專利名稱：一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型創(chuàng)造公開了一種非晶硅-碲化鎘(CdTe)-銅銦鎵硒(CIGS)電池構(gòu)成高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，屬于光伏太陽能電池制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，商業(yè)化晶體硅太陽能電池是光伏市場的主流，電池組件轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達到15%以上。但成本及生產(chǎn)過程能耗較高，晶體硅轉(zhuǎn)化效率提升空間有限，發(fā)展遲緩。相比之下薄膜太陽能電池具有成本低、環(huán)境友好等特點。非晶硅電池已成為硅基薄膜太陽能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展中最為成熟，轉(zhuǎn)換效率已達10%以上，吸收系數(shù)比晶體硅高1-2個數(shù)量級，熱穩(wěn)定性能高。長期使用，比功率，非晶硅電池唯一不足，光致衰減系數(shù)達20%。其次，碲化鎘(CdTe)及銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池電池等技術(shù)發(fā)展較成熟。美國第一太陽能電池公司碲化鎘(CdTe)電池組件光電轉(zhuǎn)換效率達11%。銅銦鎵硒(CIGS)電池組件轉(zhuǎn)換效率達到11%以上。金屬預(yù)置層后硒化技術(shù)使用H2Se氣體，易揮發(fā)、強毒性。當(dāng)前設(shè)備和生產(chǎn)成本較高，不良品率高。如何找低成本、綠色環(huán)保的高效能薄膜太陽能電池。日本實用新型專利JP61035569A、JP01158780A公布了一種非晶硅與碲化鎘(CdTe)太陽能電池結(jié)合的疊層電池，仍存在小于1.4eV近紅外波段光子能量不能有效吸收。傳統(tǒng)的疊層太陽能電池用濺射工藝會對后工序已沉積的子電池界面產(chǎn)生一定的破壞，為獲得較高能量轉(zhuǎn)換效率，一般引入形成陷光結(jié)構(gòu)的中間層。如中國發(fā)明專利201010045857.7，公開了一種摻鋁氧化鋅(AZO)作中間層的非晶硅/微晶硅疊層太陽能電池，轉(zhuǎn)換效率達13.6%。但批量生產(chǎn)中所面臨的一個重要問題是:無論采用激光的，還是機械的，刻劃P1、P2、P3溝道形成電池內(nèi)部串聯(lián)，其過程都會對透明導(dǎo)電膜中間層橫截面與背電極或前電極，包括不同疊層之間，都會形成導(dǎo)電通道，造成微短路或漏電，導(dǎo)致電池(或稱組件)失效。發(fā)明專利200710148695.8，公開了一種避免中間層與電極短接，在Pl刻劃和沉積完中間層之后，再加刻劃工序，除掉頂電池與中間層的膜層形成一較寬的(0.2-0.4mm)溝道，使其后續(xù)P2、P3的刻劃溝道均落在較寬的(0.2-0.4mm)溝道內(nèi)。激光的刻線寬度與精度有關(guān)，溝道越寬，精度要求高，生產(chǎn)難度較大。
發(fā)明內(nèi)容基于對以上影響太陽能電池轉(zhuǎn)化效率的分析，及對各種不同種類型薄膜電池(組件)的特性比較。以及生產(chǎn)過程中亟待要解決的問題。本實用新型提出全新概念，整合不同種類的電池材料的優(yōu)點，目的是在技術(shù)上進行實質(zhì)性的突破，創(chuàng)造一種不可替代的高效、節(jié)能低成本的多結(jié)疊層薄膜太陽能電池(或稱組件)。還有一個目的，為有效提高電池組件能量轉(zhuǎn)換，增加太陽光在電池中的光程，至少高出目前多疊層薄膜太陽能電池(以下簡稱疊層電池)，最高平均效率2-3個百分點，縮小與晶體硅量轉(zhuǎn)換效率的差距，降低制造成本，為光伏發(fā)電真正打入水電、火電等常規(guī)電力市場開辟一條新路。[0005]本實用新型的任務(wù)是解決以上現(xiàn)有技術(shù)中亟待要解決的問題。提出的技術(shù)解決方案是:包括現(xiàn)有技術(shù)，電池內(nèi)串聯(lián)連接的PU P2、P3溝道，其特征在于由分別對太陽光譜中的藍、綠、紅光波段光子敏感的電池材料，包括由硅基薄膜電池和碲化鎘(CdTe)、銅銦鎵硒(CIGS)電池構(gòu)成頂電池，中間電池和底電池的多結(jié)疊層薄膜電池；還有頂電池窗口層的減反層；及位于中間電池和底電池之間的第一中間層，和位于頂電池與中間電池之間的第二中間層及串聯(lián)連接中間電池和底電池的兩條隔離線，串聯(lián)中間電池碲化鎘(CdTe)和底電池,且分別位于溝道P2、P3的前后。本實用新型技術(shù)特點是:中間電池的緩沖層上依次層疊第二中間層和頂電池非晶硅PIN薄膜層，及頂電池的陰極層、減反層，柵線電極。頂電池非晶硅電池本征層禁帶寬度在1.7-1.8eV之間，吸收太陽光中藍光；中間電池層碲化鎘電池禁帶寬度在1.45eV左右，吸收綠光；調(diào)整底電池銅銦鎵硒的吸收層禁帶寬度在1.05eV左右，吸收紅光。實施本實用新型效果明顯，生產(chǎn)過程簡單，易于控制，可大批量生產(chǎn)。轉(zhuǎn)換效率達到15%以上，良品率提高，大幅降低了生產(chǎn)成本。在沉積完中間層后，平行于Pl溝道，對中間層再分別刻劃兩條線寬小于IOOMffl的隔離線，兩條隔離線相距200_500Mffl，可在這兩條隔離線中間進行后續(xù)的刻劃P2、P3。分步刻劃法，避免和減少了中間層與電極短路的產(chǎn)品不良率。銅銦鎵硒作底電池，非晶硅薄膜電池，Na鈉元素向底電池擴散對于銅銦鎵硒太陽能電池來說，不會降低性能，反而會增強其吸收層的光電功能轉(zhuǎn)換能力。避免了非晶硅長期在室外應(yīng)用過程遇到的一個嚴(yán)重問題玻璃中的Na鈉元素會擴散進到前電極TCO膜層中，導(dǎo)致TCO膜層的透過率以及導(dǎo)電率降低，加劇非晶硅太陽能電池的性能衰減。
