge2H6)中的一種)以及含硼氣體(例如硼烷(B2H6))的混合物的外延生長而形成在結(jié)晶Si基板層202上?？商鎿Q地，可將含碳氣體(例如甲基硅烷(CH3SiH3))添加至含硅、含鍺和含硼氣體的混合物，以形成B+摻雜Si1^GexlCy晶體。
[0029]ρ型本征基極325的B+摻雜Sih1Gexl晶體的外延生長溫度可影響晶體325的小面和小面角度326。在低溫下外延生長的有角度的小面可展示硼沿著STI204和結(jié)晶Si基板層202的界面區(qū)域旁邊向外擴散，隨后較高溫度工藝用于完成HBT的制造。硼的這種向外擴散可增加集電極-基極電容。·然而，在較高溫度下的外延生長可展示硼從B+摻雜Sih1Gexl晶體325的有角度的小面的向外擴散減少，保持降低的集電極-基極電容。
[0030]影響B(tài)+摻雜Sih1Gexl結(jié)晶本征基極325的小面和小面角度326的其他外延生長條件可包括在晶體325與STI204的界面處出現(xiàn)氧化物或氮化物材料，下面的結(jié)晶Si基板層202的結(jié)晶平面的取向，以及用于沉積結(jié)晶本征基極325的氣流速率。
[0031]參考圖4，包括氧化物和光掩模材料中的一種的犧牲層450可設(shè)置在B+摻雜Sih1Gexl結(jié)晶本征基極325的頂表面上而不在有角度的小面上。隨后，富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427可設(shè)置在犧牲層450以及在B+摻雜的結(jié)晶本征基極325的有角度的小面上。結(jié)晶Sih2Gex2層427的晶格中的高濃度鍺可提供對于硼從B+摻雜的有小平面的結(jié)晶本征基極325擴散的阻擋。
[0032]理想地，富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427的摩爾分數(shù)x2可約等于B+摻雜Si^1Gexl的有小平面的結(jié)晶本征基極325的摩爾分數(shù)xl，以阻擋硼從結(jié)晶本征基極325向外擴散。為了阻擋硼從有小平面的結(jié)晶本征基極325向外擴散，富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427的摩爾分數(shù)x2可大于B+摻雜Sih1Gexl的有小平面的結(jié)晶本征基極325的摩爾分數(shù)xl。例如，富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427的摩爾分數(shù)x2可為20%，而B+摻雜Si^1Gexl的有小平面的結(jié)晶本征基極325的摩爾分數(shù)xl可為10%。在多個實例實施例中，富Ge的結(jié)晶Si^Gex2層427的摩爾分數(shù)x2可在從15%至40%的范圍內(nèi)。通過“環(huán)繞的”富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427阻擋硼從B+摻雜Sih1Gexl的有小平面的結(jié)晶本征基極325向外擴散可保持降低的集電極-基極電容，隨后使用較高溫度工藝以完成HBT的制造。
[0033]可替換地，富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427還可包含碳(C)，其中富Ge的結(jié)晶Si1-^yGex2Cy層427中的碳的摩爾分數(shù)y可達0.20%。
[0034]用含硅氣體(例如硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)中的一種)和含鍺氣體(例如鍺燒(GeH4)和乙錯燒(Ge2H6)中的一種)的混合物，在低溫下通過外延生長可將g Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427形成在犧牲層450和B+摻雜Si^1Gexl結(jié)晶本征基極325上?？商鎿Q地，通過進一步將含碳氣體(例如甲基硅烷(CH3SiH3))添加至含硅氣體和含鍺氣體，可將小量的碳添加至富Ge的結(jié)晶Sipx2Gex2層427，以形成富Ge的結(jié)晶Si^yGex2Cy層427。
