專利名稱：一種高壓大功率手機(jī)充電控制芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高壓大功率手機(jī)充電控制芯片。
背景技術(shù)：
手機(jī)上的大功率半導(dǎo)體充電芯片主要用于手機(jī)充電電路的電流控制，目前，國內(nèi)的手機(jī)充電芯片的耐壓一般在7V左右，安全性差，容易過壓被燒毀，此外，國內(nèi)手機(jī)芯片的充電效率不高，一般在70%左右，浪費(fèi)大量能源。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提供一種能提高芯片耐壓能力、增大芯片功率的高壓大功率手機(jī)充電控制芯片。本實(shí)用新型所述高壓大功率手機(jī)充電控制芯片，其包括基區(qū)，所述基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散形成集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，所述集電區(qū)為長方形，所述發(fā)射區(qū)環(huán)繞所述集電區(qū)的任意三邊。優(yōu)選地，所述發(fā)射區(qū)環(huán)繞所述集電區(qū)的一條長邊和兩條短邊。優(yōu)選地，所述發(fā)射區(qū)環(huán)繞所述集電區(qū)的一條短邊和兩條長邊。本實(shí)用新型所述高壓大功率手機(jī)充電控制芯片，其有益效果是:發(fā)射區(qū)環(huán)繞集電區(qū)的任意三邊，從而增加了有源區(qū)的接觸面積，提高了電流的通道能力，基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散深度范圍為10微米至15微米，在不改變芯片面積的前提下，增加了有源區(qū)的接觸面積，從而提高了電流的通道能力；在電壓增加的情況下，依靠增加有源區(qū)的面積而增大電流，不但提高了芯片的耐壓，也增大了芯片的功率。

此附圖說明所提供的圖片用來輔助對實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定，在附圖中:附圖1為本實(shí)用新型高壓大功率手機(jī)充電控制芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將以具體實(shí)施例來詳細(xì)說明本實(shí)用新型，在此本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例以及說明用來解釋本實(shí)用新型，但并不作為對本實(shí)用新型的限定。實(shí)施例1:如附圖1所示，本實(shí)用新型所述高壓大功率手機(jī)充電控制芯片，其包括基區(qū)，基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散形成集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，集電區(qū)為長方形，發(fā)射區(qū)環(huán)繞集電區(qū)的一條長邊和兩條短邊。基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散深度范圍為10微米至15微米。在不改變芯片面積的前提下，增加了有源區(qū)的接觸面積，從而提高了電流的通道能力；在電壓增加的情況下，依靠增加有源區(qū)的面積而增大電流，不但提高了芯片的耐壓，也增大了芯片的功率。實(shí)施例2:如附圖1所示，本實(shí)用新型所述高壓大功率手機(jī)充電控制芯片，其包括基區(qū)，基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散形成集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，集電區(qū)為長方形，發(fā)射區(qū)環(huán)繞集電區(qū)的一條短邊和兩條長邊?；鶇^(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散深度范圍為10微米至15微米。在不改變芯片面積的前提下，增加了有源區(qū)的接觸面積，從而提高了電流的通道能力；在電壓增加的情況下，依靠增加有源區(qū)的面積而增大電流，不但提高了芯片的耐壓，也增大了芯片的功率。以上對本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的技術(shù)方案進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文應(yīng)用了具體個(gè)例對本實(shí)用新型實(shí)施例的原理以及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只適用于幫助理解本實(shí)用新型實(shí)施例的原理；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，在具體實(shí)施方式
以及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實(shí)用新型的限制。
權(quán)利要求1.一種高壓大功率手機(jī)充電控制芯片，其特征在于: 包括基區(qū)，所述基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散形成集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，所述集電區(qū)為長方形，所述發(fā)射區(qū)環(huán)繞所述集電區(qū)的任意三邊。
2.如權(quán)利要求1所述高壓大功率手機(jī)充電控制芯片，其特征在于: 所述發(fā)射區(qū)環(huán)繞所述集電區(qū)的一條長邊和兩條短邊。
3.如權(quán)利要求1所述高壓大功率手機(jī)充電控制芯片，其特征在于: 所述發(fā)射區(qū)環(huán)繞所述集電區(qū)的一條短邊和兩條長邊。
專利摘要本實(shí)用新型涉及手機(jī)芯片領(lǐng)域，具體涉及一種高壓大功率手機(jī)充電控制芯片，其包括基區(qū)，所述基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散形成集電區(qū)和發(fā)射區(qū)，所述集電區(qū)為長方形，所述發(fā)射區(qū)環(huán)繞所述集電區(qū)的任意三邊，優(yōu)選選擇為一條長邊、兩條短邊或一條短邊、兩條長邊。本實(shí)用新型所述高壓大功率手機(jī)充電控制芯片，在不改變芯片面積的前提下，增加了有源區(qū)的接觸面積，從而提高了電流的通道能力；在電壓增加的情況下，依靠增加有源區(qū)的面積而增大電流，不但提高了芯片的耐壓，也增大了芯片的功率。
文檔編號H01L29/08GK202917495SQ20122053877
公開日2013年5月1日 申請日期2012年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月19日
發(fā)明者余梅, 潘逸清 申請人:南京泊月科技有限公司