具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法
【專利摘要】一種具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法，其中發(fā)光二極管元件包括發(fā)光二極管元件基板、發(fā)光二極管晶粒及透光封裝層，而發(fā)光二極管元件基板則包括基板本體、側(cè)邊電極、致能回路及厚膜反射層，在制作過程中，需在一片區(qū)分出多個(gè)基板本體的基片上，鉆出多個(gè)貫穿基板本體的側(cè)面穿孔，并于基板的上表面及側(cè)面穿孔的壁面濺鍍及電鍍致能回路及側(cè)邊電極，再將厚膜反射層由上方遮蔽側(cè)邊電極，其中厚膜反射層更形成有一個(gè)高分子基材及平坦反射材料，并利用平坦反射材料的反光結(jié)構(gòu)，提升發(fā)光二極管晶粒的發(fā)光效率。
【專利說明】具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法，尤其是一種提升出光效率的發(fā)光二極管元件及其制造方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]目前發(fā)光二極管(LED)已相當(dāng)普及，LED組件不僅體積小、反應(yīng)時(shí)間快、使用壽命長、亮度不易衰減、且耐震動(dòng)，因此LED組件漸漸取代包括顯示器背光光源、照相機(jī)閃光燈、交通號志、車頭及車尾燈，甚至逐漸有取代照明燈泡的趨勢。
[0003]其中，單一波長LED需要透過調(diào)色來產(chǎn)生出白光:例如藍(lán)光LED照射黃色熒光材料，激發(fā)黃色熒光，混合兩色的光形成肉眼所見認(rèn)知的白光。其制作的方法是利用熒光材料覆蓋至LED晶體上，透過熒光材料的LED光色混成白光。因此，LED基板的混光技術(shù)包含膠狀熒光材料的附著加工，為能提供人類視覺上所認(rèn)知的白光光源，已有業(yè)者提出如圖1所示的結(jié)構(gòu)，在陶瓷基板40上一體化地?zé)Y(jié)形成一個(gè)杯狀部44，杯狀部44中自然形成向內(nèi)凹陷的容置空間440 ；LED晶粒I則是以覆晶方式成型于一個(gè)基板上，并且將基板與LED晶粒I 一同放置于一個(gè)模具中，從而將含有突光粉的膠均勻成型在LED晶粒I的外表面上,形成一層完整包覆LED晶粒I的熒光層2，最后進(jìn)行封裝，形成一層包覆LED晶粒I及熒光層2的封裝層3。[0004]但是制作出的發(fā)光二極管元件受致能并發(fā)光時(shí)，其部分反射光10會(huì)被封裝層3反射至杯狀部44的上表面，然而杯狀部44表層不具有反射的結(jié)構(gòu)，使得光無法進(jìn)行再反射，發(fā)光效率也因此受到影響。而且成型LED晶粒的過程，通常是在一片晶圓上同時(shí)規(guī)劃成型例如兩萬顆LED晶粒，最后再將布局好電路的晶圓分離為眾多的晶粒，因此在分離的過程中，往往會(huì)有一定比例的晶粒，其邊界并非完全筆直，而是有部分凹凸的部分存在。上述公知技術(shù)在將晶粒覆晶固定于基板上后，需要將LED晶粒I反向置入模具中，藉以成型包覆該LED晶粒I的熒光層2，此時(shí)，一旦LED晶粒邊界有所突出，將造成制作上的困難，無謂降低廣品良率而提升制造成本。
[0005]另方面，為能輕易的制作側(cè)邊電極，更有如圖2所示的公知技術(shù)，是在尚未裁切的基片4’上，先區(qū)分出多個(gè)基板40’的范圍，并在每個(gè)基板40’與基板40’間，預(yù)先形成多個(gè)貫穿基片4’的孔洞48’，并以網(wǎng)版印刷的方式，在基板40’正面壓印出正面的電極42’以供二極管晶粒導(dǎo)電連接，隨后再將晶粒焊接至例如其中一個(gè)正面的電極42’上，以及焊接導(dǎo)線。最后點(diǎn)熒光膠封裝晶粒及導(dǎo)線，為避免熒光膠流入孔洞48’內(nèi)而阻斷未來的側(cè)邊電極與正面的電極42’間順利連結(jié)，此時(shí)業(yè)者會(huì)再度以網(wǎng)版印刷方式，將粘稠的玻璃膠3’預(yù)先由基板40’的正面封住孔洞48’的上端，藉以避免粘稠度較低的熒光膠流入。
