用于半導體制造的集成工具的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于通過減少在制造工藝期間的排隊時間來減少在制造半導體器件時的缺陷的集成工具。該集成工具可以包括：包括至少一個拋光模塊的至少一個拋光工具；以及包括至少一個沉積室的至少一個沉積工具。至少一個抽空室可以將拋光工具連接到沉積工具。至少一個抽空室包括通道，經過該通道傳遞半導體器件。通過減少在制作工藝的各種階段的排隊時間來減少半導體器件中的缺陷。
【專利說明】用于半導體制造的集成工具
【技術領域】
[0001]本公開涉及半導體器件制造，并且具體地，涉及用于半導體制造的集成工具以及制造半導體器件的方法。
【背景技術】
[0002]可以使用多種工具(諸如沉積工具和化學機械拋光(CMP)工具)來制造半導體器件。沉積工具可以用來向器件添加材料，而CMP工具可以用來從器件去除材料。在制造期間，器件可能需要在一個或者多個CMP工具與一個或者多個沉積工具之間傳遞若干次。每當從第一工具向第二工具進行傳送時，存在與該傳送關聯(lián)的排隊時間。排隊時間是器件在未被工具中的任何工具處理時等待的持續(xù)時間。
[0003]情況可以是將用于制造工藝的連續(xù)步驟的兩個工具隔開大距離。然后從第一工具向第二工具傳送制造的器件以便工藝繼續(xù)。從第一工具向第二工具傳送器件所花費的時間可以大量增加排隊時間。
[0004]多年來，已經設計半導體器件以求更快切換速度和更大功能。一種用于實現(xiàn)具有這些能力的器件的方式已經是減少半導體器件內的特征的尺寸。另一種用于實現(xiàn)所需半導體器件性能的方式是使用不同材料。超低電介質(ULD)已知用于這一目的。

【發(fā)明內容】

[0005]發(fā)明人已經認識到，半導體器件(包括具有小特征尺寸和超低電介質材料的半導體器件)中的某些缺陷可能由于在制造工藝的步驟之間的延長的排隊時間而出現(xiàn)。因而這里描述用于為經歷制造工藝的半導體器件減少排隊時間的技術。
[0006]可以向單個集成工具中集成將在制造工藝中使用的各種工具。通過使用單個集成電路工具，可以減少排隊時間在工藝的各種階段的持續(xù)時間。
[0007]—些實施例涉及一種用于減少在制造半導體器件時的缺陷的集成工具，該集成工具包括具有至少一個拋光模塊的拋光工具和具有至少一個沉積室的第一沉積工具。至少一個抽空室將拋光工具連接到沉積工具。至少一個抽空室包括通道，經過該通道傳遞半導體器件。至少一個傳送機構經過通道并且向至少一個抽空室中傳遞所述半導體器件。在一些實施例中，第一沉積工具可以包括化學氣相沉積(CVD)工具和/或物理氣相沉積(PVD)工具，并且至少一個沉積室可以包括CVD室。第一沉積工具可以包括緩沖室。
[0008]集成工具也可以包括具有至少一個沉積室的至少一個附加沉積工具。至少一個附加沉積工具可以包括CVD工具和/或PVD工具。至少一個附加沉積工具可以包括緩沖室，該緩沖室耦合到第一沉積工具的緩沖室。耦合可以是直接連接或者它可以包括一個或者多個附加室(諸如附加抽空室)。在一些實施例中，至少一個沉積工具是多個工具。多個工具可以包括第二和第三沉積工具。第二和第三沉積二者工具可以直接連接到第一沉積工具或者經由附加抽空室耦合到第一沉積工具。
[0009]在一些實施例中，集成工具可以包括連接到至少一個附加抽空室的備用加載鎖。至少一個抽空室和至少一個附加抽空室可以包括多個抽空室。
[0010]一些實施例涉及一種制造半導體器件的方法。該方法可以包括在拋光工具中拋光半導體器件并且在第一沉積工具中向半導體器件上沉積至少第一材料?？梢园慈魏魏线m的順序執(zhí)行這些動作，并且可以在集成工具內的拋光工具與沉積工具之間移動半導體器件。
[0011]在一些實施例中，制造的半導體器件具有20nm或者更小的技術節(jié)點。沉積的第一材料可以具有超低電介質常數(shù)。這樣的材料稱為超低k(ULK)材料?？梢酝ㄟ^減少在拋光半導體器件與沉積第一材料之間的持續(xù)時間來減少半導體器件中的缺陷。
