承載設(shè)備、具有承載設(shè)備的電氣設(shè)備和其制造方法
【專(zhuān)利摘要】提出一種用于電氣器件的承載設(shè)備，所述承載設(shè)備具有：承載件（1），所述承載件具有電絕緣層（10）；和在電絕緣層（10）上的電接觸層（2），其中電接觸層（2）具有至少一個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域（20），其中電絕緣層（10）中的至少一個(gè)留空部（3）至少設(shè)置在連接片狀的接觸區(qū)域（20）的一個(gè)側(cè)面（21）上和/或其中連接片狀的接觸區(qū)域（20）具有朝向絕緣層（10）減小的連接片寬度。此外，提出一種具有承載設(shè)備和電氣器件的電氣設(shè)備以及一種用于制造承載設(shè)備和電氣設(shè)備的方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】承載設(shè)備、具有承載設(shè)備的電氣設(shè)備和其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及一種承載設(shè)備、一種具有承載設(shè)備的電氣設(shè)備和一種其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]已知下述半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片的電端子全部都設(shè)置在下側(cè)上，經(jīng)由所述下側(cè)將半導(dǎo)體芯片安裝在基板上。例如，已知能夠經(jīng)由電端子區(qū)域在僅一側(cè)電連接的發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片?；诔Ｒ?guī)的制造方式和隨后的安裝方式，其中端子區(qū)域施加在已經(jīng)預(yù)先制造的半導(dǎo)體層序列的上側(cè)上，然后將所述上側(cè)隨后用作為用于安裝在承載件上的下側(cè)，這樣的半導(dǎo)體芯片也稱(chēng)作所謂的“倒裝芯片”。
[0003]在這種半導(dǎo)體芯片中得到下述優(yōu)點(diǎn):對(duì)于電端子而言例如不再需要接觸線、例如以所謂的接合線的形式的接觸線。
[0004]特別在優(yōu)選借助高電流運(yùn)行的所謂的“電源芯片(Powerchips)”中有利的是，芯片為了良好的散熱而焊接到基板上。焊接連接的表征的特性是高的機(jī)械堅(jiān)固性。為了避免在半導(dǎo)體芯片上或在芯片的安裝連接部上的損害，作為基板材料優(yōu)選地應(yīng)用具有匹配于半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)(CTE ^'coefficient of thermal expansion”)的材料。這種應(yīng)用造成半導(dǎo)體芯片和基板之間的邊界面的良好的可靠性。在CTE匹配時(shí)，也就是說(shuō)CTE尤其相同或至少相似時(shí)，在半導(dǎo)體芯片和基板之間僅形成小的機(jī)械負(fù)荷。因此，在熱機(jī)交變負(fù)荷下也能夠?qū)崿F(xiàn)良好的可靠性 ，因?yàn)橛捎贑TE不匹配、即熱膨脹系數(shù)的差異引起的機(jī)械負(fù)荷能夠被最小化。
[0005]然而，所述應(yīng)用具有下述缺點(diǎn):必須找到適合的基板材料，所述基板材料具有與半導(dǎo)體芯片的CTE相匹配的CTE以及是電絕緣的并且是能良好導(dǎo)熱的。用于發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片的常用的基板材料具有在4至6ppm/開(kāi)爾文之間的范圍中的CTE。這些常用的基板材料通常與例如由氧化鋁或氮化鋁構(gòu)成的陶瓷的印刷電路板組合為基板，其中例如AlN的CTE位于6至7ppm/開(kāi)爾文的范圍中。然而，這種材料具有下述缺點(diǎn):所述材料是非常昂貴的。
[0006]此外，如果基板大面積地構(gòu)成，也就是說(shuō)如果所述基板具有比半導(dǎo)體芯片幾何形狀更大的伸展，那么CTE不匹配問(wèn)題從半導(dǎo)體芯片和基板之間的邊界面轉(zhuǎn)移至基板和上面設(shè)置有基板的安裝面之間的邊界面。安裝面通常由金屬構(gòu)成并且通常比芯片-基板邊界面大幾倍。因此，至少在基板和安裝面之間的邊界面上的CTE不匹配同樣是成問(wèn)題的。
[0007]此外，陶瓷的基板材料、例如氧化鋁或氮化鋁僅受限制地適合于使用在較大的模塊中。由于這些材料的小的延展性，能夠造成機(jī)械問(wèn)題、例如面板斷裂。由于例如在使用氮化鋁時(shí)的高的成本,生產(chǎn)成本升高進(jìn)而損害經(jīng)濟(jì)性。
[0008]作為替選方案，例如提供金屬芯印刷電路板。所述材料具有金屬板，例如由鋁構(gòu)成的金屬板，所述金屬板用電介質(zhì)材料覆層。在電介質(zhì)材料的表面上施加有與芯片安裝面的原本的布線平面。然而，金屬芯印刷電路板(MCPCB:“metal core printed circuitboard”)在金屬芯為鋁的情況下具有通常大約23ppm/開(kāi)爾文的CTE。因此，這樣的MCPCB的CTE是常用的半導(dǎo)體芯片材料的CTE的四倍大。在溫度交變負(fù)荷的情況下，通過(guò)所述CTE不匹配形成力，所述力能夠造成最薄弱的元件的失效。對(duì)于僅必須導(dǎo)出小的損耗功率的情況，F(xiàn)R4材料也能夠用作為基板，所述FR4材料典型地具有為16ppm/開(kāi)爾文的熱膨脹系數(shù)。然而，在所有這些情況下，半導(dǎo)體芯片和基板的CTE不相互匹配。在溫度交變負(fù)荷的情況下形成力，所述力能夠造成半導(dǎo)體芯片的和/或在半導(dǎo)體芯片和基板之間的邊界面或連接部的損壞。
[0009]為了能夠解決所述問(wèn)題，也已知的是，將半導(dǎo)體芯片借助于彈性連接來(lái)連接到具有不同的CTE的基板上。在所述應(yīng)用中，借助于有機(jī)材料、例如導(dǎo)電粘接劑進(jìn)行安裝，所述導(dǎo)電粘接劑的材料能夠?qū)崿F(xiàn)在半導(dǎo)體芯片和基板之間的邊界面的彈性的變形。由此，雖然能夠?qū)C(jī)械力緩沖，但是典型的導(dǎo)電粘接劑具有通常為大約1.8ff/m.Κ的小的熱導(dǎo)率，使得能夠在常規(guī)的半導(dǎo)體芯片運(yùn)行期間產(chǎn)生的損耗熱量不能被有效地導(dǎo)出。
