層疊線圈部件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種層疊線圈部件，該層疊線圈部件在未導致直流電阻增大的情況下提高直流疊加特性且降低可產(chǎn)生于磁體內(nèi)的應力。該層疊線圈部件（11）具有：磁體層層疊而形成的磁體部（2），以及將配置于磁體層間的多個導體圖案層貫通磁體層而相互連接成線圈狀并埋設(shè)于磁體部（2）而形成的導體部（3），其中，導體部（3）由含有銀的導體形成，磁體部（2）由含有Fe2O3、NiO、ZnO、CuO的燒結(jié)鐵氧體材料形成，磁體部（2）的導體部附近區(qū)域的Cu含量（換算成CuO）相對于磁體部（2）的中央?yún)^(qū)域的Cu含量（換算成CuO）的比為0.2～0.5。
【專利說明】層疊線圈部件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及層疊線圈部件，更詳細而言，涉及具有將磁體層進行層疊而形成的磁體部、以及將配置于磁體層間的多個導體圖案層貫通磁體層而相互連接成線圈狀并埋設(shè)于磁體部而形成的導體部的層疊線圈部件。此外，本發(fā)明也涉及該層疊線圈部件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，層疊線圈部件小型且分量輕，但若以大的直流電流通電，則磁體會磁飽和，電感下降，因此與卷線型線圈部件相比，存在額定電流小的難點。所以，對于層疊線圈部件，需要提高飽和磁通密度，換句話說，需要使直流疊加特性提高(可在更大的直流電流范圍得到穩(wěn)定的電感)。
[0003]以往，層疊線圈部件是將鐵氧體材料的生片和含有銀的導體糊料在空氣中同時燒制，從而燒結(jié)形成磁體層和導體圖案層來進行制造。通過這種制造方法所得的層疊線圈部件由于鐵氧體材料與銀的熱膨脹系數(shù)的不同，還存在磁體內(nèi)產(chǎn)生殘余應力，磁體的磁特性變差的問題。
[0004]在該情況下，在專利文獻I中提出使用混入了覆蓋銀粉末的SiO2作為燒結(jié)調(diào)節(jié)劑的導體糊料。認為該燒結(jié)調(diào)節(jié)劑可以適度擴散于磁體中，使磁體的導體圖案附近的燒結(jié)狀態(tài)比其以外的部分慢，梯度地形成對磁惰性的層，由此，能夠使直流疊加特性提高至大電流范圍。此外，也認為能夠防止由于導體圖案與磁體的熱膨脹系數(shù)的差而在磁體內(nèi)產(chǎn)生殘余應力而使磁特性變差。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2006-237438號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]然而，在專利文獻I所述的方法中，由于在導體糊料中混入燒結(jié)調(diào)節(jié)劑(具體而言是覆蓋銀粉末的SiO2),所以會產(chǎn)生將導體糊料燒結(jié)而得到的導體部的電阻必然變大，直流電阻(Rdc)變大這類的另外的問題。
[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種在未導致直流電阻增大的情況下提高直流疊加特性且可降低產(chǎn)生于磁體內(nèi)的內(nèi)部應力的層疊線圈部件。此外，本發(fā)明的進一步的目的在于提供該層疊線圈部件的制造方法。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的I個主旨，提供一種層疊線圈部件，上述層疊線圈部件具有將磁體層進行層疊而形成的磁體部、以及將配置于磁體層間的多個導體圖案層貫通磁體層而相互連接成線圈狀并埋設(shè)于磁體部而形成的導體部，
[0011]導體部由含有銀的導體形成，
[0012]磁體部由含有Fe、N1、Zn、Cu的燒結(jié)鐵氧體材料形成，
