一種SiC肖特基二極管及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種SiC肖特基二極管及其制作方法，該SiC肖特基二極管包括N++-SiC襯底和N--SiC外延層，N--SiC外延層形成于N++-SiC襯底之上，且N++-SiC襯底背面設(shè)有N型歐姆接觸電極，N--SiC外延層表面設(shè)有肖特基接觸電極，肖特基接觸電極之下有選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)，P+-SiC區(qū)域環(huán)之下有與P+-SiC區(qū)域環(huán)對(duì)應(yīng)的N+-SiC區(qū)域環(huán)，作為雪崩擊穿時(shí)的保護(hù)環(huán)；肖特基接觸電極的外圍設(shè)有多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)，作為該二極管器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)；在肖特基接觸電極邊緣設(shè)有SiO2鈍化層，在SiO2鈍化層上方設(shè)有場板。本發(fā)明使得SiC肖特基二極管的導(dǎo)通電壓與Si肖特基二極管的導(dǎo)通電壓相近，不僅與原有采用Si器件的系統(tǒng)匹配良好，而且可應(yīng)用于Si肖特基器件所不能達(dá)到的高壓600V-1200V的開關(guān)電源和功率因數(shù)校正電路中。
【專利說明】一種SiC肖特基二極管及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種具有低導(dǎo)通電壓的SiC肖特基二極管及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]寬禁帶半導(dǎo)體一般指碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等禁帶寬度在3.0eV左右及其以上者。與Si材料相比，這些材料具有較寬的禁帶寬度、高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率等優(yōu)點(diǎn)，是制備電力電子器件的優(yōu)選材料。其中，利用SiC材料制備的肖特基二極管屬于多數(shù)載流子器件，該結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是無額外載流子的注入和儲(chǔ)存、開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小，可以廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車等需進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路，以及太陽能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域。
[0003]開關(guān)電源是目前使用數(shù)量最多的一種電力電子裝置，直流開關(guān)電源的前端一般是有二極管或晶閘管構(gòu)成的非線性整流器，會(huì)產(chǎn)生大量的諧波和無功功率，使得開關(guān)電源的功率因數(shù)比較低，對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生不良干擾。雖然單臺(tái)套開關(guān)電源一般功率不是很大，但是由于使用量大面廣，其影響不容忽視。因此，將寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC肖特基二極管引入到直流開關(guān)電源的PFC電路，可以在不改變電路拓?fù)浜凸ぷ鞣绞降那闆r下，有效解決Si 二極管反向恢復(fù)電流帶來的許多問題，極大的改善電路的工作品質(zhì)。
[0004]同時(shí)，Si肖特基器件雖然具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于100V，最高僅約200V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V-1200V的高速二極管以及PFC升壓用600V 二極管等，都大量需要200V以上，且具有開關(guān)頻率高和正向壓降低的器件。因此，600V-1200V的SiC肖特基器件將有廣闊的市場。
[0005]但是，由于目前商業(yè)化的SiC肖特基器件都采用Ti或者M(jìn)o作為肖特基金屬，其導(dǎo)通壓降基本上都大于0.9V，而超高壓Si肖特基器件的導(dǎo)通壓降都在0.6V以下，要想與原有系統(tǒng)進(jìn)行良好的匹配，本發(fā)明提供的具有0.6V左右導(dǎo)通壓降的600V-1200V SiC肖特基器件將在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中得到更好、更廣泛的應(yīng)用。