[0010]對(duì)此替選地，也可能的是，半導(dǎo)體芯片借助于與如在構(gòu)成所謂的“球柵陣列(ballgrid array)”構(gòu)件時(shí)所使用的技術(shù)相似的所謂的“焊接凸點(diǎn)陣列(solder bump array)”來(lái)接觸。在所述應(yīng)用中，通過(guò)將金屬化部分配到多個(gè)小的焊接部位上來(lái)實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片和基板之間的邊界面的機(jī)械柔性。然而，由此不可能將半導(dǎo)體芯片遍布地連接到基板上。由于焊球(“solder bumps”，焊接凸點(diǎn))之間的必要的間距，在連接面中出現(xiàn)明顯的損耗。通過(guò)所述連接部導(dǎo)出損耗熱量與遍布的連接部相比明顯更差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]特定的實(shí)施形式的至少一個(gè)目的是，提出一種用于電氣器件的承載設(shè)備。特定的實(shí)施形式的另一個(gè)目的是，提出一種具有承載設(shè)備的電氣設(shè)備。特定的實(shí)施形式的其他目的在于提出用于制造這些設(shè)備的方法。
[0012]所述目的通過(guò)具有根據(jù)下文描述的特征的方法和主題來(lái)實(shí)現(xiàn)。尤其地，主題的和方法的有利的實(shí)施形式和改進(jìn)方案在從屬權(quán)利要求中表明并且從下文的描述和附圖中得出。
[0013]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，用于電氣器件的承載設(shè)備具有承載件。承載件尤其具有電絕緣層，所述電絕緣層由介電材料，例如由塑料材料或用無(wú)機(jī)的填充料填充的塑料材料、陶瓷材料、氧化的金屬或半金屬、玻璃、玻璃陶瓷或基于凝膠的漆、尤其是由無(wú)機(jī)的和有機(jī)的組成部分構(gòu)成的混合物構(gòu)成或者具有至少一種這樣的材料。例如，電絕緣層能夠具有塑料材料,所述塑料材料適合于電路板(PCB, “printed circuit board”)或者適合于金屬芯印刷電路板(MCPCB)。例如，電絕緣層能夠具有FR4或由其構(gòu)成。也可能的是，電絕緣層由例如由陽(yáng)極氧化的硅或鋁構(gòu)成的陽(yáng)極氧化的金屬薄膜或半金屬薄膜構(gòu)成。電絕緣層能夠是層復(fù)合件的構(gòu)成承載件的部分。例如，承載件能夠構(gòu)成為金屬芯印刷電路板并且具有例如由用塑料材料包圍或覆層的鋁和/或銅所構(gòu)成的金屬層或金屬薄膜。此外，承載件能夠由電絕緣層構(gòu)成。例如，承載件在該情況下能夠是陶瓷承載件。
[0014]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，承載設(shè)備構(gòu)成為電路板、金屬芯印刷電路板或具有金屬芯的電路板、陶瓷承載件或陽(yáng)極氧化的承載件。
[0015]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，在承載件上設(shè)置有電接觸層。尤其地，電接觸層設(shè)置在電絕緣層上。換言之，電絕緣層形成承載件的在其上以直接接觸的方式施加有電接觸層的表面。[0016]根據(jù)用于制造承載設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施形式，提供具有至少一個(gè)電絕緣層的承載件并且以金屬層的形式施加電接觸層、例如銅層。能夠通過(guò)電鍍施加或通過(guò)層壓進(jìn)行在承載件的電絕緣層上的施加。在此，能夠借助于事先施加到承載件上的光掩膜或光敏層來(lái)以結(jié)構(gòu)化的方式施加電接觸層。
[0017]對(duì)于至少一些實(shí)施形式能夠有利的是:電接觸層以大于或等于60 μ m的厚度施力口。也證實(shí)為特別適合的是大于或等于60 μ m并且小于或等于80 μ m的厚度。
[0018]在此和在下文中描述的實(shí)施形式和特征同樣涉及承載設(shè)備并且涉及用于制造承載設(shè)備的方法以及也涉及用于制造具有承載設(shè)備的電氣設(shè)備的方法。
[0019]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，電接觸層具有至少一個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域。例如，金屬接觸層能夠在制造承載設(shè)備時(shí)與連接片狀的接觸區(qū)域一起施加。在此和在下文中，連接片狀尤其意味著，連接片狀的接觸區(qū)域沿著連接片延伸方向具有大于垂直于所述連接片延伸方向定向的寬度的長(zhǎng)度。尤其地，長(zhǎng)度能夠超出寬度數(shù)倍、例如是寬度的兩倍或更多倍。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，連接片狀的接觸區(qū)域可移動(dòng)地設(shè)置在承載件上。尤其地，連接片狀的接觸區(qū)域能夠彈性地在承載件上移動(dòng)。連接片狀的接觸區(qū)域尤其能夠沿垂直于連接片延伸方向的方向移動(dòng)，優(yōu)選能夠彈性地移動(dòng)。
[0020]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，電絕緣層至少在連接片狀的接觸區(qū)域的一個(gè)側(cè)面處具有留空部。留空部尤其能夠通過(guò)在電絕緣層中的凹陷部或通過(guò)穿過(guò)電絕緣層伸出的開(kāi)口在電絕緣層中構(gòu)成。在此和在下文中，稱(chēng)作為連接片狀的接觸區(qū)域的側(cè)面的是接觸區(qū)域的邊緣面，所述邊緣面優(yōu)選平行于或至少基本上平行于連接片狀的接觸區(qū)域的連接片延伸方向伸展。
[0021]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，連接片狀的接觸區(qū)域設(shè)置在兩個(gè)留空部之間或設(shè)置在一個(gè)留空部的兩個(gè)子區(qū)域之間。這兩個(gè)留空部或留空部的這兩個(gè)子區(qū)域特別優(yōu)選地鄰接于連接片狀的接觸區(qū)域的兩個(gè)側(cè)面設(shè)置。