以下結(jié)合附圖進一步說明本實用新型創(chuàng)造多結(jié)疊層薄膜太陽能電池(以下簡稱疊層電池)的結(jié)構(gòu)和工作原理。

圖1、是本實用新型的三結(jié)疊層薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖。圖2、是本實用新型的三結(jié)疊層薄膜太陽能電池組件分步刻劃結(jié)構(gòu)示意圖。圖2-1、是本實用新型圖2中圈內(nèi)I部分剖圖放大圖。圖3、是本實用新型的三結(jié)疊層薄膜太陽能電池組件實施例2的分步刻劃示意圖。圖4、是本實用新型實施例4結(jié)構(gòu)原理示意圖。見圖1，本實用新型三結(jié)疊層薄膜電池的底電池6是銅銦鎵硒電池，由吸收層3、緩沖層4、窗口層5與襯底I構(gòu)成。本實用新型的襯底I，可選用浮法玻璃、超白玻璃等作襯底，或不銹鋼、聚合物等柔性材料作襯底。銅銦鎵硒電池(以下簡稱底電池)背接觸層2為陽極，是一層導(dǎo)電性能較好的，厚度約0.5-2Mffl的鑰Mo金屬或其它金屬，陽極2與襯底I之間有較好的附著力。背接觸層2采用雙層工藝，先后在襯底I上沉積一薄膜高阻層，再沉積一低阻層。底電池的吸收層3為PN結(jié)的P型區(qū)，厚度為1.5-3Mm，是本實用新型中銅銦鎵硒底電池吸收太陽光產(chǎn)生光電流的核心部分。銅銦鎵硒吸收層3為多晶薄膜，可以采用多元共蒸發(fā)，磁控濺射等真空沉積方法制備，也可以采用電沉積、微粒沉積、噴霧高溫分解等非真空沉積方法制備。本實用新型中銅銦鎵硒吸收層3的禁帶寬度是通過調(diào)節(jié)各元素的比例進行，控制在1.05eV左右。緩沖層4，厚度為30-100nm，可選硫化鎘(CdS)、硫化鋅(ZnS)等。窗口層5為底電池pn結(jié)的η型區(qū)，緩沖層4在低帶隙的吸收層3與高帶隙的底電池窗口層5之間形成過渡區(qū)，減小了兩者之間的帶隙臺階和晶格失配，有益于改善底電池pn結(jié)的質(zhì)量。緩沖層4可以防止后續(xù)沉積窗口層對底電池吸收層3的破壞；且緩沖層4中的硫(S)元素向吸收層3中擴散，以鈍化表面缺陷。緩沖層4采用熱蒸發(fā)、濺射以及化學(xué)水浴等方法制備。圖1中底電池窗口層5，厚度為30-100nm，為本征氧化鋅等薄膜。窗口層5采用磁控濺射等方法制備，與P型區(qū)銅銦鎵硒吸收層3組成異質(zhì)結(jié)，是形成內(nèi)建電場的核心部分。見圖1，中間層電池碲化鎘的陽極是第一中間層7是，厚度為20_100nm，為氧化硅、氧化鋁、氧化鋅等低導(dǎo)電率透明薄膜，或摻鋁氧化鋅(AZO)、摻硼氧化鋅(BZO)、摻氟氧化錫(FTO)等高導(dǎo)電率透明薄膜。第一中間層7是形成的光陷阱結(jié)構(gòu)的重要組成部分，形成前后級子電池串聯(lián)連接，載流子復(fù)合中心，以減小漏電流。對第一中間層7，采用分步刻劃方式，可以在后期組件進行內(nèi)部串聯(lián)時避免與電極的短路。第一中間層7采用濺射、化學(xué)氣相沉積等制備方法。見圖1，中間電池10是碲化鎘電池，由吸收層8和中間緩沖層9構(gòu)成，吸收層8厚度1.5-10Mffl,吸收層8在中間電池pn結(jié)的P型區(qū)，該吸收層8是一種多晶薄膜，其禁帶寬度為1.45eV左右，是碲化鎘吸收太陽光轉(zhuǎn)化為電能輸出的重要區(qū)域。用磁控濺射、熱蒸發(fā)、近空間升華以及化學(xué)水浴等方法制備。緩沖層9，厚度50-200nm，為中間電池pn結(jié)的η型區(qū)，與吸收層8共同組成中間電池pn結(jié)，是形成中間電池內(nèi)建電場的重要區(qū)域。緩沖層9為硫化鎘(CdS)或硫化鋅(ZnS)等，可以采用熱蒸發(fā)、磁控濺射以及化學(xué)水浴等方法制備。見圖1，第二中間層11，厚度為20_100nm，為氧化硅、氧化鋁、氧化鋅等低導(dǎo)電率透明薄膜，或摻鋁氧化鋅(AZO)、摻硼氧化鋅(BZO)、摻氟氧化錫(FTO)等高導(dǎo)電率透明薄膜?？梢圆捎么趴貫R射、化學(xué)氣相沉積等方式制備。第二中間層11作為載流子復(fù)合中心，連接前后級子電池，形成串聯(lián)輸出。類似于與第一中間層7，采用分步刻劃法，避免后期組件內(nèi)部串聯(lián)時與電極的短路，可提高組件良率。見圖1，頂電池19為p-1-n結(jié)構(gòu)，P層12，i層13，η層14，P層12為硼摻雜的氫化非晶娃薄膜(P a-S1:H),厚度10-50nm,是形成內(nèi)建電場的重要組成部分，P層可以采用等離子體增強化學(xué)氣相(PECVD)、熱絲化學(xué)氣相沉積等方法制備。i層13，為本征氫化非晶硅薄膜(i a-S1:H)，其禁帶寬度為1.7-1.8eV，厚度0.05-0.6Mm，是頂電池中吸收太陽光轉(zhuǎn)化為電能的關(guān)鍵區(qū)域?？梢圆捎玫入x子體增強化學(xué)氣相沉(PECVD)、熱絲化學(xué)氣相沉積等方法制備。η層14,作為窗口層19具有較好的光透過能力，厚度為5-50nm。