[0012]可以在第二沉積工具中向半導體器件上沉積第二材料。在一些實施例中通過減少在沉積第一材料與沉積第二材料之間的持續(xù)時間來減少半導體器件中的缺陷。第一材料可以形成金屬襯墊，并且第二材料可以形成金屬膜。在一些實施例中，第一沉積工具可以是CVD工具，并且第二沉積工具可以是PVD工具。
[0013]在一些實施例中，制造半導體器件的方法包括在集成工具內的第一沉積工具與第二沉積工具之間移動半導體器件。在第一沉積工具與第二沉積工具之間移動半導體器件可以包括向集成工具的抽空室中移動半導體器件。在CMP工具與沉積工具之間移動半導體器件也可以包括向集成工具的抽空室中移動半導體器件。
[0014]前文是所附權利要求限定的本發(fā)明的非限制性
【發(fā)明內容】
。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]附圖未旨在于按比例繪制。在附圖中，在各種圖中圖示的每個相同或者接近相同的部件由相似標號代表。為了清楚，可以未在每幅圖中標注每個部件。在附圖中:
[0016]圖1是圖示單個拋光工具和單個沉積工具的示例集成工具的框圖；
[0017]圖2是圖示單個拋光工具和兩個沉積工具的示例集成工具的框圖；
[0018]圖3是圖示單個拋光工具和三個沉積工具的示例集成工具的框圖；并且
[0019]圖4是圖示根據(jù)一些實施例的制造半導體器件的工藝的流程圖。
【具體實施方式】
[0020]發(fā)明人已經認識和理解，在半導體器件中集成金屬和超低k(ULK)材料(即具有超低電介質常數(shù)的材料)隨著制造的器件的尺寸減少而變得越來越有挑戰(zhàn)性。隨著器件的特征尺寸減少，曲線妨礙器件的性能，從而造成比具有更大特征的器件更高的故障率。這些缺陷未出現(xiàn)于具有更大特征的器件中或者未影響這些器件的性能。具體而言，缺陷在半導體器件的技術節(jié)點(technology node)隔開20nm或者更小時變得特別成問題。
[0021]發(fā)明人已經進一步認識和理解，缺陷的原因之一是半導體在制造工藝中的步驟之間等待的稱為排隊時間的時間量。發(fā)明人已經認識和理解，更長排隊時間造成比具有更短排隊時間的器件更經常出故障并且更快出故障的器件。未受任何特定理論限制，發(fā)明人推理增加的故障率是如下潮濕的結果，該潮濕影響電介質層并且增加依賴于時間的電介質擊穿(TDDB)的可能性。
[0022]發(fā)明人已經認識和理解，可以通過在包括多個工具的集成工具中執(zhí)行半導體器件的制造工藝來減少排隊時間。例如集成工具可以包括化學氣相沉積(CVD)工具、物理氣相沉積(PVD)工具和/或化學機械拋光(CMP)工具。經由直接連接或者經由抽空室(pump-down chamber)稱合集成工具的工具。
[0023]圖1是圖示集成工具100的一個可能實施例的框圖。集成工具100包括沉積工具120和CMP工具130。集成工具100也可以包括各種其它工具，諸如清潔工具150和內聯(lián)度量工具160。
[0024]經由加載鎖110向工具中加載集成工具100制造的半導體器件?？梢允褂萌魏芜m當數(shù)目的加載鎖110。例如圖1圖示三個加載鎖110?？梢韵蚣虞d鎖110中一次加載任何適當數(shù)目的半導體器件。例如單個晶片可以包括多個半導體器件。另外，可以向加載鎖110中加載多個晶片占用的盒。
[0025]向加載鎖110中加載半導體器件可以在制造工藝的任何階段。例如可以將制造工藝分成稱為線前端(FEOL)和線后端(BEOL)的兩個部分。FEOL是指第一器件制作部分，在該部分中，在半導體中圖案化器件的個體元件。BEOL是指第二器件制作部分，在該部分中互連器件的個體元件。集成工具100在一些實施例中僅負責BEOL處理。然而未這樣限制實施例。