[0022]根據(jù)另一個(gè)尤其優(yōu)選的實(shí)施形式，連接片狀的接觸區(qū)域除了一側(cè)之外全面地由電絕緣層中的一個(gè)或多個(gè)留空部包圍，所述留空部特別優(yōu)選地直接鄰接于連接片狀的接觸區(qū)域。換言之，這能夠意味著，連接片狀的接觸區(qū)域半島形地構(gòu)成。
[0023]通過(guò)在電絕緣層中構(gòu)成至少一個(gè)留空部，電絕緣層的上面施加有電接觸層的連接片狀的接觸區(qū)域的部分至少部分地與其余的電絕緣層至少在垂直于連接片狀的接觸區(qū)域的連接片延伸方向的方向上機(jī)械地退聯(lián)。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)連接片狀的接觸區(qū)域的和電絕緣層的位于其下的連接片狀的區(qū)域在橫向方向上、即垂直于連接片延伸方向的移動(dòng)性。在此，連接片狀的接觸區(qū)域的寬度相對(duì)于其長(zhǎng)度越小并且留空部伸入到電絕緣層中越深，那么移動(dòng)性就可以越大。
[0024]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，承載件構(gòu)成為金屬芯印刷電路板，其中留空部穿過(guò)電絕緣層到達(dá)直至位于所述電絕緣層之下的金屬層。
[0025]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，電接觸層具有兩個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域，在這兩個(gè)接觸區(qū)域之間構(gòu)成有電絕緣層中的留空部。尤其地，這兩個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域能夠彼此對(duì)齊，即換言之沿著一條直線設(shè)置并且具有平行的連接片延伸方向。尤其地，這兩個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域能夠經(jīng)由電接觸層的其他區(qū)域而彼此導(dǎo)電地連接。
[0026]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，電接觸層具有端子區(qū)域，所述端子區(qū)域經(jīng)由電接觸層的其他區(qū)域與一個(gè)或多個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域?qū)щ姷剡B接。[0027]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，電接觸層具有與連接片狀的接觸區(qū)域電絕緣的其他的接觸區(qū)域。連接片狀的接觸區(qū)域和與其電絕緣的其他的接觸區(qū)域能夠構(gòu)成兩個(gè)電端子，借助于所述電端子能夠電連接并且機(jī)械連接電氣器件、尤其例如倒裝芯片。由此，可能的是:由于連接片狀的接觸區(qū)域的可移動(dòng)性，在連接片狀的接觸區(qū)域和其他的接觸區(qū)域之間的間距能
夠變化。
[0028]此外，電絕緣層中的至少一個(gè)留空部能夠設(shè)置在連接片狀的接觸區(qū)域和與其絕緣的其他的接觸區(qū)域之間。至少一個(gè)留空部尤其能夠構(gòu)成為鄰接于連接片狀的接觸區(qū)域的朝向其他的接觸區(qū)域的側(cè)面。
[0029]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，其他的接觸區(qū)域構(gòu)成為用于電氣器件的大面積的連接焊盤(pán)。由此，其他的接觸區(qū)域能夠用作為電氣器件的有效的散熱裝置。對(duì)此替選地，其他的接觸區(qū)域同樣能夠連接片狀地構(gòu)成并且例如通過(guò)所描述的措施例如也是可移動(dòng)的。
[0030]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，在電絕緣層中的至少一個(gè)留空部通過(guò)至少在連接片狀的接觸區(qū)域的一個(gè)側(cè)面處至少部分地移除電絕緣層來(lái)構(gòu)成。對(duì)此，例如能夠使用刻蝕法、例如濕化學(xué)刻蝕或離子刻蝕。替選地或附加地，該至少一個(gè)留空部也能夠通過(guò)在電絕緣層中進(jìn)行激光處理和/或壓印來(lái)構(gòu)成。尤其在刻蝕法的情況下，至少一個(gè)留空部能夠借助于相應(yīng)地結(jié)構(gòu)化的光掩膜或光敏層來(lái)構(gòu)成。
[0031]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，連接片狀的接觸區(qū)域具有朝向電絕緣層減小的連接片寬度。在此，減小的連接片寬度能夠附加于或替選于之前描述的至少一個(gè)留空部構(gòu)成。尤其地，承載設(shè)備能夠在與前述其他特征組合的情況下替選于或附加于在電絕緣層中的至少一個(gè)留空部而具有帶有朝向電絕緣層減小的連接片寬度的連接片狀的接觸區(qū)域。
[0032]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，為了構(gòu)成連接片狀的接觸區(qū)域的朝向電絕緣層減小的連接片寬度，對(duì)連接片狀的接觸區(qū)域尤其在至少一個(gè)并且優(yōu)選兩個(gè)側(cè)面上進(jìn)行刻蝕或鉆蝕。通過(guò)側(cè)面的刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)，連接片狀的接觸區(qū)域借助與其背離電絕緣層的上側(cè)相比更窄的邊界面仍然總是設(shè)置成與電絕緣層直接接觸。在鉆蝕的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)，連接片狀的接觸區(qū)域至少在一個(gè)子區(qū)域中從電絕緣層剝離進(jìn)而至少在所述子區(qū)域中構(gòu)成為是無(wú)支承的。如已經(jīng)在上文中結(jié)合在電絕緣層中的至少一個(gè)留空部所描述的那樣，通過(guò)連接片狀的接觸區(qū)域的在朝向絕緣層的方向上減小的連接片寬度，能夠?qū)崿F(xiàn)連接片狀的接觸區(qū)域在垂直于連接片延伸方向的方向上的可移動(dòng)性、特別優(yōu)選為彈性的可移動(dòng)性。
