專利名稱：一種硅片擴散用載體的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及太陽能電池技術領域，更具體地說，涉及一種硅片擴散用載體。
背景技術：
在太陽能電池生產(chǎn)的過程中，作為其核心部件的硅片需要經(jīng)過擴散工序以在硅片的表面制備PN結，使硅片內(nèi)形成空間電荷區(qū)。硅片的擴散原理為:通過高溫下三氯氧磷的熱分解以及三氯氧磷和氧氣的反應生成五氧化二磷，五氧化二磷再和二氧化硅反應生成磷從而擴散進入硅片當中形成一定結深和雜質(zhì)梯度分布的N型層，從而和P型硅襯底在界面處形成PN結。在現(xiàn)有技術中，硅片在擴散爐中一般多為單面擴散和雙面擴散，硅片在進行擴散時的載體為石英舟，其為長方體形槽狀部件，在石英舟凹槽內(nèi)壁上設置有多個矩形卡槽01，如圖1所示，硅片在放入凹槽中時，硅片的邊緣會進入卡槽01中以實現(xiàn)硅片的定位，其中，卡槽01的寬度大于硅片的兩倍厚度以便于機械手將硅片放入。當硅片進行單面擴散時，需要在一個卡槽01中放入兩片硅片，并使此兩片硅片背靠背完全緊密接觸，以避免擴散過程中雜質(zhì)原子擴散至此兩個接觸的表面。但是，在硅片單面擴散的高溫過程中，由于卡槽01的寬度大于兩片硅片的厚度之和，所以硅片的熱應力會使兩片硅片在卡槽01內(nèi)相分離，且在擴散過程中氣流的作用下很難再使兩片硅片重新背靠背的緊密接觸，這就使硅片的背面會或多或少的被雜質(zhì)原子擴散，對硅片的合格率和工作效率產(chǎn)生了嚴重的影響。綜上所述，如何提供一種硅片用擴散載體，以實現(xiàn)減少甚至避免硅片背面被擴散的幾率，進而提高硅片的合格率和工作效率，是目前本領域技術人員亟待解決的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供了一種硅片用擴散載體，其減少甚至避免了硅片背面被擴散的幾率，進而提高了硅片的合格率和工作效率。為了達到上述目的，本實用新型提供如下技術方案:—種娃片擴散用載體，其包括:設置在所述載體上對硅片進行定位的定位卡槽，所述定位卡槽的槽底寬度小于所述定位卡槽的開口寬度；限位裝置，所述限位裝置上設置有卡止所述硅片，并與所述定位卡槽配合以使兩片所述硅片始終緊密接觸的限位卡槽。優(yōu)選的，上述硅片用擴散載體中，所述限位卡槽的槽底寬度小于所述限位卡槽的開口寬度。優(yōu)選的，上述硅片用擴散載體中，所述定位卡槽位于其開口和槽底之間的部位的寬度大于所述定位卡槽的開口寬度。優(yōu)選的，上述硅片用擴散載體中，所述限位裝置包括:設置有多個所述限位卡槽的限位條；[0014]支撐所述限位條，并與所述載體接觸配合的支撐架。優(yōu)選的，上述硅片用擴散載體中，所述限位條和所述支撐架分別為石英限位條和石英支撐架。優(yōu)選的,上述娃片用擴散載體中，所述限位卡槽與所述定位卡槽分別卡止所述娃片的兩個對邊。優(yōu)選的,上述娃片用擴散載體中，所述定位卡槽與所述限位卡槽的結構相同。優(yōu)選的，上述硅片用擴散載體中，所述載體為石英舟。本實用新型提供的硅片擴散用載體中，其上設置有定位卡槽，且此定位卡槽的槽底寬度小于其開口寬度，設置有限位卡槽的限位裝置，限位卡槽與定位卡槽配合使兩片硅片始終緊密的接觸。在進行擴散工序時，由于定位卡槽的槽底寬度小于開口寬度，即與原有卡槽的槽底寬度相比，此載體的槽底寬度更小，減小了硅片受熱應力時移位的活動空間，使得定位卡槽對邊緣放置于槽底的硅片的卡止效果更加的突出，而且除定位卡槽對硅片進行卡止以外，還增設了同樣卡止硅片的限位卡槽，使得硅片的受力點更多，硅片發(fā)生變形、移位的幾率更小，減少甚至避免了硅片背面被擴散的幾率，進而提高了硅片的合格率和工作效率。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術提供的卡槽的結構示意圖；圖2為本實用新型實施例提供的硅片擴散用載體的定位卡槽的結構示意圖，其中a為開口寬度值，b為槽底寬度值，且a >b ;圖3為限位裝置的結構示意圖；圖4為定位卡槽與限位卡槽配合卡止娃片的工作示意圖。以上圖1-圖4中:卡槽01 ；定位卡槽1、限位卡槽2、限位條3、支撐架4、娃片5。
