多芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括：一金屬基板、一電路基板及一發(fā)光模塊，金屬基板具有一第一鏡面區(qū)域及一第二鏡面區(qū)域，電路基板設(shè)置在金屬基板上，電路基板具有多個第一導(dǎo)電焊墊、多個第二導(dǎo)電焊墊、一用于裸露第一鏡面區(qū)域的第一貫穿開口、及一用于裸露第二鏡面區(qū)域的第二貫穿開口。發(fā)光模塊包括多個設(shè)置在第一鏡面區(qū)域上的發(fā)光單元，每一個發(fā)光單元包括多個設(shè)置在第一鏡面區(qū)域上的發(fā)光二極管芯片，且每一個發(fā)光單元的多個發(fā)光二極管芯片以串聯(lián)方式電性連接于第一導(dǎo)電焊墊及第二導(dǎo)電焊墊之間。借此，本發(fā)明多芯片封裝結(jié)構(gòu)的整體散熱效能及發(fā)光效果可得到有效的提升。
【專利說明】多芯片封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，尤指一種可用于提升散熱效能及發(fā)光效果的多 芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 關(guān)于發(fā)光二極管（LED)與傳統(tǒng)光源的比較，發(fā)光二極管具有體積小、省電、發(fā)光效 率佳、壽命長、操作反應(yīng)速度快、且無熱輻射與水銀等有毒物質(zhì)的污染等優(yōu)點。因此近幾年 來，發(fā)光二極管的應(yīng)用面已極為廣泛。過去由于發(fā)光二極管的亮度還無法取代傳統(tǒng)的照明 光源，但隨著【技術(shù)領(lǐng)域】的不斷提升，目前已研發(fā)出高照明輝度的高功率發(fā)光二極管，其足以 取代傳統(tǒng)的照明光源。然而，傳統(tǒng)使用發(fā)光二極管所制成的發(fā)光結(jié)構(gòu)皆有散熱效能及發(fā)光 效果不佳的情況。因此，如何借由結(jié)構(gòu)設(shè)計的改良，來提升LED的散熱效能及發(fā)光效果，已 成為本領(lǐng)域技術(shù)人員所欲解決的重要課題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其可有效解決"傳統(tǒng)使用發(fā)光二極 管所制成的發(fā)光結(jié)構(gòu)都有散熱效能及發(fā)光效果不佳的情況"的缺陷。
[0004] 本發(fā)明其中一實施例所提供的一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括：一金屬基板、一電路 基板、一發(fā)光模塊、一限流模塊、一邊框單元及一封裝單元。金屬基板具有一第一鏡面區(qū)域 及一第二鏡面區(qū)域，其中第一鏡面區(qū)域及第二鏡面區(qū)域都設(shè)置在金屬基板的上表面，且第 一鏡面區(qū)域及第二鏡面區(qū)域彼此分離一特定距離。電路基板設(shè)置在金屬基板上，其中電路 基板具有多個應(yīng)用于第一鏡面區(qū)域的第一導(dǎo)電焊墊、多個應(yīng)用于第一鏡面區(qū)域的第二導(dǎo)電 焊墊、一用于裸露第一鏡面區(qū)域的第一貫穿開口、及一用于裸露第二鏡面區(qū)域的第二貫穿 開口。發(fā)光模塊包括多個設(shè)置在第一鏡面區(qū)域上的發(fā)光單元，其中每一個發(fā)光單元包括多 個設(shè)置在第一鏡面區(qū)域上的發(fā)光二極管芯片，且每一個發(fā)光單元的多個發(fā)光二極管芯片以 串聯(lián)方式電性連接于相對應(yīng)的第一導(dǎo)電焊墊及相對應(yīng)的第二導(dǎo)電焊墊之間。限流模塊包括 多個設(shè)置在第二鏡面區(qū)域上且電性連接于發(fā)光模塊的限流芯片。邊框單元包括一第一圍繞 式膠框及一第二圍繞式膠框，其中第一圍繞式膠框通過涂布方式以圍繞地成形于電路基板 上且圍繞發(fā)光模塊，以形成一第一限位空間，且第二圍繞式膠框通過涂布方式以圍繞地成 形于電路基板上且圍繞限流模塊，以形成一第二限位空間。封裝單元包括一第一封裝膠體 及一第二封裝膠體，其中第一封裝膠體容置于第一限位空間內(nèi)且覆蓋發(fā)光模塊，且第二封 裝膠體容置于第二限位空間內(nèi)且覆蓋限流模塊。
[0005] 本發(fā)明另外一實施例所提供的一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括：一金屬基板、一電路 基板、一第一發(fā)光模塊、一第二發(fā)光模塊、一第一限流模塊、一第二限流模塊、一邊框單兀及 一封裝單元。金屬基板具有一內(nèi)圈鏡面區(qū)域、一圍繞內(nèi)圈鏡面區(qū)域的外圈鏡面區(qū)域及一第 二鏡面區(qū)域，其中內(nèi)圈鏡面區(qū)域、外圈鏡面區(qū)域及第二鏡面區(qū)域都設(shè)置在金屬基板的上表 面，且內(nèi)圈鏡面區(qū)域、外圈鏡面區(qū)域及第二鏡面區(qū)域彼此分離一特定距離。電路基板設(shè)置在 金屬基板上，其中電路基板具有多個應(yīng)用于內(nèi)圈鏡面區(qū)域的第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊、多個應(yīng)用 于內(nèi)圈鏡面區(qū)域的第二內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊、多個應(yīng)用于外圈鏡面區(qū)域的第一外圈導(dǎo)電焊墊、多 個應(yīng)用于外圈鏡面區(qū)域的第二外圈導(dǎo)電焊墊、一用于裸露內(nèi)圈鏡面區(qū)域的內(nèi)圈貫穿開口、 一用于裸露外圈鏡面區(qū)域的外圈貫穿開口、及一用于裸露第二鏡面區(qū)域的第二貫穿開口。 