[0033]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，將刻蝕法、尤其是濕化學(xué)刻蝕或離子刻蝕用于構(gòu)成連接片狀的接觸區(qū)域的朝向絕緣層減小的連接片寬度。對(duì)此替選地，也能夠進(jìn)行激光處理和/或壓印。尤其在與刻蝕法結(jié)合的情況下，能夠事先施加光刻膠或形成掩膜的光敏層，所述光刻膠或光敏層在連接片狀的接觸區(qū)域的側(cè)面的區(qū)域中被部分地移除。
[0034]在借助于合適的措施執(zhí)行刻蝕法時(shí)實(shí)現(xiàn):連接片狀的接觸區(qū)域的朝向電絕緣層的下側(cè)與其上側(cè)相比被更強(qiáng)地刻蝕。例如，為此，在刻蝕法之前能夠?qū)⒂操|(zhì)掩膜、例如電鍍沉積的掩膜施加在電接觸層上。硬質(zhì)掩膜例如能夠具有帶有鎳、帶有鎳和金或帶有鎳、鈀和金的層或者由其構(gòu)成。
[0035]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，在構(gòu)成至少一個(gè)留空部之后和/或在構(gòu)成朝向電絕緣層減小的連接片橫截面或者減小的連接片寬度之后，電接觸層的表面通過(guò)施加一個(gè)或多個(gè)其他的金屬層被精制。例如，一個(gè)或多個(gè)金屬層能夠通過(guò)無(wú)電流的電鍍法來(lái)施加。尤其地，在此能夠施加一個(gè)或多個(gè)層，所述層具有鎳和金；具有鎳、鈀和金；具有鎳和銀或者具有銀，或者由其構(gòu)成。
[0036]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，電氣設(shè)備具有根據(jù)上文所描述的實(shí)施形式的承載設(shè)備。此夕卜，在電氣設(shè)備上設(shè)置有電氣器件，所述電氣器件以電的和機(jī)械的方式連接于至少一個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域。以電的和機(jī)械的方式連接尤其能夠通過(guò)焊接連接來(lái)構(gòu)成，所述焊接連接能夠?qū)崿F(xiàn)高的堅(jiān)固性和從電氣器件至電接觸層的有效的散熱。此外，以電的和機(jī)械的方式連接能夠通過(guò)燒結(jié)連接來(lái)構(gòu)成，所述燒結(jié)連接具有小的延展性并且能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體芯片的良好的熱連接。尤其地，用于電氣設(shè)備的承載設(shè)備能夠具有上文所描述的接觸區(qū)域，使得其他的接觸區(qū)域和連接片狀的接觸區(qū)域能夠形成兩個(gè)電端子以用于電接觸并且用于安裝電氣器件。
[0037]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，電氣器件和承載設(shè)備具有不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)。例如，承載設(shè)備能夠構(gòu)成為電路板、金屬芯印刷電路板、陶瓷印刷電路板或者例如具有硅或鋁的陽(yáng)極氧化的金屬薄膜或半金屬薄膜。在金屬芯印刷電路板作為承載件的情況下，承載設(shè)備的CTE能夠基本上相應(yīng)于金屬芯的CTE。承載設(shè)備例如能夠具有比電氣器件更大的熱膨脹系數(shù)。在承載設(shè)備和/或電氣器件變熱以及所述承載設(shè)備和電氣器件的與其相關(guān)聯(lián)的不同的熱膨脹的情況下，熱機(jī)負(fù)荷能夠通過(guò)連接片狀的接觸區(qū)域由于至少一個(gè)留空部或連接片狀的接觸區(qū)域的朝向絕緣層減小的連接片寬度所引起的可移動(dòng)性來(lái)補(bǔ)償。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)電氣器件在承載設(shè)備上的電連接和機(jī)械連接的高的可靠性，尤其在熱機(jī)交變負(fù)荷的情況下也如此。通過(guò)電接觸層的優(yōu)選大面積的其他的接觸區(qū)域，能夠?qū)崿F(xiàn)電氣器件良好地?zé)釕?yīng)用于承載設(shè)備進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電氣器件的有效的散熱。因?yàn)樵谶@里描述的電氣設(shè)備中的承載設(shè)備的和電氣器件的CTE不必是相同的，例如能夠使用低成本的基板材料、例如金屬芯印刷電路板來(lái)代替在現(xiàn)有技術(shù)中使用的昂貴的氮化鋁陶瓷基板。
[0038]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，承載設(shè)備或電氣設(shè)備設(shè)置在冷卻體上。冷卻體優(yōu)選設(shè)置在背離電接觸層和電氣器件的一側(cè)上。例如，冷卻體能夠是金屬的冷卻體。在能夠用于這里所描述的承載設(shè)備的承載件材料的情況下，承載設(shè)備和冷卻體之間的熱膨脹系數(shù)的差異能夠選為小的并且在理想情況下選為等于零，使得在承載設(shè)備和附加的冷卻體之間產(chǎn)生僅小的熱機(jī)負(fù)荷或不產(chǎn)生熱機(jī)負(fù)荷。
[0039]這里所描述的承載材料例如在如具有鋁層作為金屬芯的金屬芯印刷電路板的情況下尤其也能夠是機(jī)械上非常結(jié)實(shí)的。因此，例如能夠通過(guò)旋緊、擠壓、彎曲或類(lèi)似的機(jī)械負(fù)荷所引起的機(jī)械負(fù)荷峰值能夠通過(guò)承載設(shè)備的塑性變形來(lái)降低。因此，面板斷裂的風(fēng)險(xiǎn)比陶瓷基板、如氮化鋁陶瓷小數(shù)倍。
[0040]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，電氣設(shè)備具有多個(gè)電氣器件，其中每個(gè)電氣器件分別在連接片狀的接觸區(qū)域上并且此外例如也在其他的接觸區(qū)域上施加在承載設(shè)備上。
