由絕緣襯底上的電阻膜材料制成的電阻分壓器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】電阻分壓器包括至少第一（4）和第二（5）電阻器，其串聯(lián)電連接并且由采用跡線(xiàn)的形式施加在絕緣襯底（2）上的電阻膜材料（1）制成。分壓器的電壓比具有在十與一百萬(wàn)之間的值。為了提高分壓器的精度，該至少第一（4）和第二（5）電阻器由相同的電阻膜材料（1）制成、具有在對(duì)應(yīng)的特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度之上的跡線(xiàn)長(zhǎng)度并且具有近似相同的跡線(xiàn)寬度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】由絕緣襯底上的電阻膜材料制成的電阻分壓器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電阻分壓器，其包括至少第一和第二電阻器，該第一和第二電阻器串聯(lián)電連接并且由采用跡線(xiàn)的形式施加在絕緣襯底上的電阻膜材料制成，并且其中該分壓器的電壓比具有在十與一百萬(wàn)之間的值。該分壓器可存在于其最簡(jiǎn)單的形式中:只有兩個(gè)串聯(lián)電阻器，一個(gè)具有高電阻值并且另一個(gè)具有低電阻值。在更先進(jìn)的情況下，串聯(lián)的電阻器中的一個(gè)或者兩個(gè)可以由具有相應(yīng)等效電阻值的電阻網(wǎng)絡(luò)替代。這些電阻器或者對(duì)應(yīng)的電阻器網(wǎng)絡(luò)在下面還可分別叫作高和低歐姆電阻器。
【背景技術(shù)】
[0002]已知通過(guò)使諸如金屬膜或金屬箔(例如鎳鉻、金屬陶瓷膜(例如氮化鉭、二氧化釕、釕酸鉍、碳膜)，或基于玻璃和金屬陶瓷混合物的復(fù)合材料膜)的非絕緣的電阻膜或箔材料處于絕緣襯底上來(lái)制造電阻器的不同技術(shù)。在罕見(jiàn)的情況下，電阻膜材料可以由具有上述不同名稱(chēng)的材料的多層組成。絕緣襯底通常可以是陶瓷、硅、玻璃或者一些其他合成材料，并且該膜材料可通過(guò)如濺射(薄膜)、絲網(wǎng)和網(wǎng)版印刷(厚膜)或者通過(guò)噴嘴的直接印刷(厚膜)的方法而施加到襯底。該絕緣襯底可具有平坦的平面片或圓柱的形式，并且相應(yīng)地，電阻膜沉積到二維的平面表面上或者三維軸對(duì)稱(chēng)表面上。在分壓器中，高和低歐姆電阻器都處于相同的襯底上。另外，具有比電阻器的膜材料低得多的電阻率的高導(dǎo)電結(jié)構(gòu)也沉積在襯底上。該高導(dǎo)電結(jié)構(gòu)意在用作接觸端子，并且它們采用電阻器的電阻膜材料與它們部分重疊這樣的方式而置于襯底上。
[0003]為了實(shí)現(xiàn)顯著超過(guò)一的電壓比，并同時(shí)減少分壓器的尺寸，已知的是，將高歐姆電阻器的電阻膜材料布置成長(zhǎng)且窄的跡線(xiàn)，其中該跡線(xiàn)形狀類(lèi)似蜿蜒的形式。術(shù)語(yǔ)蜿蜒的形式意味著該跡線(xiàn)恰好不是直線(xiàn)而是采用在小的襯底區(qū)域上實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)的長(zhǎng)度這樣的方式彎曲。蜿蜒的形式例如可看起來(lái)像方波、三角波、正弦波、Z字形或(在三維情況下)螺旋形。這例如在對(duì)于厚膜電阻器的US 5，521，576和對(duì)于薄膜AC分壓器的US 7, 079, 004 B2中描述的。如也在那里公開(kāi)的，低歐姆電阻器的低電阻值通常通過(guò)采用短且寬的跡線(xiàn)布置電阻膜材料而獲得。
[0004]一般，上文描述的電阻分壓器可以用于寬范圍的電壓水平，從低至中到高壓應(yīng)用。盡管本發(fā)明源于例如ABB的KEV⑶和KEVA傳感器類(lèi)型的通常能適用于在3.6kV和36kV之間的電壓范圍的中壓傳感器的領(lǐng)域，本發(fā)明的應(yīng)用領(lǐng)域不限于該電壓范圍。