[0006]隨后，經(jīng)由切割基片4’，使圖中左右相連的基板40’分離，孔洞48’因而由側(cè)面暴露，再從側(cè)面在孔洞48’處形成電極46’，使其與正面的電極42’以及基板背面的電極(圖未示)連結(jié)，完成上下電路的導(dǎo)通。但是如圖3所示，即使玻璃膠3’的粘稠度較高，仍有部分機(jī)率會(huì)占據(jù)孔洞48’上端，讓形成的側(cè)邊電極46’無法順利導(dǎo)接至正面的電極42’，便會(huì)造成預(yù)定導(dǎo)接的回路中斷，使得制作出的發(fā)光二極管元件成為無法發(fā)光或發(fā)光效果較差的不良品，良率因而不佳。
[0007]尤其，即使LED元件有特定的規(guī)劃發(fā)光方向，但LED晶粒的發(fā)光未必局限于上述方向，許多發(fā)光都會(huì)由四面八方四散而出，使得組裝至基板后，會(huì)有部分發(fā)光被基板吸收、或漫反射至規(guī)劃發(fā)光方向以外，甚至部分發(fā)光被外部的封裝結(jié)構(gòu)介面向內(nèi)反射回基板，而被基板或基板上的其他結(jié)構(gòu)所吸收，造成發(fā)光元件的發(fā)光率不佳，甚至因?yàn)楣饽鼙晃?，無謂地轉(zhuǎn)換為熱能，增高發(fā)光元件的操作溫度，更進(jìn)一步使發(fā)光效率劣化。
[0008]即使許多業(yè)者想要增加基板表面的反射率，也多受限于基板表面必須設(shè)置電路，不能短路，以至于無法以常見的金屬鍍膜的方式處理。因此，如何在基板上設(shè)計(jì)出一種能令反射回來的光能再次進(jìn)行二次反射出，令發(fā)光二極管元件的發(fā)光效率能得以提升；且熒光膠的檔止結(jié)構(gòu)的制作過程中具有可依LED晶粒的外觀結(jié)構(gòu)而調(diào)整改變，并且可令熒光膠能得以均勻成型在LED晶粒表面，使發(fā)光色彩均一；同時(shí)簡化側(cè)邊電極的制作程序；以及確保側(cè)邊電極與正面的電極間導(dǎo)接關(guān)系，提升整體制造良率，這都會(huì)是本發(fā)明所要重視的焦點(diǎn)。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0009]本發(fā)明之一目的在于提供一種可使發(fā)光二極管出光效率提升的發(fā)光二極管兀件。
[0010]本發(fā)明的另一目的在于提供一種使LED晶粒外表的熒光層均勻平坦、使LED元件各不同位置所發(fā)之 光的波長分布均勻的發(fā)光二極管元件。
[0011]本發(fā)明的再一目的在于提供一種具有易于改變規(guī)劃尺寸的擋止墻、故可因應(yīng)客戶需求而提供多樣產(chǎn)品的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板。
[0012]本發(fā)明的又一目的在于提供一種具有擋止墻，使得LED晶粒置入時(shí)不受晶粒邊界不整齊所限制的發(fā)光二極管元件基板。
[0013]本發(fā)明的再一目的在于提供一種批次制造時(shí)，可輕易設(shè)置側(cè)邊電極的發(fā)光二極管元件制造方法。
[0014]本發(fā)明的再一目的在于提供一種可以確保側(cè)邊電極和正面的電極間導(dǎo)接良好，提升產(chǎn)品良率的發(fā)光二極管元件制造方法。
[0015]依照本發(fā)明揭示的一個(gè)具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板，是供發(fā)光二極管晶粒設(shè)置，該發(fā)光二極管元件基板包括:一片基板本體，具有一個(gè)上表面、一個(gè)下表面、連接前述上下表面的兩側(cè)面及連接前述上下表面的兩端緣；至少一個(gè)成型于上述兩端緣之一并呈凹陷的側(cè)邊電極；一個(gè)布局在至少該上表面的致能回路，該致能回路至少包括一個(gè)供上述發(fā)光二極管晶粒安裝的安裝區(qū)，且上述側(cè)邊電極被導(dǎo)接至該致能回路；及一個(gè)設(shè)置于至少該上表面的厚膜反射層，包括:一層高分子基材，由上方遮蔽上述側(cè)邊電極；及一層設(shè)置在該高分子基材表面的平坦反射材料。
