一種微型溝槽的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種微型溝槽的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法，第一測(cè)試件和第二測(cè)試件，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件上下層疊設(shè)置，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件中均含有連接為一體的條形導(dǎo)線陣列，所述第一測(cè)試件中的條形導(dǎo)線和所述第二測(cè)試件中的條形導(dǎo)線相互垂直；第一連接端和第二連接端，所述第一連接端和所述第二連接端將所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件分別連接至第一測(cè)試焊盤和第二測(cè)試焊盤。本發(fā)明所述方法改變了現(xiàn)有技術(shù)中需要對(duì)對(duì)大量的樣品進(jìn)行檢測(cè)的弊端，通過(guò)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)可以對(duì)整個(gè)晶片地圖上的所有的微型溝槽進(jìn)行掃描，根據(jù)電流進(jìn)行分析，使所述結(jié)果能夠更加準(zhǔn)確，而且整個(gè)過(guò)程更加簡(jiǎn)單、節(jié)省時(shí)間。
【專利說(shuō)明】
一種微型溝槽的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種微型溝槽的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，芯片上將集成更多器件，芯片也將采用更快的時(shí)鐘速度。在這些要求的推進(jìn)下，器件的幾何尺寸將不斷縮小，在芯片的制造工藝中不斷采用新材料、新技術(shù)和新的制造工藝。這些改進(jìn)對(duì)于單個(gè)器件的壽命影響非常大，可能造成局部區(qū)域的脆弱性增加、功率密度的提高、器件的復(fù)雜性增加以及引入新的失效機(jī)制，同時(shí)較小的容錯(cuò)空間意味著壽命問(wèn)題必須在設(shè)計(jì)的一開(kāi)始就必須考慮，并且在器件的開(kāi)發(fā)和制造過(guò)程中一直進(jìn)行監(jiān)控和測(cè)試，一直到最終產(chǎn)品的完成。
[0003]目前對(duì)半導(dǎo)體器件的監(jiān)控和測(cè)試一般包括對(duì)具有特定封裝形式的器件進(jìn)行各種電學(xué)性能測(cè)試和工藝可靠性測(cè)試，目前大都采用靜態(tài)隨即存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器或者Static RAM, SRAM)作為評(píng)估電學(xué)性能的測(cè)試平臺(tái)，隨著SRAM單元尺寸變的越來(lái)越小，在器件的制備過(guò)程中，不同金屬層101和102之間可能會(huì)形成微型溝槽(Microtrench) 103 (如圓圈中的部分所示),如圖1所示,所述微型溝槽103 (Micro trench)會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的擊穿電壓(Breakdown Voltage, VBD)性能變差,而在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，所述半導(dǎo)體器件的擊穿電壓(Breakdown Voltage,VBD)性能成為評(píng)價(jià)器件性能的最主要的參數(shù)之一。因此如何評(píng)價(jià)器件的VBD性能具有重要的意義。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中大都是通過(guò)SEM切口(SEM cut)對(duì)所述微型溝槽103的性能進(jìn)行檢測(cè)，但是所述檢測(cè)方法只能對(duì)所述微型溝槽103進(jìn)行定性的檢測(cè)，而且所述檢測(cè)需要更多的時(shí)間，而且為了得到更加準(zhǔn)確的結(jié)果，需要對(duì)大量的樣品進(jìn)行檢測(cè)，但是效果并不理想。
[0005]因此，隨著半導(dǎo)體尺寸的縮小，對(duì)于微型溝槽的檢測(cè)方法存在浪費(fèi)時(shí)間、采樣多以及只能定性檢測(cè)等諸多弊端，使生產(chǎn)效率受到限制，目前亟需對(duì)所述檢測(cè)方法進(jìn)行改進(jìn)，以消除上述問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0007]本發(fā)明為了克服目前存在問(wèn)題，提供了一種微型溝槽的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括:
[0008]第一測(cè)試件和第二測(cè)試件，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件上下層疊設(shè)置，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件中分別含有連接為一體的條形導(dǎo)線陣列，所述第一測(cè)試件中的條形導(dǎo)線和所述第二測(cè)試件中的條形導(dǎo)線相互垂直；
[0009]第一連接端和第二連接端，所述第一連接端和所述第二連接端將所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件分別連接至第一測(cè)試焊盤和第二測(cè)試焊盤。
[0010]作為優(yōu)選，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件均呈梳狀結(jié)構(gòu)，均含有連接線和平行設(shè)置于所述連接線上的若干條形導(dǎo)線，所述第一測(cè)試件中的條形導(dǎo)線和所述第二測(cè)試件中的條形導(dǎo)線相互垂直。
[0011]作為優(yōu)選，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件設(shè)置于上下兩平行的平面中。
[0012]作為優(yōu)選，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件分別與所述第一測(cè)試焊盤和所述第二測(cè)試焊盤位于同一平面。
[0013]作為優(yōu)選，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件均為金屬測(cè)試件。
[0014]作為優(yōu)選，所述條形導(dǎo)線的寬度相同。
[0015]作為優(yōu)選，所述條形導(dǎo)線的寬度為設(shè)定的基本寬度的η倍其中η為自然數(shù)。
[0016]本發(fā)明還提供了一種基于上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，包括:
[0017]步驟(a)在所述第一測(cè)試焊盤和所述第二測(cè)試焊盤上施加掃描電壓；
[0018]步驟(b)記錄施加所述掃描電壓時(shí)的泄露電流；
[0019]步驟(C)根據(jù)所述泄漏電流的變化對(duì)所述微型溝槽的VBD性能進(jìn)行分析。
[0020]作為優(yōu)選，步驟(a)中所述掃描電壓小于或等于100V。
[0021]作為優(yōu)選，所述方法用于對(duì)整個(gè)晶片地圖進(jìn)行檢測(cè)。
[0022]作為優(yōu)選，在所述步驟(C)中當(dāng)所述泄露電流急速變大達(dá)到峰值時(shí)的電壓即為擊穿電壓。
[0023]作為優(yōu)選，所述方法還包括以下步驟:
[0024]改變所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件的條形導(dǎo)線陣列中條形導(dǎo)線的寬度，對(duì)所述微型溝槽進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)測(cè)試結(jié)果分析所述條形導(dǎo)線寬度對(duì)所述微型溝槽VBD性能的影響。
[0025]本發(fā)明所述方法可以通過(guò)位于上下平面的測(cè)試件，得到評(píng)價(jià)器件VBD的數(shù)據(jù)，以滿足目前先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的需求，本發(fā)明所述方法通過(guò)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能，對(duì)所述微型溝槽的性能進(jìn)行評(píng)價(jià)，通過(guò)電流的檢測(cè)實(shí)現(xiàn)所述溝槽VBD性能的檢測(cè)，使得該方法更加簡(jiǎn)單易行，本發(fā)明所述方法除了定性分析其性能以外，還可以建立所述泄露電流和VBD之間的關(guān)聯(lián)，通過(guò)所述關(guān)聯(lián)進(jìn)行定量分析，以便更加準(zhǔn)確的對(duì)所述微型溝槽的VBD性能進(jìn)行分析評(píng)價(jià)。
