一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，包括底座、紫外發(fā)光二極管芯片、紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層、封裝層，所述紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層由高純無機(jī)納米發(fā)光材料、稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉混合組成，所述封裝層由封裝膠和無機(jī)納米粉體混合組成，并涂覆于紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層上。紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層以紫外光源作為激發(fā)源主體，可以有效增強(qiáng)發(fā)光強(qiáng)度，提高發(fā)光效率，激發(fā)高純無機(jī)納米發(fā)光材料、稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉，可以使得發(fā)光更加充分均勻；封裝層中混合有紫外屏蔽能力無機(jī)納米粉體可以吸收多余的紫外光而發(fā)出較長波長的藍(lán)光，在保證紅藍(lán)光通過的前提下，有效屏蔽紫外線，減少對植物的傷害。
【專利說明】一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別涉及一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，人工光源已經(jīng)越來越廣泛地應(yīng)用到植物培養(yǎng)當(dāng)中。研究發(fā)現(xiàn)，葉綠素與類胡蘿卜素對400-520 nm的藍(lán)光吸收比例最大，610-720 nm的紅光對植物光合作用的貢獻(xiàn)最大，特別是波長范圍為500-600 nm的藍(lán)光和600-700 nm的紅光，是使光合作用效率達(dá)到最高的波段。
[0003]白熾燈、熒光燈、高壓鈉燈是常用的幾種用于植物培養(yǎng)的人工光源，然而它們都具有一定的不完善之處，限制了大范圍應(yīng)用。具體來說，白熾燈的發(fā)光效率不高，照射植物時會產(chǎn)生大量熱量，容易灼傷植物。熒光燈較白熾燈而言較為節(jié)能，但壽命短，其使用的材料對環(huán)境會造成污染。此外，熒光燈與白熾燈都不是平面光源，存在照射不均勻的問題。高壓鈉燈的照射強(qiáng)度大，照射面積廣，但功耗大、壽命短、發(fā)熱量大，嚴(yán)重制約了其在植物培養(yǎng)領(lǐng)域中的應(yīng)用。
[0004]發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)具有體積小、壽命長、驅(qū)動電壓低、反應(yīng)速度快、耐震、耐熱等特性，因而在應(yīng)用于促進(jìn)植物生長的人造光源領(lǐng)域得到了越來越多的關(guān)注。為了使植物能夠同時獲得藍(lán)色光和紅色光，以往采用混合多個紅色LED和藍(lán)色LED的方法，但由于紅色LED和藍(lán)色LED的效率不同，要獲得特定紅藍(lán)光比例的光照，就要將一個藍(lán)色LED周圍配備多個紅色LED，這樣就造成了混色不均勻的情況，不利于最大程度地提高植物光合作用的效率。藍(lán)色LED作為激發(fā)源時，受熒光粉厚度影響較大，而且由于藍(lán)光激發(fā)型熒光粉需要在460 nm左右有較強(qiáng)的吸收，符合這一條件的材料相對較少。
[0005]另一方面，紅綠藍(lán)色熒光粉發(fā)光顏色會隨著溫度、驅(qū)動電壓和熒光粉涂層厚度的變化而變化。紫外LED的出現(xiàn)，為LED用熒光粉提供了新的發(fā)展空間?？杀蛔贤夤庥行Ъぐl(fā)的高效熒光體種類繁多，如硅酸鹽、硫氧化物、磷酸鹽、釩酸鹽、硼酸鹽、鋁酸鹽等。而且以這些材料為基礎(chǔ)的高純無機(jī)納米發(fā)光材料在紫外光的激發(fā)下發(fā)出近紫外光，不利于植物的生長。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的不足之處提供了一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，通過使用紫外發(fā)光二極管芯片作為光源主體，配合高純無機(jī)納米發(fā)光材料，使其能夠充分激發(fā)稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉，發(fā)出強(qiáng)度大而均勻且有利于植物生長的光，提高植物的生長效率；通過改變封裝層的成分，實現(xiàn)吸收屏蔽多余紫外光的功能，促進(jìn)植物生長的同時保護(hù)植物免遭紫外線損害。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，包括底座、紫外發(fā)光二極管芯片、紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層、封裝層，其特征在于:所述紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層由高純無機(jī)納米發(fā)光材料、稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉混合組成，所述封裝層由封裝膠和無機(jī)納米粉體混合組成，并涂覆于紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層之上。
[0008]作為優(yōu)選，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料包括硫化物、氧化物、氟化物、磷酸鹽、釩酸鹽、鈮酸鹽、鋁酸鹽和鑰酸鹽的一種，所述硫化物為硫化鋅、硫化鑭、硫化鈣、硫化鈰、硫化鐠、硫化釹、硫化釤或硫化釓；所述氧化物為氧化鋅、氧化釔、氧化鈦、氧化釓或氧化镥；所述氟化物為氟化釔、氟化釓、氟化鑭或氟化鈰；所述磷酸鹽為磷酸鑭、磷酸釓、磷酸鍶、磷酸釔或磷酸鋇；所述釩酸鹽為釩酸釓、釩酸釔、釩酸鑭、釩酸鈰、釩酸鈣、釩酸鉛或釩酸鍶；所述鈮酸鹽為鈮酸鈣、鈮酸釔、鈮酸釓或鈮酸镥；所述鋁酸鹽為鋁酸釔、鋁酸鋇、鋁酸釓、鋁酸鈣或鋁酸鍶；所述鑰酸鹽為鑰酸鑭、鑰酸鍶或鑰酸鋇。
[0009]作為優(yōu)選，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料結(jié)構(gòu)包括納米顆粒、納米棒、納米管、納米線和納米花中的一種或多種結(jié)構(gòu)，具有明顯的紫外或近紫外發(fā)射峰。
[0010]作為優(yōu)選，所述無機(jī)納米粉體為氧化鋅超細(xì)納米顆粒、二氧化鈦超細(xì)納米顆粒、二氧化硅超細(xì)納米顆?；蜓趸F超細(xì)納米顆粒的一種或多種的混合體。
[0011]作為優(yōu)選，所述無機(jī)納米粉體的粒徑為100-200 nm。
[0012]作為優(yōu)選，所述無機(jī)納米粉體在封裝層中所占質(zhì)量比為5-15 %。
[0013]作為優(yōu)選，所述稀土藍(lán)色熒光粉為發(fā)射峰值為400-500 nm的氯磷酸鹽、鋁酸鹽或氮化物熒光粉的一種或多種組合，所述稀土紅色熒光粉為發(fā)射峰值為600-700 nm的氮化物或硫化物熒光粉的一種或兩種組合。