[0013]磁體部的導體部附近區(qū)域的Cu含量(換算成CuO)(重量％)相對于磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)(重量％)的比為0.2?0.5。
[0014]在上述以往的層疊線圈部件的制造方法中，是含有Fe203、NiO, ZnO、CuO的N1-Cu-Zn系鐵氧體材料，通常使用CuO含量為8mol%以上的鐵氧體材料。CuO與N1-Cu-Zn系鐵氧體材料的其它成分相比熔點低，降低CuO含量時，燒結(jié)性下降，因此為了充分地燒結(jié)，需要將燒制溫度上升至高于銀的熔點的溫度，無法將N1-Cu-Zn系鐵氧體材料的生片和含有銀的導體糊料同時燒制。這樣，為了將它們在空氣中同時燒制，需要使CuO含量為8mol%以上。
[0015]對此，本發(fā)明的發(fā)明人等進行了深入研究，其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)了降低CuO含量的同時可以將N1-Cu-Zn系鐵氧體材料的生片和含有銀的導體糊料同時燒制的熱處理條件(對此在后文進行敘述)，進而發(fā)現(xiàn)，由此而得到的層疊線圈部件中，磁體部的導體部附近區(qū)域的Cu含量(換算成CuO)(以下，本說明書中設(shè)為“y”(重量％))相對于磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)(以下，本說明書中設(shè)為“X”(重量％))的比7八為0.5以下。根據(jù)本發(fā)明的層疊線圈部件，該比y/x為0.2?0.5，因此使來源于CuO的Cu成分存在于導體部附近區(qū)域，而且與中央?yún)^(qū)域相比，可以使導體部附近區(qū)域的燒結(jié)密度和透磁率更小。通過使導體部附近區(qū)域的透磁率更小，可以使層疊線圈部件的直流疊加特性提高。進而，通過使導體部附近區(qū)域的燒結(jié)密度更小，可以在導體部附近緩和內(nèi)部應力，可以降低對層疊線圈部件施加熱沖擊試驗時的磁特性(例如電感)的變化。另外，在該本發(fā)明的層疊線圈部件中，利用含有銀的導體而形成導體部，未使用SiO2等燒結(jié)調(diào)節(jié)劑，因此不必擔心由于燒結(jié)調(diào)節(jié)劑導致直流電阻的增大。
[0016]應予說明，在本發(fā)明中，“磁體部的中央?yún)^(qū)域”是指在磁體部中位于形成導體圖案層的線圈的內(nèi)側(cè)且位于線圈的中心軸上及其附近的區(qū)域，具體而言，以距離線圈的中心軸10 μ m以內(nèi)的區(qū)域(例如，圖4 (a)所示的區(qū)域X)為代表。“磁體部的導體部附近區(qū)域”是指在磁體部中接近磁體部與導體部的界面的區(qū)域，以從磁體部與導體部的界面開始向磁體的內(nèi)部離開Iym以上且在10 μπι以內(nèi)的區(qū)域(例如，圖4 (a)所示的區(qū)域Y)為代表。磁體部的Cu含量(換算成CuO)(重量％)是通過使用波長分散型X射線分析法(WDX法)對磁體部的規(guī)定區(qū)域測定Cu含量，將由此所得的Cu含量換算成CuO而求出的。測定面積根據(jù)所使用的分析儀器而不同，例如，測定光束直徑為數(shù)十nm?I μ m，但不限定于此。測定部位可以在作為測定對象的區(qū)域內(nèi)適當?shù)卦O(shè)定，Cu含量(換算成CuO)(重量％)是以在該區(qū)域內(nèi)的幾個部位所測定的測定值的平均值求出。
[0017]在本發(fā)明的上述層疊線圈部件中，磁體部的導體部附近區(qū)域的Cu含量(換算成CuO) y相對于磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO) X的比y/x更優(yōu)選為0.2?0.3。根據(jù)該方式，可以進一步降低對層疊線圈部件施加熱沖擊試驗時的磁特性的變化。
