專利名稱：一種檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法，具體涉及一種腐蝕金相法檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法，屬于多晶硅片的位錯(cuò)檢測(cè)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能光伏發(fā)電作為最有潛力的可再生資源利用形式之一，在近年來取得了飛速的發(fā)展，并且制備出具有較高光電轉(zhuǎn)換效率的電池片將成為未來的發(fā)展方向。然而，在多晶鑄錠過程中，由于種種原因，特別是高溫下硅晶體中的內(nèi)應(yīng)力使原子面間產(chǎn)生滑移，晶面局部產(chǎn)生塑性形變，在晶體中形成了晶格缺陷——位錯(cuò)。硅晶體中的位錯(cuò)將成為金屬雜質(zhì)的本征聚集中心，成為空穴和電子的復(fù)合中心，引起少子壽命(少子的平均生存時(shí)間)的顯著降低，從而導(dǎo)致電池片光電轉(zhuǎn)換效率的降低。所述少子即少數(shù)載流子，是半導(dǎo)體物理的概念。因此，將硅片的位錯(cuò)進(jìn)行顯示，有利于電池片轉(zhuǎn)換效率的分析，顯得尤為重要。目前，位錯(cuò)的顯示方法有X射線法、電子顯微鏡法、銅綴飾紅外透射法和腐蝕金相法等，最簡(jiǎn)單常用的是腐蝕金相法。腐蝕金相法的測(cè)試原理是:在硅晶體中，有位錯(cuò)的地方其原子的排列失去規(guī)則性，結(jié)構(gòu)比較松散，在這里的原子具有較高的能量，并受到較大的張力，因此在位錯(cuò)線和表面相交處很容易被腐蝕形成凹下的坑，即所謂腐蝕坑，腐蝕金相法就是利用這個(gè)特性來顯示位錯(cuò)和層錯(cuò)，然后通過金相顯微鏡進(jìn)行觀察，并通過視場(chǎng)中腐蝕坑的密度計(jì)算位錯(cuò)密度。腐蝕金相法中，傳統(tǒng)的腐蝕溶液為HNO3-HF混合酸，即HNO3-HF混合酸多晶硅片位錯(cuò)腐蝕方法，其反應(yīng)速 度較快，不利于較薄硅片的腐蝕，而且腐蝕后在硅片表面易發(fā)生氧化，產(chǎn)生黑色的氧化層，不利于位錯(cuò)的顯示和分析。因此，本領(lǐng)域需要開發(fā)一種腐蝕反應(yīng)較慢，便于控制腐蝕后硅片厚度，并且硅片在腐蝕后也不會(huì)發(fā)生氧化的腐蝕金相法。所述方法還應(yīng)達(dá)到在對(duì)多晶硅片進(jìn)行腐蝕后，可以清晰地看到硅片表面的晶粒、晶界及孿晶等顯微結(jié)構(gòu)，便于位錯(cuò)的分布分析的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法，用以解決現(xiàn)有位錯(cuò)腐蝕速度快、不易控制，腐蝕后易氧化，不易觀察，且不適用于厚度較薄的多晶硅片的問題。本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法，包括如下步驟:①位錯(cuò)腐蝕；②觀察腐蝕結(jié)果，計(jì)算位錯(cuò)密度；其中，所述位錯(cuò)腐蝕為將除去機(jī)械損傷層的多晶硅片浸泡在K2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕。 本發(fā)明采用K2Cr2O7-HF混合溶液對(duì)多晶硅片進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕，反應(yīng)速度較慢，便于對(duì)厚度較薄的多晶硅片進(jìn)行腐蝕，并且硅片在腐蝕后不會(huì)發(fā)生氧化；同時(shí)，采用該混合溶液對(duì)多晶硅片進(jìn)行腐蝕后，可以清晰地看到硅片表面的晶粒、晶界及孿晶等顯微結(jié)構(gòu)，便于位錯(cuò)的分布分析。本發(fā)明加入具有較弱氧化性物質(zhì)K2Cr2O7，降低了腐蝕反應(yīng)的速度，實(shí)現(xiàn)了可以對(duì)厚度較薄的多晶硅片進(jìn)行腐蝕的目的。本發(fā)明所述K2Cr2O7-HF混合溶液中，K2Cr2O7與HF酸的質(zhì)量比為1:1 1:4.5，例如 1:1.1、1: 1.3、1: 1.5、1: 1.9、1:2.4、1:2.8、1:3.2、1:3.5、1:3.7、1:3.9、1:4.3 等。質(zhì)量比大于1:1, HF酸的添加量少,位錯(cuò)腐蝕不徹底,無法有效反映位錯(cuò)密度；質(zhì)量比小于1:4.5,K2Cr2O7的添加量少，腐蝕反應(yīng)速度較快，不利于對(duì)較薄的多晶硅片進(jìn)行腐蝕。作為優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明所述K2Cr2O7-HF混合溶液由體積比為1:1 1:4的K2Cr2O7 溶液與 HF 溶液混合而成，體積比可以是 1:1.1、1: 1.3、1: 1.5、1: 1.9、1:2.4、1:2.8、1:3.2,1:3.5,1:3.7,1:3.9 等；所述K2Cr2O7溶液為K2Cr2O7的水溶液，所述K2Cr2O7溶液的濃度為0.1 0.2mol/L,例如 0.1lmol/L、0.13mol/L、0.14mol/L、0.16mol/L、0.18mol/L、0.19mol/L 等，優(yōu)選
