靜電卡盤與基板處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種利用等離子體的基板處理裝置。該裝置包括：室，其中具有處理空間；基板支撐組件，其定位在室中并且包括支撐基板的靜電卡盤；氣體供給單元，其將氣體供給到所述室中；以及電源，其施加功率以便由供給到室中的氣體產(chǎn)生等離子體。靜電卡盤包括：電介質(zhì)板，其包括通過使用靜電力吸附基板的電極；本體，其定位在電介質(zhì)板下方并且包括高頻電源連接到其上的金屬板；以及結(jié)合單元，其定位在電介質(zhì)板與本體之間并且將電介質(zhì)板與本體緊固在一起。結(jié)合單元形成為多層結(jié)構(gòu)。
【專利說明】靜電卡盤與基板處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]這里公開的本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，并且更具體地，涉及一種利用等離子體的基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在基板上執(zhí)行諸如光刻、蝕刻、灰化、離子注入、薄膜汽相沉積和清洗的各種處理以在基板上形成期望的圖案，以制造半導(dǎo)體器件。在各種處理中，蝕刻處理是用于將形成在基板上的薄膜的選定部分移除的處理并且包括濕蝕刻與干蝕刻。
[0003]使用利用等離子體的蝕刻裝置來執(zhí)行干燥蝕刻。通常，為了形成等離子體，在室的內(nèi)部空間中形成電磁場并且將提供到室中的處理氣體激發(fā)到等離子體狀態(tài)。
[0004]等離子體表示由離子、電子與原子團(tuán)形成的電離氣體的狀態(tài)。通過非常高的溫度、強(qiáng)電場、或者射頻電磁場產(chǎn)生等離子體。在半導(dǎo)體器件的制造過程中，通過利用等離子體執(zhí)行蝕刻處理?；谌菁{在等離子體中的與基板碰撞的離子顆粒執(zhí)行蝕刻處理。
[0005]通常地，靜電卡盤包括電介質(zhì)板與金屬本體。電介質(zhì)板與本體通過硅或丙烯(acryl)彼此相連。硅具有卓越的耐熱性能但是具有低熱阻。因此，硅不會被處理基板時產(chǎn)生的熱量損壞。然而，硅不能有效地阻擋熱量在本體與電介質(zhì)板之間的傳遞。丙烯具有卓越的熱阻。然而，丙烯的耐熱性能較低。丙烯可以防止電介質(zhì)板與本體之間的熱損失但是會被處理基板時產(chǎn)生的熱量損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種靜電卡盤與一種基板處理裝置，它們能夠減少在利用等離子體處理基板的過程中使用的靜電卡盤中的熱損失并且具有卓越的耐熱性能。
[0007]本發(fā)明的實施方式提供了基板處理裝置，其包括:室，其中具有處理空間；基板支撐組件，其定位在室中并且包括支撐基板的靜電卡盤；氣體供給單元，其將氣體供給到室中；以及電源，其施加功率以便由供給到室中的氣體產(chǎn)生等離子體。靜電卡盤包括:電介質(zhì)板，其包括通過使用靜電力吸附基板的電極；本體，其定位在電介質(zhì)板下方并且包括高頻電源連接到其上的金屬板；以及結(jié)合單元，其定位在電介質(zhì)板與本體之間并且將電介質(zhì)板與本體緊固在一起。結(jié)合單元形成為多層結(jié)構(gòu)。
[0008]多層結(jié)構(gòu)可以包括丙烯層與硅層。
[0009]硅層可以定位在丙烯層的上方。
[0010]多層結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括設(shè)置在硅層與丙烯層之間以允許硅層與丙烯層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。
[0011]多層結(jié)構(gòu)可以包括多個硅層與設(shè)置在多個硅層之間以使多個硅層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。
[0012]結(jié)合中間層可以包括陶瓷。
[0013]結(jié)合中間層可以包括石英。[0014]結(jié)合中間層可以包括金屬。
[0015]在本發(fā)明的其它實施方式中，靜電卡盤包括:電介質(zhì)板，其包括通過利用靜電力吸附基板的電極；本體，其定位在電介質(zhì)板下方并且包括高頻電源連接到其上的金屬板；以及結(jié)合單元，其定位在電介質(zhì)板與本體之間并且將電介質(zhì)板與本體緊固在一起。結(jié)合單元形成為多層結(jié)構(gòu)。
[0016]多層結(jié)構(gòu)可以包括丙烯層、硅層以及結(jié)合中間層，所述結(jié)合中間層設(shè)置在硅層與丙烯層之間以使硅層與丙烯層分別結(jié)合到其上。
[0017]硅層可以定位在丙烯層上方。