第一發(fā)光模塊包括多個設(shè)置在內(nèi)圈鏡面區(qū)域上的第一發(fā)光單元，其中每一個第一發(fā)光單元 包括多個設(shè)置在內(nèi)圈鏡面區(qū)域上的第一發(fā)光二極管芯片，且每一個第一發(fā)光單元的多個第 一發(fā)光二極管芯片以串聯(lián)方式電性連接于相對應(yīng)的第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊及相對應(yīng)的第二內(nèi) 圈導(dǎo)電焊墊之間。第二發(fā)光模塊包括多個設(shè)置在外圈鏡面區(qū)域上的第二發(fā)光單元，其中每 一個第二發(fā)光單元包括多個設(shè)置在外圈鏡面區(qū)域上的第二發(fā)光二極管芯片，且每一個第二 發(fā)光單元的多個第二發(fā)光二極管芯片以串聯(lián)方式電性連接于相對應(yīng)的第一外圈導(dǎo)電焊墊 及相對應(yīng)的第二外圈導(dǎo)電焊墊之間。第一限流模塊包括多個設(shè)置在第二鏡面區(qū)域上且電性 連接于第一發(fā)光模塊的第一限流芯片。第二限流模塊包括多個設(shè)置在第二鏡面區(qū)域上且電 性連接于第二發(fā)光模塊的第二限流芯片。邊框單元包括一內(nèi)圈圍繞式膠框、一外圈圍繞式 膠框及一第二圍繞式膠框，其中內(nèi)圈圍繞式膠框通過涂布方式以圍繞地成形于電路基板上 且圍繞第一發(fā)光模塊，以形成一內(nèi)圈限位空間，外圈圍繞式膠框通過涂布方式以圍繞地成 形于電路基板上且圍繞第二發(fā)光模塊及內(nèi)圈圍繞式膠框，以形成一位于內(nèi)圈圍繞式膠框及 外圈圍繞式膠框之間的外圈限位空間，且第二圍繞式膠框通過涂布方式以圍繞地成形于電 路基板上且圍繞第一限流模塊及第二限流模塊，以形成一第二限位空間。封裝單元包括一 內(nèi)圈封裝膠體、一外圈封裝膠體及一第二封裝膠體，其中內(nèi)圈封裝膠體容置于內(nèi)圈限位空 間內(nèi)且覆蓋第一發(fā)光模塊，外圈封裝膠體容置于外圈限位空間內(nèi)且覆蓋第二發(fā)光模塊，且 第二封裝膠體容置于第二限位空間內(nèi)且覆蓋第一限流模塊及第二限流模塊。
[0006] 本發(fā)明的有益效果在于，本發(fā)明實施例所提供的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其可通過"金屬 基板具有一用于承載發(fā)光模塊的第一鏡面區(qū)域，且電路基板設(shè)置在金屬基板上以裸露第一 鏡面區(qū)域"及"金屬基板具有一用于承載第一發(fā)光模塊的內(nèi)圈鏡面區(qū)域及一用于承載第二 發(fā)光模塊的外圈鏡面區(qū)域，且電路基板設(shè)置在金屬基板上以裸露內(nèi)、外圈鏡面區(qū)域"的設(shè) 計，以提升本發(fā)明多芯片封裝結(jié)構(gòu)的整體散熱效能及發(fā)光效果。
[0007] 為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說 明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明的權(quán)利保護范圍加以限制。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008] 圖1為本發(fā)明第一實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0009] 圖2為本發(fā)明第一實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0010] 圖3為本發(fā)明第一實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)電性連接于定壓電源供應(yīng)器的功能 模塊圖。
[0011] 圖4為本發(fā)明第一實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)電性連接于交流電源的功能模塊圖。
[0012] 圖5為本發(fā)明第二實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0013] 圖6為本發(fā)明第二實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0014] 圖7為本發(fā)明第二實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)電性連接于定壓電源供應(yīng)器的功能 模塊圖。
[0015]圖8為本發(fā)明第二實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)電性連接于交流電源的功能模塊圖。 [0016]【附圖標(biāo)記說明】
[0017] 多芯片封裝結(jié)構(gòu) Z 金屬基板 1 第-鏡面區(qū)域 101 第一側(cè)端 1011 第二側(cè)端 1012 內(nèi)圈鏡面區(qū)域 IOlA 外圈鏡面區(qū)域 IOlB 第二鏡面區(qū)域 102 電路基板 2 第一導(dǎo)電焊墊 201 第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊 201A 第二內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊 201B 第二導(dǎo)電焊墊 202