[0026]本發(fā)明所述方法改變了現(xiàn)有技術(shù)中需要對(duì)對(duì)大量的樣品進(jìn)行檢測(cè)的弊端，通過(guò)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)可以對(duì)整個(gè)晶片地圖上的所有的微型溝槽進(jìn)行掃描，根據(jù)電流進(jìn)行分析，使所述結(jié)果能夠更加準(zhǔn)確，而且整個(gè)過(guò)程更加簡(jiǎn)單、節(jié)省時(shí)間。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中形成所述微型溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述測(cè)試結(jié)構(gòu)中測(cè)試件線條寬度對(duì)測(cè)試結(jié)果影響示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中所述測(cè)試方法的工藝流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0033]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的描述，以說(shuō)明本發(fā)明所述測(cè)試結(jié)構(gòu)和測(cè)試方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0034]應(yīng)予以注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0035]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，這些示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對(duì)它們的描述。
[0036]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)所述微型溝槽測(cè)試時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，結(jié)果不夠精確的問(wèn)題，提供了一種新的微型溝槽的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括:
[0037]第一測(cè)試件和第二測(cè)試件，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件層疊設(shè)置，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件中均含有連接為一體的條形導(dǎo)線陣列，所述第一測(cè)試件中的條形導(dǎo)線和所述第二測(cè)試件中的條形導(dǎo)線相互垂直；
[0038]第一連接端和第二連接端，所述第一連接端和所述第二連接端將所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件分別連接至第一焊盤和第二焊盤。
[0039]具體地，所述條形導(dǎo)線陣列為一體設(shè)置，包含多個(gè)平行設(shè)置的條形導(dǎo)線，作為優(yōu)選，在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，如圖2所示，所述第一測(cè)試件203和第二測(cè)試件204均呈梳狀結(jié)構(gòu)，其中所述第一測(cè)試件203位于下方的平面中，所述第二測(cè)試件204位于上方的平面中，所述上下兩個(gè)平面平行設(shè)置。
[0040]進(jìn)一步，所述第一測(cè)試件203中包括連接線以及平行設(shè)置于所述連接線上的條形導(dǎo)線，所述多個(gè)條形導(dǎo)線形成所述條形導(dǎo)線陣列，其中，所述條形導(dǎo)線的寬度可以相同或者不同，作為優(yōu)選，所述條形導(dǎo)線可以選擇基本寬度的1-η倍中的一種或者多種的組合，進(jìn)一步，可以優(yōu)選為基本寬度的1-10倍中的一種或者多種組合。
[0041]所述第二測(cè)試件204的結(jié)構(gòu)和所述第一測(cè)試件203類似，所述第一測(cè)試件203和所述第二測(cè)試件204中條形導(dǎo)線的數(shù)目、寬度以及條形導(dǎo)線之間的寬度可以相同或者不同，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置，并不局限于某一種情況。
[0042]進(jìn)一步，所述第一測(cè)試件203和所述第二測(cè)試件204均為金屬測(cè)試件，所述金屬測(cè)試件可以選擇銅、鎢，鈦，鈷，鎳，鋁，釔，鐿和鉺中的一種或者多種，并不局限于某一種。在該實(shí)施例中優(yōu)選為銅。
[0043]所述第一測(cè)試件203通過(guò)第一連接端205與所述第一焊盤202相連接，作為優(yōu)選，所述第一測(cè)試件203與所述第一焊盤202平行設(shè)置，進(jìn)一步，所述第一測(cè)試件203、第一連接端205與所述第一焊盤202位于同一平面上，進(jìn)一步，所述第一連接端205和所述條形導(dǎo)線平行設(shè)置。
[0044]所述第二測(cè)試件204通過(guò)第二連接端206與所述第二焊盤201相連接，作為優(yōu)選，所述第二測(cè)試件204與所述第二焊盤201平行設(shè)置，進(jìn)一步，所述第一測(cè)試件204、第二連接端206與所述第二焊盤201位于同一平面上，進(jìn)一步，所述第二連接端206和所述條形導(dǎo)線垂直，所述第二連接端206為所述第二測(cè)試件204中連接線的延長(zhǎng)線，不用額外設(shè)置連接端。