[0016]依照本發(fā)明揭示的一個(gè)具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件，包括:一片發(fā)光二極管元件基板，包括一片基板本體，具有一個(gè)上表面、一個(gè)下表面、連接前述上下表面的兩側(cè)面及連接前述上下表面的兩端緣；至少一個(gè)成型于上述兩端緣之一并呈凹陷的側(cè)邊電極；一個(gè)布局在至少該上表面的致能回路，該致能回路至少包括一個(gè)供上述發(fā)光二極管晶粒安裝的安裝區(qū)，且上述側(cè)邊電極被導(dǎo)接至該致能回路；一個(gè)設(shè)置于至少該上表面的厚膜反射層，包括:一層高分子基材，由上方遮蔽上述側(cè)邊電極，其中該高分子基材形成有至少部分環(huán)繞遮蔽該安裝區(qū)的擋止墻，以及該擋止墻與該基板本體共同形成一個(gè)使該安裝區(qū)被暴露的容置空間；及一層設(shè)置在該高分子基材表面的平坦反射材料；其中發(fā)光二極管元件還包括至少一個(gè)安裝于上述安裝區(qū)、并被導(dǎo)接至上述致能回路的發(fā)光二極管晶粒；及一層完整覆蓋該發(fā)光二極管晶粒的透光封裝層。
[0017]依照本發(fā)明揭示的一種具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件的制造方法，是供至少一個(gè)具有一組致能端部的發(fā)光二極管晶粒設(shè)置，并將一片基片預(yù)先區(qū)劃成多個(gè)基板本體，前述各基板本體分別具有一個(gè)上表面、一個(gè)下表面、連接前述上下表面的兩側(cè)面及連接前述上下表面的兩端緣，其中該發(fā)光二極管元件的制造方法包括下列步驟:
[0018]a)分別在前述各基板本體對應(yīng)前述端緣位置形成多個(gè)貫穿前述上下表面的側(cè)面穿孔；
[0019]b)分別將多個(gè)具有一個(gè)安裝區(qū)的致能回路布局在前述各基板本體上表面，并至少分別在前述兩端緣之一及對應(yīng)該端緣的側(cè)面穿孔設(shè)置一個(gè)導(dǎo)接該對應(yīng)致能回路并呈凹陷的側(cè)邊電極；
[0020]c)將一個(gè)高分子基材設(shè)置于各前述上表面，從上方遮蔽各前述側(cè)邊電極，其中每一上述高分子基材分別形成有至少部分環(huán)繞遮蔽該安裝區(qū)的擋止墻，并與各上述對應(yīng)基板本體共同形成有使各上述對應(yīng)安裝區(qū)被暴露的容置空間；及
[0021]d)在該高分子基材表面設(shè)置一層平坦反射材料，與該高分子基材結(jié)合為一層厚膜反射層。
[0022]由于本發(fā)明所揭示的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法，是利用平坦反射材料的反光特性，供發(fā)光二極管晶粒發(fā)出的光被反射回來時(shí)，能夠再次反射出，增加發(fā)光效率，而高分子基材則可以是光阻膜曝光顯影的疊層，由于是以光學(xué)方式成型，因此尺寸能夠達(dá)到符合預(yù)期的精準(zhǔn)程度，亦不需針對不同尺寸分別準(zhǔn)備特定的不同模具，使得尺寸與形狀的彈性不會(huì)受限。
[0023]而且在批次的制作過程中，可在尙未切割的基片上先形成多個(gè)貫穿的側(cè)面穿孔，有助于側(cè)邊電極的設(shè)置，無需再透過額外的側(cè)邊電極設(shè)置程序，簡化整體作業(yè)流程；另方面，由于高分子基材是以整片覆蓋在基板的表面，受到高分子基材整片張力的支撐，令高分子基材只會(huì)保持在能遮蔽住側(cè)面穿孔的開口處，而不會(huì)侵入至側(cè)面穿孔內(nèi)，使得側(cè)邊電極能夠更容易的被設(shè)置在側(cè)面穿孔內(nèi)，增加生產(chǎn)良率，進(jìn)而達(dá)成上述所有的目的。
【【專利附圖】
【附圖說明】】
[0024]圖1是一種公知技術(shù)的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
[0025]圖2是另一種公知技術(shù)的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