[0018] 第一外圈導(dǎo)電焊墊 202A 第二外圈導(dǎo)電焊墊 202B 第三導(dǎo)電焊墊 203 第四導(dǎo)電焊墊 204 第一備用焊墊 20Γ 第一內(nèi)圈備用焊墊 20IA' 第二內(nèi)_備用焊墊 201B' 第二備用焊墊 202' 第一外圈備用焊墊 202A' 第_外圈備用焊墊 202B' 第二備用焊墊 203' 第四備用焊墊 204' 第一貫穿開U 205 內(nèi)圈貫穿開口 205A 外圈貫穿開U 205B 第一貫穿開口 206 絕緣保護層 207 焊墊開U 2070 發(fā)光模塊 3 發(fā)光單元 30 發(fā)光二極管芯斤 300 第一發(fā)光模塊 3A 第--發(fā)光單元 30A 第--發(fā)光二極管芯片300A 第二發(fā)光模塊 3B 第二發(fā)光單元 30B 第二發(fā)光二極管芯片300B 第--導(dǎo)電線 Wl 限流模塊 4 限流芯片 40 第一限流模塊 4A 第一限流芯片 40A 第二限流模塊 4B 第二限流芯片 40B 第二導(dǎo)電線 W2 邊框單元 5 第--圍繞式膠框 51 第_限位空間 510 第一接合凸部 511 第一起始點 Al
[0019] 第一終止點 BI 內(nèi)圈圍繞式膠框 51A 內(nèi)圈限位空間 510A 內(nèi)圈接合凸部 5IlA 內(nèi)圈起始點 A3 內(nèi)圈終止點 B3 外圈圍繞式膠框 51B 外圈限位空間 5IOB 外圈接合凸部 511B 外圈起始點 A4 外圈終止點 B4 第二圍繞式膠框 52 第二限位空間 520 第二接合凸部 521 第二起始點 A2 第二終止點 B2 封裝單元 6 第一封裝膠體 61 內(nèi)圈封裝膠體 61A 外圈封裝膠體 61B 第二封裝膠體 62 橋式整流器 1 定壓電源供應(yīng)器Pl 交流電源 P2
【具體實施方式】
[0020] 第一實施例：
[0021] 請參閱圖1至圖4所示，本發(fā)明第一實施例提供一種可用于提升散熱效能及發(fā)光 效果的多芯片封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括：一金屬基板1、一電路基板2、一發(fā)光模塊3、一限流模塊 4、一邊框單兀5及一封裝單兀6。
[0022] 首先，配合圖1及圖2所示，金屬基板1具有一第一鏡面區(qū)域101及一第二鏡面區(qū) 域102,其中第一鏡面區(qū)域101及第二鏡面區(qū)域102都設(shè)置在金屬基板1的上表面，并且第 一鏡面區(qū)域101及第二鏡面區(qū)域102彼此分離一特定距離。舉例來說，金屬基板1可為具 有高反射率的鏡面鋁基板，以用來提升多芯片封裝結(jié)構(gòu)Z整體的散熱效能及發(fā)光效果。
[0023] 再者，配合圖1及圖2所示，電路基板2設(shè)置在金屬基板1上，其中電路基板2具 有多個應(yīng)用于第一鏡面區(qū)域101的第一導(dǎo)電焊墊201、多個應(yīng)用于第一鏡面區(qū)域101的第二 導(dǎo)電焊墊202、多個應(yīng)用于第二鏡面區(qū)域102的第三導(dǎo)電焊墊203、及多個應(yīng)用于第二鏡面 區(qū)域102的第四導(dǎo)電焊墊204,并且電路基板2還具有一用于裸露第一鏡面區(qū)域101的第一 貫穿開口 205及一用于裸露第二鏡面區(qū)域102的第二貫穿開口 206。另外，電路基板2具有 多個分別鄰近多個第一導(dǎo)電焊墊201的第一備用焊墊20Γ、多個分別鄰近多個第二導(dǎo)電焊 墊202的第二備用焊墊202'、多個分別鄰近多個第三導(dǎo)電焊墊203的第三備用焊墊203'、 及多個分別連接于多個第四導(dǎo)電焊墊204的第四備用焊墊204'。
[0024] 更進一步來說，配合圖1及圖2所示，第一鏡面區(qū)域101具有一第一側(cè)端1011及 一相反于第一側(cè)端1011的第二側(cè)端1012,多個第一導(dǎo)電焊墊201沿著第一鏡面區(qū)域101的 第一側(cè)端1011以排列在電路基板2上，并且多個第二導(dǎo)電焊墊202沿著第一鏡面區(qū)域101 的第-側(cè)端1012以排列在電路基板2上。此外，如圖2所不，電路基板2的上表面具有一 絕緣保護層207。絕緣保護層207具有多個焊墊開口 2070,并且多個第一導(dǎo)電焊墊201、多 個第一備用焊墊20Γ、多個第二導(dǎo)電焊墊202、多個第二備用焊墊202'、多個第三導(dǎo)電焊墊 203、多個第三備用焊墊203'、多個第四導(dǎo)電焊墊204及多個第四備用焊墊204'分別被絕緣 保護層207的多個焊墊開口 2070所裸露。
[0025] 另外，配合圖1至圖3所示，發(fā)光模塊3包括多個設(shè)置在第一鏡面區(qū)域101上的發(fā) 光單元30,其中每一個發(fā)光單元30包括多個設(shè)置在第一鏡面區(qū)域101上的發(fā)光二極管芯 片300 (也即未封裝的LEDdie)，并且每一個發(fā)光單元30的多個發(fā)光二極管芯片300以串 聯(lián)方式電性連接于相對應(yīng)的第一導(dǎo)電焊墊201及相對應(yīng)的第二導(dǎo)電焊墊202之間。更進一 步來說，如圖2所示，每一個發(fā)光單元30的多個發(fā)光二極管芯片300可通過多個第一導(dǎo)電 線Wl以串聯(lián)在"第一導(dǎo)電焊墊201及第一備用焊墊20Γ兩者其中之一"及"第二導(dǎo)電焊墊 202及第二備用焊墊202'兩者其中之一"的兩者之間。