[0026]一旦向加載鎖110中加載半導體器件，傳送機構112用來從加載鎖110移除半導體器件?？梢允褂萌魏芜m當傳送機構112。例如傳送機構112可以是機器人臂。然而可以使用其它傳送機構，諸如真空管，該真空管使用抽吸或者傳送帶來保持半導體器件?？梢允褂枚嘤谝粋€傳送機構。例如，如圖1中所示，傳送機構112可以經過通道113向第二傳送機構114傳遞半導體器件。根據(jù)將先使用哪個工具，傳送機構114可以向沉積工具120或者CMP工具130傳遞半導體器件。
[0027]CMP工具130包括多個CMP模塊132。用于執(zhí)行CMP的技術是已知的，并且實施例不限于CMP的任何具體實現(xiàn)方式。為了清楚，未用標號標注每個CMP模塊132的個體部件。然而本領域技術人員將認識，每個CMP模塊132可以包括如下部件，諸如漿液擴散臂、調控臂、調控盤、壓盤、壓盤工藝窗和CMP頭?？梢允褂帽绢I域已知的技術來構造CMP模塊132及其部件。半導體器件可以由多個CMP模塊132中的每個CMP模塊輪流處理。例如每個CMP模塊132可以在執(zhí)行CMP時使用不同參數(shù)?？梢宰兓膮?shù)包括但不限于壓盤的轉速、漿液擴散的速率、持續(xù)時間和壓強。
[0028]CMP工具130也可以包括用于從傳送機構114接收半導體器件并且向CMP模塊132之一的CMP頭提供半導體器件的傳送機構116。
[0029]盡管這里描述CMP工具，但是并不這樣限制實施例?？梢允褂萌魏芜m當拋光工具。例如可以使用自由研磨拋光工具或者化學蝕刻工具。
[0030]沉積工具120可以包括多個沉積室126、緩沖室124和用于接收半導體器件并且向沉積室126提供半導體器件的傳送機構128。每個室可以使用不同技術來沉積不同材料，或者可以在沉積室26中的每個沉積室中使用相同材料和技術。例如沉積的材料可以是絕緣體或者金屬。沉積的材料也可以是多于一種材料的混合。沉積工具120可以用于例如執(zhí)行化學氣相沉積(CVD)或者物理氣相沉積(PVD)。用于CVD或者PVD的技術在本領域中已知，并且實施例不限于用于執(zhí)行CVD和/或PVD的任何特定技術。
[0031]沉積工具120可以具有任何數(shù)目的沉積室126。圖1圖示具有五個沉積室126的沉積工具120。然而一些實施例可以使用更少沉積室。例如,如將結合圖2和圖3更具體討論的那樣，沉積工具120僅有兩個或者三個沉積室126可能是有利的。這可以使附加工具包含于集成工具100中。
[0032]在一些實施例中，沉積工具120可以向半導體器件上沉積超低k(ULK)電介質材料。如果材料的電介質常數(shù)是2.55或者更小，則可以將材料分類為ULK材料。另外，在一些實施例中，半導體器件可以具有隔開20nm或者更小的技術節(jié)點。技術節(jié)點可以是半導體器件的可以在陣列中圖案化的個體元件。
[0033]可以例如經由真空泵將沉積工具120的緩沖室128維持在減少的壓強。緩沖室124可以通過保證排空沉積室126中的每個沉積室中使用的材料并且不允許材料在制作的半導體器件移入另一個室126中之后與半導體器件發(fā)生接觸來幫助防止來自所述材料的可能污染。
[0034]沉積工具120可以通過任何適當手段耦合到CMP工具130。例如沉積工具120可以經由至少一個抽空室122連接到CMP工具130。圖1圖示具有三個抽空室122的一個實施例。然而本發(fā)明的實施例不限于任何具體數(shù)目的抽空室122。例如可以使用單個抽空室122。使用多個抽空室122的優(yōu)點是能夠并行執(zhí)行制作工藝的步驟。例如可以從CMP工具130向第一抽空室122中加載第一半導體器件而從沉積工具120向第二抽空室122中加載第二半導體器件。
[0035]抽空室122包括至少一個通道121，傳送機構114經過該通道傳遞半導體器件。在抽空室122中接收半導體器件時，例如使用真空泵來減少抽空室122的壓強。