[0041]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，電氣器件構(gòu)成為能在一側(cè)接觸的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片在安裝側(cè)上具有至少兩個(gè)要彼此分開(kāi)地進(jìn)行接觸的連接面，所述安裝側(cè)也就是半導(dǎo)體芯片借助于其安置到承載件上的一側(cè)。例如，能在一側(cè)接觸的半導(dǎo)體芯片能夠構(gòu)成為倒裝芯片。特別優(yōu)選的是，電氣器件構(gòu)成為發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片，尤其構(gòu)成為能在一側(cè)接觸的發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片，例如為構(gòu)成的發(fā)射光的倒裝芯片半導(dǎo)體芯片。這種器件對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是已知的從而在此不再進(jìn)一步詳述。在發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片的情況下，電氣設(shè)備尤其能夠構(gòu)成為發(fā)射光的設(shè)備。
[0042]通過(guò)這里所描述的承載設(shè)備可能的是，借助于合適的機(jī)械結(jié)構(gòu)、尤其連接片狀的接觸區(qū)域和在電絕緣層中的至少一個(gè)留空部和/或連接片狀的接觸區(qū)域的朝向絕緣層減小的連接片寬度，在承載設(shè)備和安裝在承載設(shè)備上的電氣器件之間的邊界面上產(chǎn)生的機(jī)械負(fù)荷最小化。由此，能夠在熱機(jī)負(fù)荷的情況下降低故障風(fēng)險(xiǎn)。如上文所描述的那樣，這能夠通過(guò)將電絕緣層的一些部分目的明確地移除和/或?qū)﹄娊佑|層和尤其連接片狀的接觸區(qū)域目的明確地進(jìn)行刻蝕或鉆蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中連接片狀的接觸區(qū)域成形為，使得構(gòu)建機(jī)械彈性進(jìn)而連接片狀的接觸區(qū)域柔性地構(gòu)成。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0043]從在下文中結(jié)合附圖描述的實(shí)施形式中得到本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)和有利的實(shí)施形式和改進(jìn)方案。
[0044]附圖示出:
[0045]圖1示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的承載設(shè)備的示意圖，
[0046]圖2示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的電氣設(shè)備的示意圖，
[0047]圖3A至3H示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的用于制造承載設(shè)備的方法的方法步驟的示意圖，以及
[0048]圖4A至4D示出接觸區(qū)域的其他的實(shí)施例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]在實(shí)施例和附圖中，相同的或起相同作用的組成部分分別設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。示出的元件以及其相互間的大小關(guān)系原則上不視為是按照比例的，更確切地說(shuō)，為了更好的可示性和/或?yàn)榱烁玫睦斫猓軌蛞钥鋸埓蠡蚩鋸埡竦某叽缡境鰝€(gè)別元件，例如層、構(gòu)件、器件和區(qū)域。
[0050]在圖1中示出承載設(shè)備100的實(shí)施例。承載設(shè)備100具有承載件I,所述承載件在示出的實(shí)施例中通過(guò)由塑料材料、例如由用于印刷電路板或電路板的塑料材料所構(gòu)成的電絕緣層10來(lái)構(gòu)成，所述電絕緣層設(shè)置在由金屬、例如鋁構(gòu)成的承載層上。例如，電絕緣層10和承載層11能夠是金屬芯印刷電路板(MCPCB)的一部分，使得承載件I構(gòu)成為金屬芯印刷電路板。
[0051]在電絕緣層10上施加有電接觸層2，所述電接觸層構(gòu)成承載設(shè)備100的布線平面。如在下文中與圖3C和3D相關(guān)地結(jié)合另一個(gè)實(shí)施例所描述的那樣，電接觸層2例如能夠借助于由能結(jié)構(gòu)化的光刻膠構(gòu)成的光掩膜來(lái)制造。電接觸層例如能夠具有銅或由銅構(gòu)成，所述銅以電鍍的方式或通過(guò)層壓來(lái)施加。此外，電接觸層能夠具有其他的層，例如呈在背離電絕緣層10的表面上或在所有露出的表面上的硬質(zhì)掩膜或精制部的形式的具有鎳、具有鎳和金、具有鎳、鈀和金、具有鎳和銀或者具有銀的層。
[0052]在示出的實(shí)施例中，電接觸層具有連接片狀的接觸區(qū)域20，所述接觸區(qū)域經(jīng)由電接觸層2的其他區(qū)域彼此電連接并且與端子區(qū)域23電連接。替選于示出的具有兩個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域20的實(shí)施例，電接觸層2例如也能夠具有僅一個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域或多于兩個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域。[0053]此外，電接觸層2具有其他的接觸區(qū)域22，所述其他的接觸區(qū)域經(jīng)由電接觸2的其他區(qū)域與其他的端子區(qū)域24連接。連接片狀的接觸區(qū)域20和其他的接觸區(qū)域22是彼此電絕緣的并且用于電連接和固定電氣器件，如繼續(xù)在下文中結(jié)合實(shí)施例在圖2中示出的那樣。
[0054]在電絕緣層10中以鄰接于連接片狀的接觸區(qū)域20的側(cè)面21的方式構(gòu)成有呈凹陷部形式的留空部3。留空部具有小于電絕緣層的厚度的深度。對(duì)此替選地，留空部3也構(gòu)成為在電絕緣層10中的開(kāi)口，所述開(kāi)口貫穿伸出直至承載層11。在示出的實(shí)施例中，凹陷部3從連接片狀的接觸區(qū)域20伸展直至其他的接觸區(qū)域22。