[0005]對(duì)于大部分應(yīng)用，可以確保分壓器比的某一高精度并且初始精度可以在變化的溫度和/或長(zhǎng)時(shí)段內(nèi)維持，這是可期望的。然而，不同的老化效應(yīng)在電阻值和分壓器中電阻器的溫度系數(shù)兩者中導(dǎo)致漂移，其導(dǎo)致精度逐漸惡化。在US 5，521，576中，描述了對(duì)于厚膜電阻器，電阻器的穩(wěn)定操作特性可以通過(guò)將電阻線(xiàn)的電阻組成采用連續(xù)模式直接印刷到襯底上而確保在期望的電阻值處，其中該電阻線(xiàn)具有這樣的長(zhǎng)度:其比線(xiàn)的寬度至少大十倍。
[0006]發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到對(duì)于分壓器，需要穩(wěn)定的每個(gè)電阻器自身的電阻值并沒(méi)有那么多。相反，更重要的是確保電阻器的初始電阻值是準(zhǔn)確的并且高和低歐姆電阻器兩者的操作特性的漂移都發(fā)生在相同的方向上并且具有可能相同的量使得電阻值的比以及由此分壓器的電壓比在整個(gè)操作溫度內(nèi)或在長(zhǎng)時(shí)間段內(nèi)維持在它的初始值處。
[0007]相應(yīng)地，本發(fā)明的目標(biāo)是提供如上文描述的電阻分壓器，其以它的電壓比的提高的精度和溫度穩(wěn)定性以及長(zhǎng)期穩(wěn)定性為特征。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]如已經(jīng)提出的，該目標(biāo)通過(guò)使分壓器中的高和低歐姆電阻器的漂移特性盡可能匹配而實(shí)現(xiàn)。對(duì)于該匹配的第一重要步驟是對(duì)分壓器中的所有電阻器使用相同的電阻膜材料。在復(fù)合材料的情況下，這意味著例如不僅使用相同種類(lèi)的復(fù)合物而且使用具有幾乎相同電阻率的相同復(fù)合物。
[0009]其次，盡可能多地理解影響初始電阻值或漂移特性的效應(yīng)并且采用這些效應(yīng)在可能相同的程度上在所有電阻器中出現(xiàn)這樣的方式設(shè)計(jì)高和低歐姆電阻器，這是可期望的。一個(gè)重要的效應(yīng)是所謂的界面效應(yīng)，其涉及在接觸端子與電阻器的電阻膜材料之間的界面處出現(xiàn)的電互擴(kuò)散。因此，類(lèi)似電阻器每單位長(zhǎng)度的電阻值、溫度系數(shù)和長(zhǎng)期穩(wěn)定性的重要參數(shù)隨著它的電阻跡線(xiàn)的長(zhǎng)度而改變，尤其在跡線(xiàn)不比互擴(kuò)散區(qū)長(zhǎng)得多時(shí)改變。在具有十以上的高壓比的電阻分壓器中，高歐姆電阻器的跡線(xiàn)長(zhǎng)度明顯長(zhǎng)于低歐姆電阻器的跡線(xiàn)長(zhǎng)度，這導(dǎo)致兩個(gè)電阻器并且因此電壓比的不可忽略的失配誤差。隨著跡線(xiàn)長(zhǎng)度增加，界面效應(yīng)對(duì)電阻性質(zhì)具有越來(lái)越小的影響。發(fā)明人已經(jīng)指出，對(duì)于常用的電阻膜材料，界面效應(yīng)在特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度以上可以被忽略，其中特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度典型地具有在一至十毫米之間的值，這取決于特定電阻膜材料和電阻器的制造技術(shù)。也就是說(shuō)，在特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度以上，高和尤其是低歐姆電阻器的電阻值和漂移參數(shù)被充分確保，并且由此確保預(yù)定的分壓器比。通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)碾娮枘げ牧虾椭圃旒夹g(shù)，使特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度對(duì)于每個(gè)特定設(shè)計(jì)保持在適宜的值以下，這是可能的。例如，大約兩毫米的特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度是可能的，由此允許分壓器的緊湊設(shè)計(jì)。
