一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種碳化硅半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底、緩沖層和導(dǎo)電外延層，在所述導(dǎo)電外延層上設(shè)有柵電極和源極，所述柵電極包括柵介質(zhì)層和多晶硅層，在所述導(dǎo)電外延層內(nèi)設(shè)有阱區(qū)，在所述阱區(qū)內(nèi)設(shè)有源區(qū)，其特征在于：所述柵介質(zhì)層包括下層二氧化硅層、位于下層二氧化硅層上的氮化硅層、位于氮化硅層上端的上層二氧化硅層。本發(fā)明所提出的碳化硅半導(dǎo)體器件能夠保證器件柵源耐壓滿足產(chǎn)品規(guī)范和應(yīng)用要求，同時能夠得到較低的界面態(tài)濃度以及穩(wěn)定的閾值電壓。
【專利說明】一種碳化娃半導(dǎo)體器件及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]大多數(shù)功率半導(dǎo)體器件都是由硅(Si)形成，但是各種其它的半導(dǎo)體材料也已被使用，碳化硅(SiC)就是這些備選材料之一。為了實現(xiàn)半導(dǎo)體器件具有更高的耐壓以及更低的損耗性能，并且能夠在高溫環(huán)境下能夠?qū)ζ溥M(jìn)行使用，通常采用碳化硅作為用于形成半導(dǎo)體器件的材料。與傳統(tǒng)上使用的材料硅相比，碳化硅是一種用于高電壓、高頻和高溫下的理想半導(dǎo)體材料。由于碳化硅的大臨界電場(是硅的十倍)、大帶隙(是硅的三倍)、高導(dǎo)熱率(是硅的四倍)以及大電子飽和度(是硅的二倍)，這使得碳化硅成為制造諸如MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)之類器件的更加理想的材料。由碳化硅形成的半導(dǎo)體器件可具有更高的溫度、以高功率密度、以更高的速度、以更高的功率水平和在高輻射密度下操作的能力。
[0003]因此，通過采用碳化硅作為形成半導(dǎo)體器件的材料，可以實現(xiàn)半導(dǎo)體器件具有更高的耐壓和更低的導(dǎo)通電阻性能。另外，采用碳化硅作為材料的半導(dǎo)體器件的好處還在于，與采用硅作為材料的半導(dǎo)體器件相比，其在高溫環(huán)境下使用時特性降低的可能性更小。
[0004]在碳化硅上制作MOSFET和IGBT器件，需要在碳化硅襯底形成一層?xùn)沤橘|(zhì)層，該柵介質(zhì)層通常為氧化物層。然而利用傳統(tǒng)熱氧化工藝在碳化硅材料上生產(chǎn)MOSFET、IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)等器件的柵介質(zhì)層，其存在生產(chǎn)速度慢、界面態(tài)密度高、界面態(tài)密度不穩(wěn)定的缺點，并且在碳面上生長的外延層目前在商業(yè)上無法得到，因此理想的是在硅面上形成柵極氧化物，柵極氧化物與碳化硅襯底之間的界面具有大量的界面陷阱，這些界面陷阱以各種方式對溝道區(qū)的電子遷移產(chǎn)生影響。
[0005]這與在硅襯底上的柵介質(zhì)工藝有很大不同，由于在碳化硅表面很難生長出與硅柵氧工藝一樣高質(zhì)量的二氧化硅層，而柵介質(zhì)層的質(zhì)量高低是直接影響了許多主要的器件參數(shù)，而這些問題阻礙了碳化硅功率器件的進(jìn)一步發(fā)展，比如柵介質(zhì)層比較高的界面態(tài)濃度直接影響了閾值電壓的穩(wěn)定性，其比較低的擊穿強度要求柵氧化物層厚度大，這樣才能夠滿足器件柵源耐壓的要求，一般產(chǎn)品應(yīng)用條件為+/-15伏，而產(chǎn)品規(guī)范為+/-30伏。但是另一方面，柵介質(zhì)層厚度的提高，又會產(chǎn)生更多的界面態(tài)陷阱，導(dǎo)致器件閾值電壓不穩(wěn)定的問題。
[0006]為了保證器件參數(shù)閾值電壓Vth的穩(wěn)定性，需要減少柵介質(zhì)層與碳化硅襯底材料直接的界面態(tài)濃度，一種直接的方法就是優(yōu)化柵介質(zhì)層的工藝熱過程，減少熱過程時間，增加退火工藝，然而這樣會產(chǎn)生柵介質(zhì)層厚度薄，柵源擊穿電壓降低的問題。
