發(fā)光二極管及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管及其制作方法，所述發(fā)光二極管至少包括基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層；所述基板上形成有一底部到達所述N型半導(dǎo)體層中的凹陷區(qū)域；所述P型半導(dǎo)體層上自下而上分別形成有P型InxGa1-xN層和N型InyGa1-yN層，其中0<x<1，0<y<1；所述N型InyGa1-yN層上形成有ITO薄膜層；所述ITO薄膜層上形成有P電極；所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層上形成有N電極。本發(fā)明利用P型InxGa1-xN層/N型InyGa1-yN層作為ITO薄膜層與P型半導(dǎo)體層之間的接觸層，可以改善結(jié)性能，并降低接觸電阻，通過調(diào)整P型InxGa1-xN層和N型InyGa1-yN層的厚度和摻雜濃度，可有效降低發(fā)光二極管的工作電壓，降低器件功耗，并提高發(fā)光效率。
【專利說明】發(fā)光二極管及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體發(fā)光器件領(lǐng)域，涉及一種發(fā)光二極管及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light Emitting D1de, LED)具有體積小、效率高和壽命長等優(yōu)點，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，尤其是LED以其優(yōu)異的性能被業(yè)界普遍認為是第四代光源的理想選擇，LED光源在發(fā)光效率、使用壽命、回應(yīng)時間、環(huán)保等方面均優(yōu)于白熾燈、突光燈等傳統(tǒng)光源。
[0003]氮化鎵(GaN)基化合物為直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體，其帶隙從1.8-6.2eV連續(xù)可調(diào)，并且具有很高的擊穿電壓，因而被廣泛應(yīng)用于高亮度藍綠光發(fā)光二極管、藍紫光激光二極管(LD, Laser D1de)和高電子遷移率場效應(yīng)晶體管(HEMT, High Electron MobilityTransistor)。近年來，高亮度藍綠光LED發(fā)展迅速，已成為全彩色高亮度大型戶外顯示屏、交通信號燈等必需的發(fā)光器件，同時，由藍光LED激發(fā)黃色熒光粉制作的白光LED已大量應(yīng)用于背光源、汽車照明等領(lǐng)域，并在固體照明光源領(lǐng)域顯示了巨大的應(yīng)用潛力。
[0004]隨著氣化嫁基材料的廣業(yè)化，聞売度的發(fā)光_■極管最受:矚目。目如聞売度的氣化鎵基材料主要通過提高光提取效率和內(nèi)量子效率來增強出光強度。光提取效率主要采用圖形化襯底、P型層的粗化和激光剝離工藝等來實現(xiàn)。而提高內(nèi)量子效率的進展相對較慢，主要受氮化鎵基材料P型層中空穴濃度較低、量子阱(MQW)中的壓電場較強和異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的缺陷密度較高等幾個方面的抑制。
[0005]目前GaN基發(fā)光二極管中均使用電流擴展層，起到擴散注入電流提高亮度的作用。目前電流擴展層一般采用ITO薄膜，ITO是一種高簡并的η型半導(dǎo)體，自由載流子主要來源于Sn對In的替位式取代和氧空位，在晶格中，每一個Sn取代In的位置后會提供一個自由電子進入導(dǎo)帶，同時氧空位也作為施主提供電子，因此，薄膜一般具有較高的載流子濃度和較低的電阻率，導(dǎo)電性能可以與金屬導(dǎo)體相比。ITO薄膜的禁帶寬度約為3.85eV，在可見光波段透過率一般在85%以上，同時紅外區(qū)(1.2pm)的反射也可超過90%，對微波有明顯的減弱作用。由于其良好的導(dǎo)電性和透光性，被廣泛用于LED芯片透明電極薄膜上。
[0006]但是由于ITO薄膜與P型半導(dǎo)體層的接觸電阻較高，發(fā)光二極管的工作電壓較高，使得發(fā)光二極管的功耗較大。所以，如何在擴散注入電流提高亮度的同時降低發(fā)光二極管的工作電壓以降低功耗是急需解決的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管及其制作方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管的工作電壓高、功耗較大的問題。
