內(nèi)藏電容模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種內(nèi)藏電容模塊，包括電極引出區(qū)以及與電極引出區(qū)相鄰配置的至少一固態(tài)電解電容區(qū)。電極引出區(qū)包括第一基板、第二基板、配置于第一基板及第二基板之間的第一絕緣材料、形成于第一基板的至少一表面上的第一多孔層以及配置于第一多孔層上的第一氧化層。固態(tài)電解電容區(qū)包括所有從電極引出區(qū)延伸的第一基板、第二基板、第一多孔層以及第一氧化層、配置于第一氧化層上的第一導(dǎo)電高分子層、配置于第一導(dǎo)電高分子層上的第一碳層以及配置于第一碳層上的第一導(dǎo)電粘著層。
【專利說明】?jī)?nèi)藏電容模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種內(nèi)藏電容模塊，特別是涉及一種利用固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)來增加電容值的內(nèi)藏電容模塊。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路(Integrated Circuit, IC)制造工程技術(shù)不斷地提高,可攜式電子產(chǎn)品發(fā)展講求輕、薄、短、小、高速、低耗電率及多功能性，隨著信號(hào)傳輸速度增加，IC承載基板必須要傳輸更高頻的信號(hào)，同步切換所產(chǎn)生的相互干擾也日益嚴(yán)重。為了降低IC承載基板上電源傳輸系統(tǒng)(Power Delivery System)的噪聲，目前高速IC載板皆是使用多顆表面粘著(Surface Mounted Devices, SMD)型式電容來濾除噪聲。這種用途的電容一般稱之為去率禹合電容(Decoupling Capacitor)或是旁路電容(Bypass Capacitor),主要功能是將額定的電能儲(chǔ)存在電容器中，在電能不足時(shí)可以適時(shí)補(bǔ)給電能，以達(dá)到吸收突波(Glitch)、降低射頻(Rad1 Frequency, RF)噪聲及穩(wěn)定電源的效果。
[0003]然而為了提供更低、更寬帶的阻抗路徑，則必須于IC載板上擺置數(shù)十至數(shù)百顆的SMD型式電容，借由電容并聯(lián)的方法來達(dá)到降低低頻或高頻阻抗的目的。未來IC信號(hào)速度不斷提高，在IC載板有限的面積下，擺放于IC載板表面的SMD型式電容所能降低的寄生電感值(Equivalent Series Inductance, ESL)勢(shì)必將遇到瓶頸。
[0004]然而，相較于焊接在印刷電路板或IC載板表面的SMD型式電容，在印刷電路板或IC載板中內(nèi)藏電容的方式，使得電容更靠近IC元件的電源接腳，因此高頻時(shí)基板內(nèi)藏電容的電源傳輸路徑所產(chǎn)生的寄生電感值較SMD電容低。相較于擺置在印刷電路板表面的去率禹合電容元件，基板內(nèi)藏去耦合電容元件擺置位置更靠近集成電路，基板內(nèi)藏電容技術(shù)是目前能將IC載板電源傳輸路徑所產(chǎn)生的寄生電感值降低的方法之一。
[0005]雖然，基板內(nèi)藏去耦合電容技術(shù)具有低寄生電感的優(yōu)點(diǎn)，但是受限于絕緣材料漏電流的規(guī)范，目前有機(jī)絕緣材料的介電常數(shù)(dielectric constant)仍很難高于100以上，導(dǎo)致在有限的基板厚度和面積內(nèi)，必須增加內(nèi)藏平板電容的層數(shù)才能使其電容值高于
0.1uF以上，此舉不但會(huì)降低制造工程的良率，還會(huì)增加基板制作的成本。此外，基板內(nèi)藏電容技術(shù)能提供的電容值也無法達(dá)到目前IC載板數(shù)百uF電容值的需求。因此如何增加基板內(nèi)藏電容的電容值及增加有效的去耦合頻寬，是目前基板內(nèi)藏電容技術(shù)亟需突破的難題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊，包括電極引出區(qū)及與電極引出區(qū)相鄰配置的至少一固態(tài)電解電容區(qū)。電極引出區(qū)包括第一基板、第二基板、配置于第一基板及第二基板之間的第一絕緣材料、形成于第一基板的至少一表面上的第一多孔層以及配置于第一多孔層上的第一氧化層。固態(tài)電解電容區(qū)包括從電極引出區(qū)延伸的第一基板、從電極引出區(qū)延伸的第二基板、從電極引出區(qū)延伸且在從電極引出區(qū)延伸的第一基板的至少一表面上形成的第一多孔層、從電極引出區(qū)延伸且配置于從電極引出區(qū)延伸的第一多孔層上的第一氧化層、配置于第一氧化層上的第一導(dǎo)電高分子層、配置于第一導(dǎo)電高分子層上的第一碳層以及配置于第一碳層上的第一導(dǎo)電粘著層。其中，第一導(dǎo)電粘著層與第二基板及第一碳層電性連接，第一絕緣材料與第一導(dǎo)電高分子層、第一碳層及第一導(dǎo)電粘著層的至少一側(cè)邊接觸。
[0007]本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊，包括至少一電極引出區(qū)及與電極引出區(qū)相鄰配置的至少一固態(tài)電解電容區(qū)。電極引出區(qū)包括第一基板、第二基板、配置于第一基板及第二基板之間的第一絕緣材料、形成于第一基板的表面上的第一多孔層及配置于第一多孔層上的第一氧化層。固態(tài)電解電容區(qū)包括從電極引出區(qū)延伸的第一基板、從電極引出區(qū)延伸的第二基板、從電極引出區(qū)延伸且在從電極引出區(qū)延伸的第一基板的至少一表面上形成的第一多孔層、從電極引出區(qū)延伸且配置于從電極引出區(qū)延伸的第一多孔層上的第一氧化層、配置于第一氧化層上的第一導(dǎo)電高分子層以及配置于第一導(dǎo)電高分子層上的第一導(dǎo)電粘著層。其中，第一導(dǎo)電粘著層與第二基板及第一導(dǎo)電高分子層電性連接，第一絕緣材料與第一導(dǎo)電高分子層及第一導(dǎo)電粘著層的至少一側(cè)邊接觸。
[0008]有關(guān)本發(fā)明的特征與實(shí)施，現(xiàn)配合附圖作實(shí)施例詳細(xì)說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1A及圖1B為本發(fā)明的一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0010]圖2A及圖2B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0011]圖3A及圖3B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0012]圖4A及圖4B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0013]圖5A及圖5B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0014]圖6A及圖6B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0015]圖7A及圖7B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0016]圖8A及圖8B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0017]圖9A及圖9B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0018]圖1OA及圖1OB為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0019]圖1lA及圖1lB為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0020]圖12A及圖12B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0021]圖13示出圖3A所示的內(nèi)藏電容模塊的多層電路板應(yīng)用的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖14A及圖14B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0023]圖15A及圖15B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0024]圖16A、圖16B及圖16C為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖；
[0025]圖17為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記
[0027]200、201、300、301、400、401、402、500:內(nèi)藏電容模塊
[0028]210、211、310、311、410、411、412、510:電極引出區(qū)
[0029]213、223、562a、562b、562c、564a、564b、564c:絕緣層
[0030]221、321、421、521:第一基板 222、322、422、522:第二基板
[0031]223、323、423、523:第三基板
[0032]230、231、330、331、430、431、432、530:固態(tài)電解電容區(qū)
[0033]232、234:結(jié)合層 241、341、441、541:第一絕緣材料
[0034]242、245、342、345、394、442、445、545:第一接墊絕緣材料
[0035]244、344、444、544:第二絕緣材料
[0036]246、346、446、546:第二接墊絕緣材料
[0037]247、343、347、396、443、447、547:導(dǎo)孔絕緣材料
[0038]251、351、451:第一多孔層 252、352:第二多孔層
[0039]253、353、452:第一氧化層 254、354:第二氧化層
[0040]261、264、265、281、361、365、461、464、465、481:第一導(dǎo)孔