[0018]在本發(fā)明的I個方式中，磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)為0.2?3重量％。存在磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)越高，上述比y/x變得越高的趨勢，但中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)為3重量％以下時，能夠使比y/x為0.5以下。若磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)這樣的小，則磁體部的飽和磁通密度(Bs)變高，有助于直流疊加特性的提高。然而，若磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)小于0.2重量％，則磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)與導體部附近區(qū)域的Cu (換算成CuO)含量之間的差變小，上述比y/x在適當?shù)姆秶?，中央?yún)^(qū)域和導體部附近區(qū)域的透磁率、結(jié)晶粒徑的差變小，因此優(yōu)選設(shè)為0.2重量％以上。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一個主旨，還提供一種層疊線圈部件的制造方法，該層疊線圈部件具有將磁體層進行層疊而形成的磁體部、以及將配置于磁體層間的多個導體圖案層貫通磁體層而相互連接成線圈狀并埋設(shè)于磁體部而形成的導體部，該制造方法包括:
[0020]將含有Fe203、Ni0、Zn0、Cu0且CuO含量為0.3?4mol%的鐵氧體材料的生片隔著含有銀的導體糊料層進行層疊，將導體糊料層貫通鐵氧體材料的生片而得到相互連接成線圈狀的層疊體，以及
[0021]通過將層疊體在氧濃度0.1體積％以下的環(huán)境下進行熱處理而燒制鐵氧體材料的生片和含有銀的導體糊料層，分別制成磁體層和導體圖案層，由此，分別形成上述磁體部和上述導體部。
[0022]如上所述，本發(fā)明的發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)了既降低CuO含量又可以將N1-Cu-Zn系鐵氧體材料的生片和含有銀的導體糊料同時燒制的熱處理條件。具體而言，得到以下見解:使用含有Fe203、NiO, ZnO、CuO且CuO的含量為0.3?4mol%的鐵氧體材料，將該鐵氧體材料在氧濃度0.1體積％以下的環(huán)境下燒制，從而確保高的電阻率(具體而言，106Ω -cm以上的電阻率)，而且可以在比將鐵氧體材料在空氣中燒制時低的溫度(在低于銀的熔點的溫度)燒結(jié)。由此而得到的燒結(jié)鐵氧體材料由于Cu含量(換算成CuO)下降，是具有高的飽和磁通密度(Bs)的軟磁性材料。根據(jù)本發(fā)明的上述制造方法，將具備含有Fe203、NiO, ZnO、CuO且CuO含量為0.3?4mol%的鐵氧體材料的生片和含有銀的導體糊料層而形成的層疊體在氧濃度0.1體積％以下的環(huán)境下進行熱處理，因此可以將鐵氧體材料的生片和含有銀的導體糊料層同時燒制，由此而得到的磁體部具有高的電阻率，中央?yún)^(qū)域具有高的燒結(jié)密度。通過實施本發(fā)明的上述制造方法，可以使磁體部的導體附近區(qū)域的Cu含量(換算成CuO)相對于中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)為0.2?0.5，實現(xiàn)本發(fā)明的上述層疊線圈部件。
