專利名稱：一種行星盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種行星盤技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種行星盤。
背景技術(shù)：
[0002]在現(xiàn)有的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，蒸發(fā)臺所利用的行星盤，如圖1所示，行星盤包括圍繞行星盤的軸心排列的多個蒸發(fā)盤101 (通常是7個)、每個蒸發(fā)盤101的直徑大于硅片的直徑，在每個蒸發(fā)盤101的外側(cè)通常設(shè)置有I個彈簧壓爪(圖1中未示出)，每個彈簧壓爪用于壓住放置于硅片上的蓋板(圖1中未示出)，在每個蒸發(fā)盤101的底部邊緣處設(shè)置有支撐圈，在加工芯片工藝時，先將硅片放置于蒸發(fā)盤底部的支撐圈上，然后將蓋板放置于硅片上，用彈簧壓爪壓住，即固定好了硅片，再進行后續(xù)作業(yè)。[0003]目前，在利用蒸發(fā)臺加工芯片時，通常使用3個或3個以上上述結(jié)構(gòu)的行星盤放置于蒸發(fā)臺上進行作業(yè)，由于所有的蒸發(fā)臺蒸發(fā)金屬時要求高真空，蒸發(fā)源需要充分融化 (防止崩源)等原因，所以在蒸發(fā)金屬前需要進行裝硅片準(zhǔn)備工作以及裝卸硅片工作，然后進行蒸發(fā)臺運行程序。一般來講，在每次裝硅片工作項目比較多，手動完成裝卸片工作所需時間也比較長，并有做蒸發(fā)金屬每次需要等到真空度達標(biāo)的情況下才能進行后續(xù)作業(yè)，這就使得用蒸發(fā)臺設(shè)備加工芯片時間相對其他半導(dǎo)體設(shè)備的加工芯片時間相對要長很多，這樣一來，一臺蒸發(fā)設(shè)備加工一次芯片的產(chǎn)量為21片(一次3個行星盤X 7個片位)。可見， 使用上述結(jié)構(gòu)的行星盤加工一次芯片的產(chǎn)量較低。實用新型內(nèi)容本實用新型實施例提供了一種行星盤，用以提高現(xiàn)有行星盤加工芯片的產(chǎn)量的問題。[0005]基于上述問題，本實用新型實施例提供的一種行星盤，包括圍繞行星盤的軸心排列的多個蒸發(fā)盤、設(shè)置于每個蒸發(fā)盤外側(cè)的多個彈簧壓爪以及放置于硅片上的多個蓋板， 所述行星盤還包括中心盤；所述中心盤設(shè)置于所述行星盤的蒸發(fā)面上且位于所述蒸發(fā)面的軸心處，并在所述中心盤的外側(cè)設(shè)置有用于壓住硅片的至少三個彈簧壓爪。[0006]本實用新型實施例的有益效果包括本實用新型實施例提供的行星盤，在原有7 個蒸發(fā)盤的基礎(chǔ)上，又在行星盤的蒸發(fā)面的軸心處設(shè)置中心盤，增加了一個加工芯片的片位，這樣使得蒸發(fā)臺設(shè)備加工一次芯片的數(shù)目增多，提高了行星盤加工芯片的產(chǎn)量。


[0007]圖1為現(xiàn)有行星盤的結(jié)構(gòu)示意圖；[0008]圖2為本實用新型實施例提供的行星盤的結(jié)構(gòu)示意圖一；[0009]圖3為本實用新型實施例提供的行星盤的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；[0010]圖4為本實用新型實施例提供的中心盤為環(huán)形的側(cè)視圖。
具體實施方式
[0011]下面結(jié)合說明書附圖，對本實用新型實施例提供的一種行星盤的具體實施方式
進行說明。[0012]本實用新型實施例提供的一種行星盤，如圖2所示，具體包括多個蒸發(fā)盤201、多個彈簧壓爪(圖2中未示出)以及多個蓋板(圖2中未示出)，這些蒸發(fā)盤201是圍繞行星盤的軸心排列的，并且在行星盤的蒸發(fā)面上且位于蒸發(fā)面的軸心處設(shè)置有中心盤202，在中心盤202的外側(cè)還設(shè)置有至少三個彈簧壓爪203，用于壓住硅片。[0013]具體地，通常一個行星盤上設(shè)置有7個蒸發(fā)盤，在蒸發(fā)盤的底部設(shè)置有支撐圈，用于放置硅片，對硅片起支撐作用；在每個蒸發(fā)盤的外側(cè)通常設(shè)置I個或I個以上的彈簧壓爪，以壓住放置于硅片上的蓋板，可以起到很好的固定作用；在行星盤蒸發(fā)面的軸心處還設(shè)置凸柱，用以在加工芯片工藝時固定于蒸發(fā)臺，在這里，彈簧壓爪的設(shè)置方式可以是螺栓式，即將彈簧壓爪通過螺栓和螺母固定于蒸發(fā)盤的外側(cè)，蓋板通常為碗狀的，可以為金屬板，具體可以為鋁板、鐵板或不銹鋼板等。