[0010]對(duì)電阻值有影響的另一個(gè)效應(yīng)是在跡線(xiàn)的橫向邊緣處出現(xiàn)的所謂的邊緣效應(yīng)。當(dāng)觀(guān)看典型跡線(xiàn)的橫截面時(shí)，跡線(xiàn)的橫向邊緣通常不是直的并且突然被切割，而是朝其外端逐漸減小。在跡線(xiàn)的邊緣區(qū)中，電阻膜材料的組成和/或結(jié)構(gòu)可能相對(duì)于跡線(xiàn)中間的區(qū)稍有改變。相應(yīng)地，可以注意到隨著跡線(xiàn)寬度的減小，與具有矩形橫截面以及均勻的組成和結(jié)構(gòu)的理想跡線(xiàn)的預(yù)期電阻相比，邊緣效應(yīng)在影響每單位長(zhǎng)度的跡線(xiàn)電阻中發(fā)揮更大的作用。為了對(duì)高和低歐姆電阻器的電阻值具有相同的邊緣效應(yīng)影響量，因此提供具有近似相同跡線(xiàn)寬度的至少第一和第二電阻器由此確保它們的電阻值的較好匹配并且相應(yīng)地提高初始精度、溫度穩(wěn)定性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性，這是有利的。
[0011]總的來(lái)說(shuō)，本發(fā)明建議分壓器的至少第一和第二電阻器由相同的電阻膜材料制成、具有在對(duì)應(yīng)的特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度以上的跡線(xiàn)長(zhǎng)度并且具有相同的跡線(xiàn)寬度。
[0012]在影響電阻膜材料的電阻率方面發(fā)揮作用的另外的效應(yīng)與制造技術(shù)有關(guān)。例如，當(dāng)電阻器使用厚膜技術(shù)來(lái)絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)在絕緣表面上的機(jī)械移動(dòng)方向根據(jù)印刷方向建立所得的每單位長(zhǎng)度跡線(xiàn)電阻的某一各向異性行為。在使用薄膜技術(shù)時(shí)各向異性行為也是不可避免的，因?yàn)橐r底區(qū)域上的濺射角度不是完全垂直和恒定的，而是稍有改變。另外，在制造期間，特別在封裝期間并且當(dāng)使得電連接到接觸端子時(shí)，以及在分壓器的壽命期間可出現(xiàn)的機(jī)械應(yīng)力通常具有各向異性特性。各向異性應(yīng)力對(duì)于三維(如圓柱)分壓器比對(duì)二維平坦的分壓器更為明顯。為了以相同的各向異性方式影響高和低歐姆電阻器，在本發(fā)明的另外的實(shí)施例中建議以近似相同的取向來(lái)布置至少第一和第二電阻器的主要跡線(xiàn)段，其中這些主要跡線(xiàn)段將圍成在零與最大三十度之間的角度。術(shù)語(yǔ)主要跡線(xiàn)段用于相當(dāng)長(zhǎng)(與只是彎曲相對(duì))并且與其他跡線(xiàn)段相比對(duì)該跡線(xiàn)的總電阻值具有最高影響的蜿蜒跡線(xiàn)的那些部分。在直線(xiàn)的情況下，該主要跡線(xiàn)段和跡線(xiàn)本身是相同的。
[0013]基于使高和低歐姆電阻器的初始值、溫度穩(wěn)定性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性匹配的這些基本思想，這些電阻器可采用不同的方式設(shè)計(jì)以便實(shí)現(xiàn)它們期望的電阻值并且由此實(shí)現(xiàn)期望的電壓比。這些可能設(shè)計(jì)的示例和本發(fā)明的對(duì)應(yīng)實(shí)施例將從附圖和對(duì)應(yīng)的描述變得明顯。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1示出從本領(lǐng)域已知的具有高和低歐姆電阻器的電阻分壓器，
