專利名稱：超薄晶片清洗花籃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于清洗光伏電池原料的超薄晶片清洗花籃。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的超薄晶片清洗花籃包括花籃支架，在花籃支架上沿縱向設(shè)有溝槽。清洗超薄晶片時(shí)，超薄晶片卡裝在溝槽內(nèi)，將超薄晶片清洗花籃浸入清洗液并上下移動(dòng)，在上下移動(dòng)超薄晶片清洗花籃時(shí)，清洗液始終浸沒超薄晶片。這種結(jié)構(gòu)的不足之處是1、由于超薄晶片的厚度存在ΙΟμπι 50μπι的誤差，造成超薄晶片厚度與溝槽寬度不匹配。如溝槽太寬，會(huì)使超薄晶片發(fā)生傾斜，超薄晶片在清洗過程中晃動(dòng)，出現(xiàn)滑移，從而導(dǎo)致超薄晶片從超薄晶片清洗花籃中脫離出來。如溝槽太窄，會(huì)在清洗過程中出溝槽現(xiàn)夾緊晶片的現(xiàn)象，受到外力作用時(shí)會(huì)導(dǎo)致晶片破損；且清洗完后用鑷子從超薄晶片清洗花籃中夾取晶片時(shí)，常常因晶片被夾緊而再次出現(xiàn)破損。因此，在超薄晶片清洗過程中，因溝槽寬度與超薄晶片厚度不匹配而導(dǎo)致超薄晶片報(bào)廢率高，從而導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加。2、在清洗時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)超薄晶片清洗花籃有閑置溝槽未放置超薄晶片的情況，而清洗液必須浸沒過晶片，由于超薄晶片需要直立放置，無論超薄晶片清洗花籃的內(nèi)放置多少超薄晶片，其所消耗的清洗液量相同，一旦超薄晶片清洗花籃有空余，會(huì)造成清洗液的浪費(fèi)。3、在進(jìn)行清洗時(shí)，超薄晶片清洗花籃需要上下運(yùn)動(dòng)，以使雜質(zhì)與清洗液的接觸更均勻并加快雜質(zhì)與清洗液的反應(yīng)速度，在此過程中，清洗液頂面需一直淹沒超薄晶片頂部，需要大量的清洗液，浪費(fèi)嚴(yán)重。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種可降低超薄晶片報(bào)廢率、節(jié)約清洗液的超薄晶片清洗花籃。本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的一種超薄晶片清洗花籃，其特殊之處是它包括底座，在底座邊緣均布有二 四個(gè)提桿，在提桿上由下至上安裝有多個(gè)壓板及一個(gè)上蓋，所述壓板及上蓋上對應(yīng)提桿位置設(shè)有插孔，在底座上表面、壓板上下表面、上蓋下表面上分別均布有多個(gè)墊塊，在底座、壓板、上蓋上分別設(shè)有通孔，在底座上表面、壓板上表面設(shè)有邊沿，邊沿上設(shè)有缺口。所述底座下表面設(shè)有墊腳，以減小碰撞對超薄晶片的沖擊。所述邊沿上的缺口為兩個(gè)，且對稱分布，以便于清洗液水平流過超薄晶片。所述缺口與提桿錯(cuò)置，以避免提桿遮擋清洗液流動(dòng)。所述底座上均布有與提桿數(shù)目相等的插孔，所述提桿插裝在對應(yīng)的插孔上。所述提桿為L型，在底座下表面對應(yīng)所述提桿的水平段設(shè)有凹缺，所述提桿的水平段位于所述凹缺處，以承載底座。本實(shí)用新型的有益效果是1、通過底座、壓板、上蓋夾持超薄晶片，將原有的豎向放置超薄晶片的方式轉(zhuǎn)變?yōu)闄M向放置的方式，依靠重力的作用調(diào)整夾持的程度，避免出現(xiàn)松脫或破損，降低了超薄晶片的報(bào)廢比例。2、由于清洗液用量與超薄晶片清洗花籃的高度有關(guān)，該超薄晶片清洗花籃的高度隨裝夾超薄晶片減少而降低，當(dāng)超薄晶片數(shù)量少的時(shí)候，清洗液的用量少，避免了浪費(fèi)。3、清洗時(shí)，橫向晃動(dòng)該超薄晶片清洗花籃，清洗液只需沒過該超薄晶片清洗花籃頂部即可，節(jié)約了清洗液。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中底座的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖1中底座的俯視圖；圖4是圖1中底座的仰視圖；圖5是圖1中壓板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是圖1中壓板的俯視圖；圖7是圖1中壓板的仰視圖；圖8是圖1中上蓋的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是圖1中上蓋的俯視圖10是圖1中上蓋的仰視圖。圖中底座I，提桿2，壓板3，上蓋4，墊腳5，通孔6，提桿孔7，邊沿8，缺口 9，墊塊10，凹缺11。