[0014]作為優(yōu)選，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料與稀土藍(lán)色熒光粉、稀土紅色熒光粉的總摩爾比為1:10，所述稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉的摩爾比為1.5-3:1。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于:
一、紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層以紫外光源作為激發(fā)源主體，可以有效增強(qiáng)發(fā)光強(qiáng)度，提高發(fā)光效率，激發(fā)高純無機(jī)納米發(fā)光材料、稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉，使得其發(fā)光更加充分均勻；
二、封裝層中混合有紫外屏蔽能力無機(jī)納米粉體可以吸收多余的紫外光而發(fā)出較長波長的藍(lán)光，在保證紅藍(lán)光通過的前提下，有效屏蔽紫外線，減少對植物的傷害；
三、無機(jī)納米粉體與封裝膠交聯(lián)后具有致密的結(jié)構(gòu)可以有效地隔絕水、氧對熒光粉體的侵蝕；
發(fā)光以稀土藍(lán)色熒光粉與稀土紅色熒光粉為主，無機(jī)納米粉體為輔，可以獲得有利于植物光合作用的光波段，可廣泛應(yīng)用于植物育苗、葉菜栽培、花卉生產(chǎn)等方面。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明的發(fā)光二極管的示意圖；
圖2是本發(fā)明實施例1的發(fā)光光譜圖；
圖3是本發(fā)明實施例2的發(fā)光光譜圖；
圖中:1_底座，2-紫外發(fā)光二極管芯片，3-紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層，4-封裝層。
【具體實施方式】[0017]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0018]參照圖1，本發(fā)明的一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，包括底座1、紫外發(fā)光二極管芯片2、封裝層4，由高純無機(jī)納米發(fā)光材料、稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉混合組成的紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3，所述封裝層4由封裝膠和無機(jī)納米粉體混合組成，并涂覆于紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3上，在高純無機(jī)納米發(fā)光材料的作用下，稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉充分受激發(fā)光，在封裝層的紫外屏蔽作用下，發(fā)出的光能促進(jìn)植物生長，并且均勻柔和，最大程度上提高植物生長的效率。
[0019]底座I為發(fā)光二極管的依托,它有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。
[0020]紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)熒光粉體發(fā)光的光源，它有較好的光功率以及發(fā)光波長與熒光材料有很好的匹配。
[0021]紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3將紫外發(fā)光二極管2包覆，封裝層4將紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3與紫外發(fā)光二極管芯片2包覆，封裝膠、高純無機(jī)納米發(fā)光材料和無機(jī)納米粉體均具有較高的透光性，在不同環(huán)境下有良好的穩(wěn)定性。
[0022]所述稀土藍(lán)色熒光粉為發(fā)射峰值為400-500 nm的氯磷酸鹽、鋁酸鹽或氮化物熒光粉的一種或多種組合，所述稀土紅色熒光粉為發(fā)射峰值為600-700 nm的氮化物或硫化物熒光粉的一種或兩種組合。
[0023]以下是本發(fā)明的具體實施例:
實施例1:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[Sr2Si5N8/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為1.5:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為150 nm氧化鋅納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為10 %。
[0024]實施例2:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[CaAlSiN3/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為1.8:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為150 nm氧化鋅納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為10 %。
[0025]實施例3:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ba5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[SrAlSiN3/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.1:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為150 nm氧化鋅納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為10 %。
[0026]實施例4:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[BaMgAl 1(l017/Eu]，氮化物紅色熒光粉[Ca2Si5N8/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.5:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為150 nm氧化鋅納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為10 %。
[0027]實施例5:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物紅色熒光粉[CaS/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.8:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1: 10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為150 nm氧化鋅納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為10 %。