[0041]262、266、362、366、462、466:第二導(dǎo)孔
[0042]263、267、363、367、463、467、567:第一電極接墊
[0043]268、368、468、568:第二電極接墊
[0044]271、371、471、474:第一導(dǎo)電高分子層
[0045]272、472、475:第一碳層
[0046]273、373、473、476:第一導(dǎo)電粘著層
[0047]274、374:第二導(dǎo)電高分子層 275:第二碳層
[0048]276、376、477:第二導(dǎo)電粘著層 282、385、482:第三導(dǎo)孔
[0049]372、431:第三導(dǎo)電高分子層 375、433:第三導(dǎo)電粘著層
[0050]377:第四導(dǎo)電高分子層379:第四導(dǎo)電粘著層
[0051]386:第四導(dǎo)孔387、570:第三電極接墊
[0052]432:第三碳層501、502、503、504:固態(tài)電解材料
[0053]548:第三接墊絕緣材料569:盲孔
[0054]572a、572b:信號(hào)層575:電源層
[0055]582:集成電路584:錫球
[0056]586:接墊600:1C 載板

【具體實(shí)施方式】
[0057]以下在實(shí)施方式中詳細(xì)敘述本發(fā)明的詳細(xì)特征以及優(yōu)點(diǎn)，其內(nèi)容足以使任何熟悉相關(guān)技術(shù)的人員了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，且根據(jù)本說明書所揭示的內(nèi)容、權(quán)利要求書及附圖，任何熟悉相關(guān)技術(shù)的人員可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點(diǎn)。以下的實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的觀點(diǎn)，但非以任何觀點(diǎn)限制本發(fā)明的范疇。
[0058]特別說明的是以下實(shí)施例的圖中示出的每一層厚度與尺寸以及各層之間的相對(duì)比例僅為示范例，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)的人員可知其并非實(shí)際的尺寸而可依實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整。然而，本發(fā)明可以眾多不同形式實(shí)施，而不應(yīng)將其視為僅限于本文所提及的實(shí)施例。在該些附圖中，為清晰起見，可放大及/或簡(jiǎn)化層及區(qū)的大小及相對(duì)大小。應(yīng)了解，當(dāng)稱一元件或?qū)印霸凇绷硪辉驅(qū)印吧稀?、“連接至”或“耦接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌芍苯釉诹硪辉驅(qū)由匣蚩赡艽嬖谥虚g元件或?qū)印４送?，即便以下提及多種實(shí)施例，但在該些附圖中，相同元件借由相同的附圖標(biāo)記來表示。
[0059]有鑒于目前基板內(nèi)藏電容技術(shù)無法大幅提高電容量的問題，本發(fā)明提出一種使用固態(tài)電解電容的內(nèi)藏電容模塊，借以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。
[0060]本發(fā)明提出大面積及高電容值內(nèi)藏電容模塊，此固態(tài)電容模塊可內(nèi)藏于印刷電路板中，還可與有機(jī)基板內(nèi)藏平板電容并聯(lián)。此電容模塊可提供數(shù)nF?數(shù)百uF的電容值，以解決目前印刷電路板內(nèi)藏平板電容器的電容值無法超過uF以上的問題。此基板內(nèi)藏電容模塊可應(yīng)用在印刷電路板、芯片承載基板中，提供一個(gè)大電容值、寬帶且低阻抗值的去耦合電容或旁路(Bypass)電容，以達(dá)到穩(wěn)定集成電路電源系統(tǒng)的目的。
[0061 ] 根據(jù)本發(fā)明所揭示的實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊，不但保留傳統(tǒng)固態(tài)電容大電容值的優(yōu)點(diǎn)，還可在內(nèi)埋于印刷電路板之后再進(jìn)行鉆孔或電鍍而與其它電路電性連接。
[0062]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可在印刷電路板中提供電路超過10uF以上的電容值。此夕卜，本發(fā)明的實(shí)施例可并聯(lián)超薄有機(jī)介電材料的超薄平板電容，更可在印刷電路板中提供電路數(shù)nF至數(shù)百uF的電容值范圍，具有可同時(shí)抑制低頻帶和高頻帶的電源噪聲的效果。各種實(shí)施例則詳述如下。
[0063]請(qǐng)參考圖1A及圖1B，其為本發(fā)明的一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊200的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0064]如圖1A及圖1B所示，內(nèi)藏電容模塊200包括至少一電極引出區(qū)210及至少一固態(tài)電解電容區(qū)230，而固態(tài)電解電容區(qū)230與電極引出區(qū)210相鄰配置。如圖1A所示，固態(tài)電解電容區(qū)230形成于兩電極引出區(qū)210之間。電極引出區(qū)210包括第一基板221、第二基板222、配置于第一基板221及第二基板222之間的第一絕緣材料241、形成于第一基板221的兩表面上的第一多孔層251及第二多孔層252、配置于第一多孔層251上的第一氧化層253以及配置于第二多孔層252上的第二氧化層254。第一多孔層251具有多個(gè)第一孔隙(圖中未不)，使第一氧化層253形成于第一孔隙的表面上。第二多孔層252具有多個(gè)第二孔隙(圖中未示)，使第二氧化層254形成于第二孔隙的表面上。以下各實(shí)施例均相同。
[0065]固態(tài)電解電容區(qū)230包括從電極引出區(qū)210延伸的第一基板221、從電極引出區(qū)210延伸的第二基板222、從電極引出區(qū)210延伸且在從電極引出區(qū)210延伸的第一基板221的兩表面上形成的第一多孔層251及第二多孔層252、從電極引出區(qū)210延伸且配置于從電極引出區(qū)210延伸的第一多孔層251上的第一氧化層253、從電極引出區(qū)210延伸且配置于從電極引出區(qū)210延伸的第二多孔層252上的第二氧化層254、配置于第一氧化層253上的第一導(dǎo)電高分子層271、配置于第一導(dǎo)電高分子層271上的第一碳層272以及配置于第一碳層272上的第一導(dǎo)電粘著層273。第一導(dǎo)電粘著層273與第二基板222及第一碳層272電性連接。例如固態(tài)電解電容區(qū)230形成于兩電極引出區(qū)210之間，則第一絕緣材料241與第一導(dǎo)電高分子層271、第一碳層272及第一導(dǎo)電粘著層273的至少一側(cè)邊接觸。
[0066]在一實(shí)施例中，第一基板221的材料通常是鋁但并非限定是鋁，其它適當(dāng)金屬也可。第二基板222的材料可使用銅或銀等導(dǎo)電材料但并非限定銅或銀等導(dǎo)電材料。第一導(dǎo)電高分子層271的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但并非限定是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)0第一導(dǎo)電粘著層273的材料可使用銀或其它導(dǎo)電材料但并非限定銀或其它導(dǎo)電材料。第一氧化層253及第二氧化層254則為金屬氧化層。第一絕緣材料241的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但并非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其它絕緣材料。以下各實(shí)施例均相同。
[0067]在一實(shí)施例中，第一基板221作為內(nèi)藏電容模塊200的第一電極,而第二基板222作為內(nèi)藏電容模塊200的第二電極。第一電極與第二電極的極性互為相反。
[0068]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊200還包括第一導(dǎo)孔261及第二導(dǎo)孔262。第一導(dǎo)孔261形成于電極引出區(qū)210中,第一導(dǎo)孔261與第一基板221電性連接,而第一導(dǎo)孔261與第二基板222電性絕緣。第二導(dǎo)孔262形成于電極引出區(qū)210中，第二導(dǎo)孔262與第二基板222電性連接,而第二導(dǎo)孔262與第一基板221電性絕緣。第一導(dǎo)孔261與第二導(dǎo)孔262的側(cè)壁以充填導(dǎo)電材料或電鍍等制造工程方法使其具有導(dǎo)電性。以下各實(shí)施例均相同。
[0069]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊200還包括位于電極引出區(qū)210中的第一電極接墊263、第一接墊絕緣材料242及導(dǎo)孔絕緣材料243。其中，第一電極接墊263配置于第一絕緣材料241上，而第一接墊絕緣材料242配置于第一電極接墊263的周圍。導(dǎo)孔絕緣材料243配置在第二導(dǎo)孔262的周圍且穿過第一基板221。第一電極接墊263與第一導(dǎo)孔261及第一基板221電性連接，而第一電極接墊263與第二基板222電性絕緣。第一接墊絕緣材料242及導(dǎo)孔絕緣材料243可為空氣或其它絕緣材料。以下各實(shí)施例均相同。