[0006]針對(duì)以上應(yīng)用需要，本發(fā)明提出了一種具有低導(dǎo)通電壓、高反向阻斷電壓的SiC肖特基二極管及其制作方法，目前應(yīng)用于現(xiàn)有開關(guān)電源和PFC電路中的此結(jié)構(gòu)SiC肖特基二極管尚無實(shí)例。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007](一 )要解決的技術(shù)問題
[0008]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種降低器件制作工藝的復(fù)雜度和成本，具有低導(dǎo)通電壓、高反向阻斷電壓的SiC肖特基二極管及其制作方法，使器件的導(dǎo)通電壓保持與Si肖特基器件相近(約為0.6V左右)的同時(shí)，反向擊穿電壓能夠達(dá)到600V-1200V。[0009]( 二)技術(shù)方案
[0010]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種SiC肖特基二極管，包括N++_SiC襯底和N--SiC外延層，所述N--SiC外延層形成于所述N++-SiC襯底之上，且所述N++-SiC襯底背面設(shè)有N型歐姆接觸電極，所述N--SiC外延層表面設(shè)有肖特基接觸電極，所述肖特基接觸電極之下有選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)，所述P+-SiC區(qū)域環(huán)之下有與P+-SiC區(qū)域環(huán)對(duì)應(yīng)的N+-SiC區(qū)域環(huán)，作為雪崩擊穿時(shí)的保護(hù)環(huán)；所述肖特基接觸電極的外圍設(shè)有多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)，作為該二極管器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)；在所述肖特基接觸電極邊緣設(shè)有SiO2鈍化層，在SiO2鈍化層上方設(shè)有場板。 [0011]上述方案中，所述肖特基接觸電極采用的導(dǎo)通電壓與該Si肖特基二極管的導(dǎo)通電壓相近。
[0012]上述方案中，該Si肖特基二極管的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)镾i肖特基二極管器件所不能達(dá)到的高壓600V-1200V的開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中。
[0013]上述方案中，所述N+-SiC區(qū)域環(huán)作為雪崩擊穿時(shí)的保護(hù)環(huán)，能夠有效分散P+-SiC區(qū)域環(huán)邊緣的電場分布，在反向擊穿時(shí)起到保護(hù)作用。
[0014]上述方案中，所述N+-SiC區(qū)域環(huán)的摻雜濃度為3E17Cm_3-5E17Cm_3之間，環(huán)寬小于或者等于P+-SiC區(qū)域環(huán)，兩邊各縮進(jìn)0-1 μ m之間，其縱向厚度為0.1 μ m-0.5 μ m之間。
[0015]上述方案中，所述肖特基接觸電極采用金屬Al形成，其導(dǎo)通電壓為0.6V。
[0016]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種SiC肖特基二極管的制作方法，包括如下步驟:在N++-SiC襯底上生長N_-SiC外延層；在^+-31(:襯底背面形成歐姆接觸電極；在K-SiC外延層上制備N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)；在N--SiC外延層上一次注入形成肖特基金屬下選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)和肖特基接觸外圍的多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)；通過PECVD的方法，在已制備多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)上淀積鈍化層SiO2，并腐蝕SiO2窗口 ；制備Al肖特基金屬和封裝加厚金屬Al，同時(shí)形成肖特基接觸和場板金屬。
[0017]上述方案中，所述在N++_SiC襯底上生長N__SiC外延層包括:在摻雜濃度為IO18~IO19CnT3水平的N++-SiC襯底正面利用CVD方法外延N_-SiC層；所述N__SiC外延層摻雜水平為 8 X IO15Cm 3 ~I X IO16Cm 3，厚度為 5 ~15 μ m。
[0018]上述方案中，所述在N++_SiC襯底背面形成歐姆接觸電極包括:在礦-SiC襯底上背面生長Ni金屬；在9001:~1000°C溫度范圍內(nèi)，在真空環(huán)境或惰性氣體氛圍中進(jìn)行快速熱退火,形成N+-SiC的歐姆接觸。
[0019]上述方案中，所述外延層上制備N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)包括:在仄-5丨(:外延層上制作絕緣介質(zhì)SiO2作為N離子注入的阻擋層；在溫度200°C~500°C時(shí)進(jìn)行N離子進(jìn)行注入；所述的N離子能量為40kev~375kev之間的任意組合；所述能量的注入總劑量為4X IO12CnT2~6X IO12CnT2之間；在惰性氣體氛圍中進(jìn)行N離子注入后的高溫激活退火，激活退火的溫度范圍為1300°C~1500°C，形成N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)。