另外，蒸發(fā)盤的形狀可以為圓形。[0014]較佳地，在本實用新型實施例中，中心盤202附著于蒸發(fā)面的軸心區(qū)域，且可以為圓形，與軸心區(qū)域的附著方式具體可以是焊接、螺栓連接或粘接，還可以是其他固定方式， 在此不對中心盤202的附著方式做任何具體限定。在中心盤202為圓形時，中心盤202的直徑可以與硅片的直徑相同。另外，中心盤202采用金屬材質(zhì)，具體地可以為鋁、鐵或不銹鋼。[0015]較佳地，在本實用新型實施例中，中心盤202的外側(cè)設(shè)置的彈簧壓爪203為3個， 為了起到更好的固定作用，也可以設(shè)置3個以上。[0016]如圖3所示，中心盤301附著于蒸發(fā)面的軸心區(qū)域且還可以為環(huán)形，在中心盤301 為環(huán)形時，中心盤301外環(huán)的直徑可以與硅片的直徑相等，在中心盤301的外側(cè)通常設(shè)置有 3個彈簧壓爪302 (參見圖4)，其他結(jié)構(gòu)與圖2所示的中心盤的結(jié)構(gòu)相同，在此不再贅述。利用本實用新型實施例提供的行星盤進行芯片加工時，通常蒸發(fā)臺設(shè)備使用上述 3個或3個以上行星盤進行作業(yè)，首先，將硅片放置于行星盤的蒸發(fā)面軸心處的中心盤上， 用彈簧壓爪固定好，然后分別在7個蒸發(fā)盤上放置硅片，待彈簧壓爪壓住蓋板后，保證行星盤的蓋板的一面朝上，將3個行星盤放到蒸發(fā)臺的行星盤架中，使用彈力卡銷固定好行星盤后，開始后續(xù)工作。這樣一來，新增一個中心盤后，使用蒸發(fā)臺設(shè)備加工一次芯片的產(chǎn)量是24片(3個行星盤X8個片位)，并且使用中心盤加工出的芯片的均勻性和反射率，相對于蒸發(fā)盤加工出的變化不大，如表I (均勻性，以蒸發(fā)2um鋁為例，每片5點數(shù)據(jù))和表 2 (反射率，以蒸發(fā)2um鋁為例，每片5點數(shù)據(jù))所示。[0018]表I
權(quán)利要求1.一種行星盤，包括圍繞行星盤的軸心排列的多個蒸發(fā)盤、設(shè)置于每個蒸發(fā)盤外側(cè)的 多個彈簧壓爪以及放置于硅片上的多個蓋板，其特征在于，還包括中心盤；所述中心盤設(shè)置于所述行星盤的蒸發(fā)面上且位于所述蒸發(fā)面的軸心處，在所述中心盤 的外側(cè)設(shè)置有用于壓住硅片的至少三個彈簧壓爪。
2.如權(quán)利要求1所述的行星盤，其特征在于，所述中心盤附著于所述蒸發(fā)面的軸心區(qū) 域，且為圓形或環(huán)形。
3.如權(quán)利要求2所述的行星盤，其特征在于，所述中心盤與所述軸心區(qū)域的附著方式 為焊接、螺栓連接或粘接。
4.如權(quán)利要求2所述的行星盤，其特征在于，所述中心盤為圓形，其直徑與硅片的直徑相等。
5.如權(quán)利要求2所述的行星盤，其特征在于，所述中心盤為環(huán)形，其外環(huán)直徑與硅片的直徑相等。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項權(quán)利要求所述的行星盤，其特征在于，所述中心盤采用 鋁、鐵或不銹鋼。
7.如權(quán)利要求1所述的行星盤，其特征在于，所述蒸發(fā)盤的形狀為圓形。
8.如權(quán)利要求1所述的行星盤，其特征在于，所述蓋板為鋁板、鐵板或不銹鋼板。
專利摘要本實用新型實施例提供了一種行星盤，包括圍繞行星盤的軸心排列的多個蒸發(fā)盤、設(shè)置于每個蒸發(fā)盤外側(cè)的多個彈簧壓爪以及放置于硅片上的多個蓋板，行星盤還包括中心盤，設(shè)置于行星盤的蒸發(fā)面上且位于蒸發(fā)面的軸心處，并在中心盤的外側(cè)設(shè)置有用于壓住硅片的至少三個彈簧壓爪。本實用新型實施例提高了現(xiàn)有行星盤加工芯片的產(chǎn)量。
文檔編號H01L21/203GK202839577SQ20122039799
公開日2013年3月27日 申請日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
發(fā)明者崔金洪 申請人:北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司