[0070]請(qǐng)參考圖2A及圖2B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊200的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0071]在本實(shí)施例中，大部分的元件具有與圖1A及圖1B的實(shí)施例的元件相同或相似的標(biāo)號(hào)，而這些元件的操作也相同于圖1A及圖1B的實(shí)施例的元件的操作。而圖2A及圖2B與圖1A及圖1B的實(shí)施例的不同之處在于第一導(dǎo)孔。在圖1A及圖1B中，第一導(dǎo)孔261為一貫孔，此貫孔穿過第一基板221。在本實(shí)施例中,第一導(dǎo)孔264為一盲孔,此盲孔未穿過第一基板221。第一導(dǎo)孔264與第一基板221及第一電極接墊263電性連接,而第一導(dǎo)孔264與第二基板222電性絕緣。
[0072]請(qǐng)參考圖3A及圖3B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊201的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0073]內(nèi)藏電容模塊201包括電極引出區(qū)211與固態(tài)電解電容區(qū)231，而且固態(tài)電解電容區(qū)231與電極引出區(qū)211相鄰配置。如圖3A及圖3B所示，固態(tài)電解電容區(qū)231形成于兩電極引出區(qū)211之間。電極引出區(qū)211包括第一基板221、第二基板222、配置于第一基板221及第二基板222之間的第一絕緣材料241、分別形成于第一基板221的兩表面的第一多孔層251及第二多孔層252、配置于第一多孔層251上的第一氧化層253以及配置于第二多孔層252上的第二氧化層254。第一多孔層251具有多個(gè)第一孔隙(圖中未不),使第一氧化層253形成于第一孔隙的表面上。第二多孔層252具有多個(gè)第二孔隙(圖中未示)，使第二氧化層254形成于第二孔隙的表面上。電極引出區(qū)211還包括有第三基板223以及配置于第一基板221及第三基板223之間的第二絕緣材料244。而固態(tài)電解電容區(qū)231還包括從電極引出區(qū)211延伸的第三基板223。
[0074]固態(tài)電解電容區(qū)231包括從電極引出區(qū)211延伸的第一基板221、從電極引出區(qū)211延伸的第二基板222、從電極引出區(qū)211延伸且分別在從電極引出區(qū)211延伸的第一基板221的兩表面上形成的第一多孔層251及第二多孔層252、從電極引出區(qū)211延伸且配置于從電極引出區(qū)211延伸的第一多孔層251上的第一氧化層253、從電極引出區(qū)210延伸且配置于從電極引出區(qū)210延伸的第二多孔層252上的第二氧化層254、配置于第一氧化層253上的第一導(dǎo)電高分子層271、配置于第一導(dǎo)電高分子層上271上的第一碳層272以及配置于第一碳層272上的第一導(dǎo)電粘著層273。第一導(dǎo)電粘著層273與第二基板222及第一碳層272電性連接。第一絕緣材料241與第一導(dǎo)電高分子層271、第一碳層272及第一導(dǎo)電粘著層273的至少一側(cè)邊接觸。固態(tài)電解電容區(qū)231則還包括有配置于第三基板223上的第二導(dǎo)電粘著層276、配置于第二導(dǎo)電粘著層276上的第二碳層275以及配置于第二碳層275上的第二導(dǎo)電高分子層274。第二導(dǎo)電粘著層276與第三基板223及第二碳層275電性連接。而第二絕緣材料244與第二導(dǎo)電高分子層274、第二碳層275及第二導(dǎo)電粘著層276的至少一側(cè)邊接觸。
[0075]在一實(shí)施例中，第一基板221的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板222及第三基板223的材料可使用銅或銀等導(dǎo)電材料但并非限定銅或銀等導(dǎo)電材料。第一導(dǎo)電高分子層271及第二導(dǎo)電高分子層274的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但并非限定是聚二氧乙烯噻吩(PED0T)。第一導(dǎo)電粘著層273及第二導(dǎo)電粘著層276的材料可使用銀或其它導(dǎo)電材料但并非限定銀或其它導(dǎo)電材料。第一氧化層253及第二氧化層254則為金屬氧化層。第一絕緣材料241及第二絕緣材料244的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但并非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其它絕緣材料。
[0076]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊201還包括有第一導(dǎo)孔265與第二導(dǎo)孔266。第一導(dǎo)孔265形成于電極引出區(qū)211中，第一導(dǎo)孔265與第一基板221電性連接,而第一導(dǎo)孔265與第二基板222及第三基板223電性絕緣。第二導(dǎo)孔266形成于電極引出區(qū)211中，第二導(dǎo)孔266與第二基板222及第三基板223電性連接，而第二導(dǎo)孔266與第一基板221電性絕緣。在本實(shí)施例中，第一基板221作為內(nèi)藏電容模塊201的第一電極,而第二基板222及第三基板223作為內(nèi)藏電容模塊201的第二電極。其中，第一電極與第二電極的極性互為相反。第一導(dǎo)孔265與第二導(dǎo)孔266的側(cè)壁以充填導(dǎo)電材料或電鍍等制造工程方法使其具有導(dǎo)電性。以下各實(shí)施例均相同。
[0077]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊201還包括有配置于第一絕緣材料241上的第一電極接墊267、配置于第一電極接墊267的周圍的第一接墊絕緣材料245、配置于第二絕緣材料244上的第二電極接墊268、配置于第二電極接墊268的周圍的第二接墊絕緣材料246、配置于第二導(dǎo)孔266周圍且穿過第一基板221的導(dǎo)孔絕緣材料247。其中，第一電極接墊267、第一接墊絕緣材料245、第二電極接墊268、第二接墊絕緣材料246及導(dǎo)孔絕緣材料247位于電極引出區(qū)211中。第一電極接墊267及第二電極接墊268與第一導(dǎo)孔265電性連接，而第一電極接墊267及第二電極接墊268與第二基板222及第三基板223電性絕緣。第一接墊絕緣材料245、第二接墊絕緣材料246及導(dǎo)孔絕緣材料247可為空氣或其它絕緣材料。以下各實(shí)施例均相同。
[0078]請(qǐng)參考圖4A及圖4B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊201的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0079]在本實(shí)施例中，大部分的元件與圖3A及圖3B的實(shí)施例的元件具有相同或相似的標(biāo)號(hào)，而這些元件的組成或操作也與圖3A及圖3B的實(shí)施例的元件相同或相似。而圖4A及圖4B與圖3A及圖3B的實(shí)施例的不同之處在于第一導(dǎo)孔。在圖3A及圖3B中，第一導(dǎo)孔265為一貫孔，此貫孔穿過第一基板221。而在圖4A及圖4B中，第一導(dǎo)孔281為一盲孔,此盲孔未穿過第一基板221。在本實(shí)施例中，模塊還包括有第一導(dǎo)孔281、第二導(dǎo)孔266與第三導(dǎo)孔282。其中，第一導(dǎo)孔281及第三導(dǎo)孔282為盲孔。第一導(dǎo)孔281與第一基板221及第一電極接墊267電性連接。第三導(dǎo)孔282與第一基板221及第二電極接墊268電性連接。第二導(dǎo)孔266與第二基板222及第三基板223電性連接，而第二導(dǎo)孔266與第一基板221電性絕緣。
[0080]在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)孔281的中心軸線對(duì)準(zhǔn)第三導(dǎo)孔282的中心軸線，如圖4A及圖4B所示。在另一實(shí)施例中，第一導(dǎo)孔281的中心軸線不對(duì)準(zhǔn)第三導(dǎo)孔282的中心軸線。第一導(dǎo)孔281與第二導(dǎo)孔266、第三導(dǎo)孔282的側(cè)壁以充填導(dǎo)電材料或電鍍等制造工程方法使其具有導(dǎo)電性。以下各實(shí)施例均相同。
[0081]請(qǐng)參考圖5A及圖5B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊400的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0082]如圖5A及圖5B所示，內(nèi)藏電容模塊400包括電極引出區(qū)410及固態(tài)電解電容區(qū)430，而固態(tài)電解電容區(qū)430與電極引出區(qū)410則相鄰配置。電極引出區(qū)410則包括第一基板421、第二基板422、配置于第一基板421及第二基板422之間的第一絕緣材料441、形成于第一基板421的至少一表面上的第一多孔層451以及配置于第一多孔層451上的第一氧化層452。在本實(shí)施例中，第一多孔層451形成于第一基板421的至少三個(gè)表面上，如圖5A所示。
[0083]固態(tài)電解電容區(qū)430則包括從電極引出區(qū)410延伸的第一基板421、從電極引出區(qū)410延伸的第二基板422、從電極引出區(qū)410延伸且在從電極引出區(qū)410延伸的第一基板421的至少一表面上形成的第一多孔層451、從電極引出區(qū)410延伸且配置于從電極引出區(qū)410延伸的第一多孔層451上的第一氧化層452、配置于第一氧化層452上的第一導(dǎo)電高分子層471、配置于第一導(dǎo)電高分子層471上的第一碳層472以及配置于第一碳層472上的第一導(dǎo)電粘著層473。第一導(dǎo)電粘著層473與第二基板422電性連接。第一絕緣材料441與第一導(dǎo)電高分子層471、第一碳層472及第一導(dǎo)電粘著層473的至少一側(cè)邊接觸。
