質(zhì)子輻照時(shí)摻雜效率的提高的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及質(zhì)子輻照時(shí)摻雜效率的提高。描述一種用于摻雜半導(dǎo)體主體的方法和借助這樣的方法制造的半導(dǎo)體主體。所述方法包括：借助質(zhì)子輻照所述半導(dǎo)體主體和借助電子輻照所述半導(dǎo)體主體。在借助質(zhì)子的輻照之后并且在借助電子的輻照之后回火所述半導(dǎo)體主體，以便借助擴(kuò)散在空穴上積聚質(zhì)子。
【專(zhuān)利說(shuō)明】質(zhì)子輻照時(shí)摻雜效率的提高
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開(kāi)涉及一種用于半導(dǎo)體摻雜的方法并且涉及借助這樣的方法制造的半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體器件的制造中，對(duì)于所期望的功能必需的是，可以盡可能精確地設(shè)定半導(dǎo)體材料的電傳導(dǎo)率。電傳導(dǎo)率的設(shè)定通過(guò)借助合適的外來(lái)原子對(duì)半導(dǎo)體材料摻雜來(lái)進(jìn)行。由此，可選地實(shí)現(xiàn)n摻雜或p摻雜。n摻雜或p摻雜可以通過(guò)在半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)中引入高值的外來(lái)原子(n摻雜)或低值的外來(lái)原子(p摻雜)進(jìn)行。
[0003]也可能的是，借助以質(zhì)子輻照半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)n摻雜。這樣的質(zhì)子輻照尤其可以用于娃的n摻雜。DE 102 45 091 B4描述這樣的方法和借助這樣的方法制造的半導(dǎo)體器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于，借助質(zhì)子輻照改善摻雜。
[0005]為此，本公開(kāi)提出根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求所述的方法和裝置。特別的可選的特征在從屬權(quán)利要求中說(shuō)明。
[0006]用于摻雜半導(dǎo)體主體的方法包括借助質(zhì)子輻照半導(dǎo)體主體和借助電子輻照半導(dǎo)體主體。在借助質(zhì)子輻照之后和借助電子輻照之后，回火半導(dǎo)體主體。通過(guò)回火進(jìn)行由射入的質(zhì)子形成的氫原子的擴(kuò)散，以便在空穴上積聚氫原子。電子輻照產(chǎn)生可以由氫原子裝飾的附加的空穴。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1示出在被質(zhì)子輻照的硅中所測(cè)得的摻雜濃度輪廓；
圖2示出一種可能的方法的流程圖；
圖3示出硅中電子和質(zhì)子的作用距離與相應(yīng)的射入能量的相關(guān)性；以及 圖4示出具有和不具有附加電子輻照的被質(zhì)子輻照的硅中的摻雜濃度輪廓。
[0008]隨后參考附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限制于具體描述的實(shí)施方式，而是可以以合適的方式被修改和變形。以下位于本發(fā)明的范疇內(nèi):將一種實(shí)施方式的各個(gè)特征和特征組合與另一種實(shí)施方式的特征和特征組合相組合，以便實(shí)現(xiàn)其他根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0009]相同的元件在附圖中設(shè)有相同的或類(lèi)似的參考標(biāo)記。為避免重復(fù)，不對(duì)這些元件重復(fù)描述。此外，附圖未必按正確的比例。所說(shuō)明的定向和方向如“豎直”、“橫向”、“上面”、“下面”涉及半導(dǎo)體中通常的描述并且不限制于半導(dǎo)體器件的安裝方向或取向。
【具體實(shí)施方式】
[0010]根據(jù)所述例子說(shuō)明在此示出的基本原理。[0011]質(zhì)子輻照被用于半導(dǎo)體、尤其是硅的n摻雜。射入的質(zhì)子形成為具有晶體缺陷