[0026] 舉例來說，其中兩個相鄰的第一導(dǎo)電焊墊201可為兩個第一串聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中 兩個相鄰的第二導(dǎo)電焊墊202可為兩個第二串聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中兩個相鄰的第一備用焊墊 20?？蔀閮蓚€第一并聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中兩個相鄰的第二備用焊墊202'可為兩個第二并聯(lián)導(dǎo) 電焊墊。因此，兩個相鄰的發(fā)光單元30可通過兩個第一串聯(lián)導(dǎo)電焊墊（也即兩個相鄰的第 一導(dǎo)電焊墊201)及兩個第二串聯(lián)導(dǎo)電焊墊（也即兩個相鄰的第二導(dǎo)電焊墊202)，以"串聯(lián) 方式"彼此電性連接。或者是，兩個相鄰的發(fā)光單元30可通過兩個第一并聯(lián)導(dǎo)電焊墊（也 即兩個相鄰的第一備用焊墊20Γ)及兩個第二并聯(lián)導(dǎo)電焊墊（也即兩個相鄰的第二備用焊 墊202'），以"并聯(lián)方式"彼此電性連接。
[0027] 舉例來說，其中兩個相鄰的第一導(dǎo)電焊墊201可為兩個第一并聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中 兩個相鄰的第二導(dǎo)電焊墊202可為兩個第二并聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中兩個相鄰的第一備用焊墊 20Γ可為兩個第一串聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中兩個相鄰的第二備用焊墊202'可為兩個第二串聯(lián)導(dǎo) 電焊墊，并且兩個相鄰的發(fā)光單元30可通過兩個第一并聯(lián)導(dǎo)電焊墊（也即兩個相鄰的第一 導(dǎo)電焊墊201)及兩個第二并聯(lián)導(dǎo)電焊墊（也即兩個相鄰的第二導(dǎo)電焊墊202)，以"并聯(lián)方 式"彼此電性連接?；蛘呤?，兩個相鄰的發(fā)光單元30可通過兩個第一串聯(lián)導(dǎo)電焊墊（也即 兩個相鄰的第一備用焊墊20Γ)及兩個第二串聯(lián)導(dǎo)電焊墊（也即兩個相鄰的第二備用焊墊 202'），以"串聯(lián)方式"彼此電性連接。
[0028] 此外，配合圖1至圖3所示，限流模塊4包括多個設(shè)置在第二鏡面區(qū)域102上且電 性連接于發(fā)光模塊3的限流芯片40,其中每一個限流芯片40電性連接于相對應(yīng)的第三導(dǎo)電 焊墊203及相對應(yīng)的第四導(dǎo)電焊墊204之間，并且多個限流芯片40以并聯(lián)方式彼此電性連 接。更進一步來說，如圖2所示，每一個限流芯片40的正、負(fù)極可分別通過兩個第二導(dǎo)電線 W2,以分別電性連接于"第三導(dǎo)電焊墊203及第三備用焊墊203'兩者其中之一"及"第四導(dǎo) 電焊墊204及第四備用焊墊204'兩者其中之一"。另外，如圖3所示，因為限流模塊4的多 個限流芯片40電性連接于發(fā)光模塊3及定壓電源供應(yīng)器Pl之間，以作為發(fā)光模塊3及定 壓電源供應(yīng)器Pl之間的電性橋梁，所以定壓電源供應(yīng)器Pl可通過限流模塊4,以提供給發(fā) 光模塊3較穩(wěn)定的電流供應(yīng)。
[0029] 再者，配合圖1及圖2所示，邊框單元5包括一第一圍繞式膠框51及一第二圍繞 式膠框52。其中，第一圍繞式膠框51通過涂布方式以圍繞地成形于電路基板2上且圍繞發(fā) 光模塊3,以形成一第一限位空間510。第二圍繞式膠框52通過涂布方式以圍繞地成形于 電路基板2上且圍繞限流模塊4,以形成一第二限位空間520。另外，封裝單元6包括一第 一封裝膠體61 (例如透光膠體）及一第二封裝膠體62 (例如不透光膠體），其中第一封裝膠 體61容置于第一限位空間510內(nèi)且覆蓋發(fā)光模塊3,并且第二封裝膠體62容置于第二限位 空間520內(nèi)且覆蓋限流模塊4。更進一步來說，如圖1所示，第一圍繞式膠框51可從一第一 起始點Al延伸至一與第一起始點Al為相同點的第一終止點Bl，并且第一圍繞式膠框51的 頂端具有一因第一起始點Al與第一終止點Bl為相同點的涂布方式所形成的第一接合凸部 511。第二圍繞式膠框52從一第二起始點A2延伸至一與第二起始點A2為相同點的第二終 止點B2,并且第二圍繞式膠框52的頂端具有一因第二起始點A2與第二終止點B2為相同點 的涂布方式所形成的第二接合凸部521。
[0030] 另外，如圖4所示，本發(fā)明第一實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)Z更進一步包括：一橋式 整流器7,并且橋式整流器7設(shè)置在電路基板2上且電性連接于限流模塊4與一交流電源 P2之間。更進一步來說，由于橋式整流器7可將交流電源P2轉(zhuǎn)換成直流電源，并且限流模 塊4可限制供應(yīng)給發(fā)光模塊3的直流電流量，以使得發(fā)光模塊3能夠得到穩(wěn)定的直流電流 供應(yīng)。
[0031] 第二實施例：
[0032] 請參閱圖5至圖8所示，本發(fā)明第二實施例提供一種可用于提升散熱效能及發(fā)光 效果的多芯片封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括：一金屬基板1、一電路基板2、一第一發(fā)光模塊3A、一第二 發(fā)光模塊3B、一第一限流模塊4A、一第二限流模塊4B、一邊框單兀5及一封裝單兀6。
