一種固體電解電容器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種片式固體電解電容器，其含有式I所示化合物晶體，其具有2θ在約12.6、12.7、16.6、18.8、21.5和23.8處的X射線粉末衍射圖。I
【專利說明】-種固體電解電容器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種片式固體電解電容器，具有等效串聯(lián)電阻低和漏電流起始不合格 率小的優(yōu)異特性。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子設備的高頻化，在作為電子部件之一的電容器中，要求在高頻區(qū)的阻抗 特性優(yōu)異的大容量電容器。最近，為了降低該高頻區(qū)的阻抗，開始對使用電導率高的導電性 高分子的電解電容器進行研究并進行制品化。電解電容器具備：陽極箔、在陽極箔的表面形 成的電介體覆膜和在電介體覆膜上形成的導電性高分子層。陽極箔的表面經(jīng)過粗面化，并 形成有多個孔。作為形成導電性高分子層的方法，除了化學聚合及電解聚合之外，還包括使 預先形成的導電性高分子粒子含浸于電容器元件的分散法。就化學聚合而言，有時會因氧 化劑的存在而損傷電介體覆膜。另外，對于化學聚合及電解聚合而言，難以均勻地形成導電 性高分子層。這樣一來，會較厚地形成導電性高分子層，使用大量的導電性高分子。小分子 有機化合物，特別是小分子有機化合物晶體與聚合物相比具有制備簡單，涂層均勻，成品率 高，且方便有效的特點，因此仍然需要開發(fā)使用有機小分子化合物，特別是有機小分子化 合物晶體電解電容器。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 電解電容器的一般制造方法包含如下步驟：準備具有表面的陽極箔、在陽極箔的 表面形成的多個孔以及在陽極箔的表面形成的電介體覆膜的步驟；使陽極箔含浸于含有第 一導電性高分子粒子和第一溶劑的第一分散體溶液，在電介體覆膜的表面形成第一導電性 高分子層的步驟；以及，使陽極箔含浸于含有第二導電性高分子粒子和第二溶劑的第二分 散體溶液，形成覆蓋第一導電性高分子層的第二導電性高分子層的步驟，其中，與所述第一 分散體溶液相比，所述第二分散體溶液的pH與7相差更遠。
[0004] 但本發(fā)明的電容包含多個固體電解電容器元件，每個元件通過以絕緣氧化物膜 層、半導體層和導電層以此順序堆疊以在除其一端的陽極部分之外的陽極基底表面上形成 陰極部分制得，陽極基底包含起閥作用的金屬或?qū)щ娧趸锏臒Y(jié)體或者包含與金屬導線 連接的燒結(jié)體。
[0005] 其中半導體層是有機半導體層，其含有下述式I所示的有機化合物晶體：

【權(quán)利要求】
1. 一種片式固體電解電容器，包含多個固體電解電容器元件，每個元件通過將絕緣氧 化物膜層、半導體層和導電層以此順序堆疊以在除其一端的陽極部分之外的陽極基底表面 上形成陰極部分制得，陽極基底包含起閥作用的金屬或?qū)щ娧趸锏臒Y(jié)體或者包含與金 屬導線連接的燒結(jié)體，其中半導體層是有機半導體層，其含有下述式I所示的有機化合物 晶體：
其具有2 Θ在約12. 6、12. 7、16. 6、18. 8、21. 5和23. 8處的X射線粉末衍射圖。
2. 如權(quán)利要求1中所述的片式固體電解電容器，其中陽極部分包括陽極基底的末端。
3. 如權(quán)利要求1中所述的片式固體電解電容器，其中陽極部分包括與燒結(jié)體連接的金 屬導線。
4. 如權(quán)利要求3中所述的片式固體電解電容器，其中金屬導線選自鉭、鈮、鋁、鈦、主要 包含這類金屬的合金、以及部分氧化和/或氮化的這些金屬和合金。
5. 如權(quán)利要求1中所述的片式固體電解電容器，其中用絕緣樹脂使陽極部分和除陽極 部分之外的部分之間的界面絕緣。
6. 如權(quán)利要求1中所述的片式固體電解電容器，其中絕緣氧化物膜層主要包含選自 Ta205、A1203、Zr20 3 和 Nb205 的至少一種。
7. -種化合物晶體，其具有如式I所示的結(jié)構(gòu)：
且具有2 Θ在約12. 6、12. 7、16. 6、18. 8、21. 5和23. 8處的X射線粉末衍射圖。
【文檔編號】H01G9/042GK104143447SQ201310376487
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
【發(fā)明者】宋剛 申請人:成都精容電子有限公司