[0023]根據(jù)本發(fā)明，提供一種層疊線圈部件，通過使磁體部的導體附近區(qū)域的Cu含量(換算成CuO)相對于中央?yún)^(qū)域的Cu含量(換算成CuO)為0.2?0.5，從而能提高直流疊加特性且能降低可產(chǎn)生于磁體內(nèi)的內(nèi)部應力。該本發(fā)明的層疊線圈部件不像專利文獻I那樣地在導體部中使用燒結(jié)調(diào)節(jié)劑，因此不必擔心由于燒結(jié)調(diào)節(jié)劑導致直流電阻的增大。此外，根據(jù)本發(fā)明，還提供上述層疊線圈部件的制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明的I個實施方式中的層疊線圈部件的簡要立體圖。
[0025]圖2是圖1的實施方式中的層疊線圈部件的簡要分解立體圖，是省略了外部電極的圖。
[0026]圖3是表示圖1的實施方式的改變例中的層疊線圈部件的圖，是沿著圖1的A-A’線觀察的簡要截面圖。
[0027]圖4是對應于圖3的圖，(a)是表示磁體部的中央?yún)^(qū)域和導體部附近區(qū)域的圖，(b)是例示地表示高Cu含量(換算成CuO)區(qū)域和低Cu含量(換算成CuO)區(qū)域的圖。
[0028]圖5是表示圖1的實施方式的改變例中的層疊線圈部件的圖，是對應于圖3 (a)的圖。【具體實施方式】
[0029]以下，一邊參照附圖一邊詳細地說明本發(fā)明的層疊線圈部件及其制造方法。
[0030]如圖1和圖3所示，對于本實施方式的層疊線圈部件11而言，大體上含有層疊體1，該層疊體I具有磁體部2和埋設(shè)于磁體部2而成的線圈狀導體部3，按照外部電極5a和5b覆蓋層疊體I的外周兩端面的方式設(shè)置，位于導體部3兩端的導出部4a和4b可分別連接于外部電極5a和5b。
[0031]更具體而言，參照圖2，磁體部2是將磁體層8a?8h進行層疊而形成的。此外，導體部3是將分別配置于磁體層8a?8h間的多個導體圖案層9a?9f通過貫通于磁體層8b?8f地設(shè)置的通孔IOa?10e，而相互連接成線圈狀。但是，需要注意的是，本實施方式的磁體部2和導體部3的構(gòu)成、形狀、圈數(shù)和配置等不限定于圖示的例子。
[0032]磁體部2由含有Fe203、Ni0、Zn0、Cu0的燒結(jié)鐵氧體材料形成。關(guān)于該磁體部2的Cu含量(換算成CuO)在后文進行敘述。導體部3只要是由含有銀的導體形成即可，優(yōu)選由含有銀作為主要成分的導體形成。外部電極5a、5b沒有特別的限定，通常由含有銀作為主要成分的導體形成，可根據(jù)需要鍍覆鎳和/或錫等。
[0033]該實施方式的層疊線圈部件11以下述方式進行制造。
[0034]首先，準備含有Fe203、NiO, ZnO、CuO且CuO含量為0.3?4mol%的鐵氧體材料的生片。
[0035]鐵氧體材料含有Fe203、ZnO、NiO和CuO作為主要成分，可以根據(jù)需要而進一步含有Bi2O3等添加成分。通常，對于鐵氧體材料，可將這些成分的粉末作為原材料以所需的比例進行混合和預燒而制備得到，但不限定于此。
[0036]在本實施方式中，鐵氧體材料的CuO含量設(shè)為0.3?4mol%(以主要成分合計為基準)。通過將CuO含量設(shè)為0.3?4mol%，利用下述熱處理燒制層疊體，可以使直流疊加特性提高且減小施加熱沖擊試驗時的磁特性的變化。
[0037]鐵氧體材料中的Fe2O3含量優(yōu)選設(shè)為44?49.8mol% (以主要成分合計為基準)。通過將Fe2O3含量設(shè)為44mol%以上，可以在磁體部的中央?yún)^(qū)域得到高的透磁率，可以取得大的電感。此外,通過將Fe2O3含量設(shè)為49.8mol以下，可以得到高的燒結(jié)性。
[0038]鐵氧體材料中的ZnO含量優(yōu)選設(shè)為6?33mol% (以主要成分合計為基準)。通過將ZnO含量設(shè)為6mol%以上，可以得到高的透磁率，可以取得大的電感。此外，通過將ZnO含量設(shè)為33mol%以下，可以避免居里點的下降，可以避免層疊線圈部件的運行溫度的下降。