[0008]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管至少包括基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層；所述基板上形成有一底部到達所述N型半導(dǎo)體層中的凹陷區(qū)域；所述P型半導(dǎo)體層上自下而上分別形成有P型InxGahN層和N型InyGa1J層，其中0〈x〈 I，0〈y〈 I ;所述N型InyGa1J層上形成有ITO薄膜層；所述ITO薄膜層上形成有P電極；所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層上形成有N電極。
[0009]可選地，所述P型InxGahN層滿足0〈x〈0.3，所述P型InxGai_xN層的厚度小于30nm ；所述N型InyGa1J層滿足0〈y〈0.3，所述N型InyGa1J層的厚度小于30nm。
[0010]可選地，所述P型InxGahN層的厚度范圍是0.5?5nm，所述N型InyGapyN層的厚度范圍是0.5?5nm。
[0011]可選地，所述P型InxGahN層采用二茂鎂作為摻雜源，鎂的摻雜濃度范圍是1.0E19?1.0E21/cm3 ;所述N型InyGai_yN層采用硅烷作為摻雜源，硅的摻雜濃度范圍是1.0E19 ?1.0E21/cm3。
[0012]本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的制作方法，所述發(fā)光二極管的制作方法至少包括以下步驟:
[0013]I)提供一基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層；
[0014]2)對所述基板進行部分刻蝕，在所述基板中形成一凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域底部到達所述N型半導(dǎo)體層中；
[0015]3)在所述P型半導(dǎo)體層上自下而上依次形成P型InxGa^N層和N型InyGai_yN層，其中 0〈x〈l，0〈y〈l ；
[0016]4)在所述N型InyGai_yN層上形成一 ITO薄膜層；
[0017]5)在所述ITO薄膜層上形成P電極，在所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層上形成N電極。
[0018]可選地，所述P型InxGahN層滿足0〈χ〈0.3，所述P型InxGai_xN層的厚度小于30nm ；所述N型InyGa1J層滿足0〈y〈0.3，所述N型InyGa1J層的厚度小于30nm。
[0019]可選地，所述P型InxGahN層的厚度范圍是0.5?5nm，所述N型InyGapyN層的厚度范圍是0.5?5nm。
[0020]可選地，所述P型InxGa1J層采用二茂鎂作為摻雜源，鎂的摻雜濃度范圍是1.0E19?1.0E21/cm3 ;所述N型InyGai_yN層采用硅烷作為摻雜源，硅的摻雜濃度范圍是1.0E19 ?1.0E21/cm3。
[0021]如上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管及其制作方法，具有以下有益效果:利用P型InxGahN層/N型InyGai_yN層作為ITO薄膜層與P型半導(dǎo)體層之間的接觸層，降低接觸電阻，通過調(diào)整P型InyGa1J層和N型InxGa1J層的厚度和摻雜濃度，可有效降低發(fā)光二極管的工作電壓，降低器件功耗，并提高發(fā)光效率，此外，還可以優(yōu)化所述P型半導(dǎo)體層與所述ITO薄膜層之間的結(jié)性能，進一步提高發(fā)光二極管的性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管的制作方法中基板的剖面示意圖。
[0024]圖3顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管的制作方法中在基板中形成凹陷區(qū)域的示意圖。
[0025]圖4顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管的制作方法中在P型半導(dǎo)體上依次形成P型InxGa1^xN層、N型InyGahyN層及ITO薄膜層的示意圖。
[0026]元件標(biāo)號說明
[0027]I襯底
[0028]2N型半導(dǎo)體層
[0029]3發(fā)光層
[0030]4P型半導(dǎo)體層
[0031]5P 型 InxGahN 層
[0032]6N 型 InyGai_yN 層
[0033]7ITO 薄膜層
[0034]8P 電極
[0035]9N 電極
[0036]10凹陷區(qū)域

【具體實施方式】