[0033] 首先，配合圖5及圖6所示，金屬基板1具有一內(nèi)圈鏡面區(qū)域101A、一圍繞內(nèi)圈鏡 面區(qū)域IOlA的外圈鏡面區(qū)域IOlB及一第二鏡面區(qū)域102,其中內(nèi)圈鏡面區(qū)域101A、外圈鏡 面區(qū)域IOlB及第二鏡面區(qū)域102都設(shè)置在金屬基板1的上表面，并且內(nèi)圈鏡面區(qū)域101A、 外圈鏡面區(qū)域IOlB及第二鏡面區(qū)域102彼此分離一特定距離。此外，電路基板2設(shè)置在 金屬基板1上，其中電路基板2具有多個應(yīng)用于內(nèi)圈鏡面區(qū)域IOlA的第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊 201A、多個應(yīng)用于內(nèi)圈鏡面區(qū)域IOlA的第二內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊201B、多個應(yīng)用于外圈鏡面區(qū) 域IOlB的第一外圈導(dǎo)電焊墊202A、及多個應(yīng)用于外圈鏡面區(qū)域IOlB的第二外圈導(dǎo)電焊墊 202B，并且電路基板2還具有一用于裸露內(nèi)圈鏡面區(qū)域IOlA的內(nèi)圈貫穿開口 205A、一用于 裸露外圈鏡面區(qū)域IOlB的外圈貫穿開口 205B、及一用于裸露第二鏡面區(qū)域102的第二貫穿 開口 206。
[0034] 再者，配合圖5至圖7所示，第一發(fā)光模塊3A包括多個設(shè)置在內(nèi)圈鏡面區(qū)域IOlA 上的第一發(fā)光單元30A，其中每一個第一發(fā)光單元30A包括多個設(shè)置在內(nèi)圈鏡面區(qū)域IOlA 上的第一發(fā)光二極管芯片300A，并且每一個第一發(fā)光單元30A的多個第一發(fā)光二極管芯片 300A以串聯(lián)方式電性連接于相對應(yīng)的第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊201A及相對應(yīng)的第二內(nèi)圈導(dǎo)電焊 墊201B之間。第二發(fā)光模塊3B包括多個設(shè)置在外圈鏡面區(qū)域IOlB上的第二發(fā)光單元30B， 其中每一個第二發(fā)光單元30B包括多個設(shè)置在外圈鏡面區(qū)域IOlB上的第二發(fā)光二極管芯 片300B，并且每一個第二發(fā)光單元30B的多個第二發(fā)光二極管芯片300B以串聯(lián)方式電性連 接于相對應(yīng)的第一外圈導(dǎo)電焊墊202A及相對應(yīng)的第二外圈導(dǎo)電焊墊202B之間。另外，第 一限流模塊4A包括多個設(shè)置在第二鏡面區(qū)域102上且電性連接于第一發(fā)光模塊3A的第一 限流芯片40A，并且第二限流模塊4B包括多個設(shè)置在第二鏡面區(qū)域102上且電性連接于第 二發(fā)光模塊3B的第二限流芯片40B。
[0035] 另外，配合圖5及圖6所不，邊框單兀5包括一內(nèi)圈圍繞式膠框51A、一外圈圍繞 式膠框51B及一第二圍繞式膠框52。其中，內(nèi)圈圍繞式膠框51A通過涂布方式以圍繞地成 形于電路基板2上且圍繞第一發(fā)光模塊3A，以形成一內(nèi)圈限位空間510A。外圈圍繞式膠 框51B通過涂布方式以圍繞地成形于電路基板2上且圍繞第二發(fā)光模塊3B及內(nèi)圈圍繞式 膠框51A，以形成一位于內(nèi)圈圍繞式膠框51A及外圈圍繞式膠框51B之間的外圈限位空間 510B。第二圍繞式膠框52通過涂布方式以圍繞地成形于電路基板2上且圍繞第一限流模 塊4A及第二限流模塊4B，以形成一第二限位空間520。此外，封裝單元6包括一內(nèi)圈封裝 膠體61A、一外圈封裝膠體61B及一第二封裝膠體62,其中內(nèi)圈封裝膠體61A容置于內(nèi)圈限 位空間510A內(nèi)且覆蓋第一發(fā)光模塊3A，外圈封裝膠體61B容置于外圈限位空間510B內(nèi)且 覆蓋第二發(fā)光模塊3B，并且第二封裝膠體62容置于第二限位空間520內(nèi)且覆蓋第一限流模 塊4A及第二限流模塊4B。
[0036] 更進一步來說，配合圖5及圖6所示，多個第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊201A沿著內(nèi)圈鏡面 區(qū)域IOlA的其中一側(cè)端以排列在電路基板2上，多個第二內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊201B沿著內(nèi)圈鏡 面區(qū)域IOlA的另外一側(cè)端以排列在電路基板2上，并且電路基板2具有多個分別鄰近多個 第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊201A的第一內(nèi)圈備用焊墊201A'及多個分別鄰近多個第二內(nèi)圈導(dǎo)電焊 墊201B的第二內(nèi)圈備用焊墊201B'。另外，多個第一外圈導(dǎo)電焊墊202A沿著外圈鏡面區(qū)域 IOlB的其中一側(cè)端以排列在電路基板2上，多個第二外圈導(dǎo)電焊墊202B沿著外圈鏡面區(qū)域 IOlB的另外一側(cè)端以排列在電路基板2上，并且電路基板2具有多個分別鄰近多個第一外 圈導(dǎo)電焊墊202A的第一外圈備用焊墊202A'及多個分別鄰近多個第二外圈導(dǎo)電焊墊202B 的第二外圈備用焊墊202B'。再者，電路基板2具有多個對應(yīng)于多個第一限流芯片40A及多 個第二限流芯片40B的第三導(dǎo)電焊墊203及多個對應(yīng)于多個第一限流芯片40A及多個第二 限流芯片40B的第四導(dǎo)電焊墊204,每一個第一限流芯片40A電性連接于相對應(yīng)的第三導(dǎo) 電焊墊203及相對應(yīng)的第四導(dǎo)電焊墊204之間，并且每一個第二限流芯片40B電性連接于 相對應(yīng)的第三導(dǎo)電焊墊203及相對應(yīng)的第四導(dǎo)電焊墊204之間。另外，多個第一限流芯片 40A以并聯(lián)方式彼此電性連接，多個第二限流芯片40B以并聯(lián)方式彼此電性連接，并且電路 基板2具有多個分別鄰近多個第三導(dǎo)電焊墊203的第三備用焊墊203'及多個分別連接于 多個第四導(dǎo)電焊墊204的第四備用焊墊204'。