[0028]實施例6:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物紅色熒光粉[La202S/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為3:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為150 nm氧化鋅納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為10 %。
[0029]實施例7:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[Sr2Si具/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為1.5:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0030]實施例8:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[CaAlSiN3/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為1.8:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0031]實施例9:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ba5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[SrAlSiN3/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.1:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0032]實施例10:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[BaMgAl 1(l017/Eu]，氮化物紅色熒光粉[Ca2Si5N8/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.5:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。[0033]實施例11:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物紅色熒光粉[CaS/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.8:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1: 10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0034]實施例12:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物紅色熒光粉[La202S/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為3:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米花，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0035]實施例13:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[Sr2Si5N8/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為1.5:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為200 nm氧化鐵納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為5 %。
[0036]實施例14:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[CaAlSiN3/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為1.8:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為200 nm氧化鐵納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為5 %。
[0037]實施例15:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ba5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[SrAlSiN3/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.1:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為200 nm氧化鐵納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為5 %。
[0038]實施例16:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[BaMgAl 1(l017/Eu]，氮化物紅色熒光粉[Ca2Si5N8/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.5:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為200 nm氧化鐵納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為5 %。
[0039]實施例17:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物紅色熒光粉[CaS/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.8:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1: 10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為200 nm氧化鐵納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為5 %。
[0040]實施例18:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物紅色熒光粉[La202S/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為3:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為200 nm氧化鐵納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為5 %。