0.15mol/L ；所述HF酸溶液為HF酸的水溶液，所述HF酸溶液濃度為45 55wt%，例如45.2wt%、45.8wt%、43wt%、43.5wt%、44.lwt%、44.6wt%、45.6wt%、46.3wt%、48wt%、49.3wt%>50.5wt%、52wt%、53.6wt%、54.lwt%、54.8wt% 等，優(yōu)選 49wt%。優(yōu)選地，本發(fā)明所述多晶硅片在K2Cr2O7-HF混合溶液中的浸泡時(shí)間為7 lOmin，例如 7.lmin、7.6min、8min、8.4min、8.9min、9.3min、9.6min 等。作為優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明所述位錯(cuò)腐蝕包括如下步驟:(I)清洗多晶硅片；(2)浸泡在H 2CrO4-HF混合酸中，除去機(jī)械損傷層；(3)去除多晶硅片表面的殘余酸液；(4)將多晶硅片浸泡在K2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕；(5)去除多晶硅片表面的殘余溶液，并進(jìn)行烘干。本發(fā)明通過H2CrO4-HF混合酸中反應(yīng)去除硅片表面的機(jī)械損傷層，使得硅片表面的晶粒、晶界及孿晶等顯微結(jié)構(gòu)肉眼清晰可見。優(yōu)選地，本發(fā)明所述H2Cr2O7-HF混合酸中，H2Cr2O7酸與HF酸的質(zhì)量比為1:1 1:4.5，例如 1:1.1、1:1.3、1:1.5、1:1.9、1:2.4、1:2.8、1:3.2、1:3.5、1:3.7、1:3.9、1:4.3等，優(yōu)選1: 1.3 1:4.2。作為優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明所述H2Cr2O7-HF混合酸由體積比為1:1 3:1 WH2Cr2O7酸溶液與HF酸溶液混合而成，體積比可以是1: 1、1.1:1,1.3:1,1.9:1,2.2:1,2.5:1,2.8:1等;所述H2Cr2O7酸溶液由CrO3粉末與水配制而成，所述H2Cr2O7酸溶液的濃度為0.8
1.2mol/L,例如 0.81mol/L、0.83mol/L、0.94mol/L、0.96mol/L、1.04mol/L、1.09mol/L、
1.13mol/L、1.17mol/L 等，優(yōu)選 lmol/L ；所述HF酸溶液為HF酸的水溶液，所述HF酸溶液濃度為45 55wt%，例如45.2wt%、45.8wt%、43wt%、43.5wt%、44.lwt%、44.6wt%、45.6wt%、46.3wt%、48wt%、49.3wt%>50.5wt%、52wt%、53.6wt%、54.lwt%、54.8wt% 等，優(yōu)選 49wt%。優(yōu)選地，所述多晶硅片在H2Cr2O7-HF混合酸中的浸泡時(shí)間為40_80s，例如41 s、43s、47s、52s、56s、62s、68s、71s、79s 等。
作為最優(yōu)選的技術(shù)方案，本發(fā)明所述位錯(cuò)腐蝕包括如下步驟:( I)將切割好的多晶硅片進(jìn)行清洗；(2)經(jīng)過清洗的多晶硅片在H2CrO4-HF混合酸中反應(yīng)去除硅片表面的機(jī)械損傷層；其中，H2CrO4酸由分析純的CrO3粉末與純水配制成濃度為lmol/L的溶液，HF酸濃度為49% ;兩種酸的體積比為H2CrO4:HF=1:1 3:1，反應(yīng)時(shí)間40 80s ；(3)將與H2CrO4-HF混合酸反應(yīng)后的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余酸液沖洗干凈；(4)經(jīng)過沖洗后的多晶硅片浸泡入K2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕；其中，K2Cr2O7溶液由分析純的K2Cr2O7粉末與純水配制成濃度為0.15mol/L的溶液，HF濃度為49% ;兩種溶液的體積比為K2Cr2O7 = HF=1:1 1:4，反應(yīng)時(shí)間7 IOmin ；(5)與K2Cr2O7-HF混合溶液腐蝕完的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余溶液沖洗干凈，隨后放入烘箱烘干。