[0018]多層結(jié)構(gòu)可以包括多個硅層與設(shè)置在多個硅層之間以使多個硅層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]附圖用以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且將這些附圖并入說明書中并且構(gòu)成本說明書的一部分。此附圖圖示說明了本發(fā)明的示例性實施方式，其連同【專利附圖】

【附圖說明】一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0020]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的橫截面視圖；
[0021]圖2是示出在圖1的靜電卡盤中使用的結(jié)合單元的實例的放大視圖；以及
[0022]圖3是示出圖2的結(jié)合單元的另一個實例的視圖。
【具體實施方式】
[0023]下面將參照附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。然而，本發(fā)明可以以不同的形式體現(xiàn)并且不應(yīng)構(gòu)造為對在這里闡述的實施方式的限定。相反，這提供些實施方式使得對本領(lǐng)域中的技術(shù)人員而言，本公開將是全面與完整的，并且將充分地表達(dá)本發(fā)明的范圍。因此，在附圖中，為了清楚起見，放大了元件的形狀。
[0024]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實施方式。本發(fā)明的實施方式可以被修改成多種形式，并且本發(fā)明的范圍不限于下面的實施方式。提供此實施方式以便為本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員更完全地說明本發(fā)明。因此，在附圖中，為了更加精確地表述，放大了元件的形狀。
[0025]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置10的橫截面視圖；
[0026]參照圖1，基板處理裝置10通過利用等離子體處理基板W。例如，基板處理裝置10可以在基板W上執(zhí)行蝕刻處理?；逄幚硌b置10包括室100、基板支撐組件200、噴頭300、氣體供給單元400、等離子體源、以及導(dǎo)流件單元500。
[0027]室100提供在其中執(zhí)行基板處理過程的處理空間。室100設(shè)置為其中具有處理空間的密封形狀。室100由金屬材料形成。室100可以由鋁形成。室100可以接地。在室100的底面中形成排放孔102。排放孔102連接到排放管路151。在處理過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物與保持在室100的內(nèi)部空間中的氣體可以通過排放管路151向外排放。室100的內(nèi)部通過排放過程被減壓到一定的壓力等級。
[0028]作為實例，可以在室100中設(shè)置內(nèi)襯130。內(nèi)襯130具有頂部與頂部敞開的缸體形狀。內(nèi)襯130可以與室100的內(nèi)表面接觸。內(nèi)襯130保護(hù)室100的內(nèi)壁并且防止室100的內(nèi)壁被電弧放電損壞。此外，防止在基板處理過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)汽相沉積在室100的內(nèi)壁上。選擇性地，可以不設(shè)置內(nèi)襯130。
[0029]基板支撐組件200定位在室100中?；逯谓M件200支撐基板W。基板支撐組件200可以包括利用靜電力吸附基板W的靜電卡盤210。不同地，基板支撐組件200可以利用諸如機(jī)械夾緊的多種方法支撐基板W。在下文中，將要描述包括靜電卡盤210的基板支撐組件200。
[0030]基板支撐組件200包括靜電卡盤210、下覆蓋件250與板270?；逯谓M件200定位在室100中以便將其從室100的底面向上分離。
[0031]靜電卡盤210包括電介質(zhì)板220、本體230和聚焦環(huán)240。靜電卡盤210支撐基板I
[0032]電介質(zhì)板220定位在靜電卡盤210的頂部上。電介質(zhì)板220設(shè)置為由電介質(zhì)物質(zhì)形成的圓形板。基板W布置在絕緣板220的頂面上。電介質(zhì)板220的頂面的半徑小于基板W的半徑。因此，基板W的邊緣部分定位在電介質(zhì)板220的外部。
[0033]電介質(zhì)板220包括在其內(nèi)部的第一電極223、加熱器225、以及第一供給流體通道221。第一供給通道221設(shè)置為從電介質(zhì)板220的頂面到底面。第一供給流動通道221形成為彼此分離的多個并且設(shè)置為用于將熱傳遞介質(zhì)供給到基板W的底面的路徑。