[0035]參考圖5，包括高度B+摻雜的硅層的非本征基極層528可設(shè)置在富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427上。用于高度B+摻雜的非本征基極層528的沉積溫度可類似于用于富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427的沉積溫度。非本征基極的高度B+摻雜的硅層可包括多晶硅和結(jié)晶硅中的一種。在多晶硅的情況下，高度B+摻雜的多晶硅層528的沉積物隨后可被退火以產(chǎn)生結(jié)晶的高度B+摻雜的硅層?？商鎿Q地，高度B+摻雜的非本征基極層528還可包括鍺，其中鍺摩爾分數(shù)可達40%。
[0036]用含娃氣體(例如硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)中的一種)和含硼氣體(例如硼燒(GeH4))的混合物，可在富Ge的結(jié)晶SVx2Gex2層427上沉積高度B+摻雜的非本征基極層528?？商鎿Q地，可將含鍺氣體(例如鍺烷(GeH4)和乙鍺烷(Ge2H6)中的一種)添加至含硅氣體和含硼氣體的混合物以形成HBT的高度B+摻雜的非本征基極層528。
[0037]參考圖6，例如包·含氧化硅的絕緣層640可沉積在高度B+摻雜的非本征基極層528上。發(fā)射極堆疊開口 650可被蝕刻穿透絕緣層640、高度B+摻雜的非本征基極層528、富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層427和犧牲層450至B+摻雜Sih1Gexl的有小平面的結(jié)晶本征基極325的上表面。
[0038]參考圖7，絕緣側(cè)壁737可形成在發(fā)射極堆疊開口 650的側(cè)面上，并可包含氧化物和氮化物中的任一種。結(jié)晶硅(Si)蓋739可沉積在B+摻雜Sih1Gexl的有小平面的結(jié)晶本征基極325的上表面上，并在絕緣側(cè)壁737之間。絕緣側(cè)壁737可允許高度摻雜的η型發(fā)射極堆疊735形成在結(jié)晶Si蓋739上。用含硅氣體(例如硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)中的一種)的混合物，在低溫下可在B+摻雜Sih1Gexl的有小平面的結(jié)晶本征基極325的上表面上外延生長結(jié)晶Si蓋739。
[0039]使用含硅氣體以及含磷氣體和含砷氣體中的一種，可在發(fā)射極堆疊開口 650中以及在結(jié)晶Si蓋739上方沉積包括η型雜質(zhì)(例如為磷(P)或砷(As)中的一種)的η型摻雜非結(jié)晶多晶硅。在隨后加熱以熱退火η型摻雜非結(jié)晶多晶硅時，η型雜質(zhì)可從上面的η型摻雜非結(jié)晶多晶硅擴散進入結(jié)晶Si蓋739，以形成HBT的η型擴散摻雜的結(jié)晶發(fā)射極739。在η型擴散摻雜的結(jié)晶發(fā)射極739上方的經(jīng)熱退火的η型摻雜非結(jié)晶多晶硅現(xiàn)在可形成η型摻雜的結(jié)晶發(fā)射極堆疊735。
[0040]參考圖8，流程圖800可示出制造異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的方法的示例實施例。該方法可包括810:在由淺溝槽隔離體(STI)劃界的結(jié)晶Si基板層中形成η型摻雜的硅
(Si)集電極區(qū)域。該方法還可包括820:在Si結(jié)晶層的頂表面上外延生長包括摻雜的硼硅鍺(B+摻雜SipxlGexl)晶體的ρ型本征基極，其中B+摻雜Sih1Gexl晶體在結(jié)晶Si層與STI的界面上形成有角度的小面。P型本征基極的外延生長還可包括將含碳氣體添加至含硼、含硅和含鍺氣體的混合物，以外延生長B+摻雜Si1^GexlCy晶體。該方法還可包括830:在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上，而不是在B+摻雜Sih1Gexl晶體的有角度的小面上沉積犧牲層。該方法又可進一步包括840:在犧牲層上以及在B+摻雜Sih1Gexl晶體的有角度的小面上外延生長富Ge的結(jié)晶硅鍺(Sih2Gex2)層。該方法又可進一步包括850:在富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層上外延生長包括高度B+摻雜結(jié)晶Si層的ρ型非本征基極層。