[0036]在集成工具100中制作半導體器件期間，可以在沉積工具與CMP工具之間來回傳送器件若干次。例如可以在沉積工具120中在半導體器件上沉積至少一種材料的一層或者多層，繼而在CMP工具130中去除一層或者多層的至少一部分。在CMP工具完成平坦化時，可以使用沉積工具120在半導體器件上沉積附加層。每當在工具之間傳送半導體器件時，經過抽空室122傳遞器件。在集成工具100的工具之間傳遞半導體器件的次數(shù)依賴于制作的具體器件類型。實施例不限于與任何特定類型的器件使用，因此半導體器件可以由每個工具處理任何適當次數(shù)并且在集成工具100的工具之間被傳送任何適當次數(shù)。另外，可以按任何適當順序完成使用集成工具來處理半導體器件。
[0037]集成工具100也可以包括附加工具。例如可以在集成工具中包括清潔工具150和內聯(lián)度量工具160。由于CMP工具實施濕工藝，所以清潔工具150可以在制造工藝完成之前清潔半導體器件?？梢栽谥圃旃に嚨母鞣N階段使用內聯(lián)度量工具160以測量半導體器件和/或晶片的各種屬性。例如內聯(lián)度量工具160可以是用來測量半導體器件的金屬層的性質的渦電流測量工具。然而內聯(lián)度量工具160不限于任何特定度量技術。例如內聯(lián)度量工具160可以利用一個或者多個開爾文探針力顯微鏡以測量半導體器件的表面電荷分布圖和/或高度分布圖。
[0038]可以使用一個或者多個傳送機構112和114在各種工具(諸如清潔工具150和/或內聯(lián)度量工具160)之間傳送半導體器件。另外，實施例不限于在制造工藝的任何特定階段使用集成工具100的工具中的任何工具。例如可以僅在制造工藝結束時使用清潔模塊150。然而可以有如下情形，在這些情形中可以在制作工藝的中間步驟期間使用清潔模塊150。
[0039]通過將集成工具100的各種工具集成，顯著減少用于半導體器件的排隊時間，由此通過減少缺陷數(shù)目來減少成本。[0040]圖2是圖示集成工具200的一個附加實施例的框圖。集成工具200的許多部件與集成工具100的部件相似或者相同。因而，用與以上結合圖1描述的相同標號標注相似部件。另外，集成工具100的部件的以上描述適用于集成工具200的相似部件。因而，將不再重復以上描述，但是代之以通過引用將以上描述結合于此。
[0041]如以上描述的那樣，集成工具200包括一個CMP工具130和沉積工具120。沉積工具120包括兩個沉積室126。取代包括更多沉積室126，集成工具200包括耦合到沉積工具120的附加沉積工具220?？梢杂萌魏芜m當方式耦合兩個沉積工具。例如可以經由通道221直接連接兩個工具。然而附加工具和/或室可以用來將沉積工具120耦合到沉積工具220。例如可以在兩個沉積工具之間放置附加抽空室(在圖2中未示出)。另外，可以在沉積工具120與沉積工具220之間放置第三沉積工具。
[0042]附加沉積工具220可以包括一個或者多個沉積室226、緩沖室224和傳送機構228。可以使用任何適當沉積工具220。例如沉積工具220可以是與沉積工具120相同類型，或者兩個沉積工具可以是不同類型。例如沉積工具120可以是CVD工具而沉積工具220可以是PVD工具。類似地，可以將緩沖室224和緩沖室124維持在相同壓強或者不同壓強。例如可以將緩沖室120維持在比將緩沖室224維持于的第二壓強更高的第一壓強。
[0043]如果沉積工具220是PVD工具而沉積工具120是CVD工具，則集成工具200具有增加的靈活性從而允許制作更多種半導體器件。
[0044]圖3是圖示集成工具300的一個附加實施例的框圖。集成工具300的許多部件與集成工具100和200的部件相似或者相同。因而，用與以上結合圖1和圖2描述的相同標號標注相似部件。另外，集成工具100和200的部件的以上描述適用于集成工具300的相似部件。因而，將不再重復以上描述，但是代之以通過引用將以上描述結合于此。