[0037]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。
[0038]請參閱圖1至圖4。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0039]實施例1
[0040]本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，請參閱圖1，所述發(fā)光二極管至少包括基板，所述基板自下而上依次包括襯底1、N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3及P型半導(dǎo)體層4 ;所述基板上形成有一底部到達所述N型半導(dǎo)體層2中的凹陷區(qū)域；所述P型半導(dǎo)體層4上自下而上依次形成有P型InxGa1J層5和N型InyGapyN層6，其中0〈x〈l，0〈y〈l ;所述N型InyGa1J層6上形成有ITO薄膜層7 ;所述ITO薄膜層7上形成有P電極8 ;所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層2上形成有N電極9。
[0041]具體的，所述襯底I可以是藍寶石襯底，也可以是其它半導(dǎo)體襯底，例如硅襯底或SOI。所述襯底I表面還可包括GaN緩沖層(未圖示)。所述N型半導(dǎo)體層2為N型GaN層，所述發(fā)光層3為多重量子阱，其材料可為In摻雜的GaN，所述P型半導(dǎo)體層4為P型GaN層。所述ITO薄膜層7的作用是擴散注入電流提高發(fā)光二極管的亮度。所述P型InxGahN層5和N型InyGai_yN層6位于所述P型半導(dǎo)體層4與所述ITO薄膜層7之間，可以進一步改善所述ITO薄膜層7與所述P型半導(dǎo)體層4之間的接觸性能，降低接觸電阻，從而降低發(fā)光二極管的工作電壓，降低器件功耗。N型InyGai_yN層具有比ITO薄膜更好的電流擴散能力，N型InyGai_yN層的存在可以進一步提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。由于ITO薄膜為N型，N型InyGa1J層相對于P型InxGa1J層與ITO薄膜層的接觸性能更好，更有利于電流的擴散。
[0042]此外，由于所述ITO薄膜層7為N型導(dǎo)電薄膜，所述P型半導(dǎo)體層4與所述ITO薄膜層形成一個反置PN結(jié)，通常為了提高反置PN結(jié)的隧穿效果，必須提高P型半導(dǎo)體層的摻雜濃度并降低ITO薄膜層的電阻，但是P型半導(dǎo)體層的P型激活效率較低，想要得到高空穴濃度的P型很困難，而降低ITO薄膜的電阻往往靠提高N型電子濃度，但是這也會導(dǎo)致ITO晶體質(zhì)量下降，增加光的吸收，不利于提高發(fā)光效率。本發(fā)明的發(fā)光二極管中，所述P型InxGahN層5與N型InyGapyN層6存在于所述P型半導(dǎo)體層4與所述ITO薄膜層7之間，P型InxGahN層5可以提高P型半導(dǎo)體層的摻雜濃度，同時N型InyGa1J層6可以降低ITO薄膜層的電阻，從而可以增大隧穿效果，優(yōu)化所述P型半導(dǎo)體層4與所述ITO薄膜層6之間的結(jié)性能。同時，通過進一步優(yōu)化所述P型InxGa1J^層5與N型InyGahyN層6中的x和y值，可以進一步改善所述P型半導(dǎo)體層4與所述ITO薄膜層6之間的結(jié)性能，進一步提高發(fā)光二極管的性能。
[0043]具體的，所述P型InxGa1J層5中，In的組分x的取值范圍優(yōu)選為0〈x〈0.3 ;所述N型InyGai_yN層5中，In的組分y的取值范圍優(yōu)選為0〈y〈0.3。本實施例中，優(yōu)選采用x=y，對接觸性能的改善及結(jié)性能的優(yōu)化效果更好。所述P型InxGapxN層5的厚度小于30nm,所述N型InyGai_yN層6的厚度小于30nm。本實施例中，所述P型InxGai_xN層5的厚度范圍優(yōu)選為0.5?5nm,所述N型InyGahyN層6的厚度范圍優(yōu)選為0.5?5nm。所述P型InxGa1-JiN層5或N型InyGai_yN層6的厚度過厚將會影響發(fā)光二極管的出光效率。
[0044]具體的，所述P型InxGahN層采用二茂鎂作為摻雜源，鎂的摻雜濃度范圍是
1.0E19?1.0E21/cm3。所述N型層InyGapyN采用硅烷(SiH4)作為摻雜源，硅的摻雜濃度范圍是1.0E19?1.0E21/cm3。在此摻雜濃度范圍內(nèi)，P型InxGapxN層/N型InyGa1J層作為P型半導(dǎo)體層與ITO薄膜層之間的接觸層，接觸性能更好。
