專(zhuān)利名稱(chēng)：雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，特別是一種對(duì)使用雙層基板所形成的半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在今日，電子產(chǎn)品已跟人類(lèi)的生活密不可分，而市場(chǎng)一直希望電子產(chǎn)品能盡可能的縮小并輕量化，為了讓電子產(chǎn)品的尺寸能符合市場(chǎng)需求，勢(shì)必要將電子組件的大小持續(xù)縮小。目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝都已經(jīng)達(dá)到以納米來(lái)計(jì)算大小的水平，要在此種尺寸下進(jìn)行電子組件的封裝并不是一件簡(jiǎn)單的事，而電子組件封裝的質(zhì)量對(duì)電子產(chǎn)品的質(zhì)量又有很大的影響，因此在封裝的工序或工法上有任何的突破、改良，對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)界都是巨大的貢獻(xiàn)。公知的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，為了使封裝完成的產(chǎn)品有較小的體積，當(dāng)封裝是在一些簡(jiǎn)單構(gòu)造的基板上進(jìn)行時(shí)，經(jīng)過(guò)芯片黏貼(die bound)及聯(lián)線(xiàn)之后，便不會(huì)再另外在基板上以封裝層覆蓋，如此一來(lái)，雖然能有較小的封裝產(chǎn)品，但因黏貼后的芯片未經(jīng)模封，完成的產(chǎn)品或許會(huì)有可靠度不足的疑慮，但若直接在基板上進(jìn)行模封，就會(huì)使封裝結(jié)構(gòu)的厚度增力口，這都是需要改進(jìn)的缺點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，以改進(jìn)公知技術(shù)中存在的缺陷。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括:一第一基板，具有一第一表面及相對(duì)的一第二表面，并配置一基板開(kāi)口于該第一基板中央?yún)^(qū)域并貫穿該第一表面至該第二表面；復(fù)數(shù)條第一金屬導(dǎo)線(xiàn)，是以彼此間隔扇出排列于該第一基板的第二表面的該基板開(kāi)口的兩側(cè)端；復(fù)數(shù)個(gè)錫球，電性連接于該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)扇出的一端上；及一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括:—第二基板，具有一上表面，于該上表面上配置兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群，每一該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群是由復(fù)數(shù)條彼此間隔排列的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)所組成，且于該兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群之間形成一芯片配置區(qū)；一芯片，配置于該芯片配置區(qū)上，并使該芯片上的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊曝露；及復(fù)數(shù)條芯片導(dǎo)線(xiàn)，每一該芯片導(dǎo)線(xiàn)的一端與該芯片上的每一焊墊電性連接，而每一該芯片導(dǎo)線(xiàn)的另一端與該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群中的每一該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)的一端電性連接；其中，該雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的特征在于:由該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)上的該些第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與該第一基板上的該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)的另一端電性連接成一體，并使該芯片位于該基板開(kāi)口中。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該些第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)相接處進(jìn)一步形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接點(diǎn)。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該第一基板及該第二基板為高分子材質(zhì)基板。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該第一基板及該第二基板為印刷電路板。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該些錫球的高度高于該第二基板的高度。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該基板開(kāi)口進(jìn)一步以一封裝層填充，且該封裝層覆蓋該芯片及該些芯片導(dǎo)線(xiàn)。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該封裝層為環(huán)氧樹(shù)脂。本實(shí)用新型還提供一種雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括:一第一基板，具有一第一表面及相對(duì)的一第二表面，并配置一基板開(kāi)口于該第一基板中央?yún)^(qū)域并貫穿該第一表面至該第二表面；復(fù)數(shù)條第一金屬導(dǎo)線(xiàn)，是以彼此間隔排列于該第一基板的第一表面的該基板開(kāi)口的兩側(cè)端；復(fù)數(shù)個(gè)錫球，電性連接于該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)扇出的一端上；及一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括:—第二基板，具有一上表面，于該上表面上配置兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群，每一該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群是由復(fù)數(shù)條彼此間隔排列的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)組成，且于該兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群之間形成一芯片配置區(qū) '及—芯片，該芯片上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，該芯片以芯片倒裝方式將每一該焊墊與該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群中的每一該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)的一端電性連接；其中，該雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的特征在于:由該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)上的該些第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與該第一基板上的該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)的另一端電性連接成一體，并使該芯片位于該基板開(kāi)口中。