[0045]如以上描述的那樣，集成工具300包括一個CMP工具130、第一沉積工具120和第二沉積工具220。第一沉積工具120包括兩個沉積室126，并且第二沉積工具220包括三個沉積室226。集成工具300也包括耦合到第一沉積工具120的第三沉積工具320?？梢杂萌魏芜m當方式耦合兩個沉積工具。例如可以經由通道直接連接兩個工具。然而附加工具和/或室可以用來將第一沉積工具120耦合到第三沉積工具320。例如可以在第一沉積工具120與第三沉積工具320之間放置附加抽空室330。另外，可以在第一沉積工具120與第三沉積工具320之間放置附加沉積工具。例如第三沉積工具320可以經由第二沉積工具220耦合到第一沉積工具120。
[0046]第三沉積工具320可以包括一個或者多個沉積室326、緩沖室324和傳送機構328?？梢允褂萌魏芜m當沉積工具320。例如第三沉積工具320可以是與第一沉積工具120或者第二沉積工具220相同類型或者兩個沉積工具可以是不同類型。例如第一沉積工具120可以是CVD工具而第二沉積工具220可以是PVD工具。第三沉積工具320可以是CVD工具或者PVD工具。類似地，可以將緩沖室324以及緩沖室124和224維持在相同壓強或者不同壓強。例如可以將緩沖室120維持在比將緩沖室224和324維持于的第二壓強更高的第一壓強。
[0047]在一些實施例中，第三沉積工具320和第一沉積工具120可以均為CVD工具。然而在半導體器件上沉積的材料可以不同。例如第一沉積工具120可以用來在半導體器件上沉積金屬而第三沉積工具320可以用來在半導體器件上沉積絕緣材料。另外，第二沉積工具220可以是向半導體器件上沉積金屬襯墊的PVD工具。在這樣的配置中，集成工具300具有增加的靈活性從而允許制作更多種半導體器件。
[0048]在一些實施例中，集成工具300可以包括一個或者多個備用加載鎖310。圖3圖示單個備用加載鎖310，但是可以使用任何數(shù)目的備用加載鎖。備用加載鎖310允許在除了加載鎖110之外的點處從集成工具移除半導體器件。這可能在需要將半導體器件帶到在用于處理的集成工具30以外的工具的情況下有利。另外，在沉積室中的一個或者多個沉積室出故障或者停機維護的情況下，備用加載鎖310可以用來向外部沉積室傳送半導體器件以執(zhí)行必需的制作步驟。
[0049]圖4是圖示根據(jù)一些實施例的制造半導體器件的工藝400的流程圖。在動作410處，在集成工具的第一沉積工具中向半導體器件上沉積第一材料的第一層。第一材料可以是任何適當材料，諸如金屬或者絕緣體。絕緣材料可以是ULK材料?？梢杂眠m當方式沉積第一層。例如可以使用CVD工具或者PVD工具來沉積第一層。
[0050]在動作420處，確定制造工藝中的下一動作是否為沉積下一層或者拋光半導體器件?？梢杂萌魏芜m當方式完成這一確定。例如集成工具可以使用集成工具的用戶設置的秘訣(recipe)或者程序。秘訣可以確定使用工具的順序。秘訣也可以指定工具中的每個工具將使用的參數(shù)。
[0051]如果確定下一動作是沉積動作，則可以在動作430處將半導體器件移向下一沉積工具。如果下一沉積工具是在動作410中用來沉積第一層的相同工具，則可以不必傳送半導體器件。然而，即使在動作430處使用相同沉積工具，仍然可以向沉積工具的不同沉積室傳遞半導體器件。
[0052]在已經將半導體器件移向下一沉積工具之后，在動作450處，在沉積工具中在半導體器件上沉積下一層。同樣可以用任何適當方式執(zhí)行這一沉積動作。例如可以使用CVD工具或者PVD工具來沉積下一層。在完成動作450之后，工藝400返回到動作420以確定下一動作是沉積動作或者拋光動作。
[0053]如果在動作420處確定下一動作是拋光動作，則將半導體器件移向CMP工具以經歷拋光。在動作460處執(zhí)行半導體器件的拋光。任何適當CMP技術可以用來拋光半導體器件。例如多種參數(shù)(諸如持續(xù)時間、壓強、漿液流速和壓盤轉速)可以用來控制CMP工具。
[0054]在一些實施例中，在動作440處將半導體器件移向CMP工具之前，可以將半導體器件移向內聯(lián)度量工具以測量半導體器件的各種屬性。測量的結果可以用來定制在拋光動作460中使用的CMP工具的參數(shù)。