(Kristalldefekten)、晶體空穴和必要時(shí)其他雜質(zhì)原子-例如氧或碳-的氫原子，即
絡(luò)合物，所述絡(luò)合物作為電子施主起作用并且因此提供n摻雜。質(zhì)子輻照大多與硅一起使用，但原則上也可以與另外的、可借助質(zhì)子輻照摻雜的半導(dǎo)體材料——例如碳化硅(SiC) —起使用。
[0012]已經(jīng)表明，射入的質(zhì)子作為氫原子積聚在晶格缺陷中，并且尤其在硅晶格的空穴上。在質(zhì)子輻照中，通過(guò)射入的質(zhì)子產(chǎn)生這樣的空穴。
[0013]如另外的離子束一樣，質(zhì)子束具有典型的穿透特性，該穿透特性具有在借助質(zhì)子束輻照的材料中與輻照能量相關(guān)的最大作用距離，質(zhì)子可以穿透到該材料中直至該最大作用距離。如在離子束的情況下普遍的那樣，在半導(dǎo)體襯底中射入的質(zhì)子的最大作用距離以及因此最大穿透深度(Rp)由射入的質(zhì)子的能量確定。
[0014]質(zhì)子輻照的特征是，在最大穿透深度(Rp)的區(qū)域中產(chǎn)生空穴的高濃度。由此在產(chǎn)生的空穴上積聚注入的氫之后，在質(zhì)子的最大穿透深度的區(qū)域中得出摻雜濃度的特征性最大值。在襯底中更大深度的區(qū)域中、即在最大穿透深度之后不產(chǎn)生空穴。術(shù)語(yǔ)“在…之前”和“在…之后”在此涉及質(zhì)子被輻射到襯底中的方向。
[0015]因此，通過(guò)借助質(zhì)子輻照穿透氫，可以對(duì)半導(dǎo)體一直摻雜到最大穿透深度。該摻雜直接在最大穿透深度的區(qū)域中輻照后在深度Rp處具有典型的最大值，但所述最大值是不穩(wěn)定的，尤其不是溫度穩(wěn)定的。該最大值可以用于半導(dǎo)體器件中。也可以相應(yīng)地減薄或磨損半導(dǎo)體，從而在完成的半導(dǎo) 體器件中不再包含該最大值。
[0016]通過(guò)隨后的溫度處理(回火、復(fù)原)，可以提高氫在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散并且射入的氫可以擴(kuò)散到通過(guò)質(zhì)子束產(chǎn)生的空穴并且積聚在那。因?yàn)橥ㄟ^(guò)質(zhì)子輻照僅僅在最大穿透深度之前并直至最大穿透深度的區(qū)域中產(chǎn)生空穴，所以氫尤其可以積聚在那。與此相反，在最大值之后的區(qū)域中通常只能實(shí)現(xiàn)從低到非常低的空穴濃度并且因此只能實(shí)現(xiàn)低摻雜濃度。
[0017]可實(shí)現(xiàn)的摻雜濃度取決于質(zhì)子輻照時(shí)的質(zhì)子劑量。然而，借助質(zhì)子輻照可最大實(shí)現(xiàn)的摻雜濃度是有限的。
[0018]對(duì)于硅，在圖1a至Id中，對(duì)于不同的質(zhì)子劑量示出借助質(zhì)子輻照可實(shí)現(xiàn)的實(shí)驗(yàn)上測(cè)量的摻雜輪廓。
[0019]只要注入劑量不過(guò)大，典型地，在被透射區(qū)域中的摻雜濃度在峰值之前良好地遵循通過(guò)質(zhì)子輻照產(chǎn)生的空穴的輪廓。因此，針對(duì)不過(guò)大注入劑量的摻雜濃度示出深度方面單調(diào)的上升。在此通過(guò)注入劑量，可以令人滿意地改變?cè)谒鰠^(qū)域中所期望的摻雜濃度。這在圖1a和Ib中可以看出，其中一方面分別可看出在半導(dǎo)體表面(OMm)和峰值區(qū)域開(kāi)始(在約50Mm處)之間的區(qū)域內(nèi)摻雜濃度的弱單調(diào)的上升并且另一方面可看出在20Mm的深度處通過(guò)將注入劑量提高到約3.3倍，從約l*1013cm_3 (圖1a)到約5*1013cm_3 (圖1b)的明顯的慘雜提聞。
[0020]借助質(zhì)子輻照和隨后的回火，在硅中可以在最大值前的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)直到約5*1013cm_3的摻雜濃度并且在最大值的區(qū)域中可以實(shí)現(xiàn)直到約IO15CnT3的摻雜濃度，如在圖1a和Ib中所示的那樣。在所述區(qū)域之前，摻雜濃度從半導(dǎo)體的被輻照側(cè)出發(fā)首先輕微地上升，并且隨后根據(jù)復(fù)原時(shí)間更劇烈地上升到在最大穿透深度時(shí)的最大值。如果該最大值在半導(dǎo)體中是不期望的，則也可以通過(guò)相應(yīng)高的質(zhì)子能量將該最大值轉(zhuǎn)移到比器件的最終厚度更大的深度處。也可以在加工之后將器件磨蝕一例如研磨到更薄的厚度，從而在此移除該最大值。