[0037] 更進一步來說，配合圖5及圖6所示，內(nèi)圈圍繞式膠框51A從一內(nèi)圈起始點A3延 伸至一與內(nèi)圈起始點A3為相同點的內(nèi)圈終止點B3,并且內(nèi)圈圍繞式膠框51A的頂端具有一 因內(nèi)圈起始點A3與內(nèi)圈終止點B3為相同點的涂布方式所形成的內(nèi)圈接合凸部51IA。另 夕卜，外圈圍繞式膠框51B從一外圈起始點A4延伸至一與外圈起始點A4為相同點的外圈終 止點M，并且外圈圍繞式膠框51B的頂端具有一因外圈起始點A4與外圈終止點M為相同 點的涂布方式所形成的外圈接合凸部511B。此外，第二圍繞式膠框52從一第二起始點A2 延伸至一與第二起始點A2為相同點的第二終止點B2,并且第二圍繞式膠框52的頂端具有 一因第二起始點A2與第二終止點B2為相同點的涂布方式所形成的第二接合凸部521。
[0038]另外，如圖8所示，本發(fā)明第二實施例的多芯片封裝結(jié)構(gòu)Z更進一步包括：一橋式 整流器7,并且橋式整流器7設(shè)置在電路基板2上且電性連接于第一、二限流模塊（4A、4B) 兩者與一交流電源P2之間。更進一步來說，由于橋式整流器7可將交流電源P2轉(zhuǎn)換成直 流電源，并且第一、二限流模塊（4A、4B)可分別限制供應(yīng)給第一、二發(fā)光模塊（3A、3B)的直 流電流量，所以第一、二發(fā)光模塊（3A、3B)能夠得到穩(wěn)定的直流電流供應(yīng)。
[0039] 實施例的可能功效：
[0040] 綜上所述，本發(fā)明的有益效果可以在于，本發(fā)明實施例所提供的多芯片封裝結(jié)構(gòu) Z，其可通過"金屬基板1具有一用于承載發(fā)光模塊3的第一鏡面區(qū)域101，且電路基板2設(shè) 置在金屬基板1上以裸露第一鏡面區(qū)域101 (如第一實施例所示）"及"金屬基板1具有一 用于承載第一發(fā)光模塊3A的內(nèi)圈鏡面區(qū)域IOlA及一用于承載第二發(fā)光模塊3B的外圈鏡 面區(qū)域101B，且電路基板2設(shè)置在金屬基板1上以裸露內(nèi)圈鏡面區(qū)域IOlA及外圈鏡面區(qū)域 IOlB(如第二實施例所示）"的設(shè)計，以提升本發(fā)明多芯片封裝結(jié)構(gòu)Z的整體散熱效能及發(fā) 光效果。
[0041] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實施例，非因此局限本發(fā)明的專利范圍，因此凡 是運用本發(fā)明說明書及附圖記載內(nèi)容所做的等效技術(shù)變換，均包含于本發(fā)明的權(quán)利保護范 圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 一金屬基板，所述金屬基板具有一第一鏡面區(qū)域及一第二鏡面區(qū)域，其中所述第一鏡 面區(qū)域及所述第二鏡面區(qū)域都設(shè)置在所述金屬基板的上表面，且所述第一鏡面區(qū)域及所述 第二鏡面區(qū)域彼此分離一特定距離； 一電路基板，所述電路基板設(shè)置在所述金屬基板上，其中電路基板具有多個應(yīng)用于 所述第一鏡面區(qū)域的第一導(dǎo)電焊墊、多個應(yīng)用于所述第一鏡面區(qū)域的第二導(dǎo)電焊墊、一用 于裸露所述第一鏡面區(qū)域的第一貫穿開口及一用于裸露所述第二鏡面區(qū)域的第二貫穿開 n ； 一發(fā)光模塊，所述發(fā)光模塊包括多個設(shè)置在所述第一鏡面區(qū)域上的發(fā)光單元，其中每 一個所述發(fā)光單元包括多個設(shè)置在所述第一鏡面區(qū)域上的發(fā)光二極管芯片，且每一個所述 發(fā)光單元的多個所述發(fā)光二極管芯片以串聯(lián)方式電性連接于相對應(yīng)的所述第一導(dǎo)電焊墊 及相對應(yīng)的所述第二導(dǎo)電焊墊之間； 一限流模塊，所述限流模塊包括多個設(shè)置在所述第二鏡面區(qū)域上且電性連接于所述發(fā) 光模塊的限流芯片； 一邊框單元，所述邊框單元包括一第一圍繞式膠框及一第二圍繞式膠框，其中所述第 一圍繞式膠框通過涂布方式圍繞地成形于所述電路基板上且圍繞所述發(fā)光模塊，以形成一 第一限位空間，且所述第二圍繞式膠框通過涂布方式圍繞地成形于所述電路基板上且圍繞 所述限流模塊，以形成一第二限位空間；以及 一封裝單元，所述封裝單元包括一第一封裝膠體及一第二封裝膠體，其中所述第一封 裝膠體容置于所述第一限位空間內(nèi)且覆蓋所述發(fā)光模塊，且所述第二封裝膠體容置于所述 第二限位空間內(nèi)且覆蓋所述限流模塊。
2. 如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其其特征在于，所述第一鏡面區(qū)域具有一第 一側(cè)端及一相反于所述第一側(cè)端的第二側(cè)端，多個所述第一導(dǎo)電焊墊沿著所述第一鏡面區(qū) 域的所述第一側(cè)端排列在所述電路基板上，多個所述第二導(dǎo)電焊墊沿著所述第一鏡面區(qū)域 的所述第二側(cè)端排列在所述電路基板上，且所述電路基板具有多個分別鄰近多個所述第一 導(dǎo)電焊墊的第一備用焊墊及多個分別鄰近多個所述第二導(dǎo)電焊墊的第二備用焊墊。