具體實(shí)施方式
如圖所示，該超薄晶片清洗花籃包括底座1，在底座I的下表面設(shè)有墊腳5。在底座I上設(shè)有二 四個(gè)提桿孔7，本實(shí)施例中，所述提桿孔7有兩個(gè)且對稱布置，在提桿孔7內(nèi)插裝有提桿2，所述的提桿2為L狀，在底座I下表面對應(yīng)所述提桿2的水平段設(shè)有凹缺11，所述提桿2的水平段位于所述凹缺11處，以承載底座I。在提桿2上由下至上插裝多個(gè)壓板3及一個(gè)上蓋4，所述壓板3及上蓋4上對應(yīng)提桿2位置設(shè)有提桿孔7，在本實(shí)施例中，所述的壓板3有二個(gè)。在底座I和壓板3上表面設(shè)有邊沿8，在邊沿8上設(shè)有兩個(gè)與提桿孔7錯(cuò)置的缺口 9。在底座I上表面、壓板3下表面、壓板3上表面、上蓋4下表面上分別均布有多個(gè)墊塊10,在本實(shí)施例中，每個(gè)表面上的墊塊10有八個(gè)。在底座1、壓板3、上蓋4上分別設(shè)有多個(gè)通孔6，在本實(shí)施例中，所述的通孔6的數(shù)目為四個(gè)。使用時(shí)，將超薄晶片夾在底座I與壓板3之間、壓板3與壓板3之間、上蓋4與壓板3之間。將該超薄晶片清洗花籃放入清洗液，橫向晃動(dòng)該超薄晶片清洗花籃，將超薄晶片清洗干凈，然后將該超薄晶片清洗花籃橫置，取出超薄晶片。
權(quán)利要求1.一種超薄晶片清洗花籃，其特征是它包括底座，在底座邊緣均布有二 四個(gè)提桿，在提桿上由下至上安裝有多個(gè)壓板及一個(gè)上蓋，所述壓板及上蓋上對應(yīng)提桿位置設(shè)有插孔，在底座上表面、壓板上下表面、上蓋下表面上分別均布有多個(gè)墊塊，在底座、壓板、上蓋上分別設(shè)有通孔，在底座上表面、壓板上表面設(shè)有邊沿，邊沿上設(shè)有缺口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶片清洗花籃，其特征是所述底座下表面設(shè)有墊腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶片清洗花籃，其特征是所述邊沿上的缺口為兩個(gè)，且對稱分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的超薄晶片清洗花籃，其特征是所述缺口與提桿錯(cuò)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶片清洗花籃，其特征是所述底座上均布有與提桿數(shù)目相等的插孔，所述提桿插裝在對應(yīng)的插孔上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶片清洗花籃，其特征是所述提桿為L型，在底座下表面對應(yīng)所述提桿的水平段設(shè)有凹缺，所述提桿的水平段位于所述凹缺處。
專利摘要一種超薄晶片清洗花籃，其特殊之處是它包括底座，在底座邊緣均布有二～四個(gè)提桿，在提桿上由下至上安裝有多個(gè)壓板及一個(gè)上蓋，所述壓板及上蓋上對應(yīng)提桿位置設(shè)有插孔，在底座上表面、壓板上下表面、上蓋下表面上分別均布有多個(gè)墊塊，在底座、壓板、上蓋上分別設(shè)有通孔，在底座上表面、壓板上表面設(shè)有邊沿，邊沿上設(shè)有缺口。優(yōu)點(diǎn)是將原有的豎向放置超薄晶片的方式轉(zhuǎn)變?yōu)闄M向放置的方式，避免出現(xiàn)松脫或破損，降低了超薄晶片的報(bào)廢比例。當(dāng)超薄晶片數(shù)量少的時(shí)候，清洗液的用量少，避免了浪費(fèi)。清洗時(shí)，清洗液只需沒過該超薄晶片清洗花籃頂部即可，節(jié)約了清洗液。
文檔編號H01L21/673GK202871759SQ201220520880
公開日2013年4月10日 申請日期2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者陸曉東, 倫淑嫻, 郭艷東, 王巍, 周濤, 李媛 申請人:渤海大學(xué)