[0026]圖3是圖2的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)的側(cè)邊電極受阻斷的側(cè)視圖；
[0027]圖4是本發(fā)明的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法的第一較佳實(shí)施例的制作流程圖；
[0028]圖5是本發(fā)明的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板尚未切割的俯視圖；
[0029]圖6是圖7的發(fā)光二極管元件基板的側(cè)視圖；
[0030]圖7是圖8的發(fā)光二極管元件基板開設(shè)有多個(gè)側(cè)面穿孔的側(cè)視圖；
[0031] 圖8是圖7的發(fā)光二極管元件基板的上表面、下表面及側(cè)面穿孔的壁面濺鍍一層種子層的側(cè)視圖；
[0032]圖9是圖8的發(fā)光二極管元件基板位于上表面的種子層設(shè)置一層犧牲光阻層及光罩的側(cè)視圖；
[0033]圖10是圖9的發(fā)光二極管元件的種子層電鍍增厚及蝕刻成致能回路及側(cè)邊電極的側(cè)視圖；
[0034]圖11是圖10的發(fā)光二極管元件的上表面附著一層光阻膜及光罩的側(cè)視圖；
[0035]圖12是圖11的光阻膜曝光及顯影后形成一個(gè)預(yù)定形狀的側(cè)視圖；
[0036]圖13是圖12的光阻膜上再附著另一層光阻膜的側(cè)視圖；
[0037]圖14是圖13的光阻膜相互迭加增厚的側(cè)視圖；
[0038]圖15是圖14的光阻膜表面再設(shè)置一層遮罩板的側(cè)視圖；
[0039]圖16是圖15的光阻膜與金屬反射薄膜層共同構(gòu)成一層厚膜反射層的側(cè)視圖；
[0040]圖17是圖16的發(fā)光二極管元件基板設(shè)置厚膜反射層的俯視圖；[0041]圖18是圖17的發(fā)光二極管元件基板設(shè)置有發(fā)光二極管晶粒，并連接導(dǎo)線至側(cè)邊電極的側(cè)視圖；
[0042]圖19是圖18的擋止墻內(nèi)設(shè)置熒光材質(zhì)膠體的側(cè)視圖；
[0043]圖20是圖19的發(fā)光二極管元件基板設(shè)置一層封裝透光層的側(cè)視圖；
[0044]圖21是圖20的發(fā)光二極管元件基板彼此分離，并完成發(fā)光二極管元件的側(cè)視圖；
[0045]圖22是圖21的發(fā)光二極管元件的發(fā)光二極管晶粒是連接兩條導(dǎo)線至對應(yīng)的側(cè)邊電極的側(cè)視圖；
[0046]圖23是本發(fā)明的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法的第二較佳實(shí)施例的側(cè)視圖；
[0047]圖24是本發(fā)明的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法的第三較佳實(shí)施例的側(cè)視圖；及
[0048]圖25是圖24的發(fā)光二極管元件的立體圖。
[0049]【主要元件符號說明】
[0050]PhLED晶粒10…部分反射光
[0051]2…突光層3…封裝層
[0052]3’…玻璃膠4’…基片
[0053]40…陶瓷基板44…杯狀部
[0054]440…容置空間40’…基板
[0055]42’…電極46’…側(cè)邊電極
[0056]48’…孔洞5、5’…封裝透光層
[0057]50…模具60…基板本體
[0058]61、61”…側(cè)邊電極62…厚膜反射層
[0059]601…上表面602…下表面
[0060]603…側(cè)面604…端緣
[0061]600…側(cè)面穿孔610…種子層
[0062]628…遮罩板6290…槽孔[0063]620…犧牲光阻層65、65”…致能回路
[0064]66…基片6010…安裝區(qū)
[0065]621、622、622’…光阻膜625…金屬反射薄膜層
[0066]625’…光反射油墨層629、629”…擋止墻
[0067]7…光罩8、8’、8”…發(fā)光二極管晶粒
[0068]81…導(dǎo)線9、9”…突光材質(zhì)膠體
[0069]6…發(fā)光二極管兀件基板
【【具體實(shí)施方式】】
