專利名稱：肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及肖特基芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，例如筆記本電腦、手機(jī)、迷你CD、掌上電腦、CPU、數(shù)碼照相機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品越來越向小型化方向發(fā)展。隨著產(chǎn)品的做小做薄，工IC中的數(shù)百萬個(gè)晶體管所產(chǎn)生的熱量如何散發(fā)出去就變?yōu)橐粋€(gè)不得不考慮的問題?，F(xiàn)有技術(shù)中，雖然可以通過提升工IC制程能力來降低電壓等方式來減小發(fā)熱量，但是仍然不能避免發(fā)熱密度增加的趨勢(shì)。散熱問題不解決，會(huì)使得工器件因過熱而影響到產(chǎn)品的可靠性，嚴(yán)重地會(huì)縮短產(chǎn)品壽命甚至造成產(chǎn)品損毀。
現(xiàn)有技術(shù)，如附圖1所示是一種典型的DFN封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，包括芯片900，散熱片920、引線框架930、多個(gè)導(dǎo)線940，以及包裹上述結(jié)構(gòu)的絕緣膠950。芯片900粘附在散熱片920上，引線框架930具有多個(gè)相互絕緣的管腳，芯片900表面的焊盤通過導(dǎo)線940連接在引線框架93。相應(yīng)的管腳上。絕緣膠950將上述結(jié)構(gòu)全部包裹起來，以將其同外界隔離，僅將引線框架930的各個(gè)管腳和散熱片920與芯片900相對(duì)的表面暴露在空氣中。引線框架930暴露出來的管腳用于實(shí)現(xiàn)被封裝的芯片900同外界的電學(xué)連接，而散熱片920暴露出來的作用在于將芯片900工作時(shí)產(chǎn)生的熱量通過暴露的表面散發(fā)到環(huán)境中去；附圖2為另一種典型的封裝結(jié)構(gòu)，其同樣為引腳和散熱片分離，且引腳外露，仍然存在體積大而不利于散熱的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，此肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)既有利于進(jìn)一步縮小器件的體積，有利于減少歐姆接觸電阻，同時(shí)由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個(gè)整體，提高了電性能的穩(wěn)定性。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括肖特基芯片、包覆于肖特基芯片四周的環(huán)氧樹脂層，導(dǎo)電基盤、第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤，所述肖特基芯片由第一肖特基芯片和第二肖特基芯片組成；所述導(dǎo)電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，此基盤引腳區(qū)由若干個(gè)相間排列的負(fù)極引腳組成，此負(fù)極引腳一端與散熱區(qū)端面電連接，所述散熱區(qū)位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片正下方且與第一肖特基芯片和第二肖特基芯片負(fù)極之間通過軟焊料層電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片另一側(cè)，所述第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤各自均包括焊接區(qū)和引腳區(qū)，焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)；第一金屬線跨接于所述第一肖特基芯片的正極與第一導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間，所述第一金屬線與肖特基整流芯片的焊接條至少為2條且相間排列，第二金屬線跨接于所述第二肖特基芯片的正極與第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間，所述第二金屬線與肖特基整流芯片的焊接條至少為2條且相間排列；所述軟焊料層由以下質(zhì)量百分含量的組分組成 鉛92.5%、錫 5%、銀 2.5%ο上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下:
1、上述方案中，所述第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤各自的焊接區(qū)與肖特基芯片位于同一水平面。2、上述方案中，所述負(fù)極引腳的數(shù)目為四根。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果:
1、本發(fā)明肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)中焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)，并保證了第一、第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)與第一肖特基芯片、第二肖特基芯片的正極在同一水平面，從而有效避免了由于肖特基芯片正極的第一金屬線、第二金屬線較細(xì)在使用中容易斷的技術(shù)缺陷，從而延長了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。