[0021]上面描述的方法在最大值之前的區(qū)域中直到約5*1013 CnT3的摻雜濃度都是令人滿意的。摻雜濃度的進(jìn)一步增加可以通過(guò)在極限內(nèi)質(zhì)子劑量的增加來(lái)實(shí)現(xiàn)。在IO14 cm—3至IO15 CnT3的摻雜濃度范圍內(nèi)，摻雜效率顯著下降。在此，隨著襯底深度的增加，形成負(fù)的濃度梯度，如在圖1c和Id中所示的那樣。任意增加摻雜濃度也是不可能的。相反地已經(jīng)表明，在輻照時(shí)質(zhì)子劑量的進(jìn)一步增加甚至可能導(dǎo)致?lián)诫s濃度的降低(圖1d)并且導(dǎo)致不均勻的摻雜分布，因?yàn)樵诒煌干鋮^(qū)域中過(guò)量氫的情況下發(fā)生傾斜。在這種情形中，摻雜濃度可以在最大值前的深度的區(qū)域中在深度Rp的約60 - 80%處具有最小值。
[0022]質(zhì)子摻雜通常通過(guò)在輻照和回火之后剩余的空穴的數(shù)目來(lái)限制。發(fā)明人已經(jīng)確定，在高的質(zhì)子劑量的情況下?lián)诫s濃度的降低可能歸因于氫原子相對(duì)于在硅中存在或產(chǎn)生的空穴的過(guò)剩。氫的過(guò)剩導(dǎo)致所產(chǎn)生的、作為電子施主起作用的絡(luò)合物的過(guò)度裝飾并且導(dǎo)致絡(luò)合物的失活。
[0023]可以大大增加摻雜效率，其方式是，提供借助電子的附加的輻照。借助電子的輻照與質(zhì)子輻照無(wú)關(guān)地在半導(dǎo)體晶格中產(chǎn)生附加的空穴或空穴絡(luò)合物V，然后，氫原子可以積聚在所述附加的空穴或空穴絡(luò)合物上。自由的氫原子與空穴的不利的比例朝向更多的空穴移動(dòng)，這顯著提高摻雜效率。當(dāng)在半導(dǎo)體復(fù)原或回火之前進(jìn)行電子輻照時(shí)，電子輻照特別有效，從而當(dāng)氫原子或質(zhì)子在回火時(shí)擴(kuò)散的時(shí)候，空穴或空穴絡(luò)合物已經(jīng)可用。為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，替代術(shù)語(yǔ)“空穴絡(luò)合物”地在此使用術(shù)語(yǔ)“空穴”。
[0024]可以在質(zhì)子輻照之前和/或之后進(jìn)行電子輻照，或者也可以同時(shí)進(jìn)行。但是，有利的是在共同的回火之前進(jìn)行兩種輻照一質(zhì)子輻照和電子輻照。因此，僅僅需要一個(gè)回火步驟，并且當(dāng)通過(guò)回火時(shí)的溫度提高而使引入的氫原子或質(zhì)子的擴(kuò)散增加時(shí)，空穴已經(jīng)存在?？梢栽谫|(zhì)子輻照之前或之后的單獨(dú)的工藝中執(zhí)行電子輻照。例如可能的是，在凈化室外并且在下游的工作步驟中實(shí)施電子輻照和隨后的回火。因此，可以降低對(duì)制造工藝的要求。
[0025]對(duì)于電子輻照補(bǔ)充地，也可以通過(guò)其他方式一例如通過(guò)補(bǔ)充的質(zhì)子輻照或借助另外的原子如中子或氦的輻照提高空穴的數(shù)量和密度，但這比借助電子的輻照更耗費(fèi)。
[0026]圖2示出用于摻雜半導(dǎo)體主體的方法的不同步驟。圖2a在左側(cè)示出借助質(zhì)子或電子輻照之前的半導(dǎo)體主體2。半導(dǎo)體主體2在所述例子中不具有摻雜濃度或具有低摻雜濃度并具有低空穴濃度，如在右側(cè)的圖形中定性示出的那樣。半導(dǎo)體主體2可以是半導(dǎo)體晶片。半導(dǎo)體主體2可以是已經(jīng)至少部分地結(jié)構(gòu)化的。在結(jié)構(gòu)化的半導(dǎo)體主體2的情況下，半導(dǎo)體主體可以包括不同的區(qū)域。區(qū)域可以具有至少一個(gè)多晶區(qū)域、金屬化部、氧化物、夕卜延生長(zhǎng)的區(qū)域、經(jīng)典的摻雜區(qū)域或其組合。