[0070]有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合說明書附圖的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中，將可清楚呈現(xiàn)；此外，在各實(shí)施例中，相同的元件，將以相似的標(biāo)號表示。
[0071]本發(fā)明的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法的第一較佳實(shí)施例，其制作流程如圖4的流程圖所示，首先如步驟101與圖5及圖6所示，是在一片基片66預(yù)先區(qū)劃成多個(gè)彼此連結(jié)的多個(gè)基板本體60，并分別具有一個(gè)上表面601、一個(gè)下表面602、兩個(gè)側(cè)面603及兩個(gè)端緣604，其中側(cè)面603分別連接上表面601及下表面602，再于步驟102與圖7所示，于每個(gè)基板本體60的端緣604方向之間，以工具鉆出多個(gè)貫穿上表面601及下表面602的側(cè)面穿孔600，再如步驟103與圖8，在各基板本體60的上表面601、側(cè)面穿孔600壁面及下表面602同時(shí)派鍍一層種子層610。
[0072]接下來如步驟104及圖9所示，在位于上表面601及下表面602的種子層610上，壓印一層犧牲光阻層620，并以一個(gè)具有預(yù)定圖案的光罩7設(shè)置在犧牲光阻層620表面，隨即曝光，令被光照射到的犧牲光阻層620部分固化，再將受犧牲光阻層620遮蓋且未固化部分顯影去除，剩下種子層610再來如步驟105及一并參考圖9及圖10，以電鍍的方式將種子層610未被犧牲光阻層620遮敝到的部份增厚，并將剩下的犧牲光阻層620去除，而原先被犧牲光阻層遮敝而未被增厚的種子層610則是用化學(xué)蝕刻方式去除，即形成一個(gè)致能回路65，及一個(gè)導(dǎo)接該對應(yīng)致能回路65并呈凹陷的側(cè)邊電極61，其中致能回路65是布局在上表面601，并形成有一個(gè)安裝區(qū)6010，側(cè)邊電極61則是成型于端緣604，并延伸至對應(yīng)的側(cè)面603。
[0073]步驟106如圖11所不，于上表面601壓印一層例不為光阻膜621的高分子基材，并于步驟107將另一組光罩7覆蓋于光阻膜621上進(jìn)行曝光，使光阻膜621裸露部分被固化，隨后將未被固化的光阻膜621進(jìn)行顯影去除，形成如圖12所示的光阻膜621具有一個(gè)如預(yù)定的環(huán)繞形狀，若壓印的光阻膜621未達(dá)預(yù)定厚度時(shí)，步驟108再如圖13所示，于已經(jīng)顯影的光阻膜621上，增加壓印另一層光阻膜622，重復(fù)上述的曝光與顯影流程，直到如圖14所示的累加光阻膜621、622達(dá)成預(yù)定厚度。
[0074]再如步驟109，并如圖15所示，在基板本體60的上表面601及光阻膜622上再設(shè)置一層遮罩板628，其中遮罩板628更形成有多個(gè)槽孔6280，可供對應(yīng)光阻膜622的位置，接下來如步驟110，于槽孔6280對應(yīng)的光阻膜622表面另形成一個(gè)金屬材質(zhì)的種子層，再如步驟111，以電鍍的方式令種子層增厚，再將遮罩板628移除，即如圖16所示，形成一層例示為平坦反射材料的金屬反射薄膜層625,并與光阻膜621、622共同構(gòu)成一層厚膜反射層62。[0075]而側(cè)邊電極61及側(cè)邊穿孔600更可被光阻膜621、622從上方所遮蔽，其中光阻膜621,622更如圖17所示形成多個(gè)擋止墻629，而擋止墻629是呈環(huán)繞安裝區(qū)6010分布，并與對應(yīng)的基板本體60共同形成有一個(gè)容置空間，使上述對應(yīng)的安裝區(qū)6010被暴露出。
[0076]由于厚膜反射層62是以整片覆蓋，受到厚膜反射層62整片張力的支撐，使得厚膜反射層62只會(huì)保持在能遮蔽住側(cè)面穿孔600的開口處，而不會(huì)侵入至側(cè)面穿孔600內(nèi)，在此階段若再進(jìn)行電鍍增厚作業(yè)，由于側(cè)面穿孔600內(nèi)呈通暢且沒有阻隔物，增厚的回路不會(huì)受到阻隔物的阻擋而影響整體的導(dǎo)電性，并形成一片尚未裁切的發(fā)光二極管元件基板6。