[0007]中國專利申請公布號:CN101933146A，申請公布日:2010年12月29日，公開了一種碳化硅半導(dǎo)體器件，其包括第一導(dǎo)電類型或第二導(dǎo)電類型的碳化硅襯底，第一導(dǎo)電類型的SiC層,其形成在SiC襯底的第一主表面上；第二導(dǎo)電類型的第一 SiC區(qū),其形成在SiC層的表面上；第一導(dǎo)電類型的第二 SiC區(qū)，其形成在第一 SiC區(qū)的表面內(nèi)；柵極電介質(zhì)，其連續(xù)地形成在SiC層、第二 SiC區(qū)、以及介于SiC層和第二 SiC區(qū)之間的第一 SiC區(qū)的表面上。該專利所提出的一種碳化硅半導(dǎo)體器件，其存在以下不足之處:由于在碳化硅表面很難生長出與硅柵氧工藝一樣高質(zhì)量的二氧化硅層，因此該碳化硅半導(dǎo)體器件上的柵介質(zhì)層的質(zhì)量不高，其直接影響到器件閾值電壓的穩(wěn)定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供了一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制作方法，其制作出的碳化硅半導(dǎo)體器件能夠保證器件柵源耐壓滿足產(chǎn)品規(guī)范和應(yīng)用要求，同時能夠得到較低的界面態(tài)濃度以及穩(wěn)定的閾值電壓。
[0009]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，包括以下步驟:
(1)提供一個半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體包括半導(dǎo)體襯底和在半導(dǎo)體襯底表面淀積形成的一層較薄的緩沖層以及位于緩沖層上的導(dǎo)電外延層；
(2)在所述半導(dǎo)體的上表面涂覆光刻膠，光刻、刻蝕，注入第一類雜質(zhì)離子形成阱區(qū)；
(3)去除上述半導(dǎo)體上表面的光刻膠，再重新涂覆光刻膠，光刻、刻蝕，注入第二類雜質(zhì)離子形成第二類雜質(zhì)離子 區(qū)即源區(qū)；
(4)去除第三步中半導(dǎo)體上表面的光刻膠，注入第一類雜質(zhì)離子，形成第一類雜質(zhì)離子
區(qū)；
(5)在所述半導(dǎo)體上表面生長一層二氧化娃層,該二氧化娃層為柵介質(zhì)層的第一層；
(6)在所述二氧化硅層上面生長一層氮化硅層，該氮化硅層為柵介質(zhì)層的第二層；
(7)在所述氮化硅層上面生長一層二氧化硅層，該氧化硅層為柵介質(zhì)層的第三層；
(8)在所述半導(dǎo)體的上表面淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋上述的柵介質(zhì)層；
(9)利用光刻膠作掩蔽層，選擇性地刻蝕上述多晶硅層以及柵介質(zhì)層，從而形成柵電
極；
(10)在半導(dǎo)體上表面淀積一層絕緣介質(zhì)層，在上述絕緣介質(zhì)層上進(jìn)行接觸孔的光刻和刻蝕，得到源極引線孔；
(12)在半導(dǎo)體上表面淀積金屬層，所述金屬層覆蓋所述絕緣介質(zhì)層，通過對金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕得到源極金屬。
[0010]本發(fā)明所提出的一種碳化娃半導(dǎo)體器件的制作方法,其在制作碳化娃半導(dǎo)體工藝過程中的柵介質(zhì)由三層材料組成，其能夠保證器件柵源耐壓滿足產(chǎn)品規(guī)范和應(yīng)用要求。
[0011 ] 作為優(yōu)選，所述第一層二氧化硅層，其生長環(huán)境為高溫濕養(yǎng)化，厚度為l(T30nm，其生長時的溫度控制在950~1050攝氏度之間。該優(yōu)選方案中，由于底層第一層二氧化娃的厚度設(shè)置在l(T30nm之間，其厚度薄，可以降低生長溫度、速度以及生長時間，從而減少其與半導(dǎo)體襯底材料的界面態(tài)密度，其生長溫度的范圍為950°C~1050°C，其生長速度為每分鐘
0.1~0.2nm，生長時間縮短為100-200分鐘。
[0012]作為優(yōu)選，所述第二層氮化硅層，其采用LPCVD的工藝生長方式，其厚度為10~30nmo
[0013]作為優(yōu)選，所述第三層二氧化硅層，其生長工藝條件為高溫氧化，其厚度小于10nm，其溫度控制在1100-1200攝氏度之間，在生長第三層二氧化硅層的后半段，其溫度提高20-50攝氏度，降低氧氣的流量，同時提高氮氣的流量。該優(yōu)選方案中，在高溫氧化過程的后半段，溫度進(jìn)行20°C~50°C的提高，同時降低氧氣流量提高氮氣的流量，這樣可以為所生長的第一次二氧化硅層以及第二層氮化硅層進(jìn)行退火處理，以降低應(yīng)力，修復(fù)缺陷，進(jìn)一步降低界面態(tài)密度。