[0084]在一實(shí)施例中，第一基板421的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板422的材料可使用銅或銀等導(dǎo)電材料但并非限定銅或銀等導(dǎo)電材料。第一導(dǎo)電高分子層471的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但并非限定是聚二氧乙烯噻吩(PED0T)。第一導(dǎo)電粘著層473的材料可使用銀或其它導(dǎo)電材料但并非限定銀或其它導(dǎo)電材料。第一氧化層452則為金屬氧化層。第一絕緣材料441的材料通常是玻璃纖維織布(pr印reg)但并非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其它絕緣材料。
[0085]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊400還包括第一導(dǎo)孔461與第二導(dǎo)孔462。第一導(dǎo)孔461形成于電極引出區(qū)410中，第一導(dǎo)孔461與第一基板421電性連接，而第一導(dǎo)孔461與第二基板422電性絕緣。第二導(dǎo)孔462形成于電極引出區(qū)410中，第二導(dǎo)孔462與第二基板422電性連接，而第二導(dǎo)孔462與第一基板421電性絕緣。在本實(shí)施例中，第一基板421作為內(nèi)藏電容模塊400的第一電極，第二基板422作為內(nèi)藏電容模塊400的第二電極。其中，第一電極與第二電極的極性互為相反。
[0086]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊400還包括配置于第一絕緣材料441上的第一電極接墊463、配置于第一電極接墊463的周圍的第一接墊絕緣材料442、配置于第二導(dǎo)孔462周圍且穿過第一基板421的導(dǎo)孔絕緣材料443。其中，第一電極接墊463、第一接墊絕緣材料442及導(dǎo)孔絕緣材料443皆位于電極引出區(qū)410中。第一電極接墊463與第一導(dǎo)孔461及第一基板421電性連接，而第一電極接墊463與第二基板422電性絕緣。
[0087]請(qǐng)參考圖6A及圖6B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊400的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0088]在本實(shí)施例中，大部分的元件與圖5A及圖5B的實(shí)施例的元件具有相同或相似的標(biāo)號(hào)，而這些元件的組成或操作也與圖5A及圖5B的實(shí)施例的元件相同或相似。而圖6A及圖6B與圖5A及圖5B的實(shí)施例的不同之處在于第一導(dǎo)孔。在圖5A及圖5B中，第一導(dǎo)孔461為一貫孔,此貫孔穿過第一基板421。而在本實(shí)施例中,第一導(dǎo)孔464為一盲孔,此盲孔未穿過第一基板421。第一導(dǎo)孔464與第一基板421及第一電極接墊463電性連接，而第一導(dǎo)孔464與第二基板422電性絕緣。
[0089]請(qǐng)參考圖7A及圖7B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊400的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0090]在本實(shí)施例中，大部分的元件與圖5A及圖5B的實(shí)施例的元件具有相同或相似的標(biāo)號(hào)，而這些元件的組成或操作也與圖5A及圖5B的實(shí)施例的元件相同或相似。在本實(shí)施例中，兩個(gè)固態(tài)電解電容區(qū)430與電極引出區(qū)410相鄰配置。第一多孔層451形成于第一基板421的所有表面上。位于內(nèi)藏電容模塊400的左側(cè)的固態(tài)電解電容區(qū)430與位于內(nèi)藏電容模塊400的右側(cè)的固態(tài)電解電容區(qū)430有相似或相同的結(jié)構(gòu)。而內(nèi)藏電容模塊400還包括配置于第一氧化層452上的第三導(dǎo)電高分子層431、配置于第三導(dǎo)電高分子層431上的第三碳層432以及配置于第三碳層432上的第三導(dǎo)電粘著層433。其中，第三導(dǎo)電粘著層433與第二基板422及第三碳層432電性連接。
[0091 ] 請(qǐng)參考圖8A及圖8B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊401的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0092]內(nèi)藏電容模塊401包括電極引出區(qū)411及固態(tài)電解電容區(qū)431，而固態(tài)電解電容區(qū)431與電極弓丨出區(qū)411相鄰配置。電極弓丨出區(qū)411包括第一基板421、第二基板422、配置于第一基板421及第二基板422之間的第一絕緣材料441、形成于第一基板421的至少一表面的第一多孔層451以及配置于第一多孔層451上的第一氧化層452。而內(nèi)藏電容模塊401還包括第三基板423及配置于第一基板421及第三基板423之間的第二絕緣材料444。其中，第三基板423及第二絕緣材料444位于電極引出區(qū)411及固態(tài)電解電容區(qū)431中。在本實(shí)施例中，第一多孔層451形成于第一基板421的至少三個(gè)表面上。
[0093]固態(tài)電解電容區(qū)431包括從電極引出區(qū)411延伸的第一基板421、從電極引出區(qū)411延伸的第二基板422、從電極引出區(qū)411延伸且在從電極引出區(qū)411延伸的第一基板421的至少一表面上形成的第一多孔層451、從電極引出區(qū)411延伸且配置于從電極引出區(qū)411延伸的第一多孔層451上的第一氧化層452、配置于第一氧化層452上的第一導(dǎo)電高分子層471、配置于第一導(dǎo)電高分子層471上的第一碳層472以及配置于第一碳層472上的第一導(dǎo)電粘著層473。第一導(dǎo)電粘著層473與第二基板422及第一碳層472電性連接。第一絕緣材料441與第一導(dǎo)電高分子層471、第一碳層472及第一導(dǎo)電粘著層473的至少一側(cè)邊接觸。
[0094]在一實(shí)施例中，第一基板421的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板422及第三基板423的材料可使用銅或銀等導(dǎo)電材料但并非限定銅或銀等導(dǎo)電材料。第一導(dǎo)電高分子層471的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但并非限定是聚二氧乙烯噻吩(PED0T)。第一導(dǎo)電粘著層473的材料可使用銀或其它導(dǎo)電材料但并非限定銀或其它導(dǎo)電材料。第一氧化層452為金屬氧化層。第一絕緣材料441及第二絕緣材料444的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但并非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其它絕緣材料。
[0095]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊401還包括第一導(dǎo)孔465與第二導(dǎo)孔466。第一導(dǎo)孔465形成于電極引出區(qū)411中，第一導(dǎo)孔465與第一基板421電性連接，而第一導(dǎo)孔465與第二基板422及第三基板423電性絕緣。第二導(dǎo)孔466形成于電極引出區(qū)411中，第二導(dǎo)孔466與第二基板422及第三基板423電性連接，而第二導(dǎo)孔466與第一基板421電性絕緣。在本實(shí)施例中，第一基板421作為內(nèi)藏電容模塊401的第一電極,而第二基板422及第三基板423作為內(nèi)藏電容模塊401的第二電極。其中，第一電極與第二電極的極性互為相反。
[0096]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊401還包括配置于第一絕緣材料441上的第一電極接墊467、配置于第一電極接墊467的周圍的第一接墊絕緣材料445、配置于第二絕緣材料444上的第二電極接墊468、配置于第二電極接墊468的周圍的第二接墊絕緣材料446以及配置于第二導(dǎo)孔466周圍且穿過第一基板421的的導(dǎo)孔絕緣材料447。其中，第一電極接墊467、第一接墊絕緣材料445、第二電極接墊468、第二接墊絕緣材料446以及導(dǎo)孔絕緣材料447皆位于電極引出區(qū)411中。第一電極接墊467及第二電極接墊468與第一導(dǎo)孔465及第一基板421電性連接，而第一電極接墊467及第二電極接墊468與第二基板422及第三基板423電性絕緣。
[0097]請(qǐng)參考圖9A及圖9B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊401的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0098]在本實(shí)施例中，大部分的元件與圖8A及圖8B的實(shí)施例的元件具有相同或相似的標(biāo)號(hào)，而這些元件的組成或操作也與圖8A及圖8B的實(shí)施例的元件相同或相似。在本實(shí)施例中，電極引出區(qū)411被固態(tài)電解電容區(qū)431所圍繞，且固態(tài)電解電容區(qū)431與電極引出區(qū)411相鄰配置。并且，第一多孔層451形成于第一基板421的所有表面上。
[0099]請(qǐng)參考圖1OA及圖10B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊402的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0100]如圖1OA及圖1OB所示，內(nèi)藏電容模塊402包括電極引出區(qū)412及固態(tài)電解電容區(qū)432，而固態(tài)電解電容區(qū)432與電極引出區(qū)412則相鄰配置。電極引出區(qū)412包括第一基板421、第二基板422、配置于第一基板421與第二基板422之間的第一絕緣材料441、形成于第一基板421的至少一表面的第一多孔層451以及配置于第一多孔層451上的第一氧化層452。而電極引出區(qū)412還包括第三基板423及配置于第一基板421及第三基板423之間的第二絕緣材料444。固態(tài)電解電容區(qū)432還包括從電極引出區(qū)412延伸的第三基板423。在本實(shí)施例中，第一多孔層451形成于第一基板421的至少三個(gè)表面上。