[0077]接著進(jìn)一步進(jìn)行發(fā)光二極管元件基板上進(jìn)行后續(xù)加工，制作出本發(fā)明的發(fā)光二極管元件，接續(xù)步驟112，并如圖18所示，將發(fā)光二極管晶粒8安裝至容置空間中的安裝區(qū)6010上，本例中的發(fā)光二極管晶粒8的二電極端中，其一是形成在發(fā)光二極管晶粒8的底部并接致能回路65，另一電極則形成在發(fā)光二極管晶粒8發(fā)光面的導(dǎo)電端，由導(dǎo)線81電氣連接至與致能回路65斷開的側(cè)邊電極61 ;再于步驟113 —并參考如圖19所示，將含有熒光材質(zhì)的液態(tài)膠體的熒光材質(zhì)膠體9注入擋止墻629內(nèi)的容置空間中，直到完全覆蓋住發(fā)光二極管晶粒8，由于熒光材質(zhì)膠體9是粘稠膠體，因此即使擋止墻629之間留有空隙，熒光材質(zhì)膠體9也不會(huì)輕易從空隙流出，待熒光材質(zhì)膠體9厚度均勻時(shí)，使其固化，令發(fā)光二極管晶粒8發(fā)出的光穿透熒光材質(zhì)膠體9即可改變，例如將黃色的熒光材質(zhì)膠體9覆蓋發(fā)出藍(lán)色的發(fā)光二極管晶粒8，即可產(chǎn)生出白光。
[0078]步驟114進(jìn)行封裝作業(yè)，如圖20所示，將尚未被分離的諸多發(fā)光二極管元件基板6所構(gòu)成的完整基材共同置入一個(gè)模具50中，模具50內(nèi)形成有多個(gè)分別對應(yīng)各發(fā)光二極管元件基板6的預(yù)定形狀模穴，并向模穴中注入透明材質(zhì)樹脂，經(jīng)過一定時(shí)間后將模具50卸除，即會(huì)在各發(fā)光二極管元件基板6上形成一個(gè)預(yù)定形狀的封裝透光層5，并完整覆蓋住發(fā)光二極管晶粒8、擋止墻629、及固化后的熒光材質(zhì)膠體9 ;最后再于步驟115以例如工具切割或激光切割，令發(fā)光二極管元件基板6分離，制成如圖21所示具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件。
[0079]由于有金屬反射薄膜層的存在，一旦LED晶粒所發(fā)的光束被封裝透光層的介面向內(nèi)反射回來，就可以再被金屬反射薄膜層再次反射向外，讓整體發(fā)光可以更有效率，并且降低不必要的操作溫度，尤其金屬反射薄膜是設(shè)置在光阻膜之上，不會(huì)造成基板表面電路的短路，可以解決目前的困難。
[0080]當(dāng)然，本例的側(cè)邊電極亦可如圖22所示，分別設(shè)置在兩個(gè)端緣604位置，令基板本體60的上表面601部分暴露而形成安裝區(qū)6010，供發(fā)光二極管晶粒8貼附安裝，且發(fā)光二極管晶粒8的二電極端，則都是形成在發(fā)光面的方向，是以導(dǎo)線81分別電氣連接至兩側(cè)的側(cè)邊電極61，同樣能制作出具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件。
[0081]本發(fā)明的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法的第二較佳實(shí)施例，如圖23所示，在本例中，設(shè)置在光阻膜622’的表面平坦反射材料例示為一層光反射油墨層625’，其中光反射油墨層625’更可例示為一種白色的涂料，并以印刷的方式壓印在光阻膜622’的表面，亦可達(dá)到同樣的反光效果，而本例的封裝透光層5’更可例示為一層摻有熒光材質(zhì)的熒光透光層5’，使得發(fā)光二極管晶粒8，被封裝后即可同樣達(dá)到改變發(fā)光顏色的效果。
[0082]本發(fā)明的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法的第三較佳實(shí)施例，如圖24及圖25所示，在本例中，擋止墻629”的內(nèi)緣是呈圓弧狀，而發(fā)光二極管晶粒8”的二電極端則是形成于晶粒底面，因此本例的發(fā)光二極管晶粒8”可利用覆晶技術(shù)，將錫球先附著于發(fā)光二極管晶粒8”的電極端，再利用高周波將發(fā)光二極管晶粒8”焊接于致能回路65”與斷開的側(cè)邊電極61”，而熒光材質(zhì)膠體9”在本例中則是例示為熒光粉末，并以噴粉的方式附著于發(fā)光二極管晶粒8”表面。