2、本發(fā)明肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，其正極與導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間跨接有第一金屬線、第二金屬線，且第一金屬線、第二金屬線與肖特基整流芯片的正極的焊接條至少為2條且相間排列，這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)從而有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標(biāo)，同時(shí)也減少熱量的產(chǎn)生。3、本發(fā)明肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，其同時(shí)兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個(gè)部件功能，既有利于進(jìn)一步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數(shù)目，同時(shí)由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個(gè)整體，提高了電性能的穩(wěn)定性。4、本發(fā)明肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個(gè)部件功能，散熱區(qū)位于肖特基整流芯片正下方且與肖特基整流芯片負(fù)極之間通過軟焊料層電連接且所述軟焊料層由以下特定質(zhì)量百分含量的組分組成:鉛92.5%、錫5%、銀
2.5%,從而進(jìn)一步提聞了導(dǎo)電 基盤的散熱性能。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
圖2為本發(fā)明肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)示意 圖3為附圖2中沿A-A線的剖視圖。
以上附圖中:11、第一肖特基芯片；12、第_■肖特基芯片；2、環(huán)氧樹脂層；3、導(dǎo)電基盤；31、散熱區(qū)；32、基盤引腳區(qū)；321、漏極引腳；4、第一導(dǎo)電焊盤；51、第一金屬線；52、第二金屬線；6、軟焊料層；7、焊接區(qū)；8、引腳區(qū)；9、折彎部；10、第二導(dǎo)電焊盤；13、焊接條。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
實(shí)施例1:一種肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括肖特基芯片1、包覆于肖特基芯片I四周的環(huán)氧樹脂層2、導(dǎo)電基盤3、第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤10，所述肖特基芯片I由第一肖特基芯片11和第二肖特基芯片12組成；所述導(dǎo)電基盤3由散熱區(qū)31和基盤引腳區(qū)32組成，此基盤引腳區(qū)32由若干個(gè)相間排列的負(fù)極引腳321組成，此負(fù)極引腳321 —端與散熱區(qū)31端面電連接，所述散熱區(qū)31位于第一肖特基芯片11和第二肖特基芯片12正下方且與第一肖特基芯片11和第二肖特基芯片12負(fù)極之間通過軟焊料層6電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤10位于第一肖特基芯片11和第二肖特基芯片12另一側(cè)，所述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤10各自均包括焊接區(qū)7和引腳區(qū)8，焊接區(qū)7與引腳區(qū)8的連接處具有一折彎部9，從而使得焊接區(qū)7高于引腳區(qū)8 ;第一金屬線51跨接于所述第一肖特基芯片11的正極與第一導(dǎo)電焊盤4的焊接區(qū)7之間，所述第一金屬線51與肖特基整流芯片I的焊接條13至少為2條且相間排列，第二金屬線52跨接于所述第二肖特基芯片12的正極與第二導(dǎo)電焊盤10的焊接區(qū)7之間，所述第二金屬線52與肖特基整流芯片I的焊接條13至少為2條且相間排列；所述軟焊料層6由以下質(zhì)量百分含量的組分組成:鉛92.5%、錫 5%、銀 2.5%ο實(shí)施例2:—種肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括肖特基芯片1、包覆于肖特基芯片I四周的環(huán)氧樹脂層2、導(dǎo)電基盤3、第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤10，所述肖特基芯片I由第一肖特基芯片11和第二肖特基芯片12組成；所述導(dǎo)電基盤3由散熱區(qū)31和基盤引腳區(qū)32組成，此基盤引腳區(qū)32由若干個(gè)相間排列的負(fù)極引腳321組成，此負(fù)極引腳321 —端與散熱區(qū)31端面電連接，所述散熱區(qū)31位于第一肖特基芯片11和第二肖特基芯片12正下方且與第一肖特基芯片11和第二肖特基芯片12負(fù)極之間通過軟焊料層6電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤10位于第一肖特基芯片11和第二肖特基芯片12另一側(cè)，所述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤10各自均包括焊接區(qū)7和引腳區(qū)8，焊接區(qū)7與引腳區(qū)8的連接處具有一折彎部9，從而使得焊接區(qū)7高于引腳區(qū)8 ;第一金屬線51跨接于所述第一肖特基芯片11的正極與第一導(dǎo)電焊盤4的焊接區(qū)7之間，所述第一金屬線51與肖特基整流芯片I的焊接條13至少為2條且相間排列，第二金屬線52跨接于所述第二肖特基芯片12的正極與第二導(dǎo)電焊盤10的焊接區(qū)7之間，所述第二金屬線52與肖特基整流芯片I的焊接條13至少為2條且相間排列；所述軟焊料層6由以下質(zhì)量百分含量的組分組成 鉛92.5%、錫 5%、銀 2.5%ο上述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤10各自的焊接區(qū)7與肖特基芯片I位于同一水平面；上述負(fù)極引腳321的數(shù)目為四根。