專利名稱：平板型耐高溫晶閘管的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及的是220A平板型耐高溫晶閘管，屬功率半導體器件，用于平板型耐高溫晶閘管結(jié)構(gòu)，它可應用于高溫環(huán)境中運作的器件，特別是全控整流橋、直流電動機、交流電限速器和交流電動機等。
背景技術：
目前，普通型晶閘管的芯片為四層三結(jié)結(jié)構(gòu)，P-N結(jié)深80-85微米。P層表電阻率14-22歐姆，短路點的直徑320微米，短路點間距為1000微米，這樣的結(jié)構(gòu)，在1200V工作
電話下，只能承受125-140° C的工作環(huán)境，當溫度超過140° C，晶閘管的電壓就會急速下降，使得電壓不穩(wěn)，從而導致器件無法正常工作。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型目的是針對上述不足之處提供一種平板型耐高溫晶閘管，通過優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)來提高晶閘管的承受溫度能力。平板型耐高溫晶閘管是采取以下技術方案實現(xiàn)平板型耐高溫晶閘管包括陰極底座、陽極底座、陰極墊片、陽極墊片、晶閘管芯片、固定環(huán)、陶瓷外殼和控制門極，在陰極底座和陽極底座之間裝有晶閘管芯片，在晶閘管芯片與陽極底座之間裝有陽極墊片，在晶閘管芯片與陰極底座之間裝有陰極墊片，控制門極安裝在陰極墊片上，固定環(huán)安裝在晶閘管芯片端部，用以固定晶閘管芯片，在陰極底座和陽極底座之間的兩端封裝有陶瓷外殼。所述的陰極底座和陽極底座為銅底座。所述的陰極墊片和陽極墊片為銀墊片。所述的固定環(huán)采用氟塑固定環(huán)。平板型耐高溫晶閘管設計合理、結(jié)構(gòu)緊湊，在高溫環(huán)境中正常運行，保持電壓穩(wěn)定。平板型耐高溫晶閘管的結(jié)構(gòu)可以減少短路點直徑、縮小短路點間距，將短路點排布圖更改為正六邊形，將P-N結(jié)深提高到105-110微米，P層電阻率為5-8歐姆，門極支條數(shù)量增加到6個，擴大門極支條數(shù)量增加到12個，平板型耐高溫晶閘管為200A，1400V的晶閘管，承受溫度達到165°C，當溫度達到165°C時，電壓保持穩(wěn)定，器件能夠正常運行工作。

以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明圖I是本實用新型平板型耐高溫晶閘管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型平板型耐高溫晶閘管的短路點排布示意圖。圖3是本實用新型平板型耐高溫晶閘管的P-N結(jié)深示意圖。圖中1、陰極底座，2、陽極底座，3、陰極墊片，4、陽極墊片，5、晶閘管芯片，6、固定環(huán)，7、陶瓷外殼，8、控制門極，9、門極支條，10、擴大門極支條。
具體實施方式
參照附圖廣3，平板型 耐高溫晶閘管包括陰極底座I、陽極底座2、陰極墊片3、陽極墊片4、晶閘管芯片5、固定環(huán)6、陶瓷外殼7和控制門極8，在陰極底座I和陽極底座2之間裝有晶閘管芯片5，在晶閘管芯片5與陽極底座2之間裝有陽極墊片4，在晶閘管芯片5與陰極底座I之間裝有陰極墊片3，控制門極8安裝在陰極墊片3上，固定環(huán)6安裝在晶閘管芯片5端部，用以固定晶閘管芯片5，在陰極底座I和陽極底座2之間的兩端封裝有陶瓷外殼7。所述的陰極底座I和陽極底座2為銅底座。所述的陰極墊片3和陽極墊片4為銀墊片。所述的固定環(huán)6采用氟塑固定環(huán)。平板型耐高溫晶閘管的結(jié)構(gòu)可以減少短路點直徑、縮小短路點間距，將短路點排布圖更改為正六邊形，將P-N結(jié)深提高到105-110微米，P層電阻率為5-8歐姆，門極支條9數(shù)量增加到6個，擴大門極支條10數(shù)量增加到12個，平板型耐高溫晶閘管為200A, 1400V的晶閘管，承受溫度達到165°C，當溫度達到165°C時，電壓保持穩(wěn)定，器件能夠正常運行工作。
權(quán)利要求1.一種平板型耐高溫晶閘管，其特征在于平板型耐高溫晶閘管包括陰極底座、陽極底座、陰極墊片、陽極墊片、晶閘管芯片、固定環(huán)、陶瓷外殼和控制門極，在陰極底座和陽極底座之間裝有晶閘管芯片，在晶閘管芯片與陽極底座之間裝有陽極墊片，在晶閘管芯片與陰極底座之間裝有陰極墊片，控制門極安裝在陰極墊片上，固定環(huán)安裝在晶閘管芯片端部，在陰極底座和陽極底座之間的兩端封裝有陶瓷外殼。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的平板型耐高溫晶閘管，其特征在于所述的陰極底座和陽極底座為銅底座。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的平板型耐高溫晶閘管，其特征在于所述的陰極墊片和陽極墊片采用銀材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的平板型耐高溫晶閘管，其特征在于所述的固定環(huán)采用氟塑固定環(huán)。
專利摘要本實用新型涉及的是220A平板型耐高溫晶閘管，屬功率半導體器件，用于平板型耐高溫晶閘管結(jié)構(gòu)，它可應用于高溫環(huán)境中運作的器件，特別是全控整流橋、直流電動機、交流電限速器和交流電動機等。包括陰極底座、陽極底座、陰極墊片、陽極墊片、晶閘管芯片、固定環(huán)、陶瓷外殼和控制門極，在陰極底座和陽極底座之間裝有晶閘管芯片，在晶閘管芯片與陽極底座之間裝有陽極墊片，在晶閘管芯片與陰極底座之間裝有陰極墊片，控制門極安裝在陰極墊片上，固定環(huán)安裝在晶閘管芯片端部，在陰極底座和陽極底座之間的兩端封裝有陶瓷外殼。平板型耐高溫晶閘管設計合理、結(jié)構(gòu)緊湊，在高溫環(huán)境中正常運行，保持電壓穩(wěn)定。
文檔編號H01L29/74GK202585423SQ20122020004
公開日2012年12月5日 申請日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月7日
發(fā)明者列夫采夫·阿列克謝, 伊爾漢姆·瑪綿多夫, 周慧杰, 卡基馬里耶夫·達沃德, 阿杜石金·維克多 申請人:江蘇德麗斯特半導體科技有限公司