[0083]另方面，在本例中，如果要發(fā)光二極管元件產(chǎn)生出白光，亦可將三種不同發(fā)光顏色的發(fā)光二極管晶粒(R.G.B)設(shè)置在擋止墻之內(nèi)，令三個(gè)發(fā)光二極管晶粒發(fā)出的光彼此混色而轉(zhuǎn)換為白光，便可以不需要再額外在發(fā)光二極管晶粒上覆蓋一層熒光材質(zhì)膠體。
[0084]本發(fā)明的具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板、元件及制法，是利用平坦反射材料的反光特性，令發(fā)光二極管元件發(fā)射出的光即使有部分被反射回來，仍可再次進(jìn)行二次反射出，使得發(fā)光效率能得以提升，另方面，擋止墻是以光阻膜曝光顯影疊層所制成，并于基板成型后才設(shè)置形成于基板上，精度尺寸相當(dāng)符合預(yù)期，誤差可限制在ΙΟμπι以下，且以后制過程在例如陶瓷基板上成型，可以提供絕佳的制造彈性，完全配合市場需求。
[0085]而且在批次的制作過程中，可在尙未切割的基片上先形成多個(gè)貫穿的側(cè)面穿孔，使得側(cè)邊電極可在尙未切割基片的階段，便可設(shè)置在基板本體的端緣，并延伸至對應(yīng)的側(cè)面，簡化整體作業(yè)流程；再者，厚膜反射層是以整片覆蓋在基板的表面，由于受到厚膜反射層整片張力的支撐，令厚膜反射層只會(huì)保持在能遮蔽住側(cè)面穿孔的開口處，而不會(huì)侵入至側(cè)面穿孔內(nèi)，沒有阻隔物的側(cè)面穿孔內(nèi)便呈通暢，因此再次進(jìn)行電鍍增厚作業(yè)時(shí)仍可保持回路的導(dǎo)電性，使得生產(chǎn)良率有所提升，進(jìn)而達(dá)成上述所有的目的。
[0086]惟以上所述者，僅本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，即大凡依本發(fā)明權(quán)利要求書及說明書內(nèi)容所作簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一個(gè)具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件基板，是供發(fā)光二極管晶粒設(shè)置，該發(fā)光二極管元件基板包括: 一片基板本體，具有一個(gè)上表面、一個(gè)下表面、連接前述上下表面的兩側(cè)面及連接前述上下表面的兩端緣； 至少一個(gè)成型于上述兩端緣之一并呈凹陷的側(cè)邊電極； 一個(gè)布局在至少該上表面的致能回路，該致能回路至少包括一個(gè)供上述發(fā)光二極管晶粒安裝的安裝區(qū)，且上述側(cè)邊電極被導(dǎo)接至該致能回路；及一個(gè)設(shè)置于至少該上表面的厚膜反射層，包括: 一層高分子基材，由上方遮蔽上述側(cè)邊電極；及 一層設(shè)置在該高分子基材表面的平坦反射材料。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件基板，其中該平坦反射材料是一層光反射油墨層。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件基板，其中該平坦反射材料是一層金屬反射薄膜層。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的發(fā)光二極管元件基板，其中該高分子基材形成有至少部分環(huán)繞遮蔽該安裝區(qū)的 擋止墻，以及該擋止墻與該基板本體共同形成一個(gè)使該安裝區(qū)被暴露的容置空間。