[0055]可以用任何適當方式執(zhí)行其中在集成工具的工具之間移動半導體器件的動作430和440。例如它們可以由傳送機構112、114、124、224、324、116或者任何其它傳送機構執(zhí)行。通過向單個集成工具中并入在半導體制造工藝中使用的各種工具，可以通過減少在半導體制造工藝的每個步驟之間的排隊時間來減少在完成的半導體器件的操作中造成故障的缺陷數(shù)目。
[0056]例如在一些實施例中，可以使用PVD工具在半導體器件上沉積金屬襯墊。制造工藝的后繼動作可以是在金屬襯墊之上沉積金屬膜。在沉積金屬襯墊的動作與沉積金屬膜的動作之間的排隊時間可以是待減少的重要持續(xù)時間。如果這一排隊時間增加，則完成的半導體器件的故障可能性也可能增加。[0057]在沉積金屬膜之后，下一動作可以是用于去除金屬膜的部分并且平坦化半導體器件的拋光動作。在平坦化半導體器件之后，下一動作可以包括在金屬膜的保留部分之上沉積絕緣層。在拋光金屬膜的動作與沉積絕緣層的動作之間的排隊時間可以是待減少的重要持續(xù)時間。如果這一排隊時間增加，則完成的半導體器件的故障可能性也可能增加。
[0058]參照CMP工具和沉積工具描述本發(fā)明的上述實施例。并不這樣限制實施例?？梢韵蚣晒ぞ咧胁⑷肴魏纹渌雽w制作工具。例如可以在集成工具中包括蝕刻工具，諸如反應離子蝕刻(RIE)工具、熱工具(諸如退火爐)、離子注入工具和光刻工具。
[0059]本發(fā)明在它的應用中不限于在前文描述中闡述的或者在附圖中圖示的部件的構造細節(jié)和布置。本發(fā)明能夠是其它實施例并且以多種方式實踐或者執(zhí)行。同樣，這里使用的措詞和術語用于描述的目的而不應視為限制。這里使用“包括”或者“具有”、“包含”、“涉及到”及其變體意味著涵蓋其后列舉的項目及其等效項目以及附加項目。
[0060]可以獨自、在組合中或者在未在前文中描述的實施例中具體討論的多種布置中使用本發(fā)明的各種方面，因此本發(fā)明在它的應用中不限于在前文描述中闡述的或者在附圖中圖示的部件的細節(jié)和布置。例如在一個實施例中描述的方面可以用任何方式與在其它實施例中描述的方面組合。
[0061]也可以體現(xiàn)本發(fā)明為方法，已經提供該方法的至少一個示例?？梢杂萌魏芜m當方式對作為方法的一部分而執(zhí)行的動作排序。因而，可以構造其中按與所示順序不同的順序執(zhí)行動作的實施例，盡管在示例實施例中表示為依次動作，但是該不同順序可以包括同時執(zhí)行一些動作。
[0062]在權利要求中使用序數(shù)術語(諸如“第一”、“第二”、“第三”等)來修飾權利要求要素本身并不表示一個權利要求要素較另一權利要求要素而言的任何優(yōu)先、居先或者順序或者其中執(zhí)行方法的動作的時間順序，而是僅用作標記以區(qū)分具有某個名稱的一個權利要求要素與具有相同名稱(但是使用序數(shù)術語)的另一權利要求要素從而區(qū)分權利要求要素。
[0063]已經這樣描述本發(fā)明的至少一個實施例的若干方面，將理解本領域技術人員將容易想到各種變更、修改和改進。這樣的變更、修改和改進旨在于是本公開內容的部分并且旨在于在本發(fā)明的精神實質和范圍內。因而，前文描述和附圖僅通過示例。
【權利要求】
1.一種用于減少在制造半導體器件時的缺陷的集成工具，所述集成工具包括: 拋光工具，包括至少一個拋光模塊； 第一沉積工具，包括至少一個沉積室； 至少一個抽空室，將所述拋光工具連接到所述沉積工具，所述至少一個抽空室包括通道，經過所述通道傳遞所述半導體器件；以及 至少一個傳送機構，用于經過所述通道并且向所述至少一個抽空室中傳遞所述半導體器件。
2.根據(jù)權利要求1所述的集成工具，其中:所述第一沉積工具包括化學氣相沉積(CVD)工具；并且 所述至少一個沉積室是CVD室。
3.根據(jù)權利要求1所述的集成工具，還包括: 至少一個附加沉積工具，包括至少一個沉積室； 其中: 所述第一沉積工具包括緩沖室； 所述至少一個附加沉積工具包括緩沖室；并且 所述至少一個附加沉積工具的所述緩沖室耦合到所述第一沉積工具的所述緩沖室。