[0045]本發(fā)明的發(fā)光二極管通過在P型半導(dǎo)體層與ITO薄膜層之間設(shè)置P型InxGahN層/N型InyGai_yN層，不僅可以有效改善P型半導(dǎo)體層與ITO薄膜層的接觸性能，降低發(fā)光二極管的工作電壓，從而降低器件功耗，還可以優(yōu)化所述P型半導(dǎo)體層與所述ITO薄膜層之間的結(jié)性能，進一步提高發(fā)光二極管的性能。
[0046]實施例2
[0047]本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制作方法，至少包括以下步驟:
[0048]I)提供一基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層；
[0049]2)對所述基板進行部分刻蝕，在所述基板中形成一凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域底部到達所述N型半導(dǎo)體層中；
[0050]3)在所述P型半導(dǎo)體層上自下而上依次形成P型InxGa^N層和N型InyGai_yN層，其中 0〈x〈l，0〈y〈l ；
[0051]4)在所述N型InyGai_yN層上形成一 ITO薄膜層；
[0052]5)在所述ITO薄膜層上形成P電極，在所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層上形成N電極。
[0053]圖2至圖4為本發(fā)明一個實施例的發(fā)光二極管的制作方法，所述示意圖只是實例，在此不應(yīng)過度限制本發(fā)明保護的范圍。
[0054]請參閱圖2，執(zhí)行步驟I)，提供一基板，所述基板自下而上依次包括襯底1、N型半導(dǎo)體層2、發(fā)光層3及P型半導(dǎo)體層4。
[0055]具體的，所述襯底I可以是藍寶石襯底，也可以是其它半導(dǎo)體襯底，例如硅襯底或SOI。所述襯底I表面還可包括GaN緩沖層(未圖示)。所述N型半導(dǎo)體層2為N型GaN層，所述發(fā)光層3為多重量子阱，其材料可為In摻雜的GaN，所述P型半導(dǎo)體層4為P型GaN層。
[0056]請參閱圖3，執(zhí)行步驟2)，對所述基板進行部分刻蝕，在所述基板中形成一凹陷區(qū)域10，所述凹陷區(qū)域10底部到達所述N型半導(dǎo)體層2中。
[0057]具體的，采用常規(guī)的MESA (平臺)刻蝕在所述基板中形成所述凹陷區(qū)域10，所述N型半導(dǎo)體層2部分被刻蝕掉。
[0058]請參閱圖4，執(zhí)行步驟3)及步驟4)，首先執(zhí)行步驟3)，在所述P型半導(dǎo)體層4上形成一 P型InxGa1J層5，其中0〈χ〈1，再在所述P型InxGapxN層上形成一 N型InyGa1J層6，其中 0〈y〈l。
[0059]具體的,所述P型InxGapxN層5和所述N型InyGahyN層6可通過外延法等形成,其中，所述P型InxGahN層采用二茂鎂作為摻雜源，鎂的摻雜濃度范圍是1.0E19?1.0E21/cm3 ;所述N型InyGa^N層采用硅烷(SiH4)作為摻雜源，硅的摻雜濃度范圍是1.0E19?1.0E21/cm3。
[0060]所述P型InxGahN層5中，In的組分x的取值范圍優(yōu)選為0〈y〈0.3 ;所述N型InyGa1J層6中，In的組分y的取值范圍優(yōu)選為0〈x〈0.3。所述P型InxGai_xN層5的厚度小于30nm,所述N型InyGa^yN層6的厚度小于30nm。本實施例中，所述P型InxGa^xN層5的厚度范圍優(yōu)選為0.5?5nm，所述N型InyGai_yN層6的厚度范圍優(yōu)選為0.5?5nm。
[0061]再執(zhí)行步驟4)，繼續(xù)在所述N型InyGai_yN層6上形成一 ITO薄膜層7。
[0062]具體的，所述ITO薄膜層7可采用真空蒸鍍法或濺射法形成，由于P型InxGahN層/N型InyGai_yN層作為接觸層存在于P型半導(dǎo)體層與ITO薄膜層之間，接觸電阻進一步降低，發(fā)光二極管的工作電壓得以進一步降低。且由于所述ITO薄膜層7為N型導(dǎo)電薄膜，所述P型半導(dǎo)體層4與所述ITO薄膜層7之間本身會形成一個PN結(jié)，本發(fā)明的發(fā)光二極管中，所述P型半導(dǎo)體層4與所述ITO薄膜層7之間P型InxGahN層/N型InyGa1J層的存在，可以優(yōu)化所述P型半導(dǎo)體層4與所述ITO薄膜層7之間的結(jié)性能，進一步提高發(fā)光二極管的性能。
[0063]請參閱前述圖1，執(zhí)行步驟5)，在所述ITO薄膜層7上形成P電極8，在所述凹陷區(qū)域10的N型半導(dǎo)體層2上形成N電極9。至此，制作得到發(fā)光二極管。