具體實施方式
為了進一步理解本實用新型，下面結合實施例對本實用新型優(yōu)選實施方式進行描述，但是應當理解，這些描述只是為了進一步說明本實用新型的特征和優(yōu)點，而不是對本實用新型權利要求的限制。本實用新型提供了一種硅片用擴散載體，其減少甚至避免了硅片背面被擴散的幾率，進而提高了硅片的合格率和工作效率。下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖2-圖4所示，本實用新型實施例提供的硅片擴散用載體，其包括:設置在載體上對硅片5進行定位的定位卡槽1，定位卡槽I的槽底寬度小于定位卡槽I的開口寬度，如圖2所示，其中a為開口寬度值，b為槽底寬度值，且a > b ；限位裝置，限位裝置上設置有卡止硅片5，并與定位卡槽I配合以使兩片硅片5始終緊密接觸的限位卡槽2。本實施例提供的硅片擴散用載體中，其上設置有定位卡槽1，且此定位卡槽I的槽底寬度小于其開口寬度，設置有限位卡槽2的限位裝置，限位卡槽2與定位卡槽I配合使兩片硅片5始終緊密的接觸。在進行擴散工序時，由于定位卡槽I的槽底寬度小于開口寬度，即與原有卡槽的槽底寬度相比，此載體的槽底寬度更小，減小了硅片5受熱應力時移位的活動空間，使得定位卡槽I對邊緣放置于槽底的硅片5的卡止效果更加的突出，而且除定位卡槽I對娃片5進行卡止以外,還增設了同樣卡止娃片5的限位卡槽2,使得娃片5的受力點更多，硅片5發(fā)生變形、移位的幾率更小，減少甚至避免了硅片5背面被擴散的幾率，進而提高了硅片5的合格率和工作效率。為了進一步優(yōu)化上述技術方案，本實施例提供的硅片擴散用載體中，限位卡槽2的槽底寬度小于限位卡槽2的開口寬度。在娃片5進行擴散的過程，限位卡槽2卡設在娃片5的邊緣，以減小背靠背接觸的兩片硅片5發(fā)生分離的幾率，而為了進一步減小硅片5的分離幾率，突出限位卡槽2的卡止效果，同樣的，將限位卡槽2的槽底寬度設置為小于其開口的寬度，這樣能夠進一步縮小兩片硅片5發(fā)生移位的移動空間以減小兩片硅片5的分離幾率。優(yōu)選的，定位卡槽I位于其開口和槽底之間的部位的寬度大于定位卡槽I的開口寬度，如圖2所示。定位卡槽I的中間寬度大于其頂側(cè)開口寬度和底層槽底寬度，以增大定位卡槽I的整體空間，能夠使機械手更加方便的將硅片5插入定位卡槽I中。當然，定位卡槽I的側(cè)壁不一定由多個平面構成，其也可以為弧形側(cè)壁，定位卡槽I也可以為梯形槽。具體的，限位裝置包括:設置有多個限位卡槽2的限位條3 ;支撐限位條3，并與載體接觸配合的支撐架4，如圖3所示。增設限位裝置可以進一步對硅片5進行限位，只要其具有限位卡槽2以卡止硅片5即可，其結構可以為多種不同的形式，對此不作限定，在本實施例中優(yōu)選為十字支架結構，其在滿足工作要求的前提下，最大程度了簡化了自身結構，節(jié)約了生產(chǎn)成本，同時也便于加工制造。進一步的，為了減小對設備的改進而對生產(chǎn)工藝造成的影響，避免更換設備的制造材料而影響擴散工序的正常進行，在本實施例中，限位條3和支撐架4分別為石英限位條和石英支撐架。