[0045]如圖2所示，所述第一測(cè)試件203中的條形導(dǎo)線為橫向設(shè)置，所述第二測(cè)試件204的條形導(dǎo)線為縱向設(shè)置，雖然位于上下不同的平面上，甚至是相互平行的平面上，所述第一測(cè)試件203中的條形導(dǎo)線和所述第二測(cè)試件204的條形導(dǎo)線橫相互垂直設(shè)置。
[0046]本發(fā)明還提供了一種利用所述檢測(cè)結(jié)構(gòu)對(duì)微型溝槽進(jìn)行檢測(cè)的方法，所述方法包括:
[0047]步驟(a)在所述第一焊盤和所述第二焊盤上施加掃描電壓；
[0048]步驟(b)記錄施加所述掃描電壓時(shí)的泄露電流；
[0049]步驟(C)根據(jù)所述泄漏電流的變化對(duì)所述微型溝槽的性能進(jìn)行分析。
[0050]本發(fā)明所述方法通過(guò)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能，對(duì)所述微型溝槽的性能進(jìn)行評(píng)價(jià)，其中，所述步驟(a)中所述掃描電壓小于或等于100V，在所述第一焊盤和所述第二焊盤上施加所述掃描電壓時(shí)，隨著電壓的逐步增加，電流不斷增加，如圖3中的線條1-3所示，通過(guò)所述電流的變化對(duì)所述微型溝槽的性能進(jìn)行評(píng)價(jià)。
[0051]具體地，隨著電壓的增加，電流不斷增加，當(dāng)所述泄露電流急速增加，達(dá)到峰值，如圖3中所述的電流峰值處對(duì)應(yīng)的電壓即為所述器件的擊穿電壓VBD，所述電流的檢測(cè)可以選用本領(lǐng)域常用的檢測(cè)方法，所述電流的檢測(cè)簡(jiǎn)單易行，因此通過(guò)所述方法可以更加簡(jiǎn)單快捷的實(shí)現(xiàn)對(duì)所述微型溝槽的VBD性能的檢測(cè)。
[0052]作為優(yōu)選，由于所述電流的大小可以進(jìn)行精確度測(cè)量，因此本發(fā)明所述方法除了定性分析其性能以外，還可以建立所述泄露電流和VBD之間的關(guān)聯(lián)，通過(guò)所述關(guān)聯(lián)進(jìn)行定量分析，以便更加準(zhǔn)確的對(duì)所述微型溝槽的VBD性能進(jìn)行分析評(píng)價(jià)。
[0053]作為優(yōu)選，所述方法還可以考察所述條形導(dǎo)線寬度和所述微型溝槽VBD性能之間的關(guān)系，具體地，改變所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件的條形導(dǎo)線陣列中條形導(dǎo)線的寬度，對(duì)所述微型溝槽進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)測(cè)試結(jié)果分析所述條形導(dǎo)線寬度對(duì)所述微型溝槽性能的影響。
[0054]在本發(fā)明的一具體地實(shí)施方式中，如圖3所示，其中所述的電壓-電流曲線，其中所述曲線I為所述條形導(dǎo)線的寬度為設(shè)定值的10倍時(shí)的曲線，所述曲線2為所述條形導(dǎo)線的寬度為設(shè)定值的2倍時(shí)的曲線，所述曲線I為所述條形導(dǎo)線的寬度為設(shè)定值的I倍時(shí)的曲線，其中所述條形導(dǎo)線寬度的設(shè)定值可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定，并不局限于某一數(shù)值。
[0055]通過(guò)圖3中的數(shù)據(jù)可以看出，隨著所述條形導(dǎo)線寬度的變大，器件的VBD性能衰退更加嚴(yán)重，意味著較大的金屬寬度會(huì)引起使所述微型溝槽的性能更差，通過(guò)所述方法測(cè)量得到的結(jié)果和SEM切口(SEM cut)方法得到的檢測(cè)結(jié)果一致，進(jìn)一步證明了本發(fā)明所述方法的準(zhǔn)確性。
[0056]進(jìn)一步，本發(fā)明所述方法改變了現(xiàn)有技術(shù)中需要對(duì)對(duì)大量的樣品進(jìn)行檢測(cè)的弊端，通過(guò)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)可以對(duì)整個(gè)晶片地圖上的所有的微型溝槽進(jìn)行掃描，根據(jù)電流進(jìn)行分析，使所述結(jié)果能夠更加準(zhǔn)確，而且整個(gè)過(guò)程更加簡(jiǎn)單、節(jié)省時(shí)間。