[0055]彼此對(duì)準(zhǔn)并且在沿其相應(yīng)的連接片延伸方向的線上設(shè)置的兩個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域20通過(guò)留空部3的一部分而彼此分開(kāi)。尤其地，兩個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域20除了一側(cè)之外分別全面地由留空部3的區(qū)域包圍。由此，換言之，連接片狀的接觸區(qū)域20半島形地或者除了各一側(cè)之外獨(dú)立式地構(gòu)成。連接片狀的接觸區(qū)域20的寬度分別比相應(yīng)的連接片長(zhǎng)度小多倍。通過(guò)留空部3，電絕緣層10的在電接觸層2的連接片狀的接觸區(qū)域20之下的區(qū)域機(jī)械地與電絕緣層10的其余部分分開(kāi)并且由于電絕緣層10的塑料材料和連接片狀的接觸區(qū)域的幾何構(gòu)成方案在沿用雙箭頭99表示的方向上具有柔性、尤其彈性的柔性。由此，在連接片狀的接觸區(qū)域20和其他的接觸區(qū)域22之間的間距能夠在連接片狀的接觸區(qū)域20的可移動(dòng)性的范圍中變化。連接片狀的接觸區(qū)域20越窄以及留空部3構(gòu)成為越深，那么連接片狀的接觸區(qū)域20的柔性就越大。
[0056]留空部3例如能夠利用與用于結(jié)構(gòu)化地施加電接觸層2相同的光掩膜來(lái)制造，其中在施加電接觸層2之后，將應(yīng)構(gòu)成有留空部3的區(qū)域中的光掩膜移除并且將這樣露出的電絕緣層通過(guò)鉆蝕、例如通過(guò)濕化學(xué)刻蝕或離子刻蝕或者也通過(guò)激光處理至少部分地移除。對(duì)此替選地，壓印也是可能的。
[0057]在圖2中示出電氣設(shè)備200的一個(gè)實(shí)施例，所述電氣設(shè)備具有根據(jù)圖1中的實(shí)施例的承載設(shè)備100。對(duì)此替選地，電氣設(shè)備200也能夠具有如結(jié)合圖3A至3H的實(shí)施例描述的承載設(shè)備101。
[0058]如在上文中結(jié)合圖1中的實(shí)施例的承載設(shè)備100所描述的那樣，電氣設(shè)備200在電絕緣層10上具有結(jié)構(gòu)化的接觸層2。
[0059]在電接觸層2上施加有電氣器件4，所述電氣器件以電的和機(jī)械的方式電連接并且機(jī)械連接于連接片狀的接觸區(qū)域20和其他的接觸區(qū)域22。在此，電氣器件焊接在電接觸層2的連接片狀的接觸區(qū)域20和其他的接觸區(qū)域22上。經(jīng)由端子區(qū)域23和24，電氣器件4能夠電連接于外部的電流供應(yīng)裝置和電壓供應(yīng)裝置。
[0060]電氣器件尤其構(gòu)成為倒裝芯片，并且特別優(yōu)選構(gòu)成為以倒裝芯片的構(gòu)造方式的發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片。由此，電氣設(shè)備200也能夠構(gòu)成為發(fā)射光的設(shè)備。
[0061]通過(guò)將留空部3引入到構(gòu)成為金屬芯印刷電路板的承載件I的電絕緣層10中，通過(guò)連接片狀的接觸區(qū)域20構(gòu)成的連接金屬化部的如在圖1中由雙箭頭99表明的橫向可移動(dòng)性變大。電氣器件4純示例地具有對(duì)于發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片典型的大約為4ppm/開(kāi)爾文的熱膨脹系數(shù)，而在示出的實(shí)施例中由鋁構(gòu)成的承載層11具有為23ppm/開(kāi)爾文的熱膨脹系數(shù)。由于連接金屬化部的所描述的橫向可移動(dòng)性，減小了通過(guò)電氣器件4和承載設(shè)備100、尤其即和承載件I和在此尤其是由鋁構(gòu)成的承載層11的不同的熱膨脹系數(shù)(CTE不匹配)引起的力。因此，在例如能夠由于電氣器件4在運(yùn)行中變熱而產(chǎn)生的熱機(jī)負(fù)荷的情況下實(shí)現(xiàn)高的可靠性，因?yàn)槟軌蚴棺饔玫诫娊佑|層2和電氣器件4之間的連接部或邊界面上的負(fù)荷最小。
[0062]如在概述部分中所描述的那樣，電氣設(shè)備200能夠借助承載件I的背離絕緣層10的一側(cè)來(lái)施加在冷卻體、例如金屬的冷卻體上。由于承載層11由鋁構(gòu)成，優(yōu)選地，在承載設(shè)備100和附加的冷卻體之間產(chǎn)生僅小的熱機(jī)負(fù)荷或者不產(chǎn)生熱機(jī)負(fù)荷。
[0063]通過(guò)大面積地構(gòu)成其他的接觸區(qū)域22并且借助于焊接連接將電氣器件4電連接到電接觸層2上，能夠確保從電氣器件4到承載設(shè)備100上的有效的熱量導(dǎo)出。
[0064]替選于示出的實(shí)施例也可能的是，接觸區(qū)域22連接片形地構(gòu)成并且電絕緣層10在其他的接觸區(qū)域的側(cè)面處設(shè)有相應(yīng)的凹陷部，以便進(jìn)一步提高電接觸層的彈性。
[0065]替選于具有僅一個(gè)電氣器件4的不出的實(shí)施例，電氣設(shè)備200也能夠具有多個(gè)電氣器件4，分別借助于相應(yīng)的電接觸層2來(lái)接觸所述電氣器件。
[0066]在圖3A至3H中示出用于制造承載設(shè)備101的另一個(gè)實(shí)施例，其中尤其地，在圖3A至3E中描述的方法步驟在制造根據(jù)圖1的實(shí)施例的承載設(shè)備100的范圍中也是適合的。
[0067]在根據(jù)圖3A的第一方法步驟中，提供承載件1，所述承載件在示出的實(shí)施例中通過(guò)由陶瓷材料構(gòu)成的電絕緣層10來(lái)構(gòu)成。對(duì)此替選地，電絕緣層10也能夠由塑料材料、例如FR4材料構(gòu)成。例如，當(dāng)不必導(dǎo)出過(guò)高的熱量時(shí)，這樣的材料是適合的。對(duì)此替選地，承載件I也能夠如在根據(jù)圖1的實(shí)施例中那樣構(gòu)成為金屬芯印刷電路板或?qū)Υ颂孢x地也構(gòu)成為電路板、玻璃基板、玻璃陶瓷基板或者例如由陽(yáng)極氧化的硅或鋁構(gòu)成的陽(yáng)極氧化的金屬薄膜或半金屬薄膜。