[0020]上述方案中，在N__SiC外延層上一次注入形成的肖特基金屬下選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)和肖特基接觸外圍的多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)包括:采用絕緣介質(zhì)材料，制作選擇性離子注入掩蔽層，絕緣介質(zhì)材料是SiO2、多晶硅、非晶硅中的一種或多種；在溫度200°C~500°C時(shí)進(jìn)行Al離子進(jìn)行注入；所述的P+-SiC環(huán)注入離子為Al離子，所述的注入能量為50kev~450kev;所述注入的總注入劑量為lX1014cm_2~8X IO14CnT2之間；在惰性氣體氛圍中進(jìn)行Al離子注入后的高溫激活退火，激活退火的溫度范圍為1600°C~1850°C，形成N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)。
[0021]上述方案中，所述的肖特基金屬和封裝加厚金屬都為Al金屬，肖特基金屬2000A，封裝加厚4 ii m。
[0022](三)有益效果
[0023]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0024]1、本發(fā)明采用Al作為肖特基金屬，封裝加厚金屬也是Al，避免了肖特基金屬與封裝加厚金屬之間因氧化而需要進(jìn)行其他工藝，制備工藝相對(duì)簡單，同時(shí)降低了導(dǎo)通電阻。
[0025]2、本發(fā)明肖特基金屬下選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)和肖特基接觸外圍的多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)采用一次注入工藝形成，且在形成N離子注入掩蔽層的同時(shí)形成Al離子注入的掩蔽層，器件制備工藝相對(duì)簡單。
[0026]3、本發(fā)明采用Al作為肖特基金屬，具有與Si肖特基器件相近的低導(dǎo)通電壓，同時(shí)在P+-SiC區(qū)域環(huán)下面設(shè)置與之對(duì)應(yīng)的N+-SiC區(qū)域環(huán)，作為雪崩擊穿時(shí)的保護(hù)環(huán)，提高反向阻斷電壓。
[0027]4、本發(fā)明提供的具有低導(dǎo)通電壓、高反向阻斷電壓的SiC肖特基二極管，可廣泛的應(yīng)用于原有的Si肖特基器件系統(tǒng)。在不改變?cè)须娐吠負(fù)浜凸ぷ鞣绞降那闆r下，提升反向擊穿電壓，與系統(tǒng)形成良好匹配，節(jié)省了新器件與原有系統(tǒng)的匹配成本，應(yīng)用前景廣闊。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1為本發(fā)明提供的具有低導(dǎo)通電壓、高反向阻斷電壓的SiC肖特基二極管的剖面圖；
[0029]圖2為本發(fā)明提供的不同金屬的正向肖特基特性圖；
[0030]圖3為本發(fā)明實(shí)施例器件的反向1-V特性圖；
[0031]圖4為本發(fā)明提供的具有低導(dǎo)通電壓、高反向阻斷電壓的SiC肖特基二極管的制作方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0033]如圖1所示，圖1為本發(fā)明提供的具有低導(dǎo)通電壓、高反向阻斷電壓的SiC肖特基二極管的剖面圖，該SiC肖特基二極管包括N++-SiC襯底和N_-SiC外延層，N_-SiC外延層形成于N++-SiC襯底之上，且N++-SiC襯底背面設(shè)有N型歐姆接觸電極，N_-SiC外延層表面設(shè)有肖特基接觸電極，肖特基接觸電極之下有選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)，P+-SiC區(qū)域環(huán)之下有與P+-SiC區(qū)域環(huán)對(duì)應(yīng)的N+-SiC區(qū)域環(huán)，作為雪崩擊穿時(shí)的保護(hù)環(huán)；肖特基接觸電極的外圍設(shè)有多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)，作為該二極管器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)；在肖特基接觸電極邊緣設(shè)有SiO2鈍化層，在SiO2鈍化層上方設(shè)有場板。