[0039]鐵氧體材料中的NiO含量沒有特別的限定，可設(shè)為上述其它主要成分CuO、Fe2O3,ZnO的剩余部分。
[0040]此外，鐵氧體材料中的Bi2O3含量(添加量)優(yōu)選設(shè)為相對于主要成分(Fe203、ZnO、NiO、CuO)的合計100重量份為0.1?I重量份。通過將Bi2O3含量設(shè)為0.1?I重量份，從而進一步促進低溫燒制，而且可以避免異常粒子成長。若Bi2O3含量過高，則容易發(fā)生異常粒子成長，在異常粒子成長部位，電阻率下降，在外部電極形成時的鍍覆處理時，鍍層附著異常粒子成長部位，因此不優(yōu)選。
[0041]使用上述制備的鐵氧體材料來準備生片。例如，可以通過將鐵氧體材料與含有粘結(jié)劑樹脂和有機溶劑的有機載體進行混合/混煉，成型為片狀而得到生片，但不限定于此。
[0042]另外，準備含有銀的導體糊料。可以使用能購買獲得的含有粉末形態(tài)的銀的通常銀糊料，但不限定于此。
[0043]然后，將上述鐵氧體材料的生片(對應于磁體層8a?8h)隔著含有銀的導體糊料層(對應于導體圖案層9a?9f)進行層疊，導體糊料層通過貫通于鐵氧體材料的生片地設(shè)置的通孔(對應于通孔IOa?IOe)而相互連接成線圈狀，由此得到層疊體(為未燒制層疊體，對應于層疊體I)。
[0044]層疊體的形成方法沒有特別的限定，可以利用片材層疊法和印刷層疊法等形成層疊體。利用片材層疊法時，可以對鐵氧體材料的生片設(shè)置適當?shù)耐?，將導體糊料以規(guī)定的圖案(設(shè)置有通孔時，與填充通孔同時)印刷而形成導體糊料層，將適當形成了導體糊料層的生片進行層疊和壓合，切斷為規(guī)定的尺寸，得到層疊體。利用印刷層疊法時，通過反復將由鐵氧體材料形成的磁體糊料進行印刷而形成磁體層的工序、將導體糊料以規(guī)定的圖案進行印刷而形成導體糊料層的工序來制作層疊體。在形成磁體層的工序中，可以以在規(guī)定的部位設(shè)置通孔、導通上下的導體糊料層的方式進行，最后，印刷磁體糊料而形成磁體層(對應于磁體層8a)，將其切斷為規(guī)定的尺寸，得到層疊體。對于該層疊體而言，可以將多個一次性制作成矩陣狀后通過切割等切斷為一個一個(進行單元分離)來單個化，也可以預先逐個制作。
[0045]接著，通過將上述所得的層疊體在氧濃度0.1體積％以下的環(huán)境下進行熱處理，從而燒制鐵氧體材料的生片和含有銀的導體糊料層，分別制成磁體層8a?8h和導體圖案層9a?9f。由此而得到的層疊體I中，磁體層8a?8h形成磁體部2，導體圖案層9a?9f形成導體部3。
[0046]通過在氧濃度0.1體積％以下的環(huán)境下進行熱處理，可以在比在空氣中將鐵氧體材料進行熱處理時低的溫度下燒結(jié)，例如，能夠使燒制溫度為850?930°C。認為雖然本發(fā)明不被任何理論限制，但在低氧濃度環(huán)境下燒制時，可以在結(jié)晶結(jié)構(gòu)中形成氧缺陷，促進結(jié)晶中存在的Fe、N1、Cu、Zn的相互擴散，提高低溫燒結(jié)性。
[0047]另外,通過使用CuO含量為4mol%以下的N1-Zn-Cu系鐵氧體材料，從而即使在氧濃度0.1體積％以下的環(huán)境下燒制，也可以確保在磁體部2中的高的電阻率。認為雖然本發(fā)明不被任何理論限制，但在低氧濃度環(huán)境下燒制時，通過熱處理環(huán)境的還原作用，CuO還原為Cu2O,磁體部2的電阻率下降(阻抗下降)，認為通過減小CuO的含量，可以抑制CuO的還原所致的Cu2O的生成，由此抑制電阻率的下降。其中，燒制環(huán)境的氧濃度只要為0.1體積％以下即可，為了確保磁體部2的電阻率，優(yōu)選為0.001體積％以上。認為雖然本發(fā)明不被任何理論限制，但若氧濃度過低，則有可能生成所需以上的氧缺陷而磁體部2的電阻率下降，通過使氧一定程度地存在，可以避免過度生成氧缺陷，由此可以確保高的電阻率。