[0068]在根據(jù)圖3B的另一方法步驟中，在承載件I的電絕緣層10上施加由光刻膠構(gòu)成的層5。如在圖3C中示出的，光刻膠5通過(guò)結(jié)構(gòu)化而設(shè)有開(kāi)口 50，如在圖3D中示出的那樣，在所述開(kāi)口中施加電接觸層2。所述電接觸層例如能夠通過(guò)電鍍法或通過(guò)層壓法來(lái)施加。電接觸層在示出的實(shí)施例中由銅構(gòu)成并且具有大于或等于60 μ m并且小于或等于80 μ m的厚度。電接觸層2的具有連接片狀的接觸區(qū)域20、其他的接觸區(qū)域22和端子區(qū)域23和24的幾何構(gòu)成方案對(duì)應(yīng)于根據(jù)圖1的實(shí)施例的構(gòu)成方案。對(duì)此替選地，具有至少一個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域20的其他的幾何實(shí)施方案也是可能的。
[0069]在根據(jù)圖3E的另一方法步驟中，電接觸層2的所施加的銅層用硬質(zhì)掩膜來(lái)保護(hù)，所述硬質(zhì)掩膜被電沉積并且所述硬質(zhì)掩膜例如具有鎳、具有鎳和金或者具有鎳、鈀和金或者由其構(gòu)成。
[0070]在根據(jù)圖3F的另一方法步驟中，在構(gòu)成其他的開(kāi)口 51的情況下局部地將在電接觸層2的連接片狀的接觸區(qū)域20的區(qū)域中的層5移除。對(duì)此替選地，例如也能夠完全地移除層5并且施加由光刻膠構(gòu)成的其他的層并且在示出的區(qū)域中結(jié)構(gòu)化。
[0071]在根據(jù)圖3G的另一方法步驟中，執(zhí)行刻蝕法，例如濕化學(xué)刻蝕或離子刻蝕，借助于所述刻蝕法對(duì)連接片狀的接觸區(qū)域20的敞開(kāi)的側(cè)面21進(jìn)行刻蝕，使得連接片狀的接觸區(qū)域20具有朝向承載件I的絕緣層10減小的連接片寬度。根據(jù)所執(zhí)行的刻蝕法，在此能夠?qū)?cè)面21進(jìn)行刻蝕，使得還保持連接片狀的接觸區(qū)域20和絕緣層10之間的接觸；或也進(jìn)行鉆蝕(unteratzt),使得連接片狀的接觸區(qū)域在光掩膜5的開(kāi)口 51的區(qū)域中是無(wú)支承的。[0072]在根據(jù)圖3H的另一方法步驟中，移除由光刻膠構(gòu)成的層5并且電接觸層2的金屬表面借助于無(wú)電流電鍍通過(guò)施加一個(gè)或多個(gè)例如由鎳和金、由鎳、鈀和金、由鎳和銀或者由銀構(gòu)成的層來(lái)覆蓋進(jìn)而精制。
[0073]通過(guò)局部限制地刻蝕連接片狀的區(qū)域20的露出的側(cè)面21，實(shí)現(xiàn)使電接觸層2在連接片狀的接觸區(qū)域20的區(qū)域中的材料橫截面變薄。由于所述刻蝕并且優(yōu)選由于對(duì)窄的連接片狀的接觸區(qū)域20的鉆蝕，電接觸層2在連接片狀的接觸區(qū)域20的區(qū)域中變?yōu)槿嵝缘?。能夠通過(guò)在承載件I和施加在其上的電氣器件之間的熱膨脹系數(shù)的不同出現(xiàn)的機(jī)械力由此被最小化并且不能被傳遞。
[0074]在圖4A至4D中，以用于設(shè)置電接觸層2的接觸區(qū)域20、22的另外的實(shí)施例示出具有電絕緣層10的承載件I的局部。在此，接觸區(qū)域20、22能夠借助于在上文中描述的方法中的一種來(lái)制造，例如具有如在圖4A至4D中由虛線表明的留空部3。替選地或附加地，接觸區(qū)域20、22能夠在虛線區(qū)域中分別構(gòu)成有朝向承載件I減小的連接片寬度。
[0075]在圖4A至4C的示出的實(shí)施例中，除了分別存在的連接片狀的接觸區(qū)域20之外還設(shè)有同樣連接片狀地構(gòu)成的其他的接觸區(qū)域22。
[0076]根據(jù)圖4A中的實(shí)施例的接觸區(qū)域20、22并排地構(gòu)成并且在相同的方向上延伸，而圖4B和4C的實(shí)施例中的連接片狀的接觸區(qū)域20和其他的接觸區(qū)域22齒狀地彼此接合。在此，根據(jù)圖4C的實(shí)施例的其他的接觸區(qū)域22彼此連接并且具有到共同的端子區(qū)域(未示出)的共同的饋電部。
[0077]根據(jù)圖4D的實(shí)施例，承載件I具有多個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域20，這些接觸區(qū)域彼此電連接并且圍繞其他的接觸區(qū)域22設(shè)置。在此，在示出的實(shí)施例中，其他的接觸區(qū)域22十字形地構(gòu)成，使得連接片狀的接觸區(qū)域20優(yōu)選在兩個(gè)彼此垂直的方向上相對(duì)于其他的接觸區(qū)域22柔性地構(gòu)成。
[0078]替選于示出的實(shí)施例，在承載件上還能夠存在例如也能夠連接片狀地構(gòu)成的其他的接觸區(qū)域。尤其地，接觸區(qū)域20、22能夠匹配于要安裝的半導(dǎo)體芯片的接觸面的預(yù)設(shè)的設(shè)置。
[0079]在附圖中示出的實(shí)施例能夠具有根據(jù)在概述部分中描述的實(shí)施形式的其他的或替選的特征。此外，也能夠?qū)Y(jié)合圖1至4D的實(shí)施例描述的主題和方法以及相應(yīng)的特征進(jìn)行組合。
[0080]本發(fā)明不局限于根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述。更確切地說(shuō)，本發(fā)明包括每個(gè)新特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使所述特征或所述組合自身沒(méi)有明確地在權(quán)利要求中或?qū)嵤├姓f(shuō)明時(shí)也如此。
【權(quán)利要求】