該方法又可進一步包括860:蝕刻發(fā)射極開口至少穿過高度B+摻雜的結(jié)晶Si層、富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層和犧牲層的中央部分到達B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面。該方法還可包括在蝕刻發(fā)射極開口之前，在高度B+摻雜的結(jié)晶Si層上形成絕緣層。最后，該方法可包括870:在發(fā)射極開口中，在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上形成η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極。在發(fā)射極開口中，在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上形成η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極包括:在發(fā)射極開口上形成絕緣側(cè)壁；在絕緣側(cè)壁之間，在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上外延生長結(jié)晶Si蓋；在絕緣側(cè)壁之間，在結(jié)晶Si蓋上形成η型摻雜的非結(jié)晶多晶硅；以及退火η型摻雜的非結(jié)晶多晶硅以形成η型摻雜的發(fā)射極引線，η型雜質(zhì)從η型摻雜的非結(jié)晶多晶硅擴散進入結(jié)晶Si蓋以形成HBT的η型擴散摻雜的結(jié)晶發(fā)射極。
[0041]參考圖9，流程圖900可示出制造異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的方法的示例實施例。該方法可包括905:在由淺溝槽隔離體(STI)劃界的結(jié)晶硅(Si)層中形成η型集電極區(qū)域。該方法還可包括910:在結(jié)晶Si層的頂表面上外延生長包括硼摻雜的硅鍺(B+摻雜Sih1Gexl)晶體的ρ型本征基極，其中B+摻雜Si^1Gexl晶體形成設(shè)置在結(jié)晶Si層與STI的界面上的有角度的小面。B+摻雜的含碳SihhGexlC^as體的外延生長可包括以下的混合物:硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)氣體中的一種，鍺烷(GeH4)和乙鍺烷(Ge2H6)氣體中的一種，硼烷(B2H6)氣體以及甲基硅烷(CH3SiH3)氣體。B+摻雜的含碳Si1^GexlCy晶體中的Ge摩爾分數(shù)xl可在10%至4 0%的范圍內(nèi)，B+摻雜的含碳Si1^GexlCy晶體中的碳摩爾分數(shù)y可在3%至10%的范圍內(nèi)。該方法還可包括920:在B+摻雜Sih1Gexl晶體的頂表面上，而不是在B+摻雜Sih1Gexl晶體的有角度的小面上沉積犧牲層。該方法又可包括930:在犧牲層上以及在B+摻雜SipxlGexl晶體的有角度的小面上外延生長富Ge的結(jié)晶Si^2Gex2層。富Ge的Si1^Gex2層的外延生長可包括以下的混合物:硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)氣體中的一種，鍺烷(GeH4)和乙鍺烷(Ge2H6)氣體中的一種。富Ge的結(jié)晶Si^Gex2層中的Ge摩爾分數(shù)x2可大于或等于ρ型本征基極的B+摻雜的含碳Si1^GexlCy晶體中的Ge摩爾分數(shù)xl。該方法又可進一步包括940:在富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層上外延生長包括高度B+摻雜結(jié)晶Si層的ρ型非本征基極層。P型非本征基極層的外延生長還可包括將鍺烷(GeH4)和乙鍺烷(Ge2H6)氣體中的一種添加至硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)氣體中的一種與硼燒氣體的混合物，以形成高度B+摻雜的結(jié)晶Sih3Gex3層，其中高度B+摻雜的結(jié)晶Sih3Gex3層中的Ge摩爾分數(shù)x3可達10%。該方法又可進一步包括950:在高度B+摻雜的結(jié)晶Si層上形成絕緣層。