圖2示出使用電阻分壓器用于測(cè)量目的的示意圖，
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的電阻分壓器的第一實(shí)施例，
圖4對(duì)于示例復(fù)合材料示出相對(duì)電阻率對(duì)電阻器長(zhǎng)度的依賴(lài)性，
圖5示出電阻器跡線(xiàn)的示意橫截面圖，
圖6至12示出根據(jù)本發(fā)明的電阻分壓器的另外的實(shí)施例，
圖13舉例說(shuō)明低歐姆電阻器的微調(diào)，
圖14示出對(duì)于圖6至12的實(shí)施例的示意電氣圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]從本領(lǐng)域內(nèi)已知圖1的分壓器，其中具有電阻值R1的高歐姆電阻器具有帶多個(gè)彎曲的長(zhǎng)且窄的跡線(xiàn)并且其中具有電阻值R2的低歐姆電阻器具有短且寬的跡線(xiàn)。高歐姆電阻器被置于第一接觸端子A與第二接觸端子B之間，并且低歐姆電阻器被置于第二接觸端子B與第三接觸端子C之間。用于高和低歐姆電阻器的電阻膜材料在這里不同。
[0016]在圖2中示出圖1的分壓器的等效示意電氣圖。這樣的分壓器例如在3.6kV與36kV之間的中壓范圍的電壓傳感器中使用，例如ABB的KEVCD和KEVA傳感器類(lèi)型。在電壓傳感器中，在第一與第三接觸端子A和C之間施加輸入電壓為Uin (其代表要測(cè)量的量)，而具有小得多的值的輸出電壓Urat (通常按等于分壓器比(R1+ R2VR2的因子減少)然后被傳遞到電子電路以便處理并且轉(zhuǎn)變成測(cè)量值。
[0017]如可以從圖1看到的，高和低歐姆電阻器兩者的跡線(xiàn)與對(duì)應(yīng)的接觸端子A、B和C部分重疊。在這些重疊區(qū)域內(nèi)，發(fā)生上文描述的界面效應(yīng)，如分別由實(shí)和虛箭頭指示的。界面效應(yīng)可以更好地從圖4理解，其對(duì)于示例復(fù)合材料示出相對(duì)電阻率對(duì)電阻器跡線(xiàn)長(zhǎng)度的依賴(lài)性。在特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度L。之上，相對(duì)電阻率變成獨(dú)立于跡線(xiàn)長(zhǎng)度。也就是說(shuō)，在特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度Lc之上，電阻器的單獨(dú)設(shè)計(jì)和另外的長(zhǎng)度不再影響電阻率，由此使得更容易且更可靠地精確限定電阻值R1和R2并且由此限定比(R1+ R2)/R2。相應(yīng)地，界面效應(yīng)可以通過(guò)對(duì)高和低歐姆電阻器提供在它們電阻膜材料的特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度之上的跡線(xiàn)長(zhǎng)度而匹配它們，該材料根據(jù)本發(fā)明是相同的。
[0018]另外，比(R1+ R2VR2的精度和長(zhǎng)期穩(wěn)定性可以通過(guò)使用相同的跡線(xiàn)寬度而以甚至更好的方式得以確保。與用虛線(xiàn)示出的理想電阻器跡線(xiàn)相比，圖5示出用實(shí)線(xiàn)描繪的真實(shí)電阻器跡線(xiàn)的示意橫截面圖。參考數(shù)字I指示電阻膜材料并且參考數(shù)字2指示絕緣襯底。箭頭指示其中出現(xiàn)所謂的邊緣效應(yīng)的跡線(xiàn)寬度的邊緣處的區(qū)域。這些區(qū)域的尺寸對(duì)于所有跡線(xiàn)寬度近似相同，這意味著對(duì)于更小的跡線(xiàn)寬度，實(shí)際電阻值與理想電阻值相差更多。在圖1的情況(其中低歐姆電阻器的跡線(xiàn)寬度比高歐姆電阻器的跡線(xiàn)寬度大得多)下，電阻值R1比電阻值R2受邊緣效應(yīng)的影響更強(qiáng)。為了使邊緣效應(yīng)對(duì)電阻值的影響匹配，根據(jù)本發(fā)明的高和低歐姆電阻器都提供有相同的跡線(xiàn)寬度。