[0034]圖2給出了本發(fā)明提供的不同金屬的肖特基特性。在N--SiC外延層上淀積不同肖特基金屬Al、T1、Mo、Ni各200nm，其中T1、Mo為目前商業(yè)化SiC肖特基二極管器件常用的肖特基金屬。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，采用Al、T1、Mo、Ni肖特基金屬形成的肖特基二極管的理想因子分別為1.023，1.018，1.019，1.022，說明都符合熱電子發(fā)射機(jī)制，從而推算出形成的肖特基勢(shì)壘高度分別為0.58eV，0.88eV，l.15eV，1.66eV。因此，采用Al肖特基可以獲得與Si肖特基二極管器件相近的導(dǎo)通電壓。
[0035]圖3為本發(fā)明提供的不同肖特基金屬的反向1-V特性圖。從圖3中可以看到，采用Al作為肖特基金屬，獲得與Si肖特基器件相近的低導(dǎo)通電壓的同時(shí)，反向漏電流也在可控范圍內(nèi)。
[0036]圖4為本發(fā)明提供的具有低導(dǎo)通電壓、高反向阻斷電壓的SiC肖特基二極管的制作方法，該方法可制作圖1所示的SiC肖特基二極管，包括以下步驟:
[0037]步驟10:在N++_SiC襯底上生長N--SiC外延層。
[0038]在摻雜濃度為IO19CnT3水平的N++_SiC襯底正面利用CVD方法外延N__SiC層；所述N_-SiC外延層摻雜水平為8 X 1015cm_3，厚度為12 μ m。
[0039]步驟20:在N++_SiC襯底背面形成歐姆接觸。
[0040]在N++-SiC襯底背面生長Ni金屬200nm ;在950°C溫度下，氮?dú)夥諊羞M(jìn)行快速熱退火5min,形成N+-SiC的歐姆接觸。
[0041]步驟30:在仄-SiC外延層上制備N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)。
[0042]在N__SiC外延層上PECVD生長2 μ m厚SiO2，采用光刻顯影技術(shù)，光刻出注入窗口，采用ICP刻蝕的方法刻蝕去除需要注入?yún)^(qū)的SiO2,形成選擇性N離子注入和Al離子注入的掩蔽層；在溫度200°C時(shí)進(jìn)行N離子進(jìn)行注入；所采用的N離子能量為375kev，所述能量的注入總劑量為4X1012cnT2 ;在41*2氣體氛圍中，1300°C，30min，進(jìn)行N離子注入后的高溫激活退火，形成N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)。
[0043]步驟40:在N--SiC外延層上一次注入形成肖特基金屬下選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)和肖特基接觸外圍的多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)。
[0044]形成N離子注入掩蔽層的同時(shí)形成Al離子注入的掩蔽層；在溫度500°C時(shí)進(jìn)行Al離子進(jìn)行注入；所采用的Al離子能量組合為50kev,90kev,200kev,350kev,所述能量的注入總劑量為3.62E14cnT2 ;在Ar2氣體氛圍中，1850°C，5min，進(jìn)行Al離子注入后的高溫激活退火，形成肖特基金屬下P+-SiC區(qū)域環(huán)和肖特基接觸外圍的多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)。
[0045]步驟50 =PECVD淀積鈍化層SiO2,并腐蝕SiO2窗口。
[0046]在器件表面采用PECVD方法淀積400nm厚SiO2鈍化層；光刻顯影，制作窗口圖形，并濕法腐蝕SiO2窗口。
[0047]步驟60:生長肖特基金屬、封裝加厚金屬環(huán)及場板金屬。
[0048]采用電子束沉積生長Al肖特基金屬200nm ;在器件表面再次旋涂光刻膠，通過光刻形成場板金屬圖形，從而同時(shí)分別形成肖特基接觸和場板金屬；再次采用電子束沉積生長Al封裝加厚金屬4 μ m。
[0049]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種SiC肖特基二極管，包括N++-SiC襯底和N_-SiC外延層，所述N_-SiC外延層形成于所述N++-SiC襯底之上，且所述N++-SiC襯底背面設(shè)有N型歐姆接觸電極，其特征在于: 所述N--SiC外延層表面設(shè)有肖特基接觸電極，所述肖特基接觸電極之下有選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)，所述P+-SiC區(qū)域環(huán)之下有與P+-SiC區(qū)域環(huán)對(duì)應(yīng)的N+-SiC區(qū)域環(huán)，作為雪崩擊穿時(shí)的保護(hù)環(huán)；所述肖特基接觸電極的外圍設(shè)有多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)，作為該二極管器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)；在所述肖特基接觸電極邊緣設(shè)有SiO2鈍化層，在SiO2鈍化層上方設(shè)有場板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基接觸電極采用的導(dǎo)通電壓與該Si肖特基二極管的導(dǎo)通電壓相近。