η層14可選磷摻雜的氫化納晶氧化硅薄膜(n nc-SiO:H)或磷摻雜的氫化納晶碳化硅薄膜(n nc_SiC:H)或其他寬帶隙的薄膜作窗口層，η層14可以采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積等方法制備。頂電池的陰極15，厚度為100-500nm，為摻鋁的氧化鋅(AZO)、摻硼氧化鋅(BZO)等薄膜。頂電池的陰極15，作為收集匯流輸出電能。陰極15采用磁控濺射、化學(xué)氣相沉積等方式制備。減反層16，厚度50-200nm，為氟化鎂(MgF2)等，要求電池光譜響應(yīng)波段(350nm-1400nm)具有高透過率，減弱反射損失，減反層16的折射率應(yīng)為頂電池陰極15的折射率的平方根，其光學(xué)厚度應(yīng)為降低反射波段波長的1/4。分別為鎳(Ni)、鋁(Al)柵線電極17、18，共同組成鎳-鋁電極，負(fù)責(zé)收集本實用新型中三疊層薄膜電池能量輸出。鎳電極17能夠很好地改善鋁電極18與頂電池陰極15 (氧化鋅)之間的歐姆接觸，同時鎳也可以防止鋁向頂電池陰極15(氧化鋅)中的擴散，有利于電池的穩(wěn)定性。鎳電極17的厚度30-100nm，鋁電極18厚度l-2Mm。鎳-鋁電極可以采用掩模板輔助磁控濺射或熱蒸發(fā)等方式制備。見圖2，本實用新型電池組件分步刻劃結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、2、6、7、10、11、19、15同圖1。本實用新型電池制造，所說的刻劃均包括激光刻劃或機械刻劃。傳統(tǒng)的電池制造刻劃工序P1、P2、P3分別為第一溝道20、第二溝道21、第三溝道22，Pl是在沉積完底電池背接觸層2后，所進行的第一次刻劃，形成絕緣溝道20。P2溝道21為第二次刻劃在沉積完成頂電池主體結(jié)構(gòu)膜層19之后進行刻劃，去除本實用新型各層電池膜層6、10、19以及各中間層
7、11 ；22為傳統(tǒng)第三溝道P3，在沉積完成頂電池陰極15之后進行刻劃，去除本實用新型三疊層電池各層主體結(jié)構(gòu)膜層6、10、19，各中間層7、11以及頂電池陰極15 ；圖2、圖2_1，23為第一隔離線，在沉積完第一中間層之后進行刻劃，平行于第一溝道P1，刻劃去除底電池主體結(jié)構(gòu)膜層6以及第一中層7 ;24為本實用新型中間層后隔離線，在沉積完第一中間層之后進行刻劃，平行于中間層前隔離線23，與其相距200-500Mffl，去除底電池主體結(jié)構(gòu)膜層6以及第一中層7。中間層前隔離線23位于第一溝道Pl和第二溝道P2之間，且與其平行；中間層后隔離線24位于第三溝道P3外側(cè)，且與其平行。通過分布刻劃兩條中間層隔離線23、24，避免了中間層與電極的短接。本實用新型制造方法和步驟包括底電池6銅銦鎵硒電池的制備；超聲清洗襯底1:用超聲清洗襯底1，可選擇以下材料中的任意一種，如浮法玻璃、超白玻璃作或不銹鋼等柔性材料，作三疊層薄膜電池的襯底I ;背接觸層2:將清洗后的襯底1，在其一側(cè)用直流磁控濺射方法，雙層工藝，沉積鑰(Mo)層，總厚度0.5-2Mm,構(gòu)成底電池的背接觸層2 ；吸收層3:在背接觸層2之上，用多元共蒸法制備銅銦鎵硒吸收層3、或磁控濺射等真空沉積方法，或電沉積、微粒沉積、噴霧高溫分解等非真空沉積制備銅銦鎵硒多晶薄膜的吸收層3，其厚1.5-3Mm;池緩沖層4，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或化學(xué)水浴等方法，在吸收層3上，沉積一層硫化鎘薄膜，作為底電池的緩沖層4，厚度30-100nm ；底電池窗口層5:在底電池緩沖層4之上，采用磁控濺射等方法，沉積一層本征氧化鋅薄膜為底電池窗口層5，其厚度30-100nm ；見圖2-1第一中間層7，在底電池窗口層5上制備第一中間層7，可以采用磁控濺射、化學(xué)氣相沉積等方法，沉積一層氧化硅或氧化鋁或氧化鋅等低導(dǎo)電率透明薄膜，或沉積一層摻硼氧化鋅(BZO)或摻鋁氧化鋅(AZO)或摻氟氧化錫(FTO)等高導(dǎo)電率透明薄膜，第一中間層7，厚度為20-100nm;制備中間層電池10碲化鎘電池吸收層8:在第一中間層7之上制備碲化鎘吸收層8，厚度為1.5-10Mm，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)、近空間升華或化學(xué)水浴等任何一種方法；緩沖層9:在碲化鎘吸收層8上，用磁控濺射、熱蒸發(fā)或化學(xué)水浴等方法，制備一層硫化鎘薄膜，緩沖層9厚度50-200nm ；第二中間層11:在緩沖層9上，用化學(xué)氣相沉積、磁控濺射等方法，沉積一層氧化硅或氧化鋁或氧化鋅等低導(dǎo)電率透明薄膜，或沉積一層摻硼氧化鋅(BZO)或摻鋁氧化鋅(AZO)或摻氟氧化錫(FTO)等高導(dǎo)電率透明薄膜，作為第二中間層11，厚度20-100nm;頂電池19[0034]制備p型層12:用化學(xué)氣相沉積法在第二中間層11上，沉積p(p a-S1:H)型非晶硅薄膜層，厚度為10-50nm ；本征i層13:用化學(xué)氣相沉積法在P層12上采，沉積本征層i非晶硅薄膜，厚度為 0.05-0.6Mm,,η型膜層14，采用化學(xué)氣相沉積法在i層13上，沉積η型納晶氧化硅薄膜14，即η層(n nc-SiO:H),厚度為 5_50nm ；頂電池陰極15:采用磁控濺射、化學(xué)氣相沉積等方法，在η層14上，沉積一層低阻氧化鋅薄膜作為頂電池陰極15，厚度100-500nm ；減反膜層16,在頂電池陰極15上沉積一層減反膜層16 ；鎳電極17和鋁電極18:在頂電池陰極15之上，采用磁控濺射或熱蒸發(fā)方法，通過掩模板，依次沉積鎳電極17和鋁電極28，構(gòu)成鎳-鋁柵線電極，總厚度l-2Mm ；減反層16:最后在未覆蓋柵線電極的部分沉積氟化鎂薄膜,厚度為50-200nm,作為減反層16。