該方法又可進一步包括960:蝕刻發(fā)射極開口穿過絕緣層、高度B+摻雜的結(jié)晶Si層、富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層和犧牲層的中央部分到達B+摻雜的Si^Gexl晶體的頂表面。該方法還進一步包括970:在B+摻雜的Sih1Gexl晶體的頂表面上外延生長結(jié)晶Si蓋。該方法還可進一步包括在外延生長結(jié)晶Si蓋之前，在發(fā)射極開口上形成絕緣側(cè)壁。該方法還進一步包括980:在結(jié)晶Si蓋上形成η型慘雜非結(jié)晶多晶娃。最后，該方法可包括990:退火η型摻雜非結(jié)晶多晶硅以形成η型摻雜結(jié)晶發(fā)射極，η型雜質(zhì)擴散從該η型摻雜非結(jié)晶多晶硅進入結(jié)晶Si蓋以形成HBT的η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極。
[0042]上述方法用于制造集成電路芯片。得到的集成電路芯片可由制造者以未加工的晶片形式(即，作為具有多個未封裝芯片的單個晶片)分配作為裸芯或以封裝的形式分配。在后一種情況下，芯片安裝到單芯片封裝件(例如塑料載體，具有貼附到母板或其它較高層級載體上的引線)中，或安裝到多芯片封裝件(例如陶瓷載體，其具有表面互連或埋置互連(buried interconnection)之一或二者)中。在任一,清況下,該芯片隨后與其它芯片、分立電路元件和/或其它信號處理裝置集成，作為(a)中間產(chǎn)品(例如母板)或(b)最終產(chǎn)品的一部分。最終產(chǎn)品可以是包括集成電路芯片的任何產(chǎn)品，從玩具和其它低端應(yīng)用到具有顯示器、鍵盤或其它輸入裝置和中央處理器的高級計算機產(chǎn)品。
[0043]就本文的目的而言，“半導體”為可包括注入的雜質(zhì)的材料或結(jié)構(gòu)，該注入的雜質(zhì)允許材料有時為導體，有時為絕緣體，這取決于電子和空穴載流子濃度。如本文所使用的，“注入工藝”可采用任何適合的形式(無論是現(xiàn)在已知的還是未來開發(fā)的)，并可包括例如離
子注入等。
[0044]就本文的目的而言，“絕緣體”是相對術(shù)語，其是指允許充分小于(〈95%) “導體”的電流流動的材料或結(jié)構(gòu)。本文中提及的電介質(zhì)(絕緣體)可以例如從干燥的氧氣環(huán)境或水汽中生長，然后被圖案化?？商鎿Q地，本文中的電介質(zhì)可由許多候選的高介電常數(shù)(高k)材料中的任一種形成，該高介電常數(shù)材料包括但并不限于氮化硅、氮氧化硅、SiO2和Si3N4的柵介質(zhì)疊層，以及類似氧化鉭的金屬氧化物。本文中的電介質(zhì)的厚度可依所需的裝置性能而變化。
[0045]本文中提及的導體可由任意的導電材料形成，例如為多晶硅、非晶硅、非晶硅和多晶娃的組合、以及多晶娃鍺(polysilicon-germanium),其由于存在合適的摻雜劑而呈現(xiàn)為導電?？商鎿Q地，本文中的導體可以是一種或多種金屬，例如鎢、鉿、鉭、鑰、鈦或鎳，或為金屬硅化物這些金屬的任何合金，并可使用物理氣相沉積、化學氣相沉積或本領(lǐng)域中已知的任何其它技術(shù)沉積。
[0046]在晶體管中，半導體(或溝道區(qū)域)位于導電“源極”區(qū)域和類似的導電“漏極”區(qū)域之間，當半導體處于導電狀態(tài)時，半導體允許電流在源極和漏極之間流動?！皷艠O”為通過“柵氧化物”(為絕緣體)而與半導體電分離的導電元件，并且柵極中的電流/電壓改變晶體管的溝道區(qū)域的導電率。
[0047]正型晶體管“P型晶體管”在作為半導體區(qū)域的本征半導體基板內(nèi)采用諸如硼、鋁、鎵等的雜質(zhì)(以產(chǎn)生價電子的不足)。類似地，負型晶體管“N型晶體管”在作為半導體區(qū)域的本征半導體基板內(nèi)采用諸如銻、砷或磷等的雜質(zhì)(以產(chǎn)生多余的價電子)。