[0034]第一電極223電連接到第一電源223a。第一電源223a包括直流電源。開關(guān)223b安裝在第一電極223與第一電源223a之間。根據(jù)打開/關(guān)閉開關(guān)223b，第一電極223可以電連接到第一電源223a。當(dāng)打開開關(guān)223b時，直流電施加到第一電極223。由于施加到第一電極223的電流,因此靜電力作用在第一電極223與基板W之間?；錡由于靜電力而吸附在電介質(zhì)板210上。
[0035]加熱器225定位在第一電極223的下方。加熱器225電連接到第二電源225a。加熱器225阻抗從第二電源225a施加的電流，由此產(chǎn)生熱量。產(chǎn)生的熱量通過電介質(zhì)板220傳遞到基板W。通過加熱器225產(chǎn)生的熱量將基板W保持在一定溫度。加熱器225包括螺旋狀線圈。
[0036]本體230定位在電介質(zhì)板220的下方。電介質(zhì)板220的底面與本體230的頂面可以通過結(jié)合單元236結(jié)合。本體230可以由鋁形成。本體230的頂面可以分層以使中間部分定位為比邊緣部分更高。本體230的頂面的中間部分具有與電介質(zhì)板220的底面相應(yīng)的區(qū)域并且結(jié)合到電介質(zhì)板220的底面。本體230包括形成在其中的第一循環(huán)流體通道231、第二循環(huán)流體通道232、第二供給流體通道233。
[0037]第一循環(huán)流體通道231設(shè)置為熱傳遞介質(zhì)循環(huán)通過的路徑。第一循環(huán)流體通道231可以在本體230中形成為螺旋狀。另選地，第一循環(huán)流體通道231可以布置為:流體通道具有環(huán)形形狀并且相互不同的半徑具有相同的中心。相應(yīng)的第一循環(huán)流體通道231可以連接到彼此。第一循環(huán)流體通道231形成為彼此平齊。
[0038]第二循環(huán)流體通道232設(shè)置為冷卻流體循環(huán)通過的路徑。第二循環(huán)流體通道232可以在本體230中形成為螺旋形狀。另選地，第二循環(huán)流體通道232可以布置為:流體通道具有環(huán)形形狀并且相互不同的半徑具有相同的中心。相應(yīng)的第二循環(huán)流體通道232可以連接到彼此。第二循環(huán)流體通道232可以具有比第一循環(huán)流體通道231更大的橫截面。第二循環(huán)流體通道232形成為彼此平齊。第二循環(huán)流體通道232可以定位在第一循環(huán)流體通道231下方。
[0039]第二供給流體通道233從第一循環(huán)流體通道231向上延伸并且設(shè)置到本體230的頂面上。第二供給流動通道233設(shè)置為與第一供給流動通道221相應(yīng)的數(shù)量并且將第一循環(huán)流體通道231與第一供給流體通道221相連接。
[0040]第一循環(huán)流體通道231通過熱傳遞介質(zhì)供給管路231b連接到熱傳遞介質(zhì)存儲單元231a。熱傳遞介質(zhì)存儲單元231a存儲熱傳遞介質(zhì)。熱傳遞介質(zhì)包括惰性氣體。根據(jù)實施方式，熱傳遞介質(zhì)包括氦氣。氦氣通過熱傳遞介質(zhì)供給管路231b供給到第一循環(huán)流動通道231，隨后經(jīng)過第二供給流動通道233與第一供給流動通道221，供給到基板W的底面。氦氣可以起著將從等離子體傳遞到基板W的熱量傳遞到靜電卡盤210的介質(zhì)的作用。
[0041]第二循環(huán)流體通道232通過冷卻流體供給管路232c連接到冷卻流體存儲單元232a。冷卻流體存儲單元232a存儲冷卻流體。冷卻流體存儲單元232a可以包括設(shè)置在其中的冷卻器232b。冷卻器232b將冷卻流體冷卻到一定溫度。另選地，冷卻器232b可以安裝在冷卻流體供給管路232c上。通過冷卻流體供給管路232c供給到第二循環(huán)流體通道232的冷卻流體循環(huán)通過第二循環(huán)流體通道232并且使本體230冷卻。本體230被冷卻并且使電介質(zhì)板220與基板W —起冷卻，由此使基板W保持在一定溫度。
[0042]本體230可以包括金屬板。作為實例，整個本體230都可以由金屬板形成。本體230可以電連接到第三電源235a。第三電源235a可以設(shè)置為用于產(chǎn)生高頻功率的高頻電源。高頻電源可以設(shè)置為射頻(RF)電源。本體230接收來自第三電源235a的射頻功率。基于此,本體230可以起到電極的作用。
[0043]圖2是示出在圖1的靜電卡盤210中使用的結(jié)合單元236的實例的放大視圖。
[0044]參照圖2，結(jié)合單元2360定位在電介質(zhì)板220與本體230之間。結(jié)合單元2360分別結(jié)合到電介質(zhì)板220與本體230。作為實例，結(jié)合單元2360設(shè)置為多層結(jié)構(gòu)。結(jié)合單元2360可以包括硅層2361與丙烯層2365。硅層2361可以定位在丙烯層2365的上方。