石英限位條和石英支撐架與石英舟的材質(zhì)相同，這樣就避免了增添新的材料而對擴散工序造成影響。具體的，限位卡槽2與定位卡槽I分別卡止住硅片5的兩個對邊，如圖4所示。硅片5在進行擴散時，受到熱應力的影響，因為其一邊被定位卡槽I卡住，所以與被定位卡槽I卡住的一邊相對的另一邊發(fā)生彼此分離的幾率最大，所以將限位卡槽2和定位卡槽I分別卡設在硅片5的兩個對邊上，可以最大程度的降低兩片硅片5發(fā)生分離的幾率，使得本實施例提供的硅片用擴散載體的卡止效果更佳。優(yōu)選的,定位卡槽I與所述限位卡槽2的結構相同。因為定位卡槽I和限位卡槽2相對設置，所以結構相同的定位卡槽I和限位卡槽2，在對硅片5進行卡止時，能夠最大程度的保證硅片5受力的均衡程度，盡量避免硅片5因受力不均而發(fā)生碎裂的風險，保證硅片5擴散工序的順利完成。為了使得改動后的硅片擴散用載體能夠更好的與擴散爐配合，本實施例優(yōu)選載體為石英舟，此石英舟與原有石英舟的區(qū)別在于定位卡槽I的結構發(fā)生了變比，并在其上方增設了限位裝置。對所公開的實施例的上述說明，使本領域?qū)I(yè)技術人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權利要求1.一種娃片擴散用載體，其特征在于，包括: 設置在所述載體上對硅片(5 )進行定位的定位卡槽(I)，所述定位卡槽(I)的槽底寬度小于所述定位卡槽(I)的開口寬度； 限位裝置，所述限位裝置上設置有卡止所述硅片(5)，并與所述定位卡槽(I)配合以使兩片所述硅片(5)始終緊密接觸的限位卡槽(2)。
2.根據(jù)權利要求1所述的硅片擴散用載體，其特征在于，所述限位卡槽(2)的槽底寬度小于所述限位卡槽(2)的開口寬度。
3.根據(jù)權利要求1所述的硅片擴散用載體，其特征在于，所述定位卡槽(I)位于其開口和槽底之間的部位的寬度大于所述定位卡槽(I)的開口寬度。
4.根據(jù)權利要求1所述的硅片擴散用載體，其特征在于，所述限位裝置包括: 設置有多個所述限位卡槽(2)的限位條(3)； 支撐所述限位條(3 )，并與所述載體接觸配合的支撐架(4 )。
5.根據(jù)權利要求4所述的硅片擴散用載體，其特征在于，所述限位條(3)和所述支撐架(4)分別為石英限位條和石英支撐架。
6.根據(jù)權利要求1所述的硅片擴散用載體，其特征在于，所述限位卡槽(2)與所述定位卡槽(I)分別卡止所述硅片(5)的兩個對邊。
7.根據(jù)權利要求1所述的硅片擴散用載體，其特征在于，所述定位卡槽(I)與所述限位卡槽(2)的結構相同。
8.根據(jù)權利要求1-7中任意一項所述的硅片擴散用載體，其特征在于，所述載體為石英舟。
專利摘要本實用新型提供了一種硅片擴散用載體，其包括設置在載體上對硅片進行定位的定位卡槽，定位卡槽的槽底寬度小于定位卡槽的開口寬度；限位裝置，限位裝置上設置有卡止硅片，并與定位卡槽配合以使兩片硅片始終緊密接觸的限位卡槽。在進行擴散工序時，由于定位卡槽的槽底寬度小于開口寬度，即與原有卡槽的槽底寬度相比，此載體的槽底寬度更小，減小了硅片受熱應力時移位的活動空間，使得定位卡槽對邊緣放置于槽底的硅片的卡止效果更加的突出，而且除定位卡槽對硅片進行卡止以外，還增設了同樣卡止硅片的限位卡槽，使得硅片的受力點更多，硅片發(fā)生變形、移位的幾率更小，減少甚至避免了硅片背面被擴散的幾率，進而提高了硅片的合格率和工作效率。
文檔編號H01L21/68GK202996798SQ201220750488
公開日2013年6月12日 申請日期2012年12月31日 優(yōu)先權日2012年12月31日
發(fā)明者范志東, 馬繼奎, 崔景光 申請人:英利能源(中國)有限公司