[0019]本發(fā)明的第一實(shí)施例示意性地在圖3中示出，其中高歐姆電阻器和低歐姆電阻器由相同的電阻膜材料制成、具有在該材料的特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度Lc之上的跡線(xiàn)長(zhǎng)度一例如具有五毫米，并且具有相同的跡線(xiàn)寬度。與圖1的分壓器相比，高歐姆電阻器的跡線(xiàn)長(zhǎng)度增加，由此使它的電阻值R3增加，以便對(duì)電阻值R4的增加作出反應(yīng)并且使電壓比(R3+ R4) /R4維持在近似相同的值。因?yàn)閷?duì)高和低歐姆電阻器的電阻率的影響匹配，比(R3+ R4VR4具有提高的精度和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
[0020]本發(fā)明的一般特征(B卩，對(duì)高和低歐姆電阻器提供相同的材料和跡線(xiàn)寬度并且使它們的跡線(xiàn)長(zhǎng)度在該材料的特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度L。之上)也在下文描述的所有其他實(shí)施例中呈現(xiàn)。在圖6中示出的本發(fā)明的第二實(shí)施例的示意描述中，假設(shè)低歐姆電阻器的電阻值R4維持在與在圖3中的相同的值處。在該和所有另外的實(shí)施例中，低歐姆電阻器的電阻值R4通過(guò)使多個(gè)直的電阻器跡線(xiàn)在幾何上并聯(lián)并且使它們并聯(lián)電連接而實(shí)現(xiàn)。也就是說(shuō)，低歐姆電阻器的電阻值R4通過(guò)并聯(lián)電阻器的電阻器網(wǎng)絡(luò)而獲得，如在圖14中描繪的。在圖6中，參考數(shù)字4指示高歐姆電阻器，其也叫作第一電阻器，并且參考數(shù)字5和6指示屬于并聯(lián)電阻器網(wǎng)絡(luò)(其叫作低歐姆電阻器)的第二和第三電阻器。總而言之，十個(gè)電阻器或電阻器跡線(xiàn)在幾何上并聯(lián)并且電并聯(lián)布置來(lái)形成低歐姆電阻器。
[0021]圖7的第五實(shí)施例與圖6的第二實(shí)施例的不同之處在于:另外，高歐姆電阻器的主要跡線(xiàn)段3具有與并聯(lián)的第二、第三和所有另外的電阻器(其形成低歐姆電阻器)的主要跡線(xiàn)段7相同的取向。它們圍成零度的角度。為了簡(jiǎn)單性原因，由箭頭僅示出總共八個(gè)主要跡線(xiàn)段中的兩個(gè)。電阻器取向的對(duì)齊導(dǎo)致對(duì)高和低歐姆電阻器的跡線(xiàn)的電阻率的各向異性影響的匹配。
[0022]圖6和7的分壓器設(shè)計(jì)尤其都適合于在5kV之上的中和高壓應(yīng)用，因?yàn)楦邭W姆電阻器的高壓區(qū)域(其位于接觸端子A附近)之間的距離具有朝其他接觸端子B和C的最長(zhǎng)距離，由此使非期望的電壓擊穿的可能性降低。
[0023]第三實(shí)施例的備選在圖8和9中示出，其中高歐姆電阻器不再形成為方波，而是作為在彎曲處具有圓角的蜿蜒形式，其中高歐姆電阻器的主要跡線(xiàn)3包括與低歐姆電阻器的電阻器跡線(xiàn)所成的零度的角度(圖8中)和小于三十度的角度(圖9中)。
[0024]其中高和低歐姆電阻器具有近似相同取向的另外的實(shí)施例是分別在圖12中示出的第四實(shí)施例和在圖10和11中示出的第五和第六實(shí)施例。這些設(shè)計(jì)由于高歐姆電阻器的高壓區(qū)域與接觸端子B之間或高壓接觸端子A與低壓接觸端子C之間的較短距離(與圖2相比)而更適合于較低的電壓范圍。
[0025]圖10和11中示出的第五和第六實(shí)施例分別示出這樣的設(shè)計(jì):其中高歐姆電阻器布置為一個(gè)直的跡線(xiàn)。圖10與11之間的唯一差異在于在第五實(shí)施例中，高歐姆電阻器和電阻器跡線(xiàn)(其形成低歐姆電阻器)具有完全相同的跡線(xiàn)長(zhǎng)度，而在第六實(shí)施例中它們具有不同的跡線(xiàn)長(zhǎng)度。