4.根據(jù)權利要求3所述的集成工具，其中: 所述第一沉積工具包括化學氣相沉積(CVD)工具；并且 所述至少一個附加沉積工具包括物理氣相沉積(PVD)工具。
5.根據(jù)權利要求3所述的集成工具，其中: 所述至少一個附加沉積工具的所述緩沖室直接連接到所述第一沉積工具的所述緩沖室。
6.根據(jù)權利要求3所述的集成工具，其中: 所述至少一個附加沉積工具的所述緩沖室經由至少一個附加抽空室耦合到所述第一沉積工具的所述緩沖室。
7.根據(jù)權利要求3所述的集成工具，其中: 所述至少一個附加沉積工具是至少包括第二沉積工具和第三沉積工具的多個沉積工具。
8.根據(jù)權利要求7所述的集成工具，其中: 所述第二沉積工具直接連接到所述第一沉積工具或者至少經由第一附加抽空室耦合到所述第一沉積工具；并且 所述第三沉積工具直接連接到所述第一沉積工具或者至少經由第二附加抽空室耦合到所述第一沉積工具。
9.根據(jù)權利要求6所述的集成工具，還包括: 備用加載鎖，直接連接到所述至少一個附加抽空室。
10.根據(jù)權利要求1所述的集成工具，其中: 所述至少一個抽空室包括多個抽空室。
11.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括: 在拋光工具中拋光所述半導體器件；在沉積工具中向所述半導體器件上沉積第一材料；并且 在集成工具內的所述拋光工具與所述沉積工具之間移動所述半導體器件。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述半導體器件具有20nm或者更小的技術節(jié)點。
13.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中沉積的所述第一材料是超低k(ULK)材料。
14.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中: 通過減少在拋光所述半導體器件與沉積所述第一材料之間的持續(xù)時間來減少所述半導體器件中的缺陷。
15.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述沉積工具是第一沉積工具，所述方法還包括: 在第二沉積工具中向所述半導體器件上沉積第二材料； 其中: 通過減少在沉積所述第一材料與沉積所述第二材料之間的持續(xù)時間來減少所述半導體器件中的缺陷。
16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中: 所述第一材料形成金屬襯墊；并且 所述第二材料形成金屬膜。`
17.根據(jù)權利要求15所述的方法，所述方法還包括: 在所述集成工具內的所述第一沉積工具與所述第二沉積工具之間移動所述半導體器件。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中: 所述第一沉積工具是化學氣相沉積(CVD)工具；并且 所述第二沉積工具是物理氣相沉積(PVD)工具。
19.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中: 在所述第一沉積工具與所述第二沉積工具之間移動所述半導體器件包括向所述集成工具的抽空室中移動所述半導體器件。
20.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中: 在所述拋光工具與所述沉積工具之間移動所述半導體器件包括向所述集成工具的抽空室中移動所述半導體器件。
【文檔編號】H01L21/67GK103681409SQ201310367953
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月20日 優(yōu)先權日:2012年9月14日
【發(fā)明者】J·H·張 申請人:意法半導體公司