[0045]結(jié)合中間層2363可以設(shè)置在硅層2361與丙烯層2365之間。硅層2361與丙烯層2365彼此未能良好結(jié)合。結(jié)合中間層2363分別結(jié)合到硅層2361與丙烯層2365。通過此，可以保持結(jié)合單元2360的多層結(jié)構(gòu)。結(jié)合中間層2363由待良好結(jié)合到陶瓷與硅的材料形成。作為實例，結(jié)合中間層2363可以由陶瓷、石英與金屬材料中的一種形成。
[0046]圖3是示出結(jié)合單元2360的另一個實例的視圖。
[0047]參照圖3，結(jié)合單元3360定位在電介質(zhì)板220與本體230之間。結(jié)合單元3360分別結(jié)合到電介質(zhì)板220與本體230。作為實例，結(jié)合單元3360設(shè)置為多層結(jié)構(gòu)。結(jié)合單元3360可以包括多個硅層3361。
[0048]結(jié)合中間層3363設(shè)置在多個娃層3361之間。娃具有卓越的耐熱性能但是具有低熱阻。當(dāng)提供具有很大厚度的硅時，能夠提供一定熱阻。然而，硅很難設(shè)置為大于一定厚度。作為實例，硅層3361以設(shè)置為多個。結(jié)合中間層3363設(shè)置在多個硅層3361之間。通過利用如上所述的方法，可以提供具有預(yù)設(shè)熱阻的結(jié)合單元3360。作為實例，結(jié)合中間層3363可以由陶瓷、石英與金屬材料中的一種形成。
[0049]在上述實施方式與修改中，結(jié)合單元3360設(shè)置為具有三層的多層結(jié)構(gòu)。然而，此多層結(jié)構(gòu)可以為三層以上。
[0050]聚焦環(huán)240布置在靜電卡盤210的邊緣部分中。聚焦環(huán)240具有環(huán)形形狀，并且沿著電介質(zhì)板220的周邊布置。聚焦環(huán)240的頂面可以分層以使外部240a比內(nèi)部240b高。聚焦環(huán)240的頂面的內(nèi)部240b定位為與電介質(zhì)板220的頂面平齊。聚焦環(huán)240的頂面的內(nèi)部240b支撐定位在電介質(zhì)板220的外側(cè)的基板W的邊緣部分。聚焦環(huán)240的外部240a可以設(shè)置為圍繞基板W的邊緣部分。聚焦環(huán)240控制電磁場以允許等離子體的密度均勻地分布在基板W的整個區(qū)域中?；诖耍入x子體均勻地形成在基板W的整個區(qū)域上方，由此均勻地蝕刻基板W的每個區(qū)域。
[0051]下覆蓋件250定位在基板支撐組件200的下端上。下覆蓋件250與室100的底面向上地分開。下覆蓋件250中形成有頂部敞開的空間。下覆蓋件250的外徑可以設(shè)置為與本體230的外徑具有相同的長度。在下覆蓋件250的空間中，提升銷模塊(未示出)等可以定位為將基板W從外部傳遞元件傳遞到靜電卡盤210。下覆蓋件250的底面可以由金屬材料形成。
[0052]下覆蓋件250包括連接元件253。連接元件253將下覆蓋件250的外表面與室100的內(nèi)壁相連接。多個連接元件253可以以一定間隔設(shè)置在下覆蓋件250的外表面上。連接元件253在室100中支撐基本支撐組件200。此外，連接元件253連接到室100的內(nèi)壁，由此允許下覆蓋件250電性地接地。連接到第一電源223a的第一電源線路223c，連接到第二電源225a的第二電源線路225c，連接到第三電源235a的第三電源線路235c，連接到熱傳遞介質(zhì)存儲單元231a的熱傳遞介質(zhì)供給管路231b,以及連接到冷卻流體存儲單元232a的冷卻流體供給管路232c都可以通過連接元件253的內(nèi)部空間朝向下覆蓋件250的內(nèi)部延伸。
[0053]板270定位在靜電卡盤210與下覆蓋件250之間。板270覆蓋下覆蓋件250的頂面。板270設(shè)置為與本體230相應(yīng)的橫截面面積。板270可以包括絕緣件。板270使本體230與下覆蓋件250彼此電絕緣。
[0054]噴頭300在室100中定位在基本支撐組件200上方。噴頭300定位為面向基板支撐組件200。
[0055]噴頭300包括氣體擴(kuò)散器310與支撐件330。氣體擴(kuò)散器310定位為與室100的頂面分開一定距離。在氣體擴(kuò)散器310與室100的頂面之間形成一定空間。氣體擴(kuò)散器310可以設(shè)置為具有一定厚度的板。氣體擴(kuò)散器310的底面可以被極化以防止由于等離子體而發(fā)生電弧。氣體擴(kuò)散器310的橫截面可以設(shè)置為具有與基板支撐組件200相同的形狀與橫截面面積。氣體擴(kuò)散器310包括多個擴(kuò)散孔311。擴(kuò)散孔311垂直地從氣體擴(kuò)散器310的頂面穿透到底面。氣體擴(kuò)散器310包括金屬材料。氣體擴(kuò)散器310可以電連接到第四電源351。第四電源351可以設(shè)置為高頻電源。不同地，氣體擴(kuò)散器310可以電性地接地。氣體擴(kuò)散器310可以電連接到第四電源351或可以接地以起到電極的作用。