[0014]作為優(yōu)選，所述半導(dǎo)體襯底材料為碳化硅。該優(yōu)選方案中，半導(dǎo)體襯底材料采用碳化硅材料，其可以讓制作出的半導(dǎo)體器件具有更高的耐壓性能以及具有更低的導(dǎo)通電阻。
[0015]作為優(yōu)選，所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度設(shè)定在E18/cm3以上。該優(yōu)選方案中紅，半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度設(shè)定在E18/cm3以上，這樣可以降低半導(dǎo)體襯底材料形成的串聯(lián)電阻。
[0016]作為優(yōu)選，在刻蝕柵介質(zhì)層時，在第二層氮化硅層的刻蝕工藝中使用CF4作為刻蝕氣體，增加氧氣和氮氣的含量；在第一層二氧化硅層的刻蝕工藝中，增加氧氣的含量。該優(yōu)選方案中，在第二次氮化硅層的刻蝕工藝中增加氧氣和氮氣的含量用來稀釋CF4的濃度，以降低對第一層二氧化硅層的刻蝕速率，并達(dá)到20:1的刻蝕速率選擇比；在第一層二氧化硅層的刻蝕工藝中增加氧氣的含量，其可以氧化物與半導(dǎo)體襯底材料的選擇比。
[0017]一種碳化硅半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底、緩沖層和導(dǎo)電外延層，在所述導(dǎo)電外延層上設(shè)有柵電極和源極，所述柵電極包括柵介質(zhì)層和多晶硅層，在所述導(dǎo)電外延層內(nèi)設(shè)有阱區(qū)，在所述阱區(qū)內(nèi)設(shè)有源區(qū)，所述柵介質(zhì)層包括下層二氧化硅層、位于下層二氧化硅層上的氮化硅層、位于氮化硅層上端的上層二氧化硅層。
[0018]本發(fā)明所提出的一種碳化硅半導(dǎo)體器件，其柵介質(zhì)層由三層材料組成:下層二氧化硅層、中間層的氮化硅層和上層二氧化硅層，下層二氧化硅層其厚度薄，可以優(yōu)化其生長溫度、生長溫度和生長時間來減少下層二氧化硅層與半導(dǎo)體襯底的界面態(tài)密度；氮化硅層其介電常數(shù)大，因此在同樣厚度下其具有較大的電容參數(shù)，同時氮化硅層的擊穿強度大，在同樣厚度下，氮化硅層具有較大的柵源擊穿電壓；上層二氧化硅層用于加強氮化硅層的致密性。本發(fā)明通過改變柵介質(zhì)層的材料，使得碳化硅半導(dǎo)體器件的柵漏電、器件閾值電壓、動態(tài)功耗等得到改善。我們可以從Vth的物理公式來解釋以上所說表明界面態(tài)密度和Cge對Vth的影響關(guān)系。根據(jù)有關(guān)半導(dǎo)體器件方面的教科書所述，有如下的Vth公式，
Vth=C1 s+ ^qNaf1-Osi Φs/ Cgs
其中:Os為表面電勢，Q為電子電量，此處為常數(shù)；Na為表面雜質(zhì)濃度，εΟ為真空介電系數(shù)，ε si為娃材料介電系數(shù)為Cgs器件柵源電容。 [0019]在考慮表面電勢(主要是界面態(tài))對Vth的影響時，對上述公司等號兩邊同時求導(dǎo)數(shù)，得到
d(Vth) = d ( Φ s) + k * d ( Φ s) / Cgs
其中，K= ^qNae-OfiBi / Φ s,
作為優(yōu)選，所述半導(dǎo)體襯底為N型碳化硅或P型碳化硅。該優(yōu)選方案中，半導(dǎo)體襯底采用N型碳化硅，其制作形成的為功率MOSFET器件；半導(dǎo)體襯底采用P型碳化硅，其制作形成的為IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果:(I)減少柵介質(zhì)層界面態(tài)密度，提高器件參數(shù)的穩(wěn)定性；(2)保證了柵源耐壓、柵源漏電等參數(shù)不受柵介質(zhì)厚度變小的影響；(3)能夠提高柵源電容，進(jìn)一步減小柵介質(zhì)層界面態(tài)對器件參數(shù)Vth穩(wěn)定性的影響；對于IGBT器件，在提聞棚源電容后還能夠提聞Cge和Cce電容比例，可以減小短路條件下的棚極震蕩，改善器件的短路安全工作區(qū)；(4)有利于減少柵電極(摻雜多晶硅)在磷擴散工藝過程中，同時柵電極摻雜雜質(zhì)在后續(xù)工藝熱過程中對溝道區(qū)濃度的影響，提高器件參數(shù)如Vth，Rdson，V cesat的穩(wěn)定性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2為本發(fā)明柵介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖中，I—N型碳化娃襯底，2—緩沖層，3—導(dǎo)電外延層，4一P講區(qū)，5—N+源區(qū),6—柵介質(zhì)層，7—下層二氧化硅層，8—氮化硅層，9一上層二氧化硅層。