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該些第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)相接處進(jìn)一步形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接點(diǎn)。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該第一基板及該第二基板為高分子材質(zhì)基板。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該第一基板及該第二基板為印刷電路板。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該些錫球的高度高于該第二基板的高度。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該基板開(kāi)口進(jìn)一步以一封裝層填充，該封裝層并覆蓋該芯片。所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，該封裝層為環(huán)氧樹(shù)脂。由本實(shí)用新型所提供的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝，提供了能在芯片上方形成封裝層的空間，且并未增加整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的厚度，因此可提升封裝結(jié)構(gòu)的可靠度，并且不會(huì)對(duì)產(chǎn)品造成其他負(fù)面的影響。

[0037]圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的單層結(jié)構(gòu)剖面圖；圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的單層結(jié)構(gòu)仰視圖；圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖4是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖5是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)另一實(shí)施方式剖面示意圖；圖6是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖7是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖8是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)另一實(shí)施方式剖面示意圖。附圖中主要組件符號(hào)說(shuō)明:雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I,雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I’ ;單層結(jié)構(gòu)2,第一基板22,基板開(kāi)口 220,第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222,第一表面224,第二表面226，透明封裝層228，錫球26 ；半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3，第二基板34，上表面340，第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342，第二金屬導(dǎo)線(xiàn)3420，芯片配置區(qū)3400，芯片36，芯片導(dǎo)線(xiàn)362，焊墊364，電性連接點(diǎn)39 ；半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)4，第二基板44，上表面440，第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群442，第二金屬導(dǎo)線(xiàn)4420，芯片配置區(qū)4400，芯片46，焊墊462，電性連接點(diǎn)49 ；雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)5,雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)5’。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提出了一種雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)增加封裝結(jié)構(gòu)的組件，此種封裝結(jié)構(gòu)具有封裝層，但整個(gè)封裝成品的厚度相比于簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的基板并未有所增加，因此能有效的提升封裝成品的可靠度，也不會(huì)對(duì)產(chǎn)品造成其他負(fù)面的影響。本實(shí)用新型提供的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)將兩個(gè)不同的基板堆棧，而形成一能填充環(huán)氧樹(shù)脂的空間，且整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的厚度相較于一般封裝結(jié)構(gòu)的厚度并未有所增加。本實(shí)用新型的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括:一第一基板，具有一第一表面及相對(duì)的一第二表面，并配置一基板開(kāi)口于第一基板中央?yún)^(qū)域并貫穿第一表面至第二表面；復(fù)數(shù)條第一金屬導(dǎo)線(xiàn)，是以彼此間隔扇出排列于第一基板的第二表面的基板開(kāi)口的兩側(cè)端；復(fù)數(shù)個(gè)錫球，電性連接于第一金屬導(dǎo)線(xiàn)扇出的一端上；及一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括:一第二基板，具有一上表面，于上表面上配置兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群，每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群是由復(fù)數(shù)條彼此間隔排列的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)所組成，且于兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群之間形成一芯片配置區(qū)；一芯片，配置于芯片配置區(qū)上，并使芯片上的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊曝露；及復(fù)數(shù)條芯片導(dǎo)線(xiàn)，每一芯片導(dǎo)線(xiàn)的一端與芯片上的每一焊墊電性連接，而每一芯片導(dǎo)線(xiàn)的另一端與第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群中的每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)的一端電性連接；其中，雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的特征在于:由半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)上的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與第一基板上的第一金屬導(dǎo)線(xiàn)的另一端電性連接成一體，并使芯片位于基板開(kāi)口中。