3.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，該Si肖特基二極管的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)镾i肖特基二極管器件所不能達(dá)到的高壓600V-1200V的開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述N+-SiC區(qū)域環(huán)作為雪崩擊穿時(shí)的保護(hù)環(huán)，能夠有效分散P+-SiC區(qū)域環(huán)邊緣的電場分布，在反向擊穿時(shí)起到保護(hù)作用。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述N+-SiC區(qū)域環(huán)的摻雜濃度為3E17Cm_3-5E17Cm_3之間，環(huán)寬小于或者等于P+-SiC區(qū)域環(huán)，兩邊各縮進(jìn)O-1iim之間，其縱向厚度為0.liim-0.5 iim之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基接觸電極采用金屬Al形成,其導(dǎo)通電壓為0.6V。
7.—種SiC肖特基二極管的制作方法，包括如下步驟: 在N++-SiC襯底上生長N--SiC外延層； 在N++-SiC襯底背面形成歐姆接觸電極； 在N--SiC外延層上制備N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)； 在N--SiC外延層上一次注入形成肖特基金屬下選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)和肖特基接觸外圍的多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)； 通過PECVD的方法，在已制備多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)上淀積鈍化層SiO2，并腐蝕SiO2窗口 ； 制備Al肖特基金屬和封裝加厚金屬Al，同時(shí)形成肖特基接觸和場板金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在N++-SiC襯底上生長N--SiC外延層包括: 在摻雜濃度為IO18~IO19CnT3水平的N++-SiC襯底正面利用CVD方法外延N__SiC層；所述N^-SiC外延層摻雜水平為8 X IO15CnT3~I X IO16Cm-3,厚度為5~15 y m。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在N++-SiC襯底背面形成歐姆接觸電極包括: 在N++-SiC襯底上背面生長Ni金屬； 在900°C~1000°C溫度范圍內(nèi)，在真空環(huán)境或惰性氣體氛圍中進(jìn)行快速熱退火，形成N+-SiC的歐姆接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在N_-SiC外延層上制備N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)包括:在N--SiC外延層上制作絕緣介質(zhì)SiO2作為N離子注入的阻擋層； 在溫度200°C~500°C時(shí)進(jìn)行N離子進(jìn)行注入； 所述的N離子能量為40kev~375kev之間的任意組合；所述能量的注入總劑量為4X IO12CnT2 ~6X IO12CnT2 之間； 在惰性氣體氛圍中進(jìn)行N離子注入后的高溫激活退火，激活退火的溫度范圍為1300°C~1500°C，形成N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，在N_-SiC外延層上一次注入形成的肖特基金屬下選擇性P+-SiC區(qū)域環(huán)和肖特基接觸外圍的多個(gè)P+-SiC保護(hù)環(huán)包括: 采用絕緣介質(zhì)材料，制作選擇性離子注入掩蔽層，絕緣介質(zhì)材料是SiO2、多晶硅、非晶硅中的一種或多種； 在溫度200°C~500°C時(shí)進(jìn)行Al離子進(jìn)行注入； 所述的P+-SiC環(huán)注入離子為Al離子,所述的注入能量為50kev~450kev ;所述注入的總注入劑量為I X IO14CnT2~8 X IO14CnT2之間； 在惰性氣體氛圍中進(jìn)行Al離子注入后的高溫激活退火，激活退火的溫度范圍為1600°C~1850°C，形成N+-SiC區(qū)域保護(hù)環(huán)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述的肖特基金屬和封裝加厚金屬都為Al金屬，肖特基金屬2000A，封裝加厚4 μ m。
【文檔編號(hào)】H01L29/47GK103579375SQ201310580966
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月18日
【發(fā)明者】劉新宇, 許恒宇, 湯益丹, 蔣浩杰, 趙玉印, 申華軍, 白云, 楊謙 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院微電子研究所