[0027]然后借助質(zhì)子輻照半導(dǎo)體主體2，如在圖2b中在左側(cè)所示的那樣。如同對(duì)于離子束普遍的是，通過(guò)射入的質(zhì)子在深度d的區(qū)域中形成空穴和氫原子的突出的最大值。通過(guò)離子束，在由質(zhì)子束透射的區(qū)域中直至最大穿透深度附加地產(chǎn)生空穴，其中空穴密度同樣在深度d的區(qū)域中具有最大值。在其之前的區(qū)域中，空穴密度基本上是恒定的，相反，在更深的區(qū)域中沒(méi)有產(chǎn)生空穴。
[0028]圖2c示出借助電子對(duì)半導(dǎo)體主體的輻照，所述輻照在此在質(zhì)子輻照之后、必要時(shí)也具有中間存儲(chǔ)(Zwischenlagerung)或傳輸?shù)剡M(jìn)行。在此，在所述例子中，電子的最大穿透深度比半導(dǎo)體主體2的厚度更大。電子輻照不改變氫濃度。然而，通過(guò)電子輻照在半導(dǎo)體主體2的整個(gè)深度上產(chǎn)生附加的空穴。在此，在深度d的區(qū)域中的最大值之前或超過(guò)該最大值的區(qū)域中的空穴密度增加并且在低于深度d的區(qū)域中的最大值或在該最大值之后的區(qū)域中產(chǎn)生空穴。通過(guò)產(chǎn)生的空穴輪廓預(yù)定相應(yīng)的摻雜輪廓。
[0029]雖然在此描述在質(zhì)子輻照之后的電子輻照，但也能夠?qū)崿F(xiàn)另外的順序。例如，也可以在質(zhì)子輻照之前進(jìn)行電子輻照或可以并行地執(zhí)行兩者。
[0030]在借助質(zhì)子和借助電子輻照半導(dǎo)體主體之后進(jìn)行回火，如在圖2d中所示的那樣?；鼗鹨鸹蚣铀僭谳椪諘r(shí)附加地產(chǎn)生的、不期望的缺陷部位的復(fù)原和射入的質(zhì)子或氫原子的擴(kuò)散。氫原子從深度d處的最大值周?chē)膮^(qū)域擴(kuò)散，并且可以積聚在產(chǎn)生的空穴(絡(luò)合物)上，由此可以根據(jù)空穴密度實(shí)現(xiàn)更均勻的和增加的摻雜分布，如在圖2d的右側(cè)示意性繪出的那樣。
[0031]可以在從約300攝氏度至約600攝氏度的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行長(zhǎng)達(dá)幾個(gè)小時(shí)的回火或復(fù)原。該回火可以進(jìn)行長(zhǎng)達(dá)小于約10小時(shí)，例如長(zhǎng)達(dá)約3至5小時(shí)。特別有利的是約400攝氏度和530攝氏度之間的范圍。通過(guò)用于回火的相對(duì)較低的溫度，在此描述的組合的電子和質(zhì)子福照適合于后期在制造工藝中、尤其在制造所期望的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之后被實(shí)施。被借助質(zhì)子和/或電子進(jìn)行輻照的半導(dǎo)體主體在此可以是已經(jīng)結(jié)構(gòu)化的半導(dǎo)體晶片?？梢栽诎雽?dǎo)體晶片被分離成各個(gè)半導(dǎo)體器件之前或之后進(jìn)行回火。在回火之前或之后，可以進(jìn)行其他加工步驟，例如施加其他層、減薄半導(dǎo)體主體和/或施加金屬化部。
[0032]圖3示出在電子或質(zhì)子輻照時(shí)電子和質(zhì)子在硅中的規(guī)劃的作用距離或穿透深度與相應(yīng)輻照能量的相關(guān)性。
[0033]可以彼此無(wú)關(guān)地選擇并且根據(jù)期望的摻雜輪廓設(shè)定用于質(zhì)子輻照的輻照能量和用于電子輻照的輻照能量。例如，可以如此選擇用于電子輻照的輻照能量，使得電子的穿透深度相應(yīng)于質(zhì)子的穿透深度，從而所述摻雜輪廓基本上重疊。由此可以顯著提高摻雜效率并且由此又顯著提高摻雜濃度，而與單單進(jìn)行質(zhì)子輻照相比不改變摻雜輪廓的延展，其中可以減小被透射區(qū)域和最大值之間的濃度差。
[0034]替代地，也可以如此選擇電子輻照的輻照能量，使得電子比質(zhì)子具有更大的穿透深度。電子輻照的輻照能量尤其可以選擇得如此高，使得最大穿透深度比待摻雜的半導(dǎo)體的厚度更大，但至少比最終半導(dǎo)體器件的厚度更大。例如，對(duì)于電子輻照，可以使用數(shù)兆電子伏(MeV)—例如5兆電子伏至20兆電子伏的輻照能量。借助所述數(shù)量級(jí)的電子輻照能量，可以最大程度地實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體或器件的整個(gè)厚度上的恒定的空穴分布。