本實(shí)用新型另外提出一種雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括:一第一基板，具有一第一表面及相對(duì)的一第二表面，并配置一基板開(kāi)口于第一基板中央?yún)^(qū)域并貫穿第一表面至第二表面；復(fù)數(shù)條第一金屬導(dǎo)線(xiàn)，是以彼此間隔排列于第一基板的第一表面的基板開(kāi)口的兩側(cè)端；復(fù)數(shù)個(gè)錫球，電性連接于第一金屬導(dǎo)線(xiàn)扇出的一端上；及一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括:一第二基板，具有一上表面，于上表面上配置兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群，每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群是由復(fù)數(shù)條彼此間隔排列的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)組成，且于兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群之間形成一芯片配置區(qū)；及一芯片，芯片上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，芯片以芯片倒裝方式將每一焊墊與第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群中的每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)的一端電性連接；及復(fù)數(shù)個(gè)電性連接點(diǎn)，配置于每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)的另一端上；其中，雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的特征在于:由半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)上的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與第一基板上的第一金屬導(dǎo)線(xiàn)的另一端電性連接成一體，并使芯片位于基板開(kāi)口中。由本實(shí)用新型所提供的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝，提供了能在芯片上方形成封裝層的空間，且并未增加整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的厚度，因此可提升封裝結(jié)構(gòu)的可靠度，并且不會(huì)對(duì)產(chǎn)品造成其他負(fù)面的影響。本實(shí)用新型的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)對(duì)結(jié)構(gòu)的改良，提高產(chǎn)品的可靠度，其中所提到的封裝工法或工序皆為公知的半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)，故在下述說(shuō)明中，并不完整描述。此外，于下述內(nèi)文中的圖示，并未依據(jù)實(shí)際的相關(guān)尺寸完整繪制，其作用僅在表達(dá)與本實(shí)用新型特征有關(guān)的示意圖。請(qǐng)參閱圖1，是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的單層結(jié)構(gòu)剖面圖。如圖1所示，單層結(jié)構(gòu)2包括一第一基板22及復(fù)數(shù)個(gè)錫球26，其中，第一基板22是由高分子材料所構(gòu)成(例如:印刷電路板)；第一基板22具有一第一表面224及相對(duì)的一第二表面226,第二基板22的中央?yún)^(qū)域并配置有一貫穿第一表面224到第二表面226的基板開(kāi)口 220 ;第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222由復(fù)數(shù)條第一金屬導(dǎo)線(xiàn)(未顯示于圖式)彼此間隔并扇出(fan-out)排列于第二表面226及基板開(kāi)口 220的兩側(cè)端,且在第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222扇出的一端上有復(fù)數(shù)個(gè)錫球26與每一第一金屬導(dǎo)線(xiàn)(未顯示于圖式)電性連接。接著，請(qǐng)參閱圖2，是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的單層結(jié)構(gòu)仰視圖。如圖2所示，復(fù)數(shù)組如圖1所示的單層結(jié)構(gòu)2可結(jié)合成一數(shù)組，每組單層結(jié)構(gòu)2至少有兩組在第二表面226上扇出排列的第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222,且第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222中的每一第一金屬導(dǎo)線(xiàn)(未顯不于圖式)都跟至少一個(gè)錫球26電性連接；第一基板22的中央?yún)^(qū)域?yàn)榛彘_(kāi)口 220，基板開(kāi)口 220并將同一單層結(jié)構(gòu)2的兩組第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222分隔開(kāi)來(lái)。接著，請(qǐng)參閱圖3，是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖3所示，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3包括一第二基板34及一芯片36，其中，第二基板34是由高分子材料所構(gòu)成，例如:印刷電路板；第二基板34有一上表面340,上表面340配置有兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342，每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342是由復(fù)數(shù)條彼此間隔排列的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)3420組成，且于兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342之間形成一位于上表面340的芯片配置區(qū)3400 ;芯片36配置于芯片配置區(qū)3400，芯片36是以打線(xiàn)接合(wirebonding)的方式與上表面340接合，其中，芯片36上有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊364，并有復(fù)數(shù)條芯片導(dǎo)線(xiàn)362，每一芯片導(dǎo)線(xiàn)362的一端都與一焊墊364電性連接，且每一芯片導(dǎo)線(xiàn)362的另一端都與第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342中的每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)3420的一端電性連接。接著，請(qǐng)參閱圖4，是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖4所示，雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I是單層結(jié)構(gòu)2與半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3的結(jié)合，其中，上表面340與第二表面226相接并在相接處形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接點(diǎn)39，每一電性連接點(diǎn)39皆和第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342未與芯片導(dǎo)線(xiàn)362電性連接的一端電性連接，且第一基板22與第二基板34通過(guò)每一電性連接點(diǎn)39和第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222未與錫球26電性連接的一端電性連接成一體;芯片36與芯片導(dǎo)線(xiàn)362皆位于第一基板22中央?yún)^(qū)域的基板開(kāi)口220之中，而錫球26的高度高于第二基板34的高度，以避免雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I以第二表面226朝下放置時(shí)，第二基板34因擠壓而受損；基板開(kāi)口 220中進(jìn)一步以環(huán)氧樹(shù)脂填充，形成一封裝層228 ;其余單層結(jié)構(gòu)2及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3的各部組件，皆與圖1及圖3的配置相同，故不再贅述。