3. 如權(quán)利要求2所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電路基板具有多個應(yīng)用于 所述第二鏡面區(qū)域的第三導(dǎo)電焊墊及多個應(yīng)用于所述第二鏡面區(qū)域的第四導(dǎo)電焊墊，且每 一個所述限流芯片電性連接于相對應(yīng)的所述第三導(dǎo)電焊墊及相對應(yīng)的所述第四導(dǎo)電焊墊 之間，其中多個所述限流芯片以并聯(lián)方式彼此電性連接，且所述電路基板具有多個分別鄰 近多個所述第三導(dǎo)電焊墊的第三備用焊墊及多個分別連接于多個所述第四導(dǎo)電焊墊的第 四備用焊墊。
4. 如權(quán)利要求3所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電路基板的上表面具有一 絕緣保護層，所述絕緣保護層具有多個焊墊開口，且多個所述第一導(dǎo)電焊墊、多個所述第一 備用焊墊、多個所述第二導(dǎo)電焊墊、多個所述第二備用焊墊、多個所述第三導(dǎo)電焊墊、多個 所述第三備用焊墊、多個所述第四導(dǎo)電焊墊及多個所述第四備用焊墊分別被所述絕緣保護 層的多個所述焊墊開口所裸露。
5. 如權(quán)利要求2所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中兩個相鄰的所述第一導(dǎo)電 焊墊為兩個第一串聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中兩個相鄰的所述第二導(dǎo)電焊墊為兩個第二串聯(lián)導(dǎo)電焊 墊，其中兩個相鄰的所述第一備用焊墊為兩個第一并聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中兩個相鄰的所述第 二備用焊墊為兩個第二并聯(lián)導(dǎo)電焊墊，且兩個相鄰的所述發(fā)光單元通過兩個所述第一串聯(lián) 導(dǎo)電焊墊及兩個所述第二串聯(lián)導(dǎo)電焊墊，以串聯(lián)方式彼此電性連接。
6. 如權(quán)利要求2所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中兩個相鄰的所述第一導(dǎo)電 焊墊為兩個第一并聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中兩個相鄰的所述第二導(dǎo)電焊墊為兩個第二并聯(lián)導(dǎo)電焊 墊，其中兩個相鄰的所述第一備用焊墊為兩個第一串聯(lián)導(dǎo)電焊墊，其中兩個相鄰的所述第 二備用焊墊為兩個第二串聯(lián)導(dǎo)電焊墊，且兩個相鄰的所述發(fā)光單元通過兩個所述第一并聯(lián) 導(dǎo)電焊墊及兩個所述第二并聯(lián)導(dǎo)電焊墊，以并聯(lián)方式彼此電性連接。
7. 如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圍繞式膠框從一第一 起始點延伸至一與所述第一起始點為相同點的第一終止點，且所述第一圍繞式膠框的頂端 具有一因所述第一起始點與所述第一終止點為相同點的涂布方式所形成的第一接合凸部， 其中所述第二圍繞式膠框從一第二起始點延伸至一與所述第二起始點為相同點的第二終 止點，且所述第二圍繞式膠框的頂端具有一因所述第二起始點與所述第二終止點為相同點 的涂布方式所形成的第二接合凸部。
8. 如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括：一橋式整流器， 所述橋式整流器設(shè)置在所述電路基板上且電性連接于所述限流模塊與一交流電源之間。
9. 一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 一金屬基板，所述金屬基板具有一內(nèi)圈鏡面區(qū)域、一圍繞所述內(nèi)圈鏡面區(qū)域的外圈鏡 面區(qū)域及一第二鏡面區(qū)域，其中所述內(nèi)圈鏡面區(qū)域、所述外圈鏡面區(qū)域及所述第二鏡面區(qū) 域都設(shè)置在所述金屬基板的上表面，且所述內(nèi)圈鏡面區(qū)域、所述外圈鏡面區(qū)域及所述第二 鏡面區(qū)域彼此分離一特定距離； 一電路基板，所述電路基板設(shè)置在所述金屬基板上，其中電路基板具有多個應(yīng)用于所 述內(nèi)圈鏡面區(qū)域的第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊、多個應(yīng)用于所述內(nèi)圈鏡面區(qū)域的第二內(nèi)圈導(dǎo)電焊 墊、多個應(yīng)用于所述外圈鏡面區(qū)域的第一外圈導(dǎo)電焊墊、多個應(yīng)用于所述外圈鏡面區(qū)域的 第二外圈導(dǎo)電焊墊、一用于裸露所述內(nèi)圈鏡面區(qū)域的內(nèi)圈貫穿開口、一用于裸露所述外圈 鏡面區(qū)域的外圈貫穿開口、及一用于裸露所述第二鏡面區(qū)域的第二貫穿開口； 一第一發(fā)光模塊，所述第一發(fā)光模塊包括多個設(shè)置在所述內(nèi)圈鏡面區(qū)域上的第一發(fā)光 單元，其中每一個所述第一發(fā)光單元包括多個設(shè)置在所述內(nèi)圈鏡面區(qū)域上的第一發(fā)光二極 管芯片，且每一個所述第一發(fā)光單元的多個所述第一發(fā)光二極管芯片以串聯(lián)方式電性連接 于相對應(yīng)的所述第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊及相對應(yīng)的所述第二內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊之間； 