【具體實施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
[0024]實施例:
如圖1、圖2所示:本發(fā)明以N型碳化硅功率MOSFET器件為例，一種制作N型碳化硅功率MOSFET器件的方法，包括以下步驟:a.提供一個N型碳化硅，所述N型碳化硅包括N型碳化硅襯底I和在N型碳化硅襯底I表面淀積形成的一層較薄的緩沖層2以及位于緩沖層2上的導(dǎo)電外延層3，所述N型碳化硅襯底I的摻雜濃度設(shè)定在E18/cm3以上；
b.在所述N型碳化硅的上表面涂覆光刻膠，光刻、刻蝕，應(yīng)用高能量離子注入機，在高溫度下進(jìn)行離子注入工藝，注入元素為三價元素，如元素等，從而形成P阱區(qū)4 ;
c.去除上述N型碳化硅上表面的光刻膠，再重新涂覆光刻膠，光刻、刻蝕，應(yīng)用高能量離子注入機，在高溫度下進(jìn)行離子注入工藝，注入元素選擇為五價元素，如氮元素，從而形成N+源區(qū)5 ；
d.去除第三步中N型碳化硅上表面的光刻膠，應(yīng)用高能量離子注入機，在高溫下進(jìn)行離子注入工藝，注入元素為三價元素，如鋁元素，從而形成P +區(qū)；
e.在所述半導(dǎo)體上表面生長下層二氧化硅層7，該下層二氧化硅層7為柵介質(zhì)層6的第一層，所述下層二氧化硅層7，其生長環(huán)境為高溫濕養(yǎng)化，厚度為l(T30nm，其生長時的溫度控制在950-1050攝氏度之間；
f.在所述下層二氧化硅層7上面生長一層氮化硅層8，該氮化硅層8為柵介質(zhì)層6的第二層；所述氮化硅層采用LPCVD的工藝生長方式，其厚度為l(T30nm ；
g.在所述氮化硅層上面生長上層二氧化硅層9，該上層二氧化硅層9為柵介質(zhì)層6的第三層，所述下層二氧化硅層9的生長工藝條件為高溫氧化，其厚度小于10nm，其溫度控制在1100-1200攝氏度之間，在生長下層二氧化硅層的后半段，其溫度提高20-50攝氏度，降低氧氣的流量，同時提高氮氣的流量；
h.在所述N型碳化硅的上表面淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋上述的柵介質(zhì)層
6 ；
1.利用光刻膠作掩蔽層，選擇性地刻蝕上述多晶硅層以及柵介質(zhì)層6，從而形成柵電極；在對多晶硅的刻蝕工藝中，為了避免對多晶硅層和位于多晶硅層下面的柵介質(zhì)層6刻蝕過程中離子轟擊掉多晶硅層下面的上層二氧化硅層9，以及減少其上面光刻膠的損失，轟擊離子的能力需要足夠低；同時為了保護(hù)多晶硅下面的上層二氧化硅層9，本發(fā)明采用溴基氣體(如HBr等)來刻蝕多晶硅層，這樣的好處在于不僅各向異性好，保證多晶硅層刻蝕形貌近似垂直，還能夠?qū)Χ嗑Ч鑼酉旅娴纳蠈佣趸鑼?和氮化硅層8具有較高的刻蝕率選擇比；由于上層二氧化硅層9比較薄，在此單步工藝中，應(yīng)用小能量、低濃度的刻蝕氣體以保證工藝的穩(wěn)定性；在刻蝕柵介質(zhì)層時，在第二層氮化硅層的刻蝕工藝中使用CF4作為刻蝕氣體，增加氧氣和氮氣的含量；在第一層二氧化硅層的刻蝕工藝中，增加氧氣的含量；本發(fā)明只進(jìn)行一次光刻工藝，也就是說屏蔽刻蝕圖形的光刻膠在整個刻蝕過程中需要一直保留，這樣可以保證Poly與ONO圖形的自對準(zhǔn)和零對位偏差，還實現(xiàn)了簡化一次光刻工藝的目的，同時為了達(dá)到上述保留光刻膠的目的，整個刻蝕過程中的等離子能量控制在足夠低，對光刻膠的刻蝕率選擇比必須足夠高。
[0025]g.在半導(dǎo)體上表面淀積一層絕緣介質(zhì)層，在上述絕緣介質(zhì)層上進(jìn)行接觸孔的光刻和刻蝕，得到源極引線孔；
k.在N型碳化硅的上表面淀積金屬層，所述金屬層覆蓋所述絕緣介質(zhì)層，通過對金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕得到源極金屬。
