專利名稱：一種用于se工藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及晶硅太陽能電池制造用標(biāo)準(zhǔn)片，具體地涉及到一種用于SEエ藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片。
技術(shù)背景 目前，高效率、低成本是太陽能電池的發(fā)展方向，而選擇性發(fā)射極SE結(jié)構(gòu)是p-n結(jié)晶硅太陽能電池エ藝中實(shí)現(xiàn)高效率的方法之一。SEエ藝的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)是一、在活性區(qū)形成低慘雜淺擴(kuò)散區(qū)，可以在聞?shì)d流子廣生率的區(qū)域獲得聞的收集率，提聞電池的短路電流Isc ;ニ、在電極柵線底下及其附近形成高摻雜深擴(kuò)散區(qū)，容易形成歐姆接觸，且此區(qū)域的體電阻較小，從而降低太陽電池的串聯(lián)電阻，提高電池的填充因子FF。雜質(zhì)深擴(kuò)散可以加深加大橫向n+/p結(jié),而橫向n+/p結(jié)和在低摻雜區(qū)和高摻雜區(qū)交界處形成的橫向n+/n高低結(jié)可以提高光生載流子的收集率，從而提高電池的短路電流Isc。另外，深結(jié)可以防止電極金屬向結(jié)區(qū)滲透，減少電極金屬在禁帶中引入雜質(zhì)能級(jí)的幾率。實(shí)現(xiàn)SE的方法很多，如在硅片表面不同區(qū)域沉積不同濃度的磷硅玻璃；在電極區(qū)印刷高濃度磷漿后放入擴(kuò)散爐中擴(kuò)散處理；激光埋柵等等。雖然上述方法可以制備出高性能的電池片，但是存在成本高，無法批量生產(chǎn)等問題。本實(shí)用新型中涉及的SEエ藝是采用在柵線區(qū)域進(jìn)行噴蠟處理實(shí)現(xiàn)的。因此在絲網(wǎng)印刷工序，需要用攝像頭校準(zhǔn)及確認(rèn)正面電極的圖形與噴蠟區(qū)域的圖形是否吻合。通常情況下，首先使用假片進(jìn)行常規(guī)的印刷偏移調(diào)試，然后使用已鍍膜的假片或真片進(jìn)行攝像頭對(duì)準(zhǔn)，最后再用噴蠟后的假片檢查印刷圖形與噴蠟區(qū)域的吻合度。在此過程中，需要使用一定數(shù)量的假片或真片，還會(huì)產(chǎn)生ー些失效片，増加了生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型中采用ー種用于SEエ藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片，減少了假片或真片的使用量，降低失效片數(shù)量，達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決上述減少假片或真片使用量的問題，本實(shí)用新型提供了一種用于SEエ藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片。本實(shí)用新型解決的問題所采用的技術(shù)方案如下一種用于SEエ藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片，標(biāo)準(zhǔn)片的邊緣尺寸為156± Imm;標(biāo)準(zhǔn)片倒角的尺寸為1.0±0. Imm;標(biāo)準(zhǔn)片主柵線的寬度為1.6±0. Imm;標(biāo)準(zhǔn)片兩主柵線之間的距離為52±lmm;標(biāo)準(zhǔn)片其中一條主柵線的邊緣與副柵線邊緣間的距離為26±lmm;副柵線與標(biāo)準(zhǔn)片邊緣的距離為I. 5±0. Imm ;標(biāo)準(zhǔn)片的厚度為200±20um。在SEエ藝中使用本實(shí)用新型提供的一種用于SEエ藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片，可以減少假片或真片的使用量，降低失效片數(shù)量，達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。

[0007]圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中A為標(biāo)準(zhǔn)片的邊緣尺寸；B為標(biāo)準(zhǔn)片倒角的尺寸；C為標(biāo)準(zhǔn)片主柵線的寬度；D為標(biāo)準(zhǔn)片兩主柵線之間的距離；E為標(biāo)準(zhǔn)片其中一條主柵線的邊緣與副柵線邊緣間的距離；F為標(biāo)準(zhǔn)片副柵線與標(biāo)準(zhǔn)片邊緣的距離。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合圖I詳細(xì)說明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
。圖I公開了ー種用于SEエ藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片，標(biāo)準(zhǔn)片的邊緣尺寸A為156 ± Imm ;標(biāo)準(zhǔn)片倒角的尺寸B為I. 0±0. Imm ;標(biāo)準(zhǔn)片主柵線的寬度C為I. 6±0. Imm ;標(biāo)準(zhǔn)片兩主柵線之間的距離D為52±lmm ;標(biāo)準(zhǔn)片其中一條主柵線的邊緣與副柵線邊緣間的距離E為26±lmm ;副柵線與標(biāo)準(zhǔn)片邊緣的距離F為I. 5±0. Imm ;標(biāo)準(zhǔn)片的厚度為200±20um。本實(shí)施方案中標(biāo)準(zhǔn)片的基體材料為改性聚四氟こ烯，呈藍(lán)色，主柵線和副柵線的顏色為白色，標(biāo)準(zhǔn)片的背景色和主柵線、副柵線的顔色要有明顯的色差，滿足攝像頭的分辨率。主柵線和副柵線的根數(shù)以及各個(gè)尺寸按照多晶三柵產(chǎn)品來制作。本實(shí)用新型的有益效果是該標(biāo)準(zhǔn)片在用于SEエ藝印刷正面電極的攝像頭對(duì)準(zhǔn)調(diào)試的過程中，印刷后附著在把標(biāo)準(zhǔn)片表面的漿料容易被清洗干凈，重復(fù)使用，減少假片或真片的使用量，降低失效片數(shù)量，有效地降低了生產(chǎn)成本。
權(quán)利要求1.一種用于SE 藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在干標(biāo)準(zhǔn)片的邊緣尺寸(A)為156±lmm;標(biāo)準(zhǔn)片倒角的尺寸⑶為1·0±0· Imm ;標(biāo)準(zhǔn)片主柵線的寬度(C)為.1.6 + 0. Imm;標(biāo)準(zhǔn)片兩主柵線之間的距離(D)為52± Imm ;標(biāo)準(zhǔn)片其中一條主柵線的邊緣與副柵線邊緣間的距離(E)為26± Imm;副柵線與標(biāo)準(zhǔn)片邊緣的距離(F)為I. 5±0· Imm ;標(biāo)準(zhǔn)片的厚度為200±20um。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于SE工藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片，標(biāo)準(zhǔn)片的邊緣尺寸為156±1mm；標(biāo)準(zhǔn)片倒角的尺寸為1.0±0.1mm；標(biāo)準(zhǔn)片主柵線的寬度為1.6±0.1mm；標(biāo)準(zhǔn)片兩主柵線之間的距離為52±1mm；標(biāo)準(zhǔn)片其中一條主柵線的邊緣與副柵線邊緣間的距離為26±1mm；副柵線與標(biāo)準(zhǔn)片邊緣的距離為1.5±0.1mm；標(biāo)準(zhǔn)片的厚度為200±20um。在SE工藝中使用本實(shí)用新型提供的一種用于SE工藝印刷正面電極對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)片，可以減少假片或真片的使用量，降低失效片數(shù)量，達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。
文檔編號(hào)H01L31/18GK202399620SQ20122000853
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月10日
發(fā)明者劉香飛, 吳國強(qiáng), 方智, 王慶錢 申請(qǐng)人:浙江鴻禧光伏科技股份有限公司