1.一種用于電氣器件的承載設(shè)備，所述承載設(shè)備具有: -承載件(I)，所述承載件具有電絕緣層(10)，和 -在所述電絕緣層(10 )上的電接觸層(2 )， -其中所述電接觸層(2)具有至少一個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域(20)， -其中所述電絕緣層(10)中的至少一個(gè)留空部(3)至少設(shè)置在所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)的一個(gè)側(cè)面(21)上和/或所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)具有朝向所述絕緣層(10)減小的連接片寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載設(shè)備，其中所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)設(shè)置在兩個(gè)留空部之間或設(shè)置在一個(gè)留空部(3)的兩個(gè)子區(qū)域之間，兩個(gè)所述留空部或留空部的兩個(gè)所述子區(qū)域鄰接于所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)的所述側(cè)面(21)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的承載設(shè)備，其中所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)除了一側(cè)之外全面地由一個(gè)或多個(gè)留空部(3)包圍。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的承載設(shè)備，其中所述電接觸層(2)具有兩個(gè)連接片狀的接觸區(qū)域(20)，兩個(gè)所述連接片狀的接觸區(qū)域彼此對(duì)準(zhǔn)地設(shè)置，并且在兩個(gè)所述連接片狀的接觸區(qū)域之間，所述留空部(3)構(gòu)成在所述電絕緣層(10)中。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的承載設(shè)備，其中所述電接觸層(2)具有與所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)電絕緣的其他接觸區(qū)域(22)，并且其中所述電絕緣層(10)中的至少一個(gè)所述留空部(3)設(shè)置在所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)和所述其他接觸區(qū)域(22)之間。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的承載設(shè)備，其中所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)的所述側(cè)面(21)被刻蝕或鉆蝕。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的承載設(shè)備，其中所述承載設(shè)備構(gòu)成為電路板、具有金屬芯的電路板、陶瓷承載件、玻璃承載件、玻璃陶瓷承載件或陽(yáng)極氧化的承載件。
8.一種電氣設(shè)備，所述電氣設(shè)備具有根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的承載設(shè)備并且具有電氣器件(4)，所述電氣器件電連接并且機(jī)械連接于至少一個(gè)所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電氣設(shè)備，其中所述電氣器件(4)和所述承載設(shè)備(100)具有不同的熱膨脹系數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的電氣設(shè)備，其中所述承載設(shè)備(100)的所述電接觸層(2)具有與所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)電絕緣的其他接觸區(qū)域(22)，其中在所述電絕緣層(10)中的至少一個(gè)所述留空部(3)設(shè)置在所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)和所述其他接觸區(qū)域(22)之間，并且其中所述電氣器件(4)電連接并且機(jī)械連接于所述其他接觸區(qū)域(22)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的電氣設(shè)備，其中所述電氣器件(4)是構(gòu)成為倒裝芯片的發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片并且所述電氣設(shè)備是發(fā)射光的設(shè)備。
12.一種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的承載設(shè)備或根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的電氣設(shè)備的方法，所述方法具有下述步驟: A)提供承載件(I)，所述承載件具有電絕緣層(10)， B)施加具有連接片狀的接觸區(qū)域(20)的電接觸層(2)，C)通過(guò)至少在所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)的一個(gè)側(cè)面(21)處至少部分地移除所述電絕緣層(10)而在所述電絕緣層(10)中構(gòu)成至少一個(gè)留空部(3)和/或構(gòu)成所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)的朝向所述絕緣層(10)減小的連接片寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在方法步驟C中執(zhí)行刻蝕法、尤其濕化學(xué)刻蝕或離子刻蝕。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述連接片狀的接觸區(qū)域(20)的區(qū)域中對(duì)所述電接觸層(2 )進(jìn)行刻蝕或鉆蝕。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，其中在方法步驟C中執(zhí)行激光處理或壓印。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK103828079SQ201280046652
【公開(kāi)日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月25日
【發(fā)明者】克里斯特·貝格內(nèi)克, 安德烈亞斯·比貝爾斯多夫, 約爾格·佐爾格 申請(qǐng)人:歐司朗股份有限公司