本實用新型通過刻劃方式實現(xiàn)電池內(nèi)部子電池內(nèi)部串聯(lián)。本實用新型創(chuàng)造的疊層電池組件，在底電池的背接觸層2上，采用刻劃方式對底電池背接觸層2進行第一次Pl刻劃，形成寬度5-10mm形成第一溝道20，形成各子電池內(nèi)部串聯(lián)的基礎(chǔ)。Pl刻劃激光波長為1064nm或532nm，刻線寬度為30_100Mm ；在第一中間層7，與Pl第一溝道20相距30_100Mffl的平行位置，刻除底電池6膜層以及第一中間層7，形成中間層前隔離線23，刻線寬度為50-100Mffl ;在平行于第一中間層7的前隔離線23，與其相200-500Mm的位置刻劃，去除構(gòu)成底電池6的各膜層3、4、5及第一中間層7，形成隔離線24，刻線寬度為50-100Mm ；沉積頂電池19后，在前隔離線23和后隔離線24之間，且與前隔離線23距離30-100Mffl的平行位置，采用機械或激光刻劃，去除本實用新型疊層電池各膜層6、10、19及中間層7、11的膜層，形成P2第二溝道21，實現(xiàn)本實用新型疊層電池組件相鄰節(jié)電池的內(nèi)部串聯(lián)。第二溝道21刻線寬度為50-100Mm;沉積頂電池陰極15后，在中間層前隔離線23和后隔離線24之間，且與后隔離線24距離30-100Mffl的平行位置刻劃，去除本實用新型三疊層電池各層主體結(jié)構(gòu)膜層6、10、19，各中間層7、11以及頂電池陰極15，形成P3第三溝道22。第三溝道22的刻線寬度為50_100Mm。所說的子電池是指構(gòu)成疊層薄膜太陽能電池各層電池，包括頂電池、中間電池、底電池。中間層的引入增加了太陽光在電池內(nèi)部的反射次數(shù)，和電池吸收層內(nèi)的光程，形成光陷阱結(jié)構(gòu)，提高了電池對太陽光的吸收效率。太陽光由窗口層?xùn)啪€電極入射，依次經(jīng)頂電池、中間電池、底電池。頂電池對太陽光中大部分藍光波段光子敏感；中間電池碲化鎘電池吸收層，對太陽光光譜中綠光波段比較敏感；底電池銅銦鎵硒，側(cè)重對太陽光中紅光波段部分重點吸收利用。分步刻劃可以層避免和減少電極短接，克服后期組件內(nèi)部串聯(lián)時短接，減少產(chǎn)品不良率。值得說明本實用新型的分步刻劃，不同于中國發(fā)明200710148695.8已公開的疊層薄膜太陽能電池的刻劃方式，本實用新型沉積完中間層后，平行于Pl溝道，對中間層再分別刻劃兩條線寬小于IOOMffl的隔離線，避免Pl溝道過寬影響刻劃精度，并在兩條隔離線中間進行后續(xù)P2、P3刻劃，其精度高和穩(wěn)定性好。具體實施例例1，圖1、圖2、和圖2-1是本實用新型創(chuàng)造的實施例圖采用超白玻璃作為襯底，銅銦鎵硒底電池采用多元共蒸發(fā)三步法制備，碲化鎘中間電池采用磁控濺射方法制備，非晶硅頂電池采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備，其中第一中間層采用BZO透明導(dǎo)電薄膜，第二中間層采用氧化硅低電導(dǎo)率透明薄膜。制造如下:以超白玻璃作為本實用新型三疊層薄膜電池的沉積襯底1，經(jīng)過超聲清洗以及自動光學(xué)檢測缺陷之后，在其一側(cè)采用直流磁控濺射方法，通過調(diào)節(jié)氬氣壓力，依次在高氣壓下沉積一層高阻鑰(Mo)層，再在低氣壓下沉積一層低阻鑰(Mo)層，總厚度IMffl，構(gòu)成底電池背接觸層2 ； 底電池6生產(chǎn)過程包括背接觸層2:基板溫度280°C，首先共蒸發(fā)制備銦、鎵、硒預(yù)置層(Ina7Gaa3)2Se3 ；銅銦鎵硒吸收層3，將基板溫度升高至560°C，共蒸發(fā)銅、硒，直至薄膜稍微富銅；共蒸發(fā)銦、鎵、硒，在薄膜表面形成富銦薄層，最終得到化學(xué)計量比Cu1Ina7Gaa3Se2多晶薄膜，即厚度為1.5Mm;緩沖層4:在銅銦鎵硒吸收層3之上，采用磁控濺射方法，使用硫化鎘靶，基板溫度2000C，濺射沉積一層硫化鎘薄膜，作為底電池緩沖層4，厚度50nm ；窗口層5:基板溫度200°C，用氧化鋅靶材，磁控濺射，在底電池的緩沖層4上，濺射沉積一層本征氧化鋅薄膜，作為底電池窗口層5，厚度50nm，電阻率為100-500 Ω.cm ；第一中間層7:在底電池窗口層5之上,米用低氣壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)方法，使用二乙基鋅作為鋅源、氣態(tài)去離子水作為氧源、乙硼烷作為硼源，基板溫度160°C，沉積一層摻硼氧化鋅(BZO)薄膜，作為第一中間層7，厚度50nm ；中間電池10是碲化鎘電池，由吸收層8和緩沖層9構(gòu)成吸收層8:在第一中間層7之上，采用磁控濺射方法，使用碲化鎘靶材，基板溫度150°C，濺射制備一層碲化鎘薄膜，作為碲化鎘吸收層8，厚度為1.5Mm ；緩沖層9:在碲化鎘吸收層8之上，采用磁控濺射方法，使用硫化鎘靶，基板溫度150°C，濺射沉積一層硫化鎘薄膜，作為中間電池緩沖層9，厚度IOOnm ；第二中間層11:在中間電池緩沖層9之上，采用化學(xué)氣相沉積法，硅烷作為硅源，二氧化碳作為氧源，沉積一層低電導(dǎo)率氧化硅薄膜，作為第二中間層11，厚度20nm ；頂電池19為非晶硅電池采用硅烷作硅源，頂電池19為非晶硅p-1-n結(jié)構(gòu)，硅烷作硅源，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)形成P層12:在中間層11上沉積P型非晶硅薄膜層，基板溫度180°C，用硼烷或三甲基硼作P型摻雜氣體，P層12 (P a-S1:H)的厚度為15nm ；本征i層13:在P層12上沉積本征i層13，本征i層為非晶硅(i a_S1:H)型，厚度為300nm，基板溫度180°C 3 ；η層14:在i層13上，基板溫度160°C，η型摻雜氣體用磷烷，硅烷作為硅源，二氧化碳作為氧源，通過高氫稀釋，沉積制備一層η型納晶氧化硅薄膜，η層(n nc-SiO:H),厚度為15nm ；頂電池的陰極15:在η層14之上，采用磁控濺射法，基板溫度120°C，使用AZO (摻鋁氧化鋅)靶材，沉積一層AZO薄膜，作為頂電池陰極15，厚度500nm ；鎳電極17和鋁電極28:在頂電池陰極15用磁控濺射法，用鎳靶和鋁靶，通過掩模板，依次沉積鎳電極17和鋁電極28，總厚度1.5Mm構(gòu)成鎳-鋁柵線電極，基板I溫度120°C;減反層16:最后，采用磁控濺射方法，在未覆蓋柵線電極的部分沉積氟化鎂薄膜，厚度為120nm,作為減反層16。用分步刻劃法實現(xiàn)本實用新型電池內(nèi)部串聯(lián)沉積完成底電池背接觸層2后，采用波長1064nm的激光對底電池背接觸層2進行Pl劃線，將之分割形成寬度8mm的條狀，形成Pl的第一溝道20，刻線寬度為35Mm ；如圖2所示，沉積完成第一中間層7后，在與第一溝道20相距50Mm的平行位置，采用機械刻劃方式進行刻劃，去除底電池6和第一中間層7各膜層，形成中間層前隔離線23，刻線寬度為60Mm ；平行于中間層的前隔離線23，相距300Mm的位置，機械刻劃，去除底電池主體結(jié)構(gòu)膜層6以及第一中間層7，形成中間層7后隔離線24，刻線寬度為60Mffl ；如圖2所示，沉積完成頂電池主體結(jié)構(gòu)膜層19之后，在中間層前隔離線23和中間層后隔離線24之間，且與前隔離線23距離50Mm的平行位置，機械刻劃去除本實用新型的底電池6的銅銦鎵硒電池和中間電池10主體結(jié)構(gòu)膜層、10、19以及各中間層7、11，形成P2第二溝道21，刻線寬度為75ΜΠ1;沉積完成頂電池陰極15之后，在中間層前隔離線23和中間層后隔離線24之間，且與后隔離線24距離50Mm的平行位置，采用機械刻劃方式進行刻劃，去除本實用新型三疊層電池各層主體結(jié)構(gòu)膜層6、10、19，各中間層7、11以及頂電池陰極15，形成P3第三溝道22，刻線寬度為75Mm ;至此本實用新型三疊層電池組件制造完畢。例2超白玻璃作襯底1，底電池6銅銦鎵硒采用多元共蒸發(fā)兩步法制備，中間電池10，碲化鎘電池，采用磁控濺射制備，非晶硅頂電池采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備，其中第一中間層采用氧化硅低電導(dǎo)率透明薄膜，第二中間層采用AZO透明導(dǎo)電薄膜。沉積襯底1，經(jīng)過超聲清洗以及自動光學(xué)檢測缺陷之后，在其一側(cè)采用直流磁控濺射方法，通過調(diào)節(jié)氬氣壓力，依次在高氣壓下沉積一層高阻鑰(Mo)層，再在低氣壓下沉積一層低阻鑰(Mo)層，總厚度1.δμπι,構(gòu)成底電池6的背接觸層2 ；背接觸層2:采用多元共蒸發(fā)方法，襯底溫度420°C，共蒸發(fā)制備富銅的CIGS預(yù)置層，較小的晶粒尺寸和較低的電阻率；吸收層3:將基板溫度升高至530°C，共蒸法制備貧銅的CIGS預(yù)置層，具有較大的晶粒尺寸和較高的電阻率，銅銦鎵硒吸收層3，總厚度為1.8Mm ；緩沖層4:在銅銦鎵硒吸收層3上，采用磁控濺射方法，用硫化鎘靶，襯底I溫度180 0C，濺射沉積一層硫化鎘薄膜，厚度30nm ；窗口層5:在底電池6的緩沖層4之上，采用磁控濺射方法，使用氧化鋅靶材，襯底襯底6，溫度180°C，濺射沉積一層本征氧化鋅薄膜，作為底電池，厚度30nm，電阻率為100-500 Ω.cm ;第一中間層7:在底電池窗口層5上，米用化學(xué)氣相沉積法，娃焼為娃源，二氧化碳作為氧源，沉積一層低電導(dǎo)率氧化硅薄膜，厚度50nm ；中間電池碲化鎘的吸收層8:在第一中間層7之上，采用磁控濺射方法，使用碲化鎘靶材，襯底溫度160°C，濺射制備一層碲化鎘薄膜，作為碲化鎘吸收層8，厚度為1.6Mm ；中間電池碲化鎘緩沖層9:在碲化鎘吸收層8之上，采用磁控濺射方法，使用硫化鎘靶，襯底溫度160°C，濺射沉積一層硫化鎘薄膜，作為中間電池緩沖層9，厚度SOnm ；第二中間層11:在中間電池10的緩沖層9上，用磁控濺射法，使用AZO (摻鋁氧化鋅)靶材，襯底溫度160°C，濺射沉積一層低阻氧化鋅薄膜，作為第二中間層11，厚度30nm ；頂電池19包括非晶硅p-1-n結(jié)構(gòu)的P層12，在第二中間層11之上，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)法，襯底溫度180°C，使用硼烷或三甲基硼作為P型摻雜氣體，采用硅烷作為硅源，沉積制備一層P型(P a-S1:H)膜層，厚度為20nm ；非晶硅p-1-n結(jié)構(gòu)i層13:在P層12上，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)，襯底溫度180°C，使用硅烷作為硅源，沉積一層i層(i