[0057]本發(fā)明所述方法可以通過(guò)位于上下平面的測(cè)試件，得到評(píng)價(jià)器件VBD的數(shù)據(jù)，以滿足目前先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的需求，本發(fā)明所述方法通過(guò)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能，對(duì)所述微型溝槽的性能進(jìn)行評(píng)價(jià)，通過(guò)電流的檢測(cè)實(shí)現(xiàn)所述溝槽VBD性能的檢測(cè)，使得該方法更加簡(jiǎn)單易行，本發(fā)明所述方法除了定性分析其性能以外，還可以建立所述泄露電流和VBD之間的關(guān)聯(lián)，通過(guò)所述關(guān)聯(lián)進(jìn)行定量分析，以便更加準(zhǔn)確的對(duì)所述微型溝槽的VBD性能進(jìn)行分析評(píng)價(jià)。
[0058]圖4為本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中所述測(cè)試方法的工藝流程圖，具體地，包括以下步驟:
[0059]步驟(a)在所述第一測(cè)試焊盤和所述第二測(cè)試焊盤上施加掃描電壓；
[0060]步驟(b)記錄施加所述掃描電壓時(shí)的泄露電流；
[0061]步驟(C)根據(jù)所述泄漏電流的變化對(duì)所述微型溝槽的VBD性能進(jìn)行分析。
[0062]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種微型溝槽的測(cè)試結(jié)構(gòu),包括: 第一測(cè)試件和第二測(cè)試件，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件上下層疊設(shè)置，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件中分別含有連接為一體的條形導(dǎo)線陣列，所述第一測(cè)試件中的條形導(dǎo)線和所述第二測(cè)試件中的條形導(dǎo)線相互垂直； 第一連接端和第二連接端，所述第一連接端和所述第二連接端將所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件分別連接至第一測(cè)試焊盤和第二測(cè)試焊盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件均呈梳狀結(jié)構(gòu)，均含有連接線和平行設(shè)置于所述連接線上的若干所述條形導(dǎo)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件設(shè)置于上下兩平行的平面中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件分別與所述第一測(cè)試焊盤和所述第二測(cè)試焊盤位于同一平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件均為金屬測(cè)試件。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述條形導(dǎo)線的寬度相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述條形導(dǎo)線的寬度為設(shè)定的基本寬度的η倍，其中η為自然數(shù)。
8.一種基于權(quán)利要求1-7之一所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法，包括: 步驟(a)在所述第一測(cè)試焊盤和所述第二測(cè)試焊盤上施加掃描電壓； 步驟(b)記錄施加所述掃描電壓時(shí)的泄露電流； 步驟(c)根據(jù)所述泄漏電流的變化對(duì)所述微型溝槽的VBD性能進(jìn)行分析。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其特征在于，步驟(a沖所述掃描電壓小于或等于10V0
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述方法用于對(duì)整個(gè)晶片地圖進(jìn)行檢測(cè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其特征在于，在所述步驟(C)中當(dāng)所述泄露電流急速變大達(dá)到峰值時(shí)的電壓即為擊穿電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟: 改變所述第一測(cè)試件和所述第二測(cè)試件的條形導(dǎo)線陣列中條形導(dǎo)線的寬度，對(duì)所述微型溝槽進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)測(cè)試結(jié)果分析所述條形導(dǎo)線寬度對(duì)所述微型溝槽VBD性能的影響。
【文檔編號(hào)】H01L23/544GK104422870SQ201310410805
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月10日
【發(fā)明者】朱振華 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司