[0035]圖4示出在不同的電子劑量的情況下，在組合的電子和質(zhì)子輻照的情況下硅中的摻雜輪廓，并且為了比較，示出在無(wú)附加的電子輻照的質(zhì)子輻照的情況下的摻雜輪廓。在所述例子中，在4* IO14 cm—2的輻照劑量的情況下，質(zhì)子的輻照能量是2.5兆電子伏。在借助質(zhì)子和必要時(shí)借助電子輻照之后，在470° C的情況下，半導(dǎo)體被退火/回火約5小時(shí)。在所示的例子中，示出針對(duì)具有約1014e7cm2、3*1013e7 cm2、l*1013e7 cm2的電子輻照和為了比較在完全沒(méi)有電子輻照的情況下硅中的摻雜輪廓。雖然在質(zhì)子的最大穿透深度之后的更大深度的區(qū)域中無(wú)電子輻照的情況下在回火之后基本上也不產(chǎn)生附加的電子摻雜，但是通過(guò)電子輻照在這些襯底深度處也實(shí)現(xiàn)以下?lián)诫s濃度:其與最大值之前的摻雜濃度在相同的數(shù)量級(jí)上，但是比最大值之前的摻雜濃度稍微更小一例如是最大值之前的摻雜濃度的約90%至95%。在比最大值更大深度的區(qū)域中的摻雜濃度可以是在最大值之前更小深度處的摻雜濃度的約50%或更多。有利的是，在比最大值更大深度的區(qū)域中的摻雜濃度可以是在最大值之前更小深度處的摻雜濃度的70%或更多，尤其是85%或更多。
[0036]產(chǎn)生的摻雜濃度的最大值位于質(zhì)子的最大穿透深度的區(qū)域中并且所述位置與電子輻照無(wú)關(guān)。然而，可以根據(jù)回火溫度和持續(xù)時(shí)間來(lái)改變摻雜濃度和摻雜分布。此外，電子劑量也影響更小的深度或最大值之前的區(qū)域中的摻雜濃度。通過(guò)電子輻照可以增加在那的摻雜濃度并且此外可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)寬度上更均勻的摻雜分布。如所示的那樣，在1014e_/cm2的電子劑量的情況下，在從半導(dǎo)體正面直至最大值的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)每立方米約3 ? IO14個(gè)施主的摻雜濃度，該摻雜濃度在所述區(qū)域中基本上是恒定的。因此，可以通過(guò)提出的方法，借助質(zhì)子輻照在硅和另外的材料中實(shí)現(xiàn)更高和更均勻的摻雜分布?？梢员苊庠谧畲笾抵暗纳疃葏^(qū)域中(在深度Rp的約60 - 80%處)摻雜濃度的最小值。
[0037]所提到的參數(shù)對(duì)于所示的輪廓僅僅是示例性的并且可以根據(jù)對(duì)器件的要求加以匹配。例如，可以通過(guò)匹配質(zhì)子的輻照能量來(lái)設(shè)定最大值。借助從約I兆電子伏至約10兆電子伏的變化，可以在從約IOMffl至約Imm的深度區(qū)域中設(shè)定最大值的位置。可以借助在從約I兆電子伏至約4兆電子伏的范圍內(nèi)的能量實(shí)現(xiàn)特別好的結(jié)果。
[0038]同樣可以如此設(shè)定電子劑量， 使得實(shí)現(xiàn)所期望的摻雜濃度。在幾個(gè)兆電子伏一例如5兆電子伏至20兆電子伏的范圍內(nèi)的電子射入能量的情況下，電子劑量可以位于1012e /cm2 至 1014e /cm2 的范圍內(nèi)。
[0039]根據(jù)應(yīng)用和所期望的摻雜輪廓，最大值可以位于半導(dǎo)體內(nèi)或半導(dǎo)體外。也可以規(guī)定，在摻雜之后磨蝕或以其他方式減薄半導(dǎo)體，使得最大值被磨蝕掉并且半導(dǎo)體比質(zhì)子的穿透深度更薄。
[0040]根據(jù)應(yīng)用有利的也可以是，在半導(dǎo)體內(nèi)設(shè)置所述最大值。例如在二極管內(nèi)具有較高的摻雜的區(qū)域?qū)τ趯?shí)現(xiàn)軟斷開(kāi)過(guò)程可能是很有利的。然而，在另外的器件中也可能希望相應(yīng)的摻雜輪廓。
【權(quán)利要求】
1.用于摻雜半導(dǎo)體主體的方法，包括以下步驟: 借助質(zhì)子輻照所述半導(dǎo)體主體； 借助電子輻照所述半導(dǎo)體主體； 在借助質(zhì)子的輻照之后并且在借助電子的輻照之后回火所述半導(dǎo)體主體，以便借助擴(kuò)散在空穴上積聚質(zhì)子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體主體具有至少一個(gè)包括硅的區(qū)段。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中在結(jié)構(gòu)化所述半導(dǎo)體主體之后借助質(zhì)子對(duì)所述半導(dǎo)體主體進(jìn)行輻照和/或借助電子對(duì)所述半導(dǎo)體主體進(jìn)行輻照。