[0048]接著，以覆蓋上述所得的層疊體I的兩端面的方式，形成外部電極5a和5b。外部電極5a、5b的形成可通過如下方式來實施，例如將銀的粉末與玻璃等一同制成糊料狀，將該糊料涂布于規(guī)定的區(qū)域，將所得的結(jié)構(gòu)體以例如800?850°C進行熱處理而將銀燒結(jié)。
[0049]如以上所述，制造了本實施方式的層疊線圈部件11。在層疊線圈部件11中，如圖4 (a)所示，將磁體部2的中央?yún)^(qū)域X規(guī)定為與導體部3形成的線圈的中心軸(以虛線表示)相距10 μ m以內(nèi)的區(qū)域，將磁體部2的導體部附近區(qū)域Y規(guī)定為向著磁體2的內(nèi)部方向與磁體部2和導體部3的界面相距I?10 μ m以內(nèi)的區(qū)域。應予說明，在圖4 (a)中，導體部附近區(qū)域Y示出了在導體圖案層間分離的例子，但本實施方式不限定于此，也可以在導體圖案層間重合。
[0050]在磁體部2中，導體部附近區(qū)域Y的Cu含量(換算成CuO) y比磁體部2的中央?yún)^(qū)域X的Cu含量(換算成CuO) X低。認為雖然本發(fā)明不被任何理論限制，但若將CuO含量為0.3~4mol%的鐵氧體材料和含有銀的導體糊料在氧濃度0.1體積％以下的環(huán)境下同時燒制，則在該燒制過程中，來源于導體糊料的導體部從鐵氧體材料吸收CuO，因此，導體部附近區(qū)域Y的Cu含量(換算成CuO)下降。即，如圖4 (b)所例示的那樣，在磁體部2中，在導體部3的周圍形成低Cu含量(換算成CuO)區(qū)域Y’(包括導體部附近區(qū)域Y)，由此，其它大部分區(qū)域(除了鄰接于層疊體I的外表面的區(qū)域)相對地Cu含量(換算成CuO)變高，成為高Cu含量(換算成CuO)區(qū)域V?？衫斫鉃榇朋w部2的中央?yún)^(qū)域X的Cu含量(換算成CuO)代表高Cu含量(換算成CuO)區(qū)域V的Cu含量(換算成CuO)，可理解為磁體部2的導體部附近區(qū)域Y的Cu含量(換算成CuO)代表低Cu含量(換算成CuO)區(qū)域Y’的Cu含量(換算成CuO)。應予說明，如圖4 (b)所示，低Cu含量(換算成CuO)區(qū)域Y’優(yōu)選在導體圖案層間無間隙地形成，但本發(fā)明不限定于此。
[0051]在層疊線圈部件11中，Cu含量(換算成CuO)的比y/x為0.2~0.5，優(yōu)選為0.2~0.3。成為基準的Cu含量(換算成CuO) X取決于所使用的鐵氧體材料的CuO含量，例如為0.2~3重量％。這樣的話，通過在磁體部2的導體部附近區(qū)域Y，Cu含量(換算成CuO)變低，從而導體部附近區(qū)域Y的燒結(jié)性下降，粒子成長被抑制，燒結(jié)密度變低，其結(jié)果，透磁率也變低。與此相對，在磁體部2的中央?yún)^(qū)域X中，Cu含量(換算成CuO)相對地高，因此燒結(jié)性高，充分促進粒子成長，燒結(jié)密度變高，其結(jié)果，透磁率也變高。換句話說，在本實施方式的層疊線圈部件11中，在磁體部2中的導體部附近區(qū)域Y，可以同時達成低透磁率化和低燒
[0052]使用該層疊線圈 部件11，使電流流過導體部3時，在導體部3的周圍所形成的磁通容易通過透磁率更高的區(qū)域，因此與低Cu含量(換算成CuO)區(qū)域Y’ (為低透磁率的區(qū)域，包括導體部附近區(qū)域Y)相比，容易通過位于它的外面的高Cu含量(換算成CuO)區(qū)域V (為高透磁率的區(qū)域，包括中央?yún)^(qū)域X)，與磁體部2整體為高透磁率時相比，磁路變長。伴隨著磁路變長，能夠在更大的直流電流范圍得到穩(wěn)定的電感。所以，本實施方式的層疊線圈部件11具有提聞了的直流置加特性。