采用上述肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)，并保證了第一、第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)與第一肖特基芯片、第二肖特基芯片的正極在同一水 平面，從而有效避免了由于肖特基芯片正極的第一金屬線、第二金屬線較細(xì)在使用中容易斷的技術(shù)缺陷，從而延長了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性；其次，其正極與導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間跨接有第一金屬線、第二金屬線，且第一金屬線、第二金屬線與肖特基整流芯片的正極的焊接條至少為2條且相間排列，這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)從而有利于減少歐姆接觸電阻，提聞了電性能指標(biāo)，同時(shí)也減少熱量的廣生；再次，肖特基芯片封裝結(jié)構(gòu)同時(shí)兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個(gè)部件功能，既有利于進(jìn)一步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數(shù)目，同時(shí)由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個(gè)整體，提高了電性能的穩(wěn)定性。上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括肖特基芯片(I)、包覆于肖特基芯片(I)四周的環(huán)氧樹脂層(2)，其特征在于:還包括導(dǎo)電基盤(3)、第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(10)，所述肖特基芯片(I)由第一肖特基芯片(11)和第二肖特基芯片(12)組成；所述導(dǎo)電基盤(3)由散熱區(qū)(31)和基盤引腳區(qū)(32)組成，此基盤引腳區(qū)(32)由若干個(gè)相間排列的負(fù)極引腳(321)組成，此負(fù)極引腳(321)—端與散熱區(qū)(31)端面電連接，所述散熱區(qū)(31)位于第一肖特基芯片(11)和第二肖特基芯片(12 )正下方且與第一肖特基芯片(11)和第二肖特基芯片(12)負(fù)極之間通過軟焊料層(6)電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(10)位于第一肖特基芯片(11)和第二肖特基芯片(12)另一側(cè)，所述第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(10)各自均包括焊接區(qū)(7)和引腳區(qū)(8)，焊接區(qū)(7)與引腳區(qū)(8)的連接處具有一折彎部(9)，從而使得焊接區(qū)(7)高于引腳區(qū)(8);第一金屬線(51)跨接于所述第一肖特基芯片(11)的正極與第一導(dǎo)電焊盤(4)的焊接區(qū)(7)之間，所述第一金屬線(51)與肖特基整流芯片(I)的焊接條(13)至少為2條且相間排列，第二金屬線(52)跨接于所述第二肖特基芯片(12)的正 極與第二導(dǎo)電焊盤(10)的焊接區(qū)(7)之間，所述第二金屬線(52)與肖特基整流芯片(I)的焊接條(13)至少為2條且相間排列；所述軟焊料層(6)由以下質(zhì)量百分含量的組分組成 鉛92.5%、錫5%、銀2.5%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(10)各自的焊接區(qū)(7)與肖特基芯片(I)位于同一水平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述負(fù)極引腳(321)的數(shù)目為四根。
全文摘要
本發(fā)明公開一種肖特基整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，此基盤引腳區(qū)由若干個(gè)相間排列的負(fù)極引腳組成，此負(fù)極引腳一端與散熱區(qū)端面電連接，散熱區(qū)位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片正下方且與第一肖特基芯片和第二肖特基芯片負(fù)極之間通過軟焊料層電連接；第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片另一側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤各自均包括焊接區(qū)和引腳區(qū)，焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部；金屬線跨接于肖特基芯片的正極與導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間，金屬線與肖特基整流芯片的焊接條至少為兩條且相間排列。本發(fā)明既有利于進(jìn)一步縮小器件的體積，有利于減少歐姆接觸電阻，同時(shí)由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個(gè)整體，提高了電性能的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01L23/495GK103219315SQ201310093289
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月22日
發(fā)明者胡乃仁, 楊小平, 李國發(fā), 鐘利強(qiáng) 申請(qǐng)人:蘇州固锝電子股份有限公司