4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述半導(dǎo)體主體是具有至少一個(gè)p摻雜的區(qū)域的結(jié)構(gòu)化的半導(dǎo)體晶片。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中在約350攝氏度至550攝氏度的范圍內(nèi)的溫度的情況下實(shí)施所述半導(dǎo)體主體的回火。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中在小于10小時(shí)的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行回火。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述借助電子的輻照以下面的能量進(jìn)行:在該能量的情況下電子在所述半導(dǎo)體主體中的最大穿透深度比所述半導(dǎo)體主體的厚度更大。`
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中借助質(zhì)子對(duì)所述半導(dǎo)體主體的輻照以下面的能量進(jìn)行:在該能量的情況下質(zhì)子在所述半導(dǎo)體主體中的最大穿透深度比所述半導(dǎo)體主體的厚度更小。
9.根據(jù)權(quán)利要求中8所述的方法，其中所述借助電子的輻照以下面的能量進(jìn)行:在該能量的情況下電子在所述半導(dǎo)體主體中的最大穿透深度比質(zhì)子在所述半導(dǎo)體主體中的最大穿透深度更大。
10.具有第一側(cè)和第二側(cè)的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件在從所述第一側(cè)至所述第二側(cè)的方向上具有至少一個(gè)具有摻雜濃度分布的n摻雜的區(qū)段，所述區(qū)段具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域具有基本上恒定的第一摻雜濃度，所述第二區(qū)域具有基本上恒定的第二摻雜濃度，其中在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間，所述摻雜濃度分布具有最大值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述基本上恒定的第一摻雜濃度是約3xl013 cm 3 或更大。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述基本上恒定的第二摻雜濃度比所述基本上恒定的第一摻雜濃度更小。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中基本上恒定的第二載流子濃度是基本上恒定的第一載流子濃度的50%或更多。
14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，此外包括至少一個(gè)p摻雜區(qū)域，所述至少一個(gè)P摻雜區(qū)域與具有所述基本上恒定的第一摻雜濃度的第一區(qū)域緊鄰地布置。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，此外包括至少一個(gè)p摻雜區(qū)域，所述至少一個(gè)P摻雜區(qū)域與具有所述基本上恒定的第一摻雜濃度的第二區(qū)域緊鄰地布置。
16.根據(jù)權(quán)利要求10至15中任一項(xiàng)所述的 半導(dǎo)體器件，其中至少所述半導(dǎo)體主體包括硅。
【文檔編號(hào)】H01L21/26GK103779194SQ201310501673
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月23日
【發(fā)明者】J.拉文, F.J.尼德諾斯泰德, F.D.普菲爾施, H-J.舒爾策 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司