[0041]實施例19:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[Sr2Si具/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為1.5:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0042]實施例20:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[CaAlSiN3/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為1.8:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0043]實施例21:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有氯磷酸鹽藍(lán)色熒光粉[Ba5 (PO4)3CVEu],氮化物紅色熒光粉[SrAlSiN3/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.1:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0044]實施例22:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[BaMgAl 1(l017/Eu]，氮化物紅色熒光粉[Ca2Si5N8/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.5:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0045]實施例23:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物紅色熒光粉[CaS/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為2.8:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1: 10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。[0046]實施例24:
如圖2、3所示的熒光粉體使用示意圖，采用紫外發(fā)光二極管芯片2作為激發(fā)光源，紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3內(nèi)摻有鋁酸鹽藍(lán)色熒光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物紅色熒光粉[La202S/Eu]，所述藍(lán)色熒光粉和紅色熒光粉的摩爾比為3:1，所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料采用氧化鋅納米棒，與紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層3的總摩爾比為1:10，所述無機(jī)納米粉體選用粒徑為100 nm 二氧化鈦納米顆粒，在封裝層4中所占質(zhì)量比為15 %。
[0047]本發(fā)明實施例為較佳實施方式，但其具體實施并不限于此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員極易根據(jù)上述實施例，領(lǐng)會本發(fā)明的精神，并做出不同的引申和變化，只要不脫離本發(fā)明，都屬本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，包括底座、紫外發(fā)光二極管芯片、紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層、封裝層，其特征在于:所述紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層由高純無機(jī)納米發(fā)光材料、稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉混合組成，所述封裝層由封裝膠和無機(jī)納米粉體混合組成，并涂覆于紫外發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，其特征在于:所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料包括硫化物、氧化物、氟化物、磷酸鹽、釩酸鹽、鈮酸鹽、鋁酸鹽和鑰酸鹽；所述硫化物包括硫化鋒、硫化倆、硫化韓、硫化鋪、硫化譜、硫化欽、硫化紅和硫化,L ；所述氧化物包括氧化鋅、氧化釔、氧化鈦、氧化釓和氧化镥；所述氟化物包括氟化釔、氟化釓、氟化鑭和氟化鈰；所述磷酸鹽包括磷酸鑭、磷酸釓、磷酸鍶、磷酸釔和磷酸鋇；所述釩酸鹽包括釩酸釓、釩酸釔、釩酸鑭、釩酸鈰、釩酸鈣、釩酸鉛和釩酸鍶；所述鈮酸鹽包括鈮酸鈣、鈮酸釔、鈮酸釓和鈮酸镥；所述鋁酸鹽包括鋁酸釔、鋁酸鋇、鋁酸釓、鋁酸鈣和鋁酸鍶；所述鑰酸鹽包括鑰酸鑭、鑰酸鍶和鑰酸鋇。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，其特征在于:所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料結(jié)構(gòu)包括納米顆粒、納米棒、納米管、納米線和納米花中的一種或多種結(jié)構(gòu)，具有明顯的紫外或近紫外發(fā)射峰。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，其特征在于:所述無機(jī)納米粉體為氧化鋅超細(xì)納米顆粒、二氧化鈦超細(xì)納米顆粒、二氧化硅超細(xì)納米顆粒或氧化鐵超細(xì)納米顆粒的一種或多種的混合體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，其特征在于:所述無機(jī)納米粉體的粒徑為100-200 nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，其特征在于:所述無機(jī)納米粉體在封裝層中所占質(zhì)量比為5-15 %。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，其特征在于:所述稀土藍(lán)色熒光粉為發(fā)射峰值為400-500 nm的氯磷酸鹽、鋁酸鹽或氮化物熒光粉的一種或多種組合，所述稀土紅色熒光粉為發(fā)射峰值為600-700 nm的氮化物或硫化物熒光粉的一種或兩種組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種促進(jìn)植物生長的紫外發(fā)光二極管，其特征在于:所述高純無機(jī)納米發(fā)光材料與稀土藍(lán)色熒光粉、稀土紅色熒光粉的總摩爾比為1:10，所述稀土藍(lán)色熒光粉和稀土紅色熒光粉的摩爾比為1.5-3:1。
【文檔編號】H01L33/56GK103560201SQ201310583641
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月20日
【發(fā)明者】于軍勝, 王煦, 韓世蛟, 王曉 申請人:電子科技大學(xué)