[0048]通常，通過將雜質(zhì)沉積或注入基板中以形成至少一個半導體溝道區(qū)域(以基板頂表面(上表面)下方的淺溝槽隔離區(qū)域為界)而形成晶體管結(jié)構(gòu)。本文中的“基板”可包括適合給定目的的任何材料(不管是現(xiàn)在已知的還是在未來開發(fā)的)，并可包括例如S1、SiC,SiGe, SiGeC、其他II1-V族或I1-VI族化合物半導體、或有機半導體結(jié)構(gòu)等。“淺溝槽隔離(STI)"結(jié)構(gòu)是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的結(jié)構(gòu)，并且通常通過在基板內(nèi)圖案化開口 /溝槽并用高絕緣材料生長或填充開口而形成(這允許基板的不同有源區(qū)域彼此電隔離)。[0049]硬掩?？捎扇魏魏线m的材料(不管是現(xiàn)在已知的材料還是未來開發(fā)的材料)形成，硬掩模例如為金屬或有機硬掩模，其具有比基板和結(jié)構(gòu)的其余部分中所使用的絕緣體材料大的硬度。
[0050]在本文中當圖案化任何材料時，要圖案化的材料可以以任何已知的方式生長或沉積，并且圖案層(例如有機光刻膠)可形成在該材料上方。圖案層(抗蝕劑)可以曝光于提供在曝光圖案中的光輻射(即，圖案化曝光、激光曝光等)的一些圖案，然后使用化學試劑對抗蝕劑進行顯影。該工藝改變了抗蝕劑的曝光部分的物理特征。然后，抗蝕劑的一部分可以被清洗掉，留下抗蝕劑的其他部分保護要圖案化的材料。然后執(zhí)行材料去除工藝(例如，等離子體蝕刻等)，以去除要圖案化的材料的未被保護的部分。隨后去除抗蝕劑，以留下根據(jù)曝光圖案而圖案化的下層材料。
[0051]就本文的目的而言，“側(cè)壁間隔體”是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的結(jié)構(gòu)，側(cè)壁間隔體通常以如下方式形成:沉積或生長共形絕緣層(例如上文提到的任何一種絕緣體)，然后執(zhí)行方向性蝕刻工藝(directional etching process)(各向異性),其從水平面蝕刻材料的速率大于從豎直面去除材料的速率，因此沿結(jié)構(gòu)的豎直側(cè)壁留下絕緣材料。留在豎直側(cè)壁上的該材料被稱為側(cè)壁間隔體。
[0052]雖然在示圖中示出了僅一個或有限數(shù)量的晶體管，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解許多不同類型的晶體管可與本文中的實施例同時形成，并且圖旨在示出多個不同類型晶體管的同時形成，然而，為了清楚圖已被簡化為僅示出有限數(shù)量的晶體管并允許讀者更易于認出所示的不同特征。這不旨在限制本公開，因為如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可理解的，本公開適用于包括圖中示出的多種各類型的晶體管的結(jié)構(gòu)。
[0053]此外，本文中使用的術(shù)語，例如“右”、“左”、“豎直” “水平”、“頂部”、“底部” “上”、“下”、“上方”、“下方”、“下面”、“之下”、“之上”、“上面”、“平行”、“垂直”等應(yīng)被理解為在它 們在圖中定向和示出時的相對位置(除非明確另有說明)。例如“觸摸”、“在…上”、“直接接觸”、“鄰接”、“直接鄰接”等的術(shù)語是指至少一個元件物理接觸另一元件(沒有其它元件分開所述元件)。
【權(quán)利要求】
1.一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，包括: η型集電極區(qū)域，設(shè)置在由淺溝槽隔離體劃界的結(jié)晶基板層中； P型本征基極，包括硅鍺(SiGe)晶體，該硅鍺晶體設(shè)置在所述結(jié)晶基板層的頂表面上并在所述結(jié)晶基板層與所述淺溝槽隔離體的界面上形成有角度的小面； 富Ge的SiGe結(jié)晶層，設(shè)置在所述SiGe晶體的所述有角度的小面上，而不設(shè)置在所述SiGe晶體的頂表面上；以及 η型擴散摻雜的結(jié)晶發(fā)射極，設(shè)置在所述SiGe晶體的所述頂表面上，而不設(shè)置在所述SiGe晶體的所述有角度的小面上。
2.如權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，所述P型本征基極包括硼摻雜的硅鍺(B.摻雜Sih1Gexl)晶體，所述B.摻雜Sih1Gexl晶體中的Ge摩爾分數(shù)xl在10%至40%的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，所述P型本征基極還包含碳(C)以形成B+摻雜Si1^GexlCy晶體，所述B+摻雜Si1^GexlCy晶體中的碳摩爾分數(shù)y在0.01%至0.10%的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層中的Ge摩爾分數(shù)x2大于或等于所述B+摻雜Sih1Gexl晶體中的所述Ge摩爾分數(shù)xl。