[0056]支撐件330支撐氣體擴(kuò)散器310的側(cè)面。支撐件330的頂端連接到室100的頂面并且其底端連接到氣體擴(kuò)散器310的側(cè)面。支撐件330可以包括非金屬材料。
[0057]氣體供給單元400將處理氣體供給到室100中。氣體供給單元400包括氣體噴嘴410、氣體供給管路420、以及氣體存儲部430。氣體供給噴嘴410安裝在室100的頂面的中間部分中。注入孔形成在氣體供給噴嘴410的底面中。注入孔將處理氣體供給到室100中。氣體供給管路420使氣體供給噴嘴410與氣體存儲部430相連接。氣體供給管路420將存儲在氣體存儲部430中的處理氣體供給到氣體供給噴嘴410。閥421安裝在氣體供給管路420上。閥421打開與關(guān)閉氣體供給管路420并且控制通過氣體供給管路420供給的處理氣體的流量。
[0058]等離子體源將室100中的處理氣體激發(fā)到等離子體狀態(tài)。在本實施方式中，電容耦合等離子體(CCP)被用作等離子體源。CCP可以包括在室100中的上電極與下電極。上電極與下電極可以在室100中平行于彼此垂直地布置。高頻功率可以施加到一個電極并且其另一個電極可以接地。電磁場形成在兩個電極之間的空間中。供給到空間的處理氣體可以被激發(fā)成等離子體狀態(tài)。通過使用等離子體執(zhí)行基板處理過程。作為實例，上電極設(shè)置為噴頭300并且下電極可以設(shè)置為本體230。高頻功率可以施加到下電極，并且上電極可以接地。不同地，高頻功率可以施加到上電極與下電極?；诖耍谏想姌O與下電極之間產(chǎn)生的電磁場。產(chǎn)生的電磁場將提供到室100中的處理氣體激發(fā)到等離子體狀態(tài)。
[0059]導(dǎo)流件單元500定位在室100的內(nèi)壁與基板支撐組件200之間。導(dǎo)流件510形成為環(huán)狀。導(dǎo)流件510包括形成在其中的多個穿孔511。提供到室100中的處理氣體通過導(dǎo)流件510的穿孔511并且通過排放孔102排放?？梢愿鶕?jù)導(dǎo)流件510的形狀與穿孔511的相應(yīng)形狀來控制處理氣體的流量。
[0060]在下文中，將描述通過使用基板處理裝置10處理基板W的過程。
[0061 ] 當(dāng)將基板W布置在基板支撐組件200上時，將直流電從第一電源223a施加到第一電極223。由于施加到第一電極223的直流電，因此靜電力作用在第一電極223與基板W之間?；錡由于靜電力而吸附在靜電卡盤210上。
[0062]當(dāng)基板W被吸附到靜電卡盤210上時，通過氣體供給噴嘴410將處理氣體供給到室100中。處理氣體通過噴頭300的擴(kuò)散孔311均勻地擴(kuò)散到室100中。將由第三電源235a產(chǎn)生的高頻功率施加到設(shè)置為下電極的本體230上。設(shè)置為上電極的噴頭300的擴(kuò)散器310接地。在上電極與下電極之間產(chǎn)生電磁力。電磁力將基板支撐組件200與噴頭300之間的處理氣體激發(fā)成等離子體。將等離子體提供到基板W上以對基板進(jìn)行處理。等離子體可以執(zhí)行蝕刻處理。
[0063]通過使用結(jié)合單元2360將電介質(zhì)板220結(jié)合到本體230上而形成靜電卡盤210。結(jié)合單元2360形成為多層結(jié)構(gòu)。結(jié)合單元2360包括硅層2361與丙烯層2365。硅層具有卓越的耐熱性能，并且丙烯層具有卓越的熱阻。通過此，結(jié)合單元2360可以具有耐熱性能與熱阻。結(jié)合單元2360可以減小在電介質(zhì)板220中產(chǎn)生的熱損失。基于此，可以提高基板處理過程的效率。
[0064]根據(jù)實施方式，能夠提供一種靜電卡盤和一種基板處理裝置，所述靜電卡盤用于減少在利用等離子體的基板處理過程中使用的靜電卡盤中的熱損失并且具有卓越耐熱性倉泛。
[0065]上面公開的主題將被認(rèn)為是例證性的，而非限定性的，隨附的權(quán)利要求旨在覆蓋落入本發(fā)明的真實精神與范圍內(nèi)的全部這些修改、增強(qiáng)、以及其它實施方式。因此，在法律允許的最大范圍內(nèi)，本發(fā)明的范圍將通過對下面權(quán)利要求與它們的等效物最寬泛可允許的解釋來確定，并且不應(yīng)被上述詳細(xì)描述限制或限定。