接著，請(qǐng)參閱圖5，是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)另一實(shí)施方式剖面示意圖。如圖5所示，雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I’系為單層結(jié)構(gòu)2與半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3的結(jié)合,其中，上表面340與第二表面226相對(duì)并接合；第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342中的每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)3420皆和第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222未與錫球26電性連接的一端電性連接，其余組件配置方式皆與圖4相同，故不再贅述。特別要說(shuō)明，在本實(shí)用新型的第一基板22的第二表面226上的第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222是由一層黏著層(未顯不于圖式)與第一基板22的第二表面226固接成一體；而第二基板34上表面340上的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342是由一層黏著層(未顯不于圖式)與第二基板34上表面340固接成一體；再經(jīng)由一壓合工藝，可以由沒(méi)有被第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222及第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342覆蓋的黏著層，將第一基板22的第二表面226與第二基板34上表面340壓成一體；很明顯地，由黏著層具有彈性的特性，可以將第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222及第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群342電性連接。接著，請(qǐng)參閱圖6，是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖6所不，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)4包括一第二基板44及一芯片46 ;第二基板44有一上表面440,上表面440上配置兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群442，每二金屬導(dǎo)線(xiàn)群442系由復(fù)數(shù)條彼此間隔排列的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)4420組成，且兩組金屬導(dǎo)線(xiàn)群442之間形成一位在上表面440的芯片配置區(qū)4400 ;芯片46配置于芯片配置區(qū)4400，芯片46與上表面440是以芯片倒裝接合(f Iipchip)的方式接合，其中，芯片46上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊462，每一個(gè)焊墊462與第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群442中的每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)4420的一端電性連接。再接著，請(qǐng)參閱圖7，是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖7所示，雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)5為單層結(jié)構(gòu)2與半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)4的結(jié)合，其中，上表面440與第二表面226相接并在相接處形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接點(diǎn)49，每一電性連接點(diǎn)49皆和第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群442未與焊點(diǎn)462電性連接的一端電性連接，且第一基板22與第二基板44通過(guò)每一電性連接點(diǎn)49及第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222未與錫球26電性連接的一端電性連接成一體；芯片46位于第一基板22中央?yún)^(qū)域的基板開(kāi)口 220之中，而錫球26的高度高于第二基板44的高度，以避免雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I以第二表面226朝下放置時(shí)，第二基板44因擠壓而受損；基板開(kāi)口 220中進(jìn)一步以環(huán)氧樹(shù)脂填充，形成一封裝層228 ;其余單層結(jié)構(gòu)2及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)4的各部組件，皆與圖1及圖5的配置相同，故不再贅述。再接著，請(qǐng)參閱圖8，是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)另一實(shí)施方式剖面示意圖。如圖8所示，雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)5’是單層結(jié)構(gòu)2與半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)4的結(jié)合，其中，上表面440與第二表面226相對(duì)并接合；第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群442中的每一第二金屬導(dǎo)線(xiàn)4420皆和第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222未與錫球26電性連接的一端電性連接，其余組件配置方式皆與圖7相同，故不再贅述。同樣的，在本實(shí)用新型的第一基板22的第二表面226上的第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222是由一層黏著層(未顯不于圖式)與第一基板22的第二表面226固接成一體；而第二基板44上表面440上的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群442是藉由一層黏著層(未顯示于圖中)與第二基板44上表面440固接成一體；再經(jīng)由一壓合工藝，可以由沒(méi)有被第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222及第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群442覆蓋的黏著層(未顯示于圖中)，將第一基板22的第二表面226與第二基板44上表面440壓成一體；很明顯地，由黏著層(未顯示于圖中)具有彈性的特性，可以將第一金屬導(dǎo)線(xiàn)群222及第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群442電性連接。由本實(shí)用新型所提供的雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1、1’、5及5’進(jìn)行封裝，提供了能在芯片36、46上方形成封裝層的空間，且并未增加整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的厚度，因此可提升封裝結(jié)構(gòu)的可靠度，并且不會(huì)對(duì)產(chǎn)品造成其他負(fù)面的影響。