本發(fā)明在位錯(cuò)腐蝕之后進(jìn)行金相顯微鏡的位錯(cuò)觀察，并進(jìn)行位錯(cuò)密度的計(jì)算，所述位錯(cuò)觀察和計(jì)算是本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)，此處不再贅述，典型但非限制性的位錯(cuò)密度(單位為個(gè)數(shù)/cm2)的計(jì)算公式為:ND=n/s其中，Nd為位錯(cuò)密度；n為被觀測(cè)面上腐蝕坑的個(gè)數(shù);s為被觀測(cè)面的面積。由于多晶硅的缺陷形狀不同，多晶硅缺陷包括位錯(cuò)和層錯(cuò)，位錯(cuò)是晶體中的線缺陷，層錯(cuò)是面缺陷，因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明了，本發(fā)明所述的檢測(cè)方法是基于對(duì)多晶硅位錯(cuò)(或?qū)渝e(cuò))的缺陷的腐蝕來檢測(cè)的，腐蝕原理相同，因此位錯(cuò)和層錯(cuò)兩種缺陷的檢測(cè)均可以使用本發(fā)明提供的方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果:(I)本發(fā)明通過對(duì)硅片腐蝕酸液體系物質(zhì)的調(diào)整以及酸比例的優(yōu)化，尤其是加入具有較弱氧化性物質(zhì)K2Cr2O7,使得腐蝕反應(yīng)速度較慢，可以對(duì)厚度較薄的硅片進(jìn)行腐蝕，例如本發(fā)明對(duì)厚度為大于50 μ m的多晶硅片均可進(jìn)行處理，例如可以對(duì)于厚度為60 μ m、80 μ m、100 μ m、120 μ m、150 μ m、200 μ m、230 μ m 的多晶娃片進(jìn)行處理；(2)本發(fā)明先對(duì)多晶硅片表面的機(jī)械損傷層進(jìn)行處理，使得硅片表面的晶粒、晶界及孿晶等顯微結(jié)構(gòu)肉眼清晰可見，便于位錯(cuò)的分布；(3)本發(fā)明采用K2Cr2O7-HF混合溶液進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕，反應(yīng)速度較慢，便于對(duì)厚度較薄的多晶硅片進(jìn)行腐蝕，并且硅片在腐蝕后不會(huì)發(fā)生表面氧化，利于位錯(cuò)的顯示和分析。


圖1為去除表面機(jī)械損傷層的多晶硅片的表面照片；圖2為位錯(cuò)腐蝕后的多晶硅片的表面照片。
具體實(shí)施例方式為便于理解本發(fā)明，本發(fā)明列舉實(shí)施例如下。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明了，所述實(shí)施例僅僅是幫助理解本發(fā)明，不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的具體限制。實(shí)施例1
一種檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法，包括步驟①位錯(cuò)腐蝕；②觀察腐蝕結(jié)果，計(jì)算位錯(cuò)密度；其中，位錯(cuò)腐蝕包括如下步驟:(I)將切割好的，厚度為200 μ m的多晶硅片進(jìn)行清洗；(2)經(jīng)過清洗的多晶硅片在H2CrO4-HF混合酸中反應(yīng)去除硅片表面的機(jī)械損傷層；圖1為去除表面機(jī)械損傷層的多晶硅片的表面照片；其中，H2CrO4酸由分析純的CrO3粉末與純水配制成濃度為lmol/L的溶液，HF酸濃度為49% ;兩種酸的體積比為H2CrO4:HF=1:1 3:1，反應(yīng)時(shí)間40 80s ；(3)將與H2CrO4-HF混合酸反應(yīng)好的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余酸液沖洗干凈；(4)經(jīng)過沖洗后的多晶硅片浸泡入K2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕；其中，K2Cr2O7溶液由分析純的K2Cr2O7粉末與純水配制成濃度為0.15mol/L的溶液，HF濃度為49% ;兩種溶液的體積比為K2Cr2O7 = HF=1:1 1:4，反應(yīng)時(shí)間7 IOmin ；