a-S1:H)薄膜，厚度為200nm ；非晶硅p-1-n結(jié)構(gòu)η層14:在i層13之上，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)，襯底溫度160°C，使用磷烷作為η型摻雜氣體，硅烷作為硅源，二氧化碳作為氧源，通過高氫稀釋，沉積一層η型納晶氧化娃(n nc-SiO:H)膜層，厚度為IOnm;頂電池19陰極15:在η層14上，用磁控濺射法，襯底溫度120°C，使用AZO (摻鋁氧化鋅)靶材，沉積一層AZO薄膜，作為頂電池陰極15，厚度450nm ；在頂電池陰極15之上，采用磁控濺射方法，基板溫度120°C，使用鎳靶和鋁靶，通過掩模板，依次沉積鎳電極17和鋁電極28，構(gòu)成鎳-鋁柵線電極，總厚度2Mm ；最后，采用磁控濺射方法，在未覆蓋柵線電極的部分沉積氟化鎂薄膜，厚度為125nm，作為減反層16。內(nèi)部串聯(lián)刻劃方法如下:沉積完成底電池背接觸層2之后，采用波長1064nm的激光對底電池背接觸層2進行劃線(P1)，將之分割形成寬度8mm的條狀，形成Pl第一溝道20，刻線寬度為50Mm ；如圖3所示，沉積完成第二中間層11之后，在與第一溝道20相距60Mm的平行位置，刻劃去除底電池6、中間電池10及第一中間層7，形成中間層7前隔離線23，刻線寬度為60Mffl ;在平行于中間層前隔離線23，且相距400Mffl的位置，刻劃去除底電池6、10和第一中間層7膜層，形成中間層后隔離線24，刻線寬度為60Mffl ；如圖3所示，沉積完頂電池19后，在中間層前隔離線23和中間層7的隔離線24之間，與前隔離線23距離SOMffl的平行位置，刻劃去除本實用新型三疊層電池各層主體結(jié)構(gòu)膜層6、10、19以及各中間層7、11，形成P2第二溝道21，刻線寬度為80Mm ；如圖3所示，沉積完成頂電池陰極15之后，在中間層前隔離線23和中間層后隔離線24之間，且與后隔離線24距離SOMffl的平行位置，采用機械刻劃方式進行刻劃，去除本實用新型三疊層電池各層主體結(jié)構(gòu)膜層6、10、19，各中間層7、11以及頂電池陰極15，形成P3第三溝道22，刻線寬度為80Mm ;至此本實用新型三疊層電池組件制造完畢。例3實施例圖同例I[0099]用不銹鋼作柔性襯底，銅銦鎵硒底電池6，用電沉積法制備，碲化鎘中間電池10，用磁控濺射方法制備，非晶硅頂電池19用等離子體增強化學(xué)氣相沉法制備，第一中間層7采用AZO透明導(dǎo)電薄膜，第二種中間層11采用氧化硅低電導(dǎo)率透明薄膜。制造以不銹鋼為本實用新型三疊層薄膜電池的襯底1，超聲清洗，在其一側(cè)采用直流磁控濺射法，通過調(diào)節(jié)氬氣壓力，依次在高氣壓下沉積一層高阻鑰(Mo)層，再在低氣壓下沉積一層低阻鑰(Mo)層，總厚度2Mm，構(gòu)成底電池背接觸層2 ；底電池在背接觸層2之上，采用電沉積方法制備銅銦鎵硒薄膜:沉積過程在氯化物酸性溶液中進行，以氯化銅(CuCl2)、氯化銦(InCl3)、氯化鎵(GaCl3)、氧化硒(SeO2)為主鹽，并加入檸檬酸等絡(luò)合劑，控制溶液PH值為2-4，恒電位-0.5V，在室溫下進行電鍍，得到銅銦鎵硒薄膜，厚度為2Mm;在銅銦鎵硒吸收層3之上，采用磁控濺射方法，使用硫化鎘靶，基板溫度200°C，濺射沉積一層硫化鎘薄膜，作為底電池緩沖層4，厚度60nm ；在底電池緩沖層4之上，采用磁控濺射方法，使用氧化鋅靶材，基板溫度200°C，濺射沉積一層本征氧化鋅薄膜，作為底電池窗口層5，厚度60nm，電阻率為100-400 Ω.cm ；底電池6的窗口層5，用磁控濺射法，AZO (摻鋁氧化鋅)靶材，襯底溫度180°C，濺射沉積一層低阻氧化鋅薄膜，作為第一中間層7，厚度50nm ；在第一中間層7之上，采用磁控濺射方法，使用碲化鎘靶材，基板溫度160°C，濺射制備一層碲化鎘薄膜，作為碲化鎘吸收層8，厚度為1.8Mm ；在碲化鎘吸收層8之上，采用磁控濺射方法，使用硫化鎘靶，基板溫度160°C，濺射沉積一層硫化鎘薄膜，作為中間電池緩沖層9，厚度SOnm ；在中間電池緩沖層9之上，采用化學(xué)氣相沉積方法，硅烷作為硅源，二氧化碳作為氧源，沉積一層低電導(dǎo)率氧化硅薄膜，作為第二中間層11，厚度30nm;在第二中間層11之上，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，襯底溫度180°c，使用硼烷或三甲基硼作為P型摻雜氣體，采用硅烷作為硅源，沉積制備一層P型非晶娃薄膜，即P層(P a-S1:H),厚度為IOnm,作為非晶娃頂電池p-1-n結(jié)構(gòu)的P層12 ;在P層12之上，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，基板溫度180°C，使用硅烷作為硅源，沉積制備一層本征非晶硅薄膜，即i層(i a-S1:H),厚度為lOOnm，作為非晶硅頂電池p-1-n結(jié)構(gòu)的i層13 ;在i層13之上，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，基板溫度160°C，使用磷烷作為η型摻雜氣體，硅烷作為硅源，二氧化碳作為氧源，通過高氫稀釋，沉積制備一層η型納晶氧化娃薄膜，即η層(n nc_SiO:H),厚度為5nm,作為非晶娃頂電池p_i_n結(jié)構(gòu)的η層14 ；在η層14之上，采用磁控濺射方法，基板溫度120°C，使用AZO (摻鋁氧化鋅)靶材，沉積一層AZO薄膜，作為頂電池陰極15，厚度400nm ；在頂電池陰極15上，用磁控濺射法，基板溫度100°C，使用鎳靶和鋁靶，通過掩模板，依次沉積鎳電極17和鋁電極28，構(gòu)成鎳-鋁柵線電極，總厚度2Mm ；最后，采用磁控濺射方法，在未覆蓋柵線電極的部分沉積氟化鎂薄膜，厚度為150nm,作為減反層。