5.如權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，還包括設(shè)置在所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層上的P型非本征基極層，所述P型非本征基極層包括高度B+摻雜的結(jié)晶Si層和高度B+摻雜的結(jié) 晶Sih3Gex3層中之一，所述高度B+摻雜的結(jié)晶Sih3Gex3層中的Ge摩爾分數(shù)x3達到40%。
6.如權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，還包括絕緣層，該絕緣層設(shè)置在所述P型非本征基極層上而不設(shè)置在所述P型本征基極的頂表面之上。
7.如權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，還包括: η型發(fā)射極引線，設(shè)置在所述η型擴散摻雜的結(jié)晶發(fā)射極上；以及絕緣側(cè)壁，其使得設(shè)置在所述P型本征基極的所述頂表面之上的所述η型擴散摻雜的結(jié)晶發(fā)射極和所述發(fā)射極引線與設(shè)置在所述P型本征基極的所述有角度的小面之上的所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層、所述ρ型非本征基極層、和所述絕緣層絕緣。
8.如權(quán)利要求7所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，所述η型發(fā)射極引線、所述η型擴散摻雜的結(jié)晶發(fā)射極堆疊和所述η型集電極區(qū)域包括磷(P)和砷(As)中的一種的η型雜質(zhì)。
9.一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)裝置，包括: η型集電極區(qū)域，設(shè)置在由淺溝槽隔離體(STIs)劃界的結(jié)晶硅(Si)層中； P型本征基極，包括硼摻雜的含碳硅鍺(B+摻雜Si1^GexlCy)晶體，該硼摻雜的含碳硅鍺(B+摻雜Si1^GexlCy)晶體設(shè)置在所述結(jié)晶Si層的頂表面上并在所述結(jié)晶Si層與所述淺溝槽隔離體的界面上形成有角度的小面； 富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層，設(shè)置在所述B+摻雜Si1^GexlCy晶體的所述有角度的小面上，而不設(shè)直在所述B慘雜SihhyGexlCy晶體的頂表面上；以及 η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極，設(shè)置在所述B+摻雜Si1^GexlCy晶體的所述頂表面上，而不設(shè)置在所述B+摻雜Si1^GexlCy晶體的所述有角度的小面上。
10.如權(quán)利要求9所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，所述B+摻雜SihhGexlCy晶體中的Ge摩爾分數(shù)xl在10%至40%的范圍內(nèi)，而所述B+摻雜Si1^GexlCy晶體中的碳摩爾分數(shù)y在0.01%至0.10%的范圍內(nèi)。
11.如權(quán)利要求9所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層還包含碳(C)以形成富Ge的結(jié)晶Si^yGex2Cy層，所述富Ge的結(jié)晶Si^yGex2Cy層中的碳摩爾分數(shù)y達到0.10%。
12.如權(quán)利要求9所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，還包括設(shè)置在所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層上的ρ型非本征基極層，所述P型非本征基極層包括高度B+摻雜的結(jié)晶Si層和高度B+摻雜的結(jié)晶Sih3Gex3層之一，所述高度B+摻雜的結(jié)晶Sih3Gex3層中Ge摩爾分數(shù)x3達到40%ο