[0101]固態(tài)電解電容區(qū)432包括從電極引出區(qū)412延伸的第一基板421、從電極引出區(qū)412延伸的第二基板422、從電極引出區(qū)412延伸且在從電極引出區(qū)412延伸的第一基板421的至少一表面上形成的第一多孔層451、從電極引出區(qū)412延伸且配置于從電極引出區(qū)412延伸的第一多孔層451上的第一氧化層452、配置于第一氧化層452上的第一導(dǎo)電高分子層474以及配置于第一導(dǎo)電高分子層474上的第一碳層475。固態(tài)電解電容區(qū)432還包括第一導(dǎo)電粘著層476及第二導(dǎo)電粘著層477。其中，第一導(dǎo)電粘著層476配置于第一碳層475與第二基板422之間，而第二導(dǎo)電粘著層477配置于第一碳層475及第三基板423之間。第一絕緣材料411與第一導(dǎo)電高分子層474、第一碳層475及第一導(dǎo)電粘著層476的至少一側(cè)邊接觸。第二絕緣材料444與第一導(dǎo)電高分子層474、第一碳層475及第二導(dǎo)電粘著層477的至少一側(cè)邊接觸。
[0102]第一導(dǎo)電粘著層476與第二基板422及第一碳層475電性連接，而第二導(dǎo)電粘著層477與第三基板423及第一碳層475電性連接。
[0103]在一實(shí)施例中，第一基板421的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板422及第三基板423的材料可使用銅或銀等導(dǎo)電材料但并非限定銅或銀等導(dǎo)電材料。第一導(dǎo)電高分子層474的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但并非限定是聚二氧乙烯噻吩(PED0T)。第一導(dǎo)電粘著層476及第二導(dǎo)電粘著層477的材料可使用銀或其它導(dǎo)電材料但并非限定銀或其它導(dǎo)電材料。第一氧化層452為金屬氧化層。第一絕緣材料441及第二絕緣材料444的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但并非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其它絕緣材料。
[0104]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊402還包括第一導(dǎo)孔465與第二導(dǎo)孔466。第一導(dǎo)孔465形成于電極引出區(qū)412中，第一導(dǎo)孔465與第一基板421電性連接，而第一導(dǎo)孔465與第二基板422及第三基板423電性絕緣。第二導(dǎo)孔466形成于電極弓丨出區(qū)412中，第二導(dǎo)孔466與第二基板422及第三基板423電性連接，而第二導(dǎo)孔466與第一基板421電性絕緣。在本實(shí)施例中，第一基板421作為內(nèi)藏電容模塊402的第一電極,而第二基板422及第三基板423作為內(nèi)藏電容模塊402的第二電極。其中，第一電極與第二電極的極性互為相反。
[0105]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊402還包括配置于第一絕緣材料441上的第一電極接墊467、配置于第一電極接墊467周圍的第一接墊絕緣材料445、配置于第二絕緣材料444上的第二電極接墊468、配置于第二電極接墊468周圍的第二接墊絕緣材料446以及配置于第二導(dǎo)孔466周圍且穿過第一基板421的導(dǎo)孔絕緣材料447。其中，第一電極接墊467、第一接墊絕緣材料445、第二電極接墊468、第二接墊絕緣材料446以及導(dǎo)孔絕緣材料447皆位于電極引出區(qū)412中。第一電極接墊467及第二電極接墊468與第一導(dǎo)孔465電性連接，而第一電極接墊467及第二電極接墊468與第二基板422及第三基板423電性絕緣。
[0106]請(qǐng)參考圖1lA及圖11B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊402的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0107]在本實(shí)施例中，大部分的元件與圖1OA及圖1OB的實(shí)施例的元件具有相同或相似的標(biāo)號(hào)，而這些元件的組成或操作也與圖1OA及圖1OB的實(shí)施例的元件相同或相似。而圖1lA及圖1lB與圖1OA及圖1OB的實(shí)施例的不同之處在于第一導(dǎo)孔。在圖1OA及圖1OB中，第一導(dǎo)孔465為一貫孔,此貫孔穿過第一基板421。而圖1lA及圖1lB中，第一導(dǎo)孔481為一盲孔，此盲孔未穿過第一基板421。在本實(shí)施例中，模塊還包括第一導(dǎo)孔481、第二導(dǎo)孔466及第三導(dǎo)孔482。第一導(dǎo)孔481及第三導(dǎo)孔482為盲孔。第一導(dǎo)孔481與第一基板421及第一電極接墊467電性連接。第三導(dǎo)孔482與第一基板421及第二電極接墊468電性連接。第二導(dǎo)孔466與第二基板422及第三基板423電性連接,而第二導(dǎo)孔466與第一基板421電性絕緣。
[0108]請(qǐng)參考圖12A及圖12B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊402的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0109]在本實(shí)施例中，大部分的元件與圖1OA及圖1OB的實(shí)施例的元件具有相同或相似的標(biāo)號(hào)，而這些元件的組成或操作也與圖1OA及圖1OB的實(shí)施例的元件相同或相似。在本實(shí)施例中，電極引出區(qū)412被固態(tài)電解電容區(qū)432所圍繞，且固態(tài)電解電容區(qū)432與電極引出區(qū)412相鄰配置。并且，第一多孔層451形成于第一基板421的所有表面上。
[0110]圖13示出了圖3A所示的內(nèi)藏電容模塊應(yīng)用于多層電路板或IC載板600的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。內(nèi)藏電容模塊500包括至少一電極引出區(qū)510及至少一固態(tài)電解電容區(qū)530，而固態(tài)電解電容區(qū)530與電極引出區(qū)510則相鄰配置。在本實(shí)施例中，固態(tài)電解電容區(qū)530包括固態(tài)電解材料501、502、503及504。固態(tài)電解材料501、502、503及504的結(jié)構(gòu)及堆棧方式與圖3A所示的固態(tài)電解電容區(qū)231的結(jié)構(gòu)及堆棧方式類似。而固態(tài)電解材料501及503的形成方法及組成類似于如圖3A所示的第一導(dǎo)電高分子層271、第一碳層272及第一導(dǎo)電粘著層273的形成方法及組成。而固態(tài)電解材料502及504的形成方式及組成則類似于如圖3A所示的第二導(dǎo)電高分子層274、第二碳層275及第二導(dǎo)電粘著層276的形成方法及組成。在本實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊500還包括配置于第一絕緣材料541上的第一電極接墊567、配置于第一電極接墊567周圍的第一接墊絕緣材料545、配置于第二絕緣材料544上的第二電極接墊568、配置于第二電極接墊568周圍的第二接墊絕緣材料546以及配置于第二導(dǎo)孔566周圍且穿過第一基板521的導(dǎo)孔絕緣材料547。其中，第一電極接墊567、第一接墊絕緣材料545、第二電極接墊568、第二接墊絕緣材料546以及導(dǎo)孔絕緣材料547皆位于電極引出區(qū)510。第一電極接墊567及第二電極接墊568與第一導(dǎo)孔565及第一基板521電性連接，而第一電極接墊567及第二電極接墊568與第二基板522及第三基板523電性絕緣。
[0111]在本實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊500還包括至少一盲孔569、配置于第一絕緣材料541上的第三電極接墊570、配置于第三電極接墊570周圍的第三接墊絕緣材料548。前述盲孔569的連接關(guān)系則類似于如圖4A所示的第一盲孔281的連接關(guān)系。盲孔569與第一電極接墊567和第三電極接墊570及第一基板521電性連接，而盲孔569與第二基板522及第三基板523電性絕緣。如圖13所示，內(nèi)藏電容模塊500被內(nèi)藏或內(nèi)埋形成在IC載板600中，在內(nèi)藏電容模塊500的上下兩側(cè)均有絕緣層562a、562b、562c、564a、564b、564c。IC載板600中也形成信號(hào)層572a、572b、電源層575以及接地層576，分別形成于絕緣層562a、562b、562c、564a、564b、564c之中。于電路板制造工程時(shí)，在內(nèi)藏電容模塊500的第二基板522上形成絕緣層562a。接著，依序形成電源層575、絕緣層562b、信號(hào)層572a及絕緣層562c。類似地，在內(nèi)藏電容模塊500的第三基板523上形成絕緣層564a。接著，依序形成接地層576、絕緣層564b、信號(hào)層572b及絕緣層564c。雖然，此處以統(tǒng)稱方式命名絕緣層562a、562b、562c、564a、564b、564c，但本領(lǐng)域熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人員可知絕緣層562a、562b、562c、564a、564b、564c、信號(hào)層572a、572b、電源層575以及接地層576以一層一層地貼合或熱壓合的制造工程方式形成。集成電路(IC) 582通過錫球584及焊墊586與IC載板600中的線路電性連接，也即集成電路582有至少一錫球與IC載板600的接地層576電性連接，其至少有另一錫球與IC載板600的電源層575形成電性連接。IC載板600中的信號(hào)層572a、572b則用以傳遞信號(hào)。至少一第一導(dǎo)孔565與IC載板600的第一基板521、第一電極接墊567、第二電極接墊568及電源層575電性連接。至少一第二導(dǎo)孔566與IC載板600的第二基板522、第三基板523及接地層576電性連接。通過此一架構(gòu)，內(nèi)藏電容模塊500提供IC載板600的表面的集成電路582所需求的電容值。