[0053]此外，在該層疊線圈部件11中，由燒結(jié)鐵氧體材料形成的磁體部2和由含有銀的導體形成的導體部3的熱膨脹系數(shù)(尤其是線膨脹系數(shù))不同，但在磁體部2中，導體部附近區(qū)域Y的燒結(jié)密度低，因此可以緩和或降低因熱處理(燒制)后的冷卻過程等而可在磁體部2內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)部應力(或應力變形)。所以，在對層疊線圈部件11進行熱沖擊試驗時，或者，在層疊線圈部件11的用途(基板安裝時的回流焊處理、用戶的實際使用)中暴露于急劇的溫度變化或施加外部應力時，在導體部附近區(qū)域Y (低燒結(jié)密度的區(qū)域)可以減小內(nèi)部應力的變動，因此，可以降低電感、阻抗等磁特性的變化。
[0054]以上，對本發(fā)明的一個實施方式進行說明，但本實施方式能夠進行各種改變。例如，如圖5所示，可以以橫穿磁路的方式設(shè)置非磁體層12，形成開放磁路型。作為非磁體層12，可以使用與磁體部2 (磁體層8a~8h)熱膨脹系數(shù)類似的材料，例如，將磁體部2的N1-Cu-Zn系鐵氧體材料的Ni用Zn全部置換而得的Zn-Cu系鐵氧體材料。根據(jù)這種開放磁路型的層置線圈部件，可以更進一步地實現(xiàn)直流置加特性的提聞。[0055]實施例
[0056]作為鐵氧體材料的原材料，準備Fe203、Zn0、Ni0、Cu0和Bi2O3各粉末。以作為主要成分的Fe203、ZnO、NiO、CuO的組成成為表I的N0.1?14所示的比例的方式，稱量它們的粉末，相對于這些主要成分的合計100重量份，稱量添加0.25重量份的Bi203。應予說明，試樣N0.4?10為本發(fā)明的實施例，試樣N0.1?3和11?14 (表中，附上符號來表不)為比較例。
[0057][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種層疊線圈部件，具有磁體部和導體部，所述磁體部是磁體層層疊而形成的，所述導體部是配置于磁體層間的多個導體圖案層貫通磁體層而相互連接成線圈狀并埋設(shè)于磁體部而形成的， 導體部由含有銀的導體形成， 磁體部由含有Fe、N1、Zn、Cu的燒結(jié)鐵氧體材料形成， 磁體部的導體部附近區(qū)域的Cu含量相對于磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量的比為0.2?0.5，其中，Cu含量以換算成CuO計。
2.如權(quán)利要求1所述的層疊線圈部件，其中，磁體部的導體部附近區(qū)域的Cu含量相對于磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量的比為0.2?0.3，Cu含量以換算成CuO計。
3.如權(quán)利要求1或2所述的層疊線圈部件，其中，磁體部的中央?yún)^(qū)域的Cu含量為0.2?3重量％，Cu含量以換算成CuO計。
4.一種層疊線圈部件的制造方法，所述層疊線圈部件具有磁體部和導體部，所述磁體部是磁體層層疊而形成的，所述導體部是配置于磁體層間的多個導體圖案層貫通磁體層而相互連接成線圈狀并埋設(shè)于磁體部而形成的，所述制造方法包括: 將含有Fe203、Ni0、Zn0、Cu0且CuO含量為0.3?4mol%的鐵氧體材料的生片隔著含有銀的導體糊料層進行層疊，將導體糊料層貫通鐵氧體材料的生片而得到相互連接成線圈狀的層疊體，以及 通過將層疊體在氧濃度0.1體積％以下的環(huán)境下進行熱處理而燒制鐵氧體材料的生片和含有銀的導體糊料層，分別制成磁體層和導體圖案層，由此，分別形成所述磁體部和所述導體部。
【文檔編號】H01F17/04GK103733280SQ201280039831
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月18日
【發(fā)明者】內(nèi)藤修, 小和田大樹, 山本篤史 申請人:株式會社村田制作所