13.如權(quán)利要求12所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，還包括絕緣層，該絕緣層設(shè)置在所述ρ型非本征基極層上，而不設(shè)置在所述ρ型本征基極的頂表面之上。
14.如權(quán)利要求13所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置，還包括: η型發(fā)射極引線，設(shè)置在所述η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極上；以及 絕緣側(cè)壁，其使得設(shè)置在所述P型本征基極的所述頂表面之上的所述η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極和所述發(fā)射極引線與設(shè)置在所述P型本征基極的所述有角度的小面之上的所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層、所述ρ型非本征基極層、和所述絕緣層絕緣。
15.一種制造異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置的方法，包括: 在由淺溝槽隔離體(STIs)劃界的結(jié)晶硅(Si)層中形成η型集電極區(qū)域； 在所述結(jié)晶Si層的頂表面·上外延生長ρ型本征基極，該ρ型本征基極包括硼摻雜的硅鍺(B+摻雜Sih1Gexl)晶體，所述B+摻雜的Sih1Gexl晶體在所述結(jié)晶Si層與所述淺溝槽隔離體的界面上形成有角度的小面； 在所述B慘雜Sih1Gexl晶體的頂表面上,而不在所述B慘雜Sih1Gexl晶體的所述有角度的小面上，沉積犧牲層； 在所述犧牲層上以及在所述B+摻雜Sih1Gexl晶體的所述有角度的小面上外延生長富Ge的結(jié)晶Sipx2Gex2層； 在所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層上外延生長包括高度B+摻雜的結(jié)晶Si層的ρ型非本征基極層； 蝕刻發(fā)射極開口穿過至少所述高度B+摻雜的結(jié)晶Si層、所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層和所述犧牲層的中央部分至所述B+摻雜Sih1Gexl晶體的所述頂表面；以及 在所述發(fā)射極開口中，在所述B+摻雜Sih1Gexl晶體的所述頂表面上形成η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括:在蝕刻所述發(fā)射極開口之前，在所述高度B+摻雜的結(jié)晶Si層上形成絕緣層。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，所述在所述發(fā)射極開口中，在所述B+摻雜Sih1Gexl晶體的所述頂表面上形成η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極還包括: 在所述發(fā)射極開口上形成絕緣側(cè)壁； 在所述絕緣側(cè)壁之間，在所述B+摻雜Sih1Gexl晶體的所述頂表面上外延生長結(jié)晶Si蓋； 在所述絕緣側(cè)壁之間，在所述結(jié)晶Si蓋上形成η型摻雜非結(jié)晶多晶硅；以及退火所述η型摻雜非結(jié)晶多晶硅以形成η型摻雜的發(fā)射極引線，η型雜質(zhì)從所述η型摻雜非結(jié)晶多晶硅擴散進入所述結(jié)晶Si蓋以形成所述異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的η型擴散摻雜的結(jié)晶發(fā)射極。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，所述ρ型本征基極的所述外延生長還包括:將含碳氣體添加至含硼、含硅和含鍺氣體的混合物，以外延生長B+摻雜的Si1^GexlCy晶體。