[0112]請(qǐng)參考圖14A及圖14B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊300的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0113]如圖14A及圖14B所示，內(nèi)藏電容模塊300包括多個(gè)電極引出區(qū)310及一固態(tài)電解電容區(qū)330，而固態(tài)電解電容區(qū)330與電極引出區(qū)310相鄰配置。如圖14B所示，固態(tài)電解電容區(qū)330形成于兩電極引出區(qū)310之間。電極引出區(qū)310包括第一基板321、第二基板322、配置于第一基板321及第二基板322之間的第一絕緣材料341、分別形成于第一基板321的兩表面上的第一多孔層351及第二多孔層352、配置于第一多孔層351上的第一氧化層353以及配置于第二多孔層352上的第二氧化層354。
[0114]固態(tài)電解電容區(qū)330包括從電極引出區(qū)310延伸的第一基板321、從電極引出區(qū)310延伸的第二基板322、從電極引出區(qū)310延伸且分別形成于從電極引出區(qū)310的第一基板321的兩表面上的第一多孔層351及第二多孔層352、從電極引出區(qū)310延伸且配置于從電極引出區(qū)310延伸的第一多孔層351上的第一氧化層353、從電極引出區(qū)310延伸且配置于從電極引出區(qū)310延伸的第二多孔層352上的第二氧化層354、配置于第一氧化層353上的第一導(dǎo)電高分子層371以及配置于第一導(dǎo)電高分子層371上的第一導(dǎo)電粘著層373。第一導(dǎo)電粘著層373與第二基板322及第一導(dǎo)電高分子層371電性連接。由于固態(tài)電解電容區(qū)330形成于兩個(gè)電極引出區(qū)310之間，因此第一絕緣材料341與第一導(dǎo)電高分子層371及第一導(dǎo)電粘著層373的至少一側(cè)邊接觸。
[0115]在一實(shí)施例中，第一基板321的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板322的材料可使用銅或銀等導(dǎo)電材料但并非限定銅或銀等導(dǎo)電材料。第一導(dǎo)電高分子層371的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但并非限定是聚二氧乙烯噻吩(PED0T)。第一導(dǎo)電粘著層373的材料可使用銀或其它導(dǎo)電材料但并非限定銀或其它導(dǎo)電材料。第一氧化層353及第二氧化層354為金屬氧化層。第一絕緣材料341的材料通常是玻璃纖維織布(pr印reg)但并非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其它絕緣材料。
[0116]在一實(shí)施例中，第一基板321作為內(nèi)藏電容模塊300的第一電極，第二基板322作為內(nèi)藏電容模塊300的第二電極。第一電極與第二電極的極性互為相反。
[0117]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊300還包括第一導(dǎo)孔361及第二導(dǎo)孔362。第一導(dǎo)孔361形成于電極引出區(qū)310中,第一導(dǎo)孔361與第一基板321電性連接,而第一導(dǎo)孔361與第二基板322電性絕緣。第二導(dǎo)孔362形成于電極引出區(qū)310中，第二導(dǎo)孔362與第二基板322電性連接，而第二導(dǎo)孔362與第一基板321電性絕緣。
[0118]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊300還包括配置于第一絕緣材料341上的第一電極接墊363、配置于第一電極接墊363周圍的第一接墊絕緣材料342以及配置于第二導(dǎo)孔362周圍且穿過第一基板321的導(dǎo)孔絕緣材料343。其中，第一電極接墊363、第一接墊絕緣材料342以及導(dǎo)孔絕緣材料343皆位于電極引出區(qū)310中。第一電極接墊363與第一導(dǎo)孔361及第一基板321電性連接，而第一電極接墊363與第二基板322電性絕緣。
[0119]請(qǐng)參考圖15A及圖15B，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊301的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0120]內(nèi)藏電容模塊301包括多個(gè)電極引出區(qū)311及一固態(tài)電解電容區(qū)331，而固態(tài)電解電容區(qū)331與電極引出區(qū)311相鄰配置。如圖15A所示，固態(tài)電解電容區(qū)331形成于兩電極引出區(qū)311之間。電極引出區(qū)311包括第一基板321、第二基板322、配置于第一基板321及第二基板322之間的第一絕緣材料341、分別形成于第一基板321的兩個(gè)表面的第一多孔層351及第二多孔層352、配置于第一多孔層351上的第一氧化層353以及配置于第二多孔層352上的第二氧化層354。電極引出區(qū)311還包括第三基板323及配置于第一基板321及第三基板323之間的第二絕緣材料344。并且，固態(tài)電解電容區(qū)331還包括從電極引出區(qū)311延伸的第三基板323。
[0121]固態(tài)電解電容區(qū)331包括從電極引出區(qū)311延伸的第一基板321、從電極引出區(qū)311延伸的第二基板322、從電極引出區(qū)311延伸且在從電極引出區(qū)311延伸的第一基板321的至少一表面上形成的第一多孔層351、從電極引出區(qū)311延伸且配置于電極引出區(qū)311的第一多孔層351上的第一氧化層353、配置于第一氧化層353上的第一導(dǎo)電高分子層371以及配置于第一導(dǎo)電高分子層371上的第一導(dǎo)電粘著層373。第一導(dǎo)電粘著層373與第二基板322及第一導(dǎo)電高分子層371電性連接。第一絕緣材料341與第一導(dǎo)電高分子層371及第一導(dǎo)電粘著層373的至少一側(cè)邊接觸。固態(tài)電解電容區(qū)331還包括配置于第三基板上的第二導(dǎo)電粘著層376以及配置于第二導(dǎo)電粘著層376上的第二導(dǎo)電高分子層374。第二導(dǎo)電粘著層376與第三基板323及第二導(dǎo)電高分子層374電性連接。第二絕緣材料344與第二導(dǎo)電高分子層374及第二導(dǎo)電粘著層376的至少一側(cè)邊接觸。
[0122]在一實(shí)施例中，第一基板321的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板322及第三基板323的材料可使用銅或銀等導(dǎo)電材料但并非限定銅或銀等導(dǎo)電材料。第一導(dǎo)電高分子層371及第二導(dǎo)電高分子層374的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但并非限定是聚二氧乙烯噻吩(PED0T)。第一導(dǎo)電粘著層373及第二導(dǎo)電粘著層376的材料可使用銀或其它導(dǎo)電材料但并非限定銀或其它導(dǎo)電材料。第一氧化層353及第二氧化層354為金屬氧化層。第一絕緣材料341及第二絕緣材料344的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但并非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其它絕緣材料。
[0123]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊301還包括第一導(dǎo)孔365及第二導(dǎo)孔366。第一導(dǎo)孔365與第二導(dǎo)孔366皆形成于電極引出區(qū)311中。第一導(dǎo)孔365與第一基板321電性連接，而第一導(dǎo)孔365與第二基板322及第三基板323電性絕緣。第二導(dǎo)孔366與第二基板322及第三基板323電性連接，而第二導(dǎo)孔366與第一基板321電性絕緣。在本實(shí)施例中，第一基板321作為內(nèi)藏電容模塊301的第一電極,第二基板322及第三基板323作為內(nèi)藏電容模塊301的第二電極。第一電極與第二電極的極性互為相反。
[0124]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊301還包括配置于第一絕緣材料341上的第一電極接墊367、配置于第一電極接墊367周圍的第一接墊絕緣材料345、配置于第二絕緣材料344上的第二電極接墊368、配置于第二電極接墊368周圍的第二接墊絕緣材料346以及配置于第二導(dǎo)孔366周圍且穿過第一基板321的導(dǎo)孔絕緣材料347。其中，第一電極接墊367、第一接墊絕緣材料345、第二電極接墊368、第二接墊絕緣材料346以及導(dǎo)孔絕緣材料347皆位于電極弓丨出區(qū)311中。第一電極接墊367及第二電極接墊368與第一導(dǎo)孔365及第一基板321電性連接，而第一電極接墊367及第二電極接墊368與第二基板322及第三基板323電性絕緣。