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理裝置，其包括: 室，其中具有處理空間； 基板支撐組件，其定位在所述室中并且包括支撐基板的靜電卡盤； 氣體供給單元，其將氣體供給到所述室中；以及 電源，其施加功率以便由供給到所述室中的所述氣體產(chǎn)生等離子體， 其中，所述靜電卡盤包括: 電介質(zhì)板，其包括通過利用靜電力吸附所述基板的電極； 本體，其定位在所述電介質(zhì)板下方并且包括高頻電源連接到其上的金屬板；以及結(jié)合單元，其定位在所述電介質(zhì)板與所述本體之間并且將所述電介質(zhì)板與所述本體緊固在一起， 其中，所述結(jié)合單元形成為多層結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括丙烯層與硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述硅層定位在所述丙烯層上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述多層結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述硅層與所述丙烯層之間以允許所述硅層與所述丙烯層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括多個硅層與設(shè)置在所述多個硅層之間以允許所述多個硅層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。`
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述結(jié)合中間層包括陶瓷。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述結(jié)合中間層包括石英。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述結(jié)合中間層包括金屬。
9.一種靜電卡盤，其包括: 電介質(zhì)板，其包括通過使用靜電力吸附基板的電極； 本體，其定位在所述電介質(zhì)板下方并且包括高頻電源連接到其上的金屬板；以及結(jié)合單元，其定位在所述電介質(zhì)板與所述本體之間并且將所述電介質(zhì)板與所述本體緊固在一起， 其中，所述結(jié)合單元形成為多層結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電卡盤，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括丙烯層、硅層與結(jié)合中間層，所述結(jié)合中間層設(shè)置在所述硅層與所述丙烯層之間以允許所述硅層與所述丙烯層相應(yīng)地結(jié)合到其上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電卡盤，其中，所述硅層定位在丙烯層上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電卡盤，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括多個硅層與設(shè)置在多個硅層之間以允許所述多個硅層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電卡盤，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括第一結(jié)合層與第二結(jié)合層， 其中，所述第一結(jié)合層由具有比所述第二結(jié)合層更卓越的耐熱性能的材料形成，并且 其中，所述第二結(jié)合層由具有比所述第一結(jié)合層更卓越的熱阻的材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的靜電卡盤，其中，所述第一結(jié)合層定位在所述第二結(jié)合層下方。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的靜電卡盤，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述第一結(jié)合層與所述第二結(jié)合層之間以允許所述第一結(jié)合層與所述第二結(jié)合層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電卡盤，其中，所述結(jié)合中間層包括陶瓷。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電卡盤，其中，所述結(jié)合中間層包括石英。
18 .根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電卡盤，其中，所述結(jié)合中間層包括金屬。
【文檔編號】H01L21/687GK103794540SQ201310529358
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月31日
【發(fā)明者】李元行 申請人:細(xì)美事有限公司