19.一種制造異質(zhì)結(jié)雙極晶體管裝置的方法，包括: 在由淺溝槽隔離體劃界的結(jié)晶硅(Si)層中形成η型集電極區(qū)域； 在所述結(jié)晶Si層的頂表面上外延生長ρ型本征基極，該ρ型本征基極包括硼摻雜的硅鍺(B+摻雜Sih1Gexl)晶體，所述B+摻雜Sih1Gexl晶體形成有角度的小面，該有角度的小面設(shè)置在所述結(jié)晶Si層與所述淺溝槽隔離體的界面上； 在所述B慘雜Sih1Gexl晶體的頂表面上,而不在所述B慘雜Sih1Gexl晶體的所述有角度的小面上，沉積犧牲層； 在所述犧牲層上以及在所述B+摻雜Sih1Gexl晶體的所述有角度的小面上外延生長富Ge的結(jié)晶Sipx2Gex2層； 在所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層上外延生長包括高度B+摻雜結(jié)晶Si層的ρ型非本征基極層； 在所述高度B+摻雜結(jié)晶Si層上形成絕緣層； 蝕刻發(fā)射極開口穿過所述絕緣層、所述高度B+摻雜結(jié)晶Si層、所述富Ge的結(jié)晶Sih2Gex2層和所述 犧牲層的中央部分至所述B+摻雜Sih1Gexl晶體的所述頂表面； 在所述B+摻雜Sih1Gexl晶體的所述頂表面上外延生長結(jié)晶Si蓋； 在所述結(jié)晶Si蓋上形成η型摻雜非結(jié)晶多晶硅；以及 退火所述η型摻雜非結(jié)晶多晶硅，以形成η型摻雜的結(jié)晶發(fā)射極，η型雜質(zhì)從所述η型摻雜非結(jié)晶多晶硅擴散進入所述結(jié)晶Si蓋以形成所述異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的η型擴散摻雜的Si結(jié)晶發(fā)射極。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括:在外延生長所述結(jié)晶Si蓋之前，在所述發(fā)射極開口上形成絕緣側(cè)壁。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，所述B+摻雜的含碳Si1^GexlCy晶體的所述外延生長包括以下所列項目的混合物:硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)氣體中的一種，鍺烷(GeH4)和乙鍺烷(Ge2H6)氣體中的一種，硼烷(B2H6)氣體以及甲基硅烷(CH3SiH3)氣體。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，所述B+摻雜的含碳Si1^GexlCy晶體中的Ge摩爾分數(shù)xl在10%至40%的范圍內(nèi)，所述B+摻雜的含碳Si1^GexlCy晶體中的碳摩爾分數(shù)y在0.01%至0.10%的范圍內(nèi)。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，所述富Ge的Sih2Gex2層的所述外延生長包括以下所列項目的混合物:硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)氣體中的一種，以及鍺烷(GeH4)和乙鍺烷(Ge2H6)氣體中的一種。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，所述富Ge的結(jié)晶Sipx2Gex2層中的Ge摩爾分數(shù)x2大于或等于所述P型本征基極的所述B+摻雜的含碳Si1^GexlCy晶體中的Ge摩爾分數(shù)xl。
25.如權(quán)利要求19所述的方法，所述ρ型非本征基極層的所述外延生長還包括將鍺烷(GeH4)和乙鍺烷(Ge2H6)氣體中的一種添加至硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)氣體中的一種與硼烷氣體的混合物，以形成高度B+摻雜的結(jié)晶Sih3Gex3層，所述高度B+摻雜的結(jié)晶Si1^x3Gex3層中的Ge摩 爾分數(shù)x3達到40%。
【文檔編號】H01L29/737GK103855196SQ201310618785
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】R.A.卡米洛-卡斯蒂洛, J.B.約翰遜 申請人:國際商業(yè)機器公司