[0125]請(qǐng)參考圖16A、圖16B及圖16C，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊301的剖面結(jié)構(gòu)示意圖及上視圖。
[0126]在本實(shí)施例中，大部分的元件與圖15A及圖15B的實(shí)施例的元件具有相同或相似的標(biāo)號(hào)，而這些元件的組成或操作也與圖15A及圖15B的實(shí)施例的元件相同或相似。
[0127]在本實(shí)施例中，固態(tài)電解電容區(qū)331還包括配置于第一氧化層353上的第三導(dǎo)電高分子層372以及配置于第三導(dǎo)電高分子層372上的第三導(dǎo)電粘著層375。第三導(dǎo)電粘著層375與第二基板322及第三導(dǎo)電高分子層372電性連接。第一絕緣材料341與第三導(dǎo)電高分子層372及第三導(dǎo)電粘著層375的至少一側(cè)邊接觸。
[0128]在本實(shí)施例中，固態(tài)電解電容區(qū)331還包括配置于第二氧化層354上的第四導(dǎo)電高分子層377以及配置于第四導(dǎo)電高分子層377上的第四導(dǎo)電粘著層379。第四導(dǎo)電粘著層379與第三基板323及第四導(dǎo)電高分子層377電性連接。第二絕緣材料344與第四導(dǎo)電高分子層377及第四導(dǎo)電粘著層379的至少一側(cè)邊接觸。
[0129]請(qǐng)參考圖16B，其為圖16A的實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊301的上視圖。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電高分子層371、第一導(dǎo)電粘著層373、第二導(dǎo)電高分子層374及第二導(dǎo)電粘著層376配置于相同的水平位置上。類似地，第三導(dǎo)電高分子層372、第三導(dǎo)電粘著層375、第四導(dǎo)電高分子層377及第四導(dǎo)電粘著層379也配置于相同的水平位置上。
[0130]請(qǐng)參考圖16C，其為圖16A的實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊301的上視圖。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電高分子層371、第一導(dǎo)電粘著層373、第二導(dǎo)電高分子層374及第二導(dǎo)電粘著層376則配置于不同的水平位置上。類似地，第三導(dǎo)電高分子層372、第三導(dǎo)電粘著層375、第四導(dǎo)電高分子層377及第四導(dǎo)電粘著層379也配置于不同的水平位置上。
[0131]請(qǐng)參考圖17，其為本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)藏電容模塊301的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0132]在本實(shí)施例中，大部分的元件與圖15A及圖15B的實(shí)施例的元件具有相同或相似的標(biāo)號(hào)，而這些元件的組成或操作也與圖15A及圖15B的實(shí)施例的元件相同或相似。
[0133]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊301還包括第三導(dǎo)孔385及第四導(dǎo)孔386。第三導(dǎo)孔385及第四導(dǎo)孔形成于電極引出區(qū)311中。第三導(dǎo)孔385與第一基板321電性連接，而第三導(dǎo)孔385與第二基板322及第三基板323電性絕緣。其中，第三導(dǎo)孔385為一盲孔。第四導(dǎo)孔386與第二基板322及第三基板323電性連接，而第四導(dǎo)孔386與第一基板321電性絕緣。其中，第四導(dǎo)孔386為一貫孔。
[0134]在一實(shí)施例中，內(nèi)藏電容模塊301還包括配置于第一絕緣材料341上的第三電極接墊387、配置于第三電極接墊387周圍的第一接墊絕緣材料394以及配置于第四導(dǎo)孔386周圍且穿過第一基板321的導(dǎo)孔絕緣材料396。第三電極接墊387與第三導(dǎo)孔385及第一基板321電性連接，而第三電極接墊387與第二基板322及第三基板323電性絕緣。第一導(dǎo)孔365、第三導(dǎo)孔385、第一電極接墊367、第二電極接墊368及第三電極接墊387與第一基板321電性連接。
[0135]綜合上述，本發(fā)明所揭示的內(nèi)藏電容模塊，不但保留傳統(tǒng)固態(tài)電容的大電容值的優(yōu)點(diǎn)，還可在內(nèi)埋于印刷電路板之后再于電極引出區(qū)進(jìn)行鉆孔或電鍍等印刷電路板制造工程與其它電路電性連接，而且配置在內(nèi)藏電容模塊的電極引出區(qū)中的導(dǎo)孔，不會(huì)造成內(nèi)藏電容模塊的電容值降低。
【權(quán)利要求】
1.一種內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，包括: 一電極引出區(qū)，具有一第一基板、一第二基板、配置于該第一基板與該第二基板之間的一第一絕緣材料、形成于該第一基板的至少一表面的一第一多孔層以及配置于該第一多孔層上的一第一氧化層；以及 至少一固態(tài)電解電容區(qū)，與該電極引出區(qū)相鄰配置，該至少一固態(tài)電解電容區(qū)包括從該電極引出區(qū)延伸的該第一基板、從該電極引出區(qū)延伸的該第二基板、從該電極引出區(qū)延伸且在從該電極引出區(qū)延伸的該第一基板的至少一表面上形成的該第一多孔層、從該電極引出區(qū)延伸且配置于從該電極引出區(qū)延伸的該第一多孔層上的該第一氧化層、配置于該第一氧化層上的一第一導(dǎo)電高分子層、配置于該第一導(dǎo)電高分子層上的一第一碳層以及配置于該第一碳層上的一第一導(dǎo)電粘著層，其中該第一導(dǎo)電粘著層與該第二基板及該第一碳層電性連接，且該第一絕緣材料與該第一導(dǎo)電高分子層、該第一碳層及該第一導(dǎo)電粘著層的至少一側(cè)邊接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該第一氧化層為一金屬氧化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該第一多孔層配置于該第一基板的部分或所有的表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該第一基板作為該內(nèi)藏電容模塊的一第一電極，該第二基板作為該內(nèi)藏電容模塊的一第二電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括: 一第一導(dǎo)孔，形成于該電極引出區(qū)，該第一導(dǎo)孔與該第一基板電性連接，且該第一導(dǎo)孔與該第二基板電性絕緣；以及 一第二導(dǎo)孔，形成于該電極引出區(qū)，該第二導(dǎo)孔與該第二基板電性連接，且該第二導(dǎo)孔與該第一基板電性絕緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括配置于該第一絕緣層上的一第一電極接墊、配置于該第一電極接墊的周圍的一第一接墊絕緣材料以及配置于該第二導(dǎo)孔周圍且穿過該第一基板的一導(dǎo)孔絕緣材料，其中該第一電極接墊與該第一導(dǎo)孔電性連接，且該第一電極接墊與該第二基板電性絕緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的內(nèi)藏電容模塊,其特征在于,該第一導(dǎo)孔為一貫孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的內(nèi)藏電容模塊,其特征在于,該第一導(dǎo)孔為一盲孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括一第三基板，以及配置于該第一基板與該第二基板之間的一第二絕緣材料，其中該第三基板及該第二絕緣材料位于該電極引出區(qū)及該至少一固態(tài)電解電容區(qū)中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括: 一第一導(dǎo)孔，形成于該電極引出區(qū)，該第一導(dǎo)孔電性連接該第一基板，且該第一導(dǎo)孔與該第二基板及該第三基板電性絕緣；以及 一第二導(dǎo)孔，形成于該電極引出區(qū)，該第二導(dǎo)孔電性連接該第二基板及該第三基板，且該第二導(dǎo)孔與該第一基板電性絕緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括配置于該第一絕緣層上的一第一電極接墊、配置于該第一電極接墊的周圍的一第一接墊絕緣材料、配置于該第二絕緣材料上的一第二電極接墊、配置于該第二電極接墊的周圍的一第二接墊絕緣材料以及配置于該第二導(dǎo)孔周圍且穿過該第一基板的一導(dǎo)孔絕緣材料，其中該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第一導(dǎo)孔電性連接，且該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第二基板及該第三基板電性絕緣。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該電極引出區(qū)還包括一第三基板以及配置于該第一基板與該第三基板之間的一第二絕緣材料，且該至少一固態(tài)電解電容區(qū)還包括從該電極引出區(qū)延伸的該第三基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該至少一固態(tài)電解電容區(qū)與該電極引出區(qū)相鄰配置，其中該至少一固態(tài)電解電容區(qū)還包括從該電極引出區(qū)延伸且在從該電極引出區(qū)延伸的該第一基板的至少一表面上形成的一第二多孔層、從該電極引出區(qū)延伸且配置于從該電極引出區(qū)延伸的該第二多孔層上的一第二氧化層、配置于該第二氧化層上的一第二導(dǎo)電高分子層、配置于該第二導(dǎo)電高分子層上的一第二碳層以及配置于該第二碳層上的一第二導(dǎo)電粘著層，其中該第二導(dǎo)電粘著層與該第三基板及該第二碳層電性連接，且該第二絕緣材料與該第二導(dǎo)電高分子層、該第二碳層及該第二導(dǎo)電粘著層的至少一側(cè)邊接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該第二多孔層配置于該第一基板的部分或所有的表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括: 一第一導(dǎo)孔，形成于該電極引出區(qū)，該第一導(dǎo)孔與該第一基板電性連接，且該第一導(dǎo)孔與該第二基板及該第三基板電性絕緣；以及 一第二導(dǎo)孔，形成于該電極引出區(qū)，該第二導(dǎo)孔與該第二基板及該第三基板電性連接，且該第二導(dǎo)孔與該第一基板電性絕緣。