本實用新型三疊層電池內(nèi)部串聯(lián)刻劃方法:[0115]沉積完成底電池背接觸層2之后，采用波長532nm的激光對底電池背接觸層2進行劃線(P1)，將之分割形成寬度8mm的條狀，形成Pl第一溝道20，刻線寬度為圖2所示，沉積完成第一中間層7之后，在與第一溝道20相距50Mm的平行位置，采用機械刻劃方式進行刻劃，去除底電池主體結(jié)構(gòu)膜層6以及第一中間層7，形成中間層前隔離線23，刻線寬度為70Mm ;在平行于中間層前隔離線23，且與其相距500Mm的位置，采用機械刻劃方式進行刻劃，去除底電池主體結(jié)構(gòu)膜層6以及第一中間層7，形成中間層后隔離線24，刻線寬度為70Mm;如圖2所示，沉積完成頂電池主體結(jié)構(gòu)膜層19之后，在中間層前隔離線23和中間層后隔離線24之間，且與前隔離線23距離IOOMffl的平行位置，采用機械刻劃方式進行刻劃，去除本實用新型三疊層電池各層主體結(jié)構(gòu)膜層6、10、19以及各中間層7、11，形成P2第二溝道21，刻線寬度為IOOMm;如圖2所示，沉積完成頂電池陰極15后，在中間層前隔離線23和中間層后隔離線24之間，與后隔離線24距離IOOMffl的平行位置，采用機械刻劃方式進行刻劃，去除本實用新型三疊層電池各層主體結(jié)構(gòu)膜層6、10、19，各中間層7、11以及頂電池陰極15，形成P3第三溝道22，刻線寬度為IOOMm ；至此本實用新型三疊層電池組件制造完畢。例4采用超白玻璃作為襯底，銅銦鎵硒底電池采用多元共蒸發(fā)三步法制備，碲化鎘中間電池采用磁控濺射方法制備，非晶硅頂電池采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備，其中第一中間層和第二中間層均采用氧化硅低電導(dǎo)率透明薄膜。制造如下:超白玻璃作襯底I，超聲清洗以及自動光學(xué)檢測缺陷后，在其一側(cè)采用直流磁控濺射方法，通過調(diào)節(jié)氬氣壓力，依次在高氣壓下沉積一層高阻鑰(Mo)層，再在低氣壓下沉積一層低阻鑰(Mo)層，總厚度lMffl，構(gòu)成底電池背接觸層2 ；在背接觸層2上，采用多元共蒸發(fā)方法，襯底I溫度280°C，首先共蒸發(fā)制備銦、鎵、硒預(yù)置層(Ina7Gaa3)2Se3 ;將基板溫度升高至560°C，共蒸發(fā)銅、硒，直至薄膜稍微富銅；共蒸發(fā)銦、鎵、硒，在薄膜表面形成富銦薄層，最終得到化學(xué)計量比Cu1Ina7Gaa3Se2多晶薄膜，即銅銦鎵硒吸收層3，厚度為1.5Mm ；在銅銦鎵硒吸收層3之上，采用磁控濺射方法，使用硫化鎘靶，基板溫度200°C，濺射沉積一層硫化鎘薄膜，作為底電池緩沖層4，厚度40nm ；在底電池緩沖層4之上，采用磁控濺射方法，使用氧化鋅靶材，基板溫度200°C，濺射沉積一層本征氧化鋅薄膜，作為底電池窗口層5，厚度40nm，電阻率為100-500 Ω.cm ；在底電池窗口層5之上,米用化學(xué)氣相沉積方法,娃燒作為娃源,二氧化碳作為氧源，沉積一層低電導(dǎo)率氧化硅薄膜，作為第一中間層7，厚度40nm ；在第一中間層7上，磁控濺射，用碲化鎘靶材，基板溫度150°C，濺射制備一層碲化鎘薄膜，作為碲化鎘吸收層8，厚度為1.5Mm ；在碲化鎘吸收層8之上，磁控濺射，用硫化鎘靶，襯底I的溫度150°C，濺射沉積一層硫化鎘薄膜，作為中間電池緩沖層9，厚度60nm ；在中間電池緩沖層9之上，采用化學(xué)氣相沉積方法，硅烷作為硅源，二氧化碳作為氧源，沉積一層低電導(dǎo)率氧化硅薄膜，作為第二中間層11，厚度30nm;在第二中間層11上，用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)法，襯底溫度180°C，使用硼烷或三甲基硼作為P型摻雜氣體，采用硅烷作為硅源，沉積制備一層P型非晶硅薄膜，即P層(P a-S1:H),厚度為20nm,作為非晶娃頂電池p-1-n結(jié)構(gòu)的P層12 ;在P層12上，等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)，基板溫度180°C，使用硅烷作為硅源，沉積制備一層本征非晶硅薄膜，即i層(i a-S1:H),厚度為280nm，作為非晶硅頂電池p-1-n結(jié)構(gòu)的i層13 ;在i層13之上，用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)法，基板溫度160°C，磷烷作為η型摻雜氣體，硅烷作為硅源，二氧化碳作為氧源，通過高氫稀釋，沉積制備一層η型納晶氧化娃薄膜，即η層(n nc-SiO:H),厚度為IOnm,作為非晶娃頂電池p_i_n結(jié)構(gòu)的η層14；在η層14上，采用磁控濺射方法，基板溫度120°C，使用AZO (摻鋁氧化鋅)靶材，沉積一層AZO薄膜，作為頂電池陰極15，厚度500nm ；在頂電池陰極15之上，采用磁控濺射方法，基板溫度120°C，使用鎳靶和鋁靶，通過掩模板，依次沉積鎳電極17和鋁電極28，構(gòu)成鎳-鋁柵線電極，總厚度1.5Mffl ；最后，采用磁控濺射方法，在未覆蓋柵線電極的部分沉積氟化鎂薄膜，厚度為120nm,作為減反層。組件生產(chǎn)過程中內(nèi)部串聯(lián)刻劃如沉積完底電池6背接觸層2后，用波長1064nm的激光對底電池背接觸層2進行劃線(Pl)，將之分割形成寬度8mm的條狀，形成Pl第一溝道20，刻線寬度為35Mm ；如圖4所示，沉積完成頂電池主體結(jié)構(gòu)膜層19之后，在與第一溝道20相距50Mm的平行位置，采用機械刻劃方式進行刻劃，去除本實用新型三疊層電池各層主體結(jié)構(gòu)膜層6、10、19以及各中間層7、11，形成P2第二溝道21，刻線寬度為60Mm;如圖4所示，沉積完頂電池陰極15后，在與第二溝道21相距50um的平行位置，用機械刻劃去除本實用新型三疊層電池各層主體結(jié)構(gòu)膜層6、10、19和各中間層7、11以及頂電池陰極15，形成P3第三溝道22，刻線寬度為60Mffl ;至此本實用新型三疊層電池組件制造完畢。