[0064]本發(fā)明的發(fā)光二極管通過在P型半導(dǎo)體層與ITO薄膜層之間設(shè)置P型InxGahN層/N型InyGai_yN層，不僅可以有效改善P型半導(dǎo)體層與ITO薄膜層的接觸性能，降低發(fā)光二極管的工作電壓，從而降低器件功耗，還可以優(yōu)化所述P型半導(dǎo)體層4與所述ITO薄膜層7之間的結(jié)性能，進一步提高發(fā)光二極管的性能。
[0065]綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管及其制作方法，利用P型InxGahN層/N型InyGapyN層作為ITO薄膜層與P型半導(dǎo)體層之間的接觸層，降低接觸電阻，通過調(diào)整P型InxGahN層和N型InyGai_yN層的厚度和摻雜濃度，可有效降低發(fā)光二極管的工作電壓，降低器件功耗。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0066]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于:所述發(fā)光二極管至少包括基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層；所述基板上形成有一底部到達所述N型半導(dǎo)體層中的凹陷區(qū)域；所述P型半導(dǎo)體層上自下而上分別形成有P型InxGahN層和N型InyGa1J層，其中0〈X〈l，0〈y〈l ;所述N型InyGa1J層上形成有ITO薄膜層；所述ITO薄膜層上形成有P電極；所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層上形成有N電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于:所述P型InxGahN層滿足0<x<0.3，所述P型InxGa1J層的厚度小于30nm ;所述N型InyGapyN層滿足0〈y〈0.3，所述N型InyGahyN層的厚度小于30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于:所述P型InxGahN層的厚度范圍是0.5?5nm,所述N型InyGahyN層的厚度范圍是0.5?5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于:所述P型InxGahN層采用二茂鎂作為摻雜源，鎂的摻雜濃度范圍是1.0E19?1.0E21/cm3 ;所述N型InyGai_yN層采用硅烷作為摻雜源，硅的摻雜濃度范圍是1.0E19?1.0E21/cm3。
5.一種發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管的制作方法至少包括以下步驟: 1)提供一基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層； 2)對所述基板進行部分刻蝕，在所述基板中形成一凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域底部到達所述N型半導(dǎo)體層中； 3)在所述P型半導(dǎo)體層上自下而上依次形成P型InxGahN層和N型InyGai_yN層，其中0〈x〈l，0〈y〈l ； 4)在所述N型InyGa^N層上形成一ITO薄膜層； 5)在所述ITO薄膜層上形成P電極，在所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層上形成N電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述P型InxGahN層滿足0〈x〈0.3，所述P型InxGapxN層的厚度小于30nm ;所述N型InyGa1J層滿足0〈y〈0.3，所述N型InyGa^yN層的厚度小于30nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述P型InxGahN層的厚度范圍是0.5?5nm，所述N型InyGa1J層的厚度范圍是0.5?5nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于:所述P型InxGahN層采用二茂鎂作為摻雜源，鎂的摻雜濃度范圍是1.0E19?1.0E21/cm3 ;所述N型InyGai_yN層采用硅烷作為摻雜源，硅的摻雜濃度范圍是1.0E19?1.0E21/cm3。
【文檔編號】H01L33/32GK104425669SQ201310374417
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月23日
【發(fā)明者】陳耀, 邢志剛, 李振毅, 王雪娟, 郝茂盛 申請人:上海藍光科技有限公司