[0026]以上內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實施方式】以及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，本說明內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于包括以下步驟: (1)提供一個半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體包括半導(dǎo)體襯底和在半導(dǎo)體襯底表面淀積形成的一層較薄的緩沖層以及位于緩沖層上的導(dǎo)電外延層； (2)在所述半導(dǎo)體的上表面涂覆光刻膠，光刻、刻蝕，注入第一類雜質(zhì)離子形成阱區(qū)； (3)去除上述半導(dǎo)體上表面的光刻膠，再重新涂覆光刻膠，光刻、刻蝕，注入第二類雜質(zhì)離子形成第二類雜質(zhì)離子區(qū)即源區(qū)； (4)去除第三步中半導(dǎo)體上表面的光刻膠，注入第一類雜質(zhì)離子，形成第一類雜質(zhì)離子區(qū)； (5)在所述半導(dǎo)體上表面生長一層二氧化娃層,該二氧化娃層為柵介質(zhì)層的第一層； (6)在所述二氧化硅層上面生長一層氮化硅層，該氮化硅層為柵介質(zhì)層的第二層； (7)在所述氮化硅層上面生長一層二氧化硅層，該氧化硅層為柵介質(zhì)層的第三層； (8)在所述半導(dǎo)體的上表面淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋上述的柵介質(zhì)層； (9)利用光刻膠作掩蔽層，選擇性地刻蝕上述多晶硅層以及柵介質(zhì)層，從而形成柵電極； (10)在半導(dǎo)體上表面淀積一層絕緣介質(zhì)層，在上述絕緣介質(zhì)層上進(jìn)行接觸孔的光刻和刻蝕，得到源極引線孔； (12)在半導(dǎo)體上表面淀積金 屬層，所述金屬層覆蓋所述絕緣介質(zhì)層，通過對金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕得到源極金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于:所述第一層二氧化硅層，其生長環(huán)境為高溫濕養(yǎng)化，厚度為l(T30nm，其生長時的溫度控制在950~1050攝氏度之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于:所述第二層氮化硅層，其采用LPCVD的工藝生長方式，其厚度為l(T30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于:所述第三層二氧化硅層，其生長工藝條件為高溫氧化，其厚度小于10nm，其溫度控制在1100-1200攝氏度之間，在生長第三層二氧化硅層的后半段，其溫度提高20-50攝氏度，降低氧氣的流量，同時提高氮氣的流量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于:所述半導(dǎo)體襯底材料為碳化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于:所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度設(shè)定在E18/cm3以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于:在刻蝕柵介質(zhì)層時，在第二層氮化硅層的刻蝕工藝中使用CF4作為刻蝕氣體，增加氧氣和氮氣的含量；在第一層二氧化硅層的刻蝕工藝中，增加氧氣的含量。
8.一種碳化硅半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底、緩沖層和導(dǎo)電外延層，在所述導(dǎo)電外延層上設(shè)有柵電極和源極，所述柵電極包括柵介質(zhì)層和多晶硅層，在所述導(dǎo)電外延層內(nèi)設(shè)有阱區(qū)，在所述阱區(qū)內(nèi)設(shè)有源區(qū)，其特征在于:所述柵介質(zhì)層包括下層二氧化硅層、位于下層二氧化硅層上的氮化硅層、位于氮化硅層上端的上層二氧化硅層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種碳化硅半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述半導(dǎo)體襯底為N型碳化硅或P型碳化硅。
【文檔編號】H01L29/739GK103681859SQ201310377797
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
【發(fā)明者】黃國華, 馮明憲, 門洪達(dá), 張偉, 王坤池, 周月 申請人:廈門天睿電子有限公司, 黃國華