權(quán)利要求1.一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，包括電池串聯(lián)連接的Pl (20)、P2 (21)、P3(22)溝道，其特征在于由分別對太陽光譜中的藍、綠、紅光波段光子敏感的電池材料，包括由硅基薄膜電池和碲化鎘(CdTe)、銅銦鎵硒(CIGS)電池構(gòu)成頂電池(19)、中間電池(10)和底電池(6)的多結(jié)疊層薄膜電池； 還包括頂電池窗口層的減反層；及 位于中間電池(10 )和底電池(6 )之間的第一中間層(7 )，和位于頂電池(19 )與中間電池(10 )之間的第二中間層(11);及 串聯(lián)連接中間電池(10)和底電池(6)的隔離線(23)、(24)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，其特征在于底電池銅銦鎵硒(CIGS) (6)以玻璃或不銹鋼基材為襯底(1)，依次沉積背接觸層(2)和銅銦鎵硒吸收層(3)、緩沖層(4)及氧化鋅窗口層(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，其特征在于隔離線是兩條(23、24)，串聯(lián)中間電池碲化鎘(CdTe) (10)和底電池(6)，且分別位于溝道P2 (21)、P3 (22)的前后。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，其特征在于第一中間層(7 )為導(dǎo)電薄膜，且位于底電池(6 )銅銦鎵硒窗口層(5 )上和中間電池(10 )碲化鎘電池吸收層(8)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，其特征在于中間電池(10)的緩沖層上依次層疊第二中間層(11)和頂電池(19)非晶硅PIN薄膜層，及頂電池(19)的陰極層(15)、減反層(16)，柵線電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，其特征在于調(diào)整疊層薄膜太陽能電池各項參數(shù)，包括其中頂電池(10)非晶硅電池本征層禁帶寬度在1.7-1.SeV之間,側(cè)重吸收太陽光中藍光。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，其特征在于調(diào)整疊層薄膜太陽能電池各項參數(shù)，還包括調(diào)整中間電池碲化鎘電池禁帶寬度在1.45eV左右，側(cè)重吸收綠光。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，其特征在于調(diào)整疊層薄膜太陽能電池各項參數(shù)，還包括其中調(diào)整底電池(6)銅銦鎵硒電池吸收層禁帶寬度在1.05eV左右，側(cè)重吸收紅光。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8任意一項所述的一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，其特征在于匹配形成多結(jié)疊層電池，包括增加其電池光程的第一中間層(7)和第二中間(11)，和防止電池內(nèi)串聯(lián)短路、漏電的隔離線(23、24)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種高效節(jié)能的疊層薄膜太陽能電池，其特征在于為增加電池光程，形成光陷阱，復(fù)合載流子，降低漏電流的第一中間層(7)是位于底電池(6)與中間電池(10)之間； 第二中間層(11)是位于中間電池(10)與頂電池(19)之間，以上所說中間層均為低電導(dǎo)率膜層。
專利摘要本實用新型公開了一種高效節(jié)能多結(jié)層薄膜太陽能電池，屬于太陽能光伏制造領(lǐng)域。目的選擇匹配對太陽光譜中藍、綠、紅光吸收敏感電池材料，構(gòu)成高效節(jié)能的三結(jié)薄膜電池，其效率接近晶體硅電池達15%。頂電池非晶硅本征層禁帶寬度1.7-1.8eV；中間電池碲化鎘禁帶寬度1.45eV；底電池銅銦鎵硒吸收層禁帶寬度在1.05eV左右。引入中間層增加光程，形成光陷阱，前后隔離線減少電池組件內(nèi)部串聯(lián)短接，降低成本和產(chǎn)品不良率。
文檔編號H01L31/078GK202996874SQ20122070154
公開日2013年6月12日 申請日期2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月18日
發(fā)明者李毅 申請人:深圳市創(chuàng)益科技發(fā)展有限公司