(5)與K2Cr2O7-HF混合溶液腐蝕完的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余溶液沖洗干凈，隨后放入烘箱烘干；圖2為位錯(cuò)腐蝕后的多晶硅片的表面照片。如圖1和2所不,對(duì)多晶娃片進(jìn)行腐蝕后,可以清晰地看到多晶娃片表面的晶粒、晶界及孿晶等顯微結(jié)構(gòu)，并且位錯(cuò)聚集區(qū)域呈現(xiàn)出黑色熔絲形貌。選取位錯(cuò)腐蝕后的多晶硅片的不同位置，通過金相顯微鏡觀察，并讀出視場(chǎng)中的位錯(cuò)數(shù)目，取平均值，除以視場(chǎng)面積，即得到位錯(cuò)密度；經(jīng)計(jì)算，實(shí)施例1選取的多晶硅片的位錯(cuò)密度為lOOcnT2。實(shí)施例2一種檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法，包括步驟①位錯(cuò)腐蝕；②觀察腐蝕結(jié)果，計(jì)算位錯(cuò)密度；其中，位錯(cuò)腐蝕包括如下步驟:(I)將切割好的，厚度為160 μ m的多晶硅片進(jìn)行清洗；(2)經(jīng)過清洗的多晶硅片在H2CrO4-HF的混合酸中反應(yīng)去除硅片表面的機(jī)械損傷層；其中，H2CrO4酸與HF酸的質(zhì)量比為1:1 ;反應(yīng)時(shí)間80s ；(3)將與H2CrO4-HF混合酸反應(yīng)后的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余酸液沖洗干凈；(4)經(jīng)過沖洗后的多晶硅片浸泡入K2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕；其中，混合溶液中K2Cr2O7與HF酸的質(zhì)量比為1:4.5，反應(yīng)時(shí)間7min ；(5)與K2Cr2O7-HF混合溶液腐蝕完的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余溶液沖洗干凈，隨后放入烘箱烘干；位錯(cuò)的分布和密度計(jì)算與實(shí)施例1相同。實(shí)施例3一種檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法，包括步驟①位錯(cuò)腐蝕；②觀察腐蝕結(jié)果，計(jì)算位錯(cuò)密度；其中，位錯(cuò)腐蝕包括如下步驟:(I)將切割好的，厚度為80 μ m的多晶硅片進(jìn)行清洗；(2)經(jīng)過清洗的多晶硅片在H2CrO4-HF的混合酸中反應(yīng)去除硅片表面的機(jī)械損傷層；其中，H2CrO4酸與HF酸的質(zhì)量比為1:4.5 ;反應(yīng)時(shí)間40s ；(3)將與H2CrO4-HF混合酸反應(yīng)后的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余酸液沖洗干凈；(4)經(jīng)過沖洗后的多晶硅片浸泡入K2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕；其中，混合溶液中K2Cr2O7與HF的質(zhì)量比為1: 1，反應(yīng)時(shí)間IOmin ；(5)與K2Cr2O7-HF混合溶液腐蝕完的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余溶液沖洗干凈，隨后放入烘箱烘干；位錯(cuò)的分布和密度計(jì)算與實(shí)施例1相同。對(duì)比例選用HNO3-HF混合酸多晶硅片位錯(cuò)腐蝕方法，對(duì)厚度為200 μ m的多晶硅片進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕，腐蝕溶液為體積比1:18的HNO3和HF混合酸，IOs后硅片中心反應(yīng)穿透。申請(qǐng)人:聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)測(cè)試流程，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)的測(cè)試流程，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)測(cè)試流程才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體·方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法，包括如下步驟:①位錯(cuò)腐蝕；②觀察腐蝕結(jié)果，計(jì)算位錯(cuò)密度，其特征在于，所述位錯(cuò)腐蝕為將除去機(jī)械損傷層的多晶硅片浸泡在K2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述K2Cr2O7-HF混合溶液中，K2Cr2O7與HF的質(zhì)量比為1:1 1:4.5。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述K2Cr2O7-HF混合溶液由體積比為1:1 1:4的K2Cr2O7溶液與HF酸溶液混合而成； 優(yōu)選地，所述K2Cr2O7溶液為K2Cr2O7的水溶液，所述K2Cr2O7溶液的濃度為0.1 0.2mol/L，優(yōu)選 0.15mol/L, 優(yōu)選地，所述HF酸溶液為HF酸的水溶液，所述HF酸溶液濃度為45 55wt%，優(yōu)選49wt%0