一第二發(fā)光模塊，所述第二發(fā)光模塊包括多個設(shè)置在所述外圈鏡面區(qū)域上的第二發(fā)光 單元，其中每一個所述第二發(fā)光單元包括多個設(shè)置在所述外圈鏡面區(qū)域上的第二發(fā)光二極 管芯片，且每一個所述第二發(fā)光單元的多個所述第二發(fā)光二極管芯片以串聯(lián)方式電性連接 于相對應(yīng)的所述第一外圈導(dǎo)電焊墊及相對應(yīng)的所述第二外圈導(dǎo)電焊墊之間； 一第一限流模塊，所述第一限流模塊包括多個設(shè)置在所述第二鏡面區(qū)域上且電性連接 于所述第一發(fā)光模塊的第一限流芯片； 一第二限流模塊，所述第二限流模塊包括多個設(shè)置在所述第二鏡面區(qū)域上且電性連接 于所述第二發(fā)光模塊的第二限流芯片； 一邊框單元，所述邊框單元包括一內(nèi)圈圍繞式膠框、一外圈圍繞式膠框及一第二圍繞 式膠框，其中所述內(nèi)圈圍繞式膠框通過涂布方式以圍繞地成形于所述電路基板上且圍繞所 述第一發(fā)光模塊，以形成一內(nèi)圈限位空間，所述外圈圍繞式膠框通過涂布方式圍繞地成形 于所述電路基板上且圍繞所述第二發(fā)光模塊及所述內(nèi)圈圍繞式膠框，以形成一位于所述內(nèi) 圈圍繞式膠框及所述外圈圍繞式膠框之間的外圈限位空間，且所述第二圍繞式膠框通過涂 布方式圍繞地成形于所述電路基板上且圍繞所述第一限流模塊及所述第二限流模塊，以形 成一第二限位空間；以及 一封裝單元，所述封裝單元包括一內(nèi)圈封裝膠體、一外圈封裝膠體及一第二封裝膠體， 其中所述內(nèi)圈封裝膠體容置于所述內(nèi)圈限位空間內(nèi)且覆蓋所述第一發(fā)光模塊，所述外圈封 裝膠體容置于所述外圈限位空間內(nèi)且覆蓋所述第二發(fā)光模塊，且所述第二封裝膠體容置于 所述第二限位空間內(nèi)且覆蓋所述第一限流模塊及所述第二限流模塊。
10. 如權(quán)利要求9所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個所述第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊沿 著所述內(nèi)圈鏡面區(qū)域的其中一側(cè)端排列在所述電路基板上，多個所述第二內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊沿 著所述內(nèi)圈鏡面區(qū)域的另外一側(cè)端排列在所述電路基板上，且所述電路基板具有多個分別 鄰近多個所述第一內(nèi)圈導(dǎo)電焊墊的第一內(nèi)圈備用焊墊及多個分別鄰近多個所述第二內(nèi)圈 導(dǎo)電焊墊的第二內(nèi)圈備用焊墊，其中多個所述第一外圈導(dǎo)電焊墊沿著所述外圈鏡面區(qū)域的 其中一側(cè)端以排列在所述電路基板上，多個所述第二外圈導(dǎo)電焊墊沿著所述外圈鏡面區(qū)域 的另外一側(cè)端以排列在所述電路基板上，且所述電路基板具有多個分別鄰近多個所述第一 外圈導(dǎo)電焊墊的第一外圈備用焊墊及多個分別鄰近多個所述第二外圈導(dǎo)電焊墊的第二外 圈備用焊墊。
11. 如權(quán)利要求10所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電路基板具有多個對應(yīng) 于多個所述第一限流芯片及多個所述第二限流芯片的第三導(dǎo)電焊墊及多個對應(yīng)于多個所 述第一限流芯片及多個所述第二限流芯片的第四導(dǎo)電焊墊，每一個所述第一限流芯片電性 連接于相對應(yīng)的所述第三導(dǎo)電焊墊及相對應(yīng)的所述第四導(dǎo)電焊墊之間，且每一個所述第二 限流芯片電性連接于相對應(yīng)的所述第三導(dǎo)電焊墊及相對應(yīng)的所述第四導(dǎo)電焊墊之間，其中 多個所述第一限流芯片以并聯(lián)方式彼此電性連接，多個所述第二限流芯片以并聯(lián)方式彼此 電性連接，且所述電路基板具有多個分別鄰近多個所述第三導(dǎo)電焊墊的第三備用焊墊及多 個分別連接于多個所述第四導(dǎo)電焊墊的第四備用焊墊。
12. 如權(quán)利要求9所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)圈圍繞式膠框從一內(nèi)圈 起始點延伸至一與所述內(nèi)圈起始點為相同點的內(nèi)圈終止點，且所述內(nèi)圈圍繞式膠框的頂端 具有一因所述內(nèi)圈起始點與所述內(nèi)圈終止點為相同點的涂布方式所形成的內(nèi)圈接合凸部， 其中所述外圈圍繞式膠框從一外圈起始點延伸至一與所述外圈起始點為相同點的外圈終 止點，且所述外圈圍繞式膠框的頂端具有一因所述外圈起始點與所述外圈終止點為相同點 的涂布方式所形成的外圈接合凸部，其中所述第二圍繞式膠框從一第二起始點延伸至一與 所述第二起始點為相同點的第二終止點，且所述第二圍繞式膠框的頂端具有一因所述第二 起始點與所述第二終止點為相同點的涂布方式所形成的第二接合凸部。
13. 如權(quán)利要求9所述的多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括：一橋式整流器， 所述橋式整流器設(shè)置在所述電路基板上且電性連接于所述第一、二限流模塊兩者與一交流 電源之間。
【文檔編號】H01L23/31GK104425478SQ201310407064
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】鐘嘉珽, 戴世能 申請人:柏友照明科技股份有限公司