雖然本實(shí)用新型以前述的較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以申請(qǐng)的權(quán)利要求范圍所界定的內(nèi)容為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括: 一第一基板，具有一第一表面及相對(duì)的一第二表面，并配置一基板開(kāi)口于該第一基板中央?yún)^(qū)域并貫穿該第一表面至該第二表面； 復(fù)數(shù)條第一金屬導(dǎo)線(xiàn)，是以彼此間隔扇出排列于該第一基板的第二表面的該基板開(kāi)口的兩側(cè)端； 復(fù)數(shù)個(gè)錫球，電性連接于該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)扇出的一端上；及一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括: 一第二基板，具有一上表面，于該上表面上配置兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群，每一該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群是由復(fù)數(shù)條彼此間隔排列的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)所組成，且于該兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群之間形成一芯片配置區(qū)； 一芯片，配置于該芯片配置區(qū)上，并使該芯片上的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊曝露；及復(fù)數(shù)條芯片導(dǎo)線(xiàn)，每一該芯片導(dǎo)線(xiàn)的一端與該芯片上的每一焊墊電性連接，而每一該芯片導(dǎo)線(xiàn)的另一端與該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群中的每一該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)的一端電性連接； 其中，該雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的特征在于: 由該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)上的該些第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與該第一基板上的該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)的另一端電性連接成一體，并使該芯片位于該基板開(kāi)口中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)相接處進(jìn)一步形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基板及該第~■基板為聞分子材質(zhì)基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基板及該第二基板為印刷電路板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些錫球的高度高于該第二基板的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板開(kāi)口進(jìn)一步以一封裝層填充，且該封裝層覆蓋該芯片及該些芯片導(dǎo)線(xiàn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝層為環(huán)氧樹(shù)脂。
8.—種雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括: 一第一基板，具有一第一表面及相對(duì)的一第二表面，并配置一基板開(kāi)口于該第一基板中央?yún)^(qū)域并貫穿該第一表面至該第二表面； 復(fù)數(shù)條第一金屬導(dǎo)線(xiàn)，是以彼此間隔排列于該第一基板的第一表面的該基板開(kāi)口的兩側(cè)端； 復(fù)數(shù)個(gè)錫球，電性連接于該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)扇出的一端上 '及 一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括: 一第二基板，具有一上表面，于該上表面上配置兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群，每一該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群是由復(fù)數(shù)條彼此間隔排列的第二金屬導(dǎo)線(xiàn)組成，且于該兩組第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群之間形成一芯片配置區(qū)；及 一芯片，該芯片上配置復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，該芯片以芯片倒裝方式將每一該焊墊與該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群中的每一該第二金屬導(dǎo)線(xiàn)的一端電性連接； 其中，該雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的特征在于: 由該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)上的該些第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與該第一基板上的該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)的另一端電性連接成一體，并使該芯片位于該基板開(kāi)口中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些第二金屬導(dǎo)線(xiàn)群與該些第一金屬導(dǎo)線(xiàn)相接處進(jìn)一步形成復(fù)數(shù)個(gè)電性連接點(diǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基板及該第二基板為聞分子材質(zhì)基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基板及該第二基板為印刷電路板。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些錫球的高度高于該第二基板的高度。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板開(kāi)口進(jìn)一步以一封裝層填充，該封裝層并覆蓋該芯片。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝層為環(huán)氧樹(shù)脂。
專(zhuān)利摘要一種雙層基板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括一第一基板、一第二基板、一芯片、復(fù)數(shù)個(gè)錫球及復(fù)數(shù)個(gè)金屬導(dǎo)線(xiàn)群，其特征在于第一基板上有一基板開(kāi)口，并將芯片配置于第二基板上，并藉由第一基板與第二基板之間的電性連接點(diǎn)及金屬導(dǎo)線(xiàn)群，使兩基板電性連接成一體，并使芯片位于基板開(kāi)口中。提供了能在芯片上方形成封裝層的空間，且并未增加整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的厚度，因此可提升封裝結(jié)構(gòu)的可靠度，并且不會(huì)對(duì)產(chǎn)品造成其他負(fù)面的影響。
文檔編號(hào)H01L23/31GK203038906SQ20122073321
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者陳石磯 申請(qǐng)人:標(biāo)準(zhǔn)科技股份有限公司