4.如權(quán)利要求1 3之一所述的方法，其特征在于，所述多晶硅片在K2Cr2O7-HF混合溶液中的浸泡時(shí)間為7 lOmin。
5.如權(quán)利要求1 4之一所述的方法，其特征在于，所述位錯(cuò)腐蝕包括如下步驟: (1)清洗多晶娃片； (2)浸泡在H2CrO4-HF混合酸中，除去機(jī)械損傷層； (3)去除多晶硅片表面的殘余酸液； (4)將多晶硅片浸泡在K 2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕； (5)去除多晶硅片表面的殘余溶液，并進(jìn)行烘干。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述H2Cr2O7-HF混合酸中，H2Cr2O7與HF的質(zhì)量比為1:1 1:4.5，優(yōu)選1:1.3 1:4.2。
7.如權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述H2Cr2O7-HF混合酸由體積比為1:1 3:1的H2Cr2O7酸溶液與HF酸溶液混合而成。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述H2Cr2O7酸溶液由CrO3粉末與水配制而成，所述H2Cr2O7酸溶液的濃度為0.8 1.2mol/L，優(yōu)選lmol/L ； 優(yōu)選地，所述HF酸溶液為HF酸的水溶液，所述HF酸溶液濃度為45 55wt%，優(yōu)選49wt%0
9.如權(quán)利要求5 8之一所述的方法,其特征在于，所述多晶娃片在H2Cr2O7-HF混合酸中的浸泡時(shí)間為40-80s。
10.如權(quán)利要求1 9之一所述的方法，其特征在于，所述位錯(cuò)腐蝕包括如下步驟: (1)將切割好的多晶硅片進(jìn)行清洗； (2)經(jīng)過清洗的多晶硅片在H2CrO4-HF混合酸中反應(yīng)去除硅片表面的機(jī)械損傷層； 其中，H2CrO4酸由分析純的CrO3粉末與純水配制成濃度為lmol/L的溶液，HF酸濃度為49% ;兩種酸的體積比為H2CrO4:HF=1:1 3:1，反應(yīng)時(shí)間40 80s ； (3)將與H2CrO4-HF混合酸反應(yīng)后的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余酸液沖洗干凈； (4)經(jīng)過沖洗后的多晶硅片浸泡入K2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕； 其中，K2Cr2O7溶液由分析純的K2Cr2O7粉末與純水配制成濃度為0.15mol/L的溶液，HF濃度為49% ;兩種溶液的體積比為K2Cr2O7 = HF=1:1 1:4，反應(yīng)時(shí)間7 IOmin ；(5)與K2Cr2O7-HF混合溶液腐蝕完的多晶硅片浸泡在去離子水中，把多晶硅片表面的殘余溶液沖洗 干凈，隨后放入烘箱烘干。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)多晶硅片位錯(cuò)密度的方法，包括如下步驟①位錯(cuò)腐蝕；②觀察腐蝕結(jié)果，計(jì)算位錯(cuò)密度，所述位錯(cuò)腐蝕為將除去機(jī)械損傷層的多晶硅片浸泡在K2Cr2O7-HF混合溶液中進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕。本發(fā)明通過加入K2Cr2O7，使得腐蝕反應(yīng)速度較慢，可以對(duì)厚度較薄的多晶硅片進(jìn)行腐蝕，多晶硅片在腐蝕后不會(huì)發(fā)生表面氧化，利于位錯(cuò)的顯示和分析。
文檔編號(hào)H01L21/66GK103236406SQ20131013051
公開日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月15日
發(fā)明者郭慶紅, 李飛龍, 許濤, 黎曉豐, 翟傳鑫, 王珊珊 申請(qǐng)人:阿特斯(中國(guó))投資有限公司, 阿特斯光伏電力(洛陽(yáng))有限公司