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的內(nèi)藏電容模塊,其特征在于,該第一導(dǎo)孔為一貫孔。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的內(nèi)藏電容模塊,其特征在于,該第一導(dǎo)孔為一盲孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括配置于該第一絕緣材料上的一第一電極接墊、配置于該第一電極接墊周圍的一第一接墊絕緣材料、配置于該第二絕緣材料上的一第二電極接墊、配置于該第二電極接墊周圍的一第二接墊絕緣材料以及配置于該第二導(dǎo)孔周圍且穿過該第一基板的一導(dǎo)孔絕緣材料，其中該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第一導(dǎo)孔電性連接，且該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第二基板及該第三基板電性絕緣。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括一第三導(dǎo)孔，形成于該電極引出區(qū)，該第三導(dǎo)孔與該第一基板及該第二電極接墊電性連接，且該第三導(dǎo)孔與該第二基板及該第三基板電性絕緣。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該至少一固態(tài)電解電容區(qū)還包括配置于該第一碳層與該第二基板之間的一第一導(dǎo)電粘著層、配置于該第一碳層與該第三基板之間的一第二導(dǎo)電粘著層，其中該第一絕緣材料與該第一導(dǎo)接墊高分子層、該第一碳層及該第一導(dǎo)電粘著層的至少一側(cè)邊接觸，且該第二絕緣材料與該第一導(dǎo)電高分子層、該第一碳層及該第二導(dǎo)電粘著層的至少一側(cè)邊接觸。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的內(nèi)藏電容模塊,其特征在于,該第一導(dǎo)電粘著層與該第二基板及該第一碳層電性連接，該第二導(dǎo)電粘著層與該第三基板及該第一碳層電性連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該至少一固態(tài)電解電容區(qū)與該電極引出區(qū)相鄰配置，且該電極引出區(qū)被該至少一固態(tài)電解電容區(qū)所環(huán)繞。
23.一種內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，包括: 至少一電極引出區(qū)，包括一第一基板、一第二基板、配置于該第一基板及該第二基板之間的一第一絕緣材料、形成于該第一基板的表面上的一第一多孔層以及配置于該第一多孔層上的一第一氧化層；以及 至少一固態(tài)電解電容區(qū)，與該至少一電極引出區(qū)相鄰配置，該至少一固態(tài)電解電容區(qū)包括從該至少一電極引出區(qū)延伸的該第一基板、從該至少一電極引出區(qū)延伸的該第二基板、從該至少一電極引出區(qū)延伸且在從該至少一電極引出區(qū)延伸的該第一基板的至少一表面上形成的該第一多孔層、從該至少一電極引出區(qū)延伸且配置于從該至少一電極引出區(qū)延伸的該第一多孔層上的該第一氧化層、配置于該第一氧化層上的該第一導(dǎo)電高分子層以及配置于該第一導(dǎo)電高分子層上的一第一導(dǎo)電粘著層，其中該第一導(dǎo)電粘著層與該第二基板及該第一導(dǎo)電高分子層電性連接，該第一絕緣材料與該第一導(dǎo)電高分子層及該第一導(dǎo)電粘著層的至少一側(cè)邊接觸。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的內(nèi)藏電容模塊,其特征在于,該第一氧化層為一金屬氧化層。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該第一基板作為該內(nèi)藏電容模塊的一第一電極，該第二基板作為該內(nèi)藏電容模塊的一第二電極。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括: 一第一導(dǎo)孔，形成于該至少一電極引出區(qū)，該第一導(dǎo)孔與該第一基板電性連接，且該第一導(dǎo)孔與該第二基板電性絕緣；以及 一第二導(dǎo)孔，形成于該至少一電極引出區(qū)，該第二導(dǎo)孔與該第二基板電性連接，且該第二導(dǎo)孔與該第一基板電性絕緣。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括配置于該第一絕緣材料上的一第一電極接墊、配置于該第一電極接墊周圍的一第一接墊絕緣材料以及配置于該第二導(dǎo)孔周圍且穿過該第一基板的一導(dǎo)孔絕緣材料，其中該第一電極接墊與該第一導(dǎo)孔電性連接，且該第一電極接墊與該第二基板電性絕緣。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該第一導(dǎo)孔為一貫孔。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的內(nèi)藏電容模塊,其特征在于,該第一導(dǎo)孔為一盲孔。
30.根據(jù)權(quán)利要求23所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該至少一電極引出區(qū)還包括一第三基板以及配置于該第一基板與該第三基板之間的一第二絕緣材料，且該至少一固態(tài)電解電容區(qū)還包括從該至少一電極引出區(qū)延伸的該第三基板。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該至少一固態(tài)電解電容區(qū)與該至少一電極引出區(qū)相鄰配置，其中該至少一固態(tài)電解電容區(qū)還包括從該至少一電極引出區(qū)延伸且在從該至少一電極引出區(qū)延伸的該第一基板的表面上形成的一第二多孔層、從該至少一電極引出區(qū)延伸且配置于從該至少一電極引出區(qū)延伸的該第二多孔層上的一第二氧化層、配置于該第二氧化層上的一第二導(dǎo)電高分子層以及配置于該第二導(dǎo)電高分子層上的一第二導(dǎo)電粘著層，其中該第二導(dǎo)電粘著層與該第三基板及該第二導(dǎo)電高分子層電性連接，且該第二絕緣材料與該第二導(dǎo)電高分子層及該第二導(dǎo)電粘著層的至少一側(cè)邊接觸。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括: 至少一第一導(dǎo)孔，形成于該至少一電極引出區(qū)，該至少一第一導(dǎo)孔與該第一基板電性連接，且該至少一第一導(dǎo)孔與該第二基板及該第三基板電性絕緣；以及 至少一第二導(dǎo)孔，形成于該至少一電極引出區(qū)，該至少一第二導(dǎo)孔與該第二基板及該第三基板電性連接，且該至少一第二導(dǎo)孔與該第一基板電性絕緣。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括配置于該第一絕緣材料上的一第一電極接墊、配置于該第一電極接墊周圍的一第一接墊絕緣材料、配置于該第二絕緣材料上的一第二電極接墊、配置于該第二電極接墊周圍的一第二接墊絕緣材料以及配置于該第二導(dǎo)孔周圍且穿過該第一基板的一導(dǎo)孔絕緣材料，其中該第一電極接墊及該第二電極接墊與該至少一第一導(dǎo)孔電性連接，且該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第二基板及該第三基板電性絕緣。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，該至少一導(dǎo)孔為一貫孔。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的內(nèi)藏電容模塊,其特征在于,該至少一導(dǎo)孔為一盲孔。
36.根據(jù)權(quán)利要求23所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括相鄰配置于該至少一電極引出區(qū)的一第一固態(tài)電解電容區(qū)以及配置于該至少一電極引出區(qū)的相對(duì)一側(cè)的一第二固態(tài)電解電容區(qū)，其中該第一固態(tài)電解電容區(qū)與該第二固態(tài)電解電容區(qū)互為分離。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的內(nèi)藏電容模塊，其特征在于，還包括一第三固態(tài)電解電容區(qū)及一第四固態(tài)電解電容區(qū)，其中該第一固態(tài)電解電容區(qū)、該第二固態(tài)電解電容區(qū)、該第三固態(tài)電解電容區(qū)及該第四固態(tài)電解電容區(qū)互為分離。
【文檔編號(hào)】H01G9/012GK104282441SQ201310364942
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月10日
【發(fā)明者】徐健明, 李明林, 杜佾璋, 蔡麗端 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院