5.一個(gè)具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件，包括: 一片發(fā)光二極管元件基板，包括 一片基板本體，具有一個(gè)上表面、一個(gè)下表面、連接前述上下表面的兩側(cè)面及連接前述上下表面的兩端緣； 至少一個(gè)成型于上述兩端緣之一并呈凹陷的側(cè)邊電極； 一個(gè)布局在至少該上表面的致能回路，該致能回路至少包括一個(gè)供上述發(fā)光二極管晶粒安裝的安裝區(qū)，且上述側(cè)邊電極被導(dǎo)接至該致能回路； 一個(gè)設(shè)置于至少該上表面的厚膜反射層，包括: 一層高分子基材，由上方遮蔽上述側(cè)邊電極，其中該高分子基材形成有至少部分環(huán)繞遮蔽該安裝區(qū)的擋止墻，以及該擋止墻與該基板本體共同形成一個(gè)使該安裝區(qū)被暴露的容置空間；及 一層設(shè)置在該高分子基材表面的平坦反射材料；及 至少一個(gè)安裝于上述安裝區(qū)、并被導(dǎo)接至上述致能回路的發(fā)光二極管晶粒；及 一層完整覆蓋該發(fā)光二極管晶粒的透光封裝層。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管元件，更包括一層設(shè)置在該容置空間內(nèi)、介于上述發(fā)光二極管晶粒與該透光封裝層間的熒光材質(zhì)膠體。
7.一種具有厚膜反射層的發(fā)光二極管元件的制造方法，是供至少一個(gè)具有一組致能端部的發(fā)光二極管晶粒設(shè)置，并將一片基片預(yù)先區(qū)劃成多個(gè)基板本體，前述各基板本體分別具有一個(gè)上表面、一個(gè)下表面、連接前述上下表面的兩側(cè)面及連接前述上下表面的兩端緣，其中該二極管元件的制造方法包括下列步驟: a)分別在前述各基板本體對應(yīng)前述端緣位置形成多個(gè)貫穿前述上下表面的側(cè)面穿孔；b)分別將多個(gè)具有一個(gè)安裝區(qū)的致能回路布局在前述各基板本體上表面，并至少分別在前述兩端緣之一及對應(yīng)該端緣的側(cè)面穿孔設(shè)置一個(gè)導(dǎo)接該對應(yīng)致能回路并呈凹陷的側(cè)邊電極； c)將一個(gè)高分子基材設(shè)置于各前述上表面,從上方遮蔽各前述側(cè)邊電極,其中每一上述高分子基材分別形成有至少部分環(huán)繞遮蔽該安裝區(qū)的擋止墻，并與各上述對應(yīng)基板本體共同形成有使各上述對應(yīng)安裝區(qū)被暴露的容置空間；及 d)在該高分子基材表面設(shè)置一層平坦反射材料，與該高分子基材結(jié)合為一層厚膜反射層。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其中該步驟d)中設(shè)置厚膜反射層的步驟更包括下列次步驟: dl)在該厚膜反射層表面形成一個(gè)金屬材質(zhì)的種子層 '及 d2)在該種子層上電鍍增厚、并形成一個(gè)金屬反射薄膜層。
9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，其中該步驟d)中設(shè)置厚膜反射層的步驟更包括一個(gè)在該厚膜反射層表面印刷一層光反射油墨層的次步驟dl)。
10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管元件的制造方法，更包括在步驟d)后的下列步驟: e)將前述發(fā)光二極管晶粒分別安裝在安裝區(qū)，并將前述發(fā)光二極管晶粒的致能端部分別導(dǎo)接至前述側(cè)邊電極及/或致能回路； f)將含有熒光材質(zhì)的液態(tài)膠體注入該擋止墻的容置空間并覆蓋前述發(fā)光二極管晶粒; g)設(shè)置一組具有多個(gè)分別對應(yīng)該等基板本體的預(yù)定形狀模穴的模具于該基材上，并注入一透明材質(zhì)，以形成多個(gè)符合該等模穴預(yù)定形狀的封裝，完整覆蓋該等發(fā)光二極管晶粒、該等擋止墻、及該等固化后的含有熒光材質(zhì)的膠體 '及 h)切割該基片，形成多個(gè)發(fā)光二極管元件。
【文檔編號】H01L33/60GK103928597SQ201310008962
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年1月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月10日
【發(fā)明者】官淑燕 申請人:陽升照明有限公司, 并日電子科技(深圳)有限公司