[0026]在圖13中，示出根據(jù)第三實(shí)施例的分壓器，其中屬于低歐姆電阻器的電阻器跡線(xiàn)中的一個(gè)通過(guò)將它切成兩塊而中斷(如由實(shí)箭頭指示的)。那樣，對(duì)應(yīng)的并聯(lián)電阻器網(wǎng)絡(luò)的電阻器中的一個(gè)被消除，由此使電阻值R4增加了一個(gè)增量。通過(guò)清除電阻膜材料的部分來(lái)調(diào)整電阻膜電阻器的電阻值在本領(lǐng)域中稱(chēng)為微調(diào)?？勺⒁猓鳛椴⒙?lián)電阻器跡線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)的低歐姆電阻器的設(shè)計(jì)允許通過(guò)從電阻器網(wǎng)絡(luò)拿走全部電阻器(與通過(guò)僅部分清除電阻器跡線(xiàn)的電阻膜材料而實(shí)現(xiàn)的模擬微調(diào)相對(duì))而以一種數(shù)字式方式微調(diào)，如例如在US 7，079，004中描述的。模擬微調(diào)在電阻器的膜材料內(nèi)留下切割邊緣，其可改變材料的微結(jié)構(gòu)并且可誘導(dǎo)應(yīng)力，兩者通常都影響電阻值的穩(wěn)定性。這些負(fù)面效應(yīng)可以通過(guò)替代地應(yīng)用數(shù)字微調(diào)而避免。
【權(quán)利要求】
1.一種電阻分壓器，具有十與一百萬(wàn)之間的電壓比并且包括串聯(lián)電連接的至少第一(4)和第二(5)電阻器，其中所述電阻器由電阻膜材料(I)制成并且各自采用跡線(xiàn)的形式施加在絕緣襯底(2)上， 其特征在于 所述至少第一(4)和第二(5)電阻器由相同的電阻膜材料(I)制成、具有在對(duì)應(yīng)的特定跡線(xiàn)長(zhǎng)度之上的跡線(xiàn)長(zhǎng)度并且具有近似相同的跡線(xiàn)寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的分壓器，其中，所述第一(4)和第二(5)電阻器具有在兩毫米之上的跡線(xiàn)長(zhǎng)度。
3.如權(quán)利要求1或2中一項(xiàng)所述的分壓器，其中，至少第三(6)電阻器與所述第二電阻器并聯(lián)電連接并且其中所述第二(5)和所述至少第三(6)電阻器是在幾何上并聯(lián)布置并且具有近似相同的跡線(xiàn)長(zhǎng)度和近似相同的跡線(xiàn)寬度的兩個(gè)直的跡線(xiàn)。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的分壓器，其中，所述第一(4)電阻器的跡線(xiàn)具有蜿蜒形式的形狀。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的分壓器，其中，所述至少第一(3)和第二(7)電阻器的主要跡線(xiàn)段以近似相同的取向布置并且其中所述主要跡線(xiàn)段(3，7)圍成零與最大三十度之間的角度。
6.如權(quán)利要求3和4所述的分壓器，其中，所述第一電阻器是與所述第二和所述至少第三電阻器并聯(lián)布置的直的跡線(xiàn)。
7.如權(quán)利要求6所述的分壓器，其中，所述第一電阻器具有與所述第二和所述至少第三電阻器近似相同的跡線(xiàn)長(zhǎng)度。
8.如權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的分壓器，其中，所述第二和/或所述至少第三電阻器的跡線(xiàn)被切成兩塊用于微調(diào)目的。
9.一種電壓傳感器，包括如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的分壓器。
【文檔編號(hào)】H01C7/00GK103460308SQ201280010237
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年2月23日 優(yōu)先權(quán)日:2011年2月25日
【發(fā)